晶硅電池制備工藝切片制絨擴散PPT教案

1、會計學1晶硅電池制備工藝切片制絨擴散晶硅電池制備工藝切片制絨擴散 光伏產(chǎn)業(yè)鏈第1頁/共104頁制絨清洗甩干擴散刻蝕和去磷硅玻璃PECVD絲網(wǎng)印刷背電極絲網(wǎng)印刷背電場絲網(wǎng)印刷正面電極分類檢測包裝原始硅片第2頁/共104頁制絨清洗甩干擴散刻蝕和去磷硅玻璃PECVD絲網(wǎng)印刷背電極絲網(wǎng)印刷背電場絲網(wǎng)印刷正面電極分類檢測包裝原始硅片第3頁/共104頁6.1 硅片生產(chǎn)工藝（及主要設(shè)備）工藝流程：硅錠（硅棒）-切塊（切方）-倒角拋光-粘膠-切 片-脫膠清洗-分選檢驗包裝 工藝簡介 ：切塊切方：將硅錠或者硅棒切成適合切片的尺寸，一般硅錠切成25塊（主流）。倒角拋光：將晶柱的圓面棱角研磨成符合要求的尺寸，對表面

2、進行拋光處理，從而獲得高度平坦的晶片。粘膠：用粘附劑把晶柱固定在由鋁板和玻璃板組成的夾具上，自然硬化或用恒溫爐使其硬化。第4頁/共104頁切片：把晶柱切割成硅片，切割的深度要達到夾具上的玻璃板，以便在之后的程序中把硅片和玻璃板分開。脫膠清洗：用清水清洗切成的硅片，再用熱水浸泡，使硅片與玻璃板分開。分選檢驗包裝：抽樣檢查厚度、尺寸、抗阻值等指標，全部檢查破損、裂痕、邊緣缺口，挑選出符合要求的硅片進行包裝。第5頁/共104頁主要設(shè)備介紹主要設(shè)備介紹1、切方機切方機是用來對硅棒、硅錠進行切割的設(shè)備。該設(shè)備目前在國內(nèi)已實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，上海日進、上海漢虹、大連連城、北京京儀世紀等公司已有成熟的產(chǎn)品投入市

3、場。一條50MW的硅片生產(chǎn)線需要配1臺切方機即可，國產(chǎn)設(shè)備價格為280萬元左右。2、多線切割機多線切割機是目前市場上用于切片最主流，也是最先進的設(shè)備。它的基本原理是通過一根高速運動的鋼線帶動附著在鋼絲上的切割刃料對硅棒進行摩擦，從而將硅棒等硬脆材料一次同時切割為數(shù)千片薄片的一種切割加工方法。多線切割由于其更高效、更小切割損失以及更高精度的優(yōu)勢，適用于切割貴重、超硬材料。近十年來已取代傳統(tǒng)的內(nèi)圓切割成為硅片切割加工的主要方式。在光伏行業(yè)切片領(lǐng)域，到2009年底國內(nèi)市場基本被瑞士的HCT、MeyerBurger（梅耶博格）和日本的NTC所統(tǒng)治。近年來國內(nèi)設(shè)備廠家上海日進、電子集團45所、蘭州瑞德、

4、無錫開源、大連連城、北京京聯(lián)發(fā)、湖南宇晶等也陸續(xù)推出了多線切割機樣機。第6頁/共104頁第7頁/共104頁 在切割中，對鋼線施加適當?shù)膹埩Γ逛摼€來回拉動。使用線切割機進行切片 鋼線帶動漿料（油及SiC），使其對晶棒進行切割。漿料不僅是研磨劑，還帶走研磨中的熱量。占 整 個 切 片 成 本 的25%35%。 太 陽 能 電 池 厚 度 為200280m。鋼線直徑1 8 0 m ， 碳 化 硅 為530m 。第8頁/共104頁半成品庫切斷檢驗檢驗切方自檢滾圓 不合格檢驗檢驗合格合格 不合格準方棒粘接切片自檢脫膠預(yù)清洗插片超聲波清洗檢驗檢驗合格包裝成品庫 不合格單晶硅片生產(chǎn)工藝流程第9頁/共104

