最新PVD鍍膜工藝簡(jiǎn)介

1、1二、真空蒸發(fā)鍍膜 一、PVD的定義及分類三、真空濺射鍍膜四、真空離子鍍膜2一一、PVD的定義及的定義及分類分類3 物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長(zhǎng)法。沉積過(guò)程是在真空或低物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長(zhǎng)法。沉積過(guò)程是在真空或低氣壓氣體放電條件下，即在低溫等離子體中進(jìn)行的。涂層的物質(zhì)源是固氣壓氣體放電條件下，即在低溫等離子體中進(jìn)行的。涂層的物質(zhì)源是固態(tài)物質(zhì)，經(jīng)過(guò)態(tài)物質(zhì)，經(jīng)過(guò)“蒸發(fā)或?yàn)R射蒸發(fā)或?yàn)R射”后，在零件表面生成與基材性能完全不同后，在零件表面生成與基材性能完全不同的新的固體物質(zhì)涂層。的新的固體物質(zhì)涂層。 1.1.PVDPVD的定義的定義42.PVD的的基本過(guò)程基本過(guò)程l 從原料中發(fā)射粒

2、子（經(jīng)過(guò)蒸發(fā)、升華、濺射和分解等過(guò)程）；從原料中發(fā)射粒子（經(jīng)過(guò)蒸發(fā)、升華、濺射和分解等過(guò)程）；l 粒子輸運(yùn)到基片（粒子之間發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離化、復(fù)合、反應(yīng)，粒子輸運(yùn)到基片（粒子之間發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離化、復(fù)合、反應(yīng)，能量的交換和運(yùn)動(dòng)方向的變化）；能量的交換和運(yùn)動(dòng)方向的變化）；l 粒子在基片上凝結(jié)、成核、長(zhǎng)大和成膜。粒子在基片上凝結(jié)、成核、長(zhǎng)大和成膜。53.PVD的分類的分類真空蒸發(fā)鍍膜真空濺射鍍膜真空離子鍍膜6二二、真空蒸發(fā)鍍膜、真空蒸發(fā)鍍膜71.真空的定義2.真空蒸發(fā)鍍膜的定義 泛指低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)。與普通大氣壓狀態(tài)相比，分子密度較為稀薄，從而氣體分子和氣體分子、氣體分子和器壁之間的碰撞幾

3、率要低一些。 真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下，用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之汽化，蒸發(fā)粒子流直接射向基片并在基片上沉積形成固態(tài)薄膜的技術(shù)。 括熱蒸發(fā)和EB蒸發(fā)（電子束蒸發(fā)）8910熱蒸發(fā)是在真空狀況下，將所要蒸鍍的材料利用電阻加熱達(dá)到熔化溫度，使原子蒸發(fā)，到達(dá)并附著在基板表面上的一種鍍膜技術(shù)。 特點(diǎn)：裝置便宜、操作簡(jiǎn)單廣泛用于Au、Ag、Cu、Ni、In、Cr等導(dǎo)體材料。4.熱蒸發(fā)原理及特點(diǎn)115.E-Beam蒸發(fā)原理 熱電子由燈絲發(fā)射后，被加速陽(yáng)極加速，獲得動(dòng)能轟擊到處于陽(yáng)極的蒸發(fā)材料上，使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。 特點(diǎn)：多用于要求純度極高的膜、絕緣物的蒸鍍和高熔點(diǎn)物質(zhì)的蒸鍍1213二二、真

4、空濺射鍍膜、真空濺射鍍膜14 給靶材施加高電壓（形成等離子狀態(tài)），使正荷電氣體離子撞擊靶材、金屬原子飛彈，而在樣品表面形成金屬皮膜的方法。1.真空濺射鍍膜的定義1516 電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。2.磁控濺射鍍膜的定義173.輝光放電的定義 輝光放電是指在稀薄氣體中，兩個(gè)電極之間加上電壓時(shí)產(chǎn)生的一種氣體放電現(xiàn)象。18直流濺射：適用于金屬材料射頻濺射：是適用于各種金屬和非金屬材料的一種濺射沉積方法194.真空濺射鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)20三、真空離子鍍膜三、真空離子鍍膜21 在真空條件下，利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)，把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物蒸鍍?cè)诨稀?離子鍍把輝光放電、等離子體技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)結(jié)合在一起1.真空離子鍍膜的定義22232.真空離子鍍膜的原理243.真空離子鍍膜