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1會(huì)計(jì)學(xué)SiC肖特基勢(shì)壘二極管肖特基勢(shì)壘二極管肖特基勢(shì)壘二極管介紹SiC肖特基勢(shì)壘二極管制作工藝SiC肖特基勢(shì)壘二極管的應(yīng)用陽極陰極SiC材料與其他材料相比優(yōu)點(diǎn)材料與其他材料相比優(yōu)點(diǎn)晶體生長(zhǎng)外徑磨削切片平邊研磨、拋光、清洗1. 襯底制備2. 外延a.SiH4+C3H8反應(yīng)室前方充分混合，輸運(yùn)至沉淀區(qū)；b.源氣體吸附在高溫襯底上；c.反應(yīng)源氣體分子與襯底材料分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成晶粒和氣態(tài)副產(chǎn)物；d.成晶粒離子在4H-SiC襯底表面擴(kuò)散和遷移，成島狀或團(tuán)簇狀排入晶格中；e.氣態(tài)副產(chǎn)物在襯底表面解吸附，脫離沉淀區(qū)，排除反應(yīng)室。導(dǎo)通電流10 A 時(shí)，正向電壓為1.6 V;反向電壓600 V 時(shí)，漏電流小于10 A。肖特基勢(shì)壘二極管介紹SiC肖特基勢(shì)壘二極管制作工藝SiC肖特基勢(shì)壘二極管的應(yīng)用SiC材料與其他材料相比優(yōu)點(diǎn)材料與其他材料相比優(yōu)點(diǎn)

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