5、頁切斷開方切片硅片第10頁/共104頁半成品庫硅錠粘接 脫膠 切斷（去頭尾）檢驗檢驗合格準方棒粘接切片自檢脫膠預(yù)清洗插片超聲波清洗檢驗檢驗合格包裝成品庫 不合格 多晶硅片生產(chǎn)工藝流程破錠邊皮料磨面 頭尾料 不合格倒角第11頁/共104頁 太陽能級單多晶硅片技術(shù)參數(shù)太陽能級單多晶硅片技術(shù)參數(shù) 規(guī)格(尺寸)(mm) 125*125；156*156 導電類型 P型；N型 晶向及晶向偏差 2 電阻率范圍(歐母厘米) 少子壽命(us) 氧含量(atoms/cm2) 碳含量(atoms/cm2) 位錯密度(個/cm2) 晶體硅片邊長(mm)125*1250.5；156*1560.5 對角線(mm) 150

6、0.5 ；2200.5 中心厚度值(um) 20030 厚度偏差(um) TTV40，邊緣6mm處測量 彎曲度BOW(um) 70 鋸痕深度(um) 15 外觀狀況 無油污、無孔洞 鈍形缺角類缺陷 長度1.5mm1mm,每片缺陷數(shù)量5個 V型缺角類缺陷 0第12頁/共104頁 開方介紹硅錠硅棒第13頁/共104頁第14頁/共104頁 切片機介紹第15頁/共104頁 切片原理 切片的原理及過程：利用切割鋼絲帶動砂漿，利用砂漿中SiC微粒與晶棒進行摩擦，達到切割的目的。并不是鋼絲切割晶棒，鋼絲的摩爾硬度為5.5左右，單晶硅的摩爾硬度為6.5左右，而SiC的摩爾硬度為9.25-9.5左右，因此鋼絲是

7、切割不了晶棒的.第16頁/共104頁設(shè)備基本特性和技術(shù)參數(shù)工件工件工件尺寸 156*L320mm并排2根長度 最大 320 mm 切割線切割線切割線直徑 0.12-0.16mm切割線長度 根據(jù)要求而定 切割線速度 可編程設(shè)定，600m/min 正向和反向切割 ( 自動反向 )總循環(huán)時間 可編程設(shè)定 切割線張緊力 10 - 25 N主輥主輥主輥軸承 特殊滾柱軸承、水冷式 主輥直徑 200-215 mm 主輥長度 320 mm 主輥重量 約 29 kg 主輥數(shù)量 2第17頁/共104頁進給進給工作行程 最大 300mm/min進給速度 0.1 - 2 mm/min, 可編程設(shè)定 快速進給速度 30

8、0 mm/min漿液供應(yīng)漿液供應(yīng)漿液箱容量 200升 漿液溫度 受控 泵流量 在 25C 時，最大達 180 l/min 漿液冷卻 通過熱交換器控制系統(tǒng)控制系統(tǒng)類型 PLC 控制。各工藝流程各工藝流程-線切部分線切部分線切部分的主要組成單元線切部分的主要組成單元 主要由：放線部分收線部分線網(wǎng)系統(tǒng)冷卻交換系統(tǒng)切削液循環(huán)供給系統(tǒng)壓縮空氣潔凈系統(tǒng)組成。各單元的構(gòu)成及作用各單元的構(gòu)成及作用a 放線系統(tǒng)放線系統(tǒng)第18頁/共104頁放線系統(tǒng)圖 各線輪作用放線工字輪：定位放線輪，不擺動、跳動。軸棍摩擦力可調(diào)，由一個驅(qū)動電機帶動，起、制動及正常運行時，通過飼服電機使得與導輪保持同步。排線過線輪：通過對飼服電機

9、的控制使排線過線輪的鋼絲人口始終與放線工字輪的鋼絲出口保持水平狀態(tài) 第19頁/共104頁Dancer（漲力）：通過Dancer的擺動，動態(tài)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的放線張力，基本維持在22N。同時，可緩沖排線Pitch不均而對放線張力的實時微擾。張力測試輪：輪內(nèi)加裝了一個壓力傳感器，把檢測到的信號經(jīng)處理后，顯示到LED顯示屏上，直觀地觀測其實際放線張力。同時，把此信號與給定信號比較，其差值的正、負、大、小再去調(diào)節(jié)放線張力，直到實際放線張力與設(shè)定值一致。（實際上是一個壓力閉環(huán)系統(tǒng)）導向過線輪：通過該輪使切割鋼絲平滑地過渡到線網(wǎng)導輪上。同時，定位了線網(wǎng)槽輪的人線位置。b 收線系統(tǒng)收線系統(tǒng)收線系統(tǒng)圖第20頁/共10

10、4頁C 線網(wǎng)部分線網(wǎng)部分 線網(wǎng)的基本知識線網(wǎng)作用：把線網(wǎng)中每一根鋼絲作為載體，把切削液均勻的帶入線網(wǎng)中，通過鋼絲、砂、硅之間的相對運動（滑動、滾動），達到切割硅棒的目的。所以，線網(wǎng)必須保持一定的張力，必須穩(wěn)定，不能松動，更不能跳線。線網(wǎng)穩(wěn)定性對產(chǎn)品的合格率，減少斷絲率至關(guān)重要。線網(wǎng)張力：理論上由放線張力決定，但由于槽輪與鋼絲間存在摩擦力，在切割過程中會建立7mm左右的線弓，加上鋼絲在一定張力下的延伸性與硬質(zhì)塑料材質(zhì)的槽輪在一定壓力下的擠壓，實際線網(wǎng)張力會大于放線張力。第21頁/共104頁線網(wǎng)槽輪的基本知識 槽輪作用：讓線網(wǎng)鋼絲部分埋入不至滑動、跳線，起到較好的穩(wěn)定作用。槽輪材質(zhì)：表面是高耐磨的

11、聚氨酯涂層。槽輪的槽距、槽深、槽角、槽寬：（以200m厚的硅片為例）槽距：由硅片厚度、線徑、砂粒度等因素決定。對應(yīng)的槽距W=0.345mm槽深：如圖，槽深h=0.16mm 槽角：如圖，槽角=81.9度槽寬：如圖，根據(jù)槽深、槽角求得槽寬W=2*0.16*tg(81.9)=0.27768mm第22頁/共104頁線網(wǎng)兩導輪如何實現(xiàn)同步？如圖，主動輪與從動輪由各自的電機驅(qū)動，但主動輪只與系統(tǒng)的給定值有關(guān)，而從動輪則以主動輪作為的速度為目標，槽輪線網(wǎng)鋼絲受力圖通過伺服系統(tǒng)對主動輪不斷跟隨，直到兩輪的速度 一致。即：F1=F2。如果，兩者不同步，則F1F2，若F1F2 ,說明，從輪太快，調(diào)節(jié)使槽輪減速；反

12、之，亦然。所以，實際情況是，從輪速度圍繞主輪在波動中跟隨，實現(xiàn)相對同步。鋼絲的張力也隨著小幅波動。導輪線網(wǎng)鋼絲受力圖 切片的主要輔助材料及用途 a 切割線（鋼線）:主要作用纏繞在設(shè)導輪上作為載體帶動砂漿對硅棒進行研磨切削。第23頁/共104頁 b 切削液（PEG） 三大特性：（1）冷卻（2）潤滑（3）吸附 C 碳化硅（SIC） 硬度較高成不規(guī)則顆粒狀與PEG按一定比例混合后吸附在線網(wǎng)上隨著線網(wǎng)高速運行形成很強的切削能力砂漿的定義：切削液和碳化硅按照一定比例均勻混合配置砂漿的要求：砂漿車間的溫度應(yīng)控制在25，濕度應(yīng)控制在40%以下，保持車間的衛(wèi)生及清潔度，并且在整個配漿過程中要控制作業(yè)的清潔度，

13、在配制過程中佩戴好要求的勞保用品。配制砂漿前要保證SiC在烘箱內(nèi)烘干6小時以上，以達到去除水分，保證SiC顆粒不結(jié)成塊狀，與切割液攪拌時混合均勻。第24頁/共104頁d 膠水膠水是為了讓硅棒通過切割墊塊（如：玻璃基板）牢固的粘接到工件連接件上，保證在切片過程中不掉棒（整根硅棒可能報廢），不松動（會嚴重影響硅片的質(zhì)量）。硅棒粘接的長度與線切機型號和硅棒的自身長度、規(guī)格有關(guān)。切割（基板）墊塊：主要一般為玻璃，本身沒有特別的要求，但通常表面粗糙一點的玻璃其表面積較大，故粘合效果會更好。第25頁/共104頁切削的主要因素 由切削液以及碳化硅混合后砂漿的切割能力、鋼線的張力、鋼線運行速度和工件進給速度是

14、影響切削的主要因素。鋼線的高速運動促使懸浮液攜帶著帶有棱角的碳化硅顆粒以不斷滾動的方式進入切割區(qū)，從而產(chǎn)生很強切削能力，鋼線上加有一定的張力，使碳化硅磨料一般只沿鋼線運動的方向逐漸對工件進行一次次切削，使工件沿細鋼線的縫隙被切成一個個薄片，碳化硅磨料對鋼線側(cè)向影響很小，所以薄片表面并看不到切割痕跡。機械參數(shù)對硅片的切割影響 控制晶片質(zhì)量的四個重要參數(shù)：鋼線的張力、鋼線的運動速度、工件的進給速度、砂漿切割能力。a 鋼線的張力 鋼線張力的產(chǎn)生機構(gòu)是由兩條帶有力矩馬達或配重的兩條張力臂組成的，是一個由PLC控制反饋系統(tǒng)，以便適當?shù)乜刂其摼€的張力。第26頁/共104頁b 鋼線的運動速度 和鋼線張力不同

15、，一般機床的鋼線運動可以根據(jù)需要分為往復運動和單向運動兩種形式，在單向運動的情況下，鋼線始終保持一個速度和方向運動；在鋼線往復運動的情況下，鋼線速度是一個先由零點沿一個方向很快（一般2到3秒）加速到規(guī)定速度，運行一段時間后，再沿原方向慢慢降低到零點，停頓短暫時間（一般為0.2秒），然后再慢慢地反方向加速到規(guī)定的速度，再沿反方向慢慢降低到零點停頓短暫時間（一般為0.2秒）的周期循環(huán)過程。線切割機的切割效率在碳化硅切割能力內(nèi)是隨著鋼線速度的提高而提高的，超出碳化硅的切割能力范圍過快容易造成鋼線擺動幅度過大，碳化硅顆粒難以黏附，薄片表面質(zhì)量下降。超出碳化硅的切割能力范圍過慢，切割能力跟不上工件的進給

16、，不僅斷線幾率增加，而且會造成薄片表面質(zhì)量嚴重下降。因此，鋼線速度必須和碳化硅的切割能力保持一致，這需要根據(jù)經(jīng)驗來判斷一般鋼線的張力對切割的影響主要有一下3種形式：如果鋼線的張力過小，將會導致鋼線彎曲度增大，既線弓過大，鋼線對晶棒產(chǎn)生的壓力減少，切割效率下降。同時鋼線擺動幅度增大，工件的厚度變化加劇，線痕片增多，晶片變的參差不齊。如果鋼線張力過大，鋼線的斷線幾率會大大增加。而且鋼線攜帶的碳化硅顆粒會難以進入鋸縫，造成硅片質(zhì)量下降或切割效率降低。張力系統(tǒng)使用一段時間以后，很容易造成零點偏移，使鋼線張力變化過大，這樣一是容易造成斷線，二是硅片質(zhì)量難以保證，要及時校正。第27頁/共104頁C 工件的

17、進給速度 工件的進給速度是整個切割時間的主要決定因素。但是工件進給速度的大小不是一個獨立的參數(shù)，而是與鋼線的運動速度以及所用砂漿的切割能力息息相關(guān)的，而且有時候還要根據(jù)工件形狀在進給的不同位置采用不同的進給速度（例如：為保證圓形工件的表面TTV，可以在開始和結(jié)束其橫截面變小時提高工件進給，在中間位置其截界面變大時降低工件進給速度。）。所以考慮工件的進給速度時一定要兼顧考慮鋼線的運動速度、砂漿的切割能力、工件的形狀以及工件的截面大小等因素。其過快和過慢產(chǎn)生的后果正好與鋼線運動速度相反。在有線弓情況下，底部剩余不均沒有線弓情況下，底部剩余均勻正確切割方式錯誤切割方式第28頁/共104頁 超聲波清洗

18、 超聲波清洗主要目的去除硅片表面的顆粒、有機雜質(zhì)、無機雜質(zhì)、金屬離子、硅粉粉塵等 超聲波清洗基本原理利用28KHz以上的電能，經(jīng)超聲波換能器轉(zhuǎn)換成高頻機械振蕩而傳入到清洗液中。超聲波在清洗液中疏密相間地向前輻射，使液體流動，并不停地產(chǎn)生數(shù)以萬計的微小氣泡。這些氣泡是在超聲波縱向傳播的負壓區(qū)形成及生長，而在正壓區(qū)迅速閉合。這種微小氣泡的形成、生成迅速閉合稱為空化現(xiàn)象，在空化現(xiàn)象中氣泡閉合時形成超過1000個大氣壓的瞬時高壓，連續(xù)不斷產(chǎn)生的瞬時高壓，像一連串小爆炸不停地轟擊物體表面，使物體及縫隙中的污垢迅速剝落。這種空化侵蝕作用就是超聲波清洗的基本原理第29頁/共104頁序號介質(zhì)清洗方法液溫加熱功

19、率超聲功率1市水（自來水）超聲3056KW40KHz,1800W2市水（自來水）超聲3056KW40KHz,1800W3藥劑+RO水超聲4556KW40KHz,1800W4藥劑+RO水超聲4556KW40KHz,1800W5藥劑+RO水超聲4556KW40KHz,1800W6RO水（自來水）漂洗5556KW40KHz,1800W7RO水（自來水）鼓泡5056KW40KHz,1800W 超聲波清洗機介紹第30頁/共104頁 超聲波清洗工藝路線1#市水超聲清洗2#市水超聲清洗3#藥劑+RO水（超聲清洗）4#藥劑+RO水（超聲清洗）5#藥劑+RO水（超聲清洗6#RO水超聲漂洗7#RO水鼓泡漂洗甩干超

20、聲波清洗設(shè)備整個清洗分成3道工序，每道工序一般持續(xù)時間為35min：第一道（1#，2#）：超聲波清水洗-去除殘留雜質(zhì)第二道（3#，4#，5#） ：超聲波PH=10的堿液洗-去除殘留酸、脂類雜質(zhì)第三道（6#，7#） ：超聲波清水洗：漂洗潔凈超聲波清洗后甩干：通過高速離心力原理，機內(nèi)高溫加熱，使硅片快速干燥。第31頁/共104頁第32頁/共104頁b 不合格品與描述 不合格片的主要表現(xiàn)：線痕片：在硅片表面有較明顯細小橫向或斜向印痕。崩邊片：是指在線切過程中，硅片邊緣受內(nèi)部應(yīng)力或外部力量的影響而導致脆斷。邊緣片：是指在線切或清洗、檢測環(huán)節(jié)中，導致硅片邊緣受損。（造成原因下述）穿孔片：指硅片表面出現(xiàn)的

21、小孔翹曲片：指由于硅棒本身的質(zhì)量問題，切好的硅片會由于內(nèi)部未消除應(yīng)力的釋放而造成硅片凹凸不平，或造成波浪形。外形尺寸：有些硅片的外形尺寸（對角線或邊長）如果達不到客戶的尺寸要求，雖然其他都沒有問題，但照樣是不合格品。TTV：是檢測硅片厚薄均勻性的唯一指標。（有專門的TTV檢測儀，固定的檢測方法-5點檢測法-9點檢測法）硅落：指硅片的最外延有較小面積的硅脫落現(xiàn)象缺角：指硅片的一個或幾個角有折斷現(xiàn)象碎片：指硅片出現(xiàn)嚴重的斷裂情況第33頁/共104頁6.2 清洗制絨(超聲波清洗減薄噴淋絨面)制絨工藝目的： 在太陽能硅片的生產(chǎn)工藝中，為了降低硅片表面對太陽光的反射，提高硅片表面對太陽光的吸收率，從而提

22、高光電轉(zhuǎn)換效率，故對硅片表面進行織構(gòu)化絨面制備處理，簡稱制絨 多晶絨面為凹凸蜂窩狀單晶絨面為金字塔狀第34頁/共104頁觀察絨面檢驗硅片尺寸第35頁/共104頁第36頁/共104頁第37頁/共104頁單晶硅片表面的金字塔狀絨面單晶硅片表面反射率第38頁/共104頁第39頁/共104頁第40頁/共104頁第41頁/共104頁絨面陷光原理 ： 當光入射到一定角度的斜面，光會反射到另一角的斜面，形成二或者多次吸收，從而增加光的吸收率陷光原理圖示第42頁/共104頁第43頁/共104頁第44頁/共104頁第45頁/共104頁8550.23min具體據(jù)原始硅片的厚度和表面損傷情況而定。第46頁/共104

23、頁第47頁/共104頁第48頁/共104頁第49頁/共104頁第50頁/共104頁第51頁/共104頁第52頁/共104頁第53頁/共104頁第54頁/共104頁第55頁/共104頁0.130.140.150.16051015202530354045505560Concentration of NaOH (g/l)Average Reflectance第56頁/共104頁第57頁/共104頁第58頁/共104頁第59頁/共104頁第60頁/共104頁第61頁/共104頁第62頁/共104頁第63頁/共104頁第64頁/共104頁第65頁/共104頁第66頁/共104頁第67頁/共104頁第68

24、頁/共104頁0.10.20.30.40.50.60.73005007009001100Wavelength (nm)Reflectance(0-1)1min5min10min第69頁/共104頁第70頁/共104頁第71頁/共104頁第72頁/共104頁 NaOH、HCl、HF都是強腐蝕性的化學藥品，其固體顆粒、溶液、蒸汽會傷害到人的皮膚、眼睛、呼吸道，所以操作人員要按照規(guī)定穿戴防護服、防護面具、防護眼鏡、長袖膠皮手套。一旦有化學試劑傷害了員工的身體，馬上用純水沖洗30分鐘，送醫(yī)院就醫(yī)。第73頁/共104頁制絨工藝要求： 1.停機1小時以上，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。 2

25、.停機15分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風刀，以防酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風刀。 3.停機1h以上，要跑假片，至少一批（400片）且要在生產(chǎn)前半小時用水槍沖洗風刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。第74頁/共104頁擴散原理擴散原理擴散工藝是制造太陽能電池的心臟 p-n結(jié)6.3、擴散第75頁/共104頁什么是擴散？什么是擴散？l定義定義 擴散是一種由熱運動所引起的雜質(zhì)原子和基體原子的輸運過程；由于熱運動，把原子從一個位置輸運到另一個位置，使基體原子與雜質(zhì)原子不斷地相互混合，從而改變基片表面層的導電類型。l特征特征 濃度差別的存在是產(chǎn)生擴散運動的必要條件，環(huán)境溫度的高低則是決定擴散運動快慢

26、的重要因素。擴散時間也是擴散運動的重要因素，時間愈長，擴散濃度和深度也會增加。 l擴散機制擴散機制磷在硅中的擴散機制分為空位式擴散和替位填隙式擴散第76頁/共104頁替位填隙式擴散：替位填隙式擴散： 硅片像海綿一樣充滿著許多空隙，硅原子之間存在著很大的縫隙；當磷進入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴散，磷原子就以替代的方式占據(jù)著硅的位置?？瘴皇綌U散：空位式擴散： 在一定的溫度下，構(gòu)成晶體的原子圍繞著自己的平衡位置不停地振動，其中總可以具有足夠高的能量，克服周圍原子對它的作用，離開原來的晶格位置，這樣就在原來的位置上留下一個空位。當鄰近的原子向空位遷移時，這種機理稱為空位擴散

27、。雜質(zhì)原子Si原子晶格空位第77頁/共104頁l 噴涂磷酸水溶液后鏈式擴散l 絲網(wǎng)印刷磷漿料后鏈式擴散l三氯氧磷（POCl3）液態(tài)源擴散 而現(xiàn)在常用的是POCl3 液態(tài)源擴散法， POCl3 液態(tài)源擴散法具有生產(chǎn)效率較高、所制PN 結(jié)均勻、平整和擴散層表面良好等優(yōu)點，這對于制作具有大面積PN 結(jié)的太陽能電池是非常重要的。擴散的方法: 目擴散可以有多種方法實現(xiàn)，如合金法、離子注入法，擴散法。擴散工藝方法是現(xiàn)階段企業(yè)主要應(yīng)用的方法，其主要有：第78頁/共104頁第79頁/共104頁4P5SiO5SiO2P2525253OP3PCl5POClC600第80頁/共104頁2522510ClO2P5O4PCl2過量O第81頁/共104頁322524526POClOPOCl第82頁/共104頁第83頁/共104頁清洗飽和裝片送片回溫擴散關(guān)源，退舟方塊電阻測量卸片第84頁/共104頁第85頁/共104頁第86頁/共