電力電子題庫(kù)

1、 電力電子技術(shù)機(jī)械工業(yè)出版社 命題人 王翠平第一章 功率二極管和晶閘管知識(shí)點(diǎn)：l 功率二極管的符號(hào)，特性，參數(shù)l 晶閘管的符號(hào)、特性、參數(shù)、工作原理l 雙向晶閘管的符號(hào)、特性、參數(shù)、工作原理l 可關(guān)斷晶閘管的符號(hào)、特性、參數(shù)、工作原理一、填空題1、自從_1956_ _ 年美國(guó)研制出第 一只晶閘管。2、晶閘管具有 體積小 、 重量輕 、 損耗小 、 控制特性好 等特點(diǎn)。3、晶閘管的三個(gè)極分別為 陽(yáng)極 、 陰極 、 門極 。4、晶閘管導(dǎo)通的條件：在晶閘管的 陽(yáng)極 和 陰極 間加正向電壓，同時(shí)在它的陰極 和 門極 間也加正向電壓，兩者缺一不可。5、晶閘管一旦導(dǎo)通，門極 即失去控制作用。6、晶閘管的關(guān)

2、斷條件：使流過(guò)晶閘管的 陽(yáng)極電流 小于 維持電流 。7、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式： I+ 觸發(fā)方式 I-觸發(fā)方式 +觸發(fā)方式 -觸發(fā)方式。8、GTO的開通時(shí)間由 延遲時(shí)間 和 上升時(shí)間 組成。9、GTO的關(guān)斷時(shí)間由 存儲(chǔ)時(shí)間 、 下降時(shí)間 、和 尾部時(shí)間 。10、功率二極管的導(dǎo)通條件：加 正向電壓 導(dǎo)通，加 反向電壓 截止。11、對(duì)同一晶閘管，維持電流 IH 與擎住電流 IL 在數(shù)值大小上有 IL_>_IH 。12、晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓 UDSM 與轉(zhuǎn)折電壓 UBO 數(shù)值大小上應(yīng)為， UDSM_<_UBO13、普通晶閘管內(nèi)部有兩個(gè) PN結(jié),，外部有三個(gè)電極，分別是陽(yáng)極A 極 陰極K

3、 極和 門極G 極。14、晶閘管在其陽(yáng)極與陰極之間加上 正向 電壓的同時(shí)，門極上加上觸發(fā) 電壓，晶閘管就導(dǎo)通。15、晶閘管的工作狀態(tài)有正向 阻斷 狀態(tài)，正向 導(dǎo)通 狀態(tài)和反向 阻斷 狀態(tài)。16、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為KP507的，其中KP表示該器件的名稱為 普通晶閘管 ，50表示 額定電流50A ，7表示 額定電壓100V 。17、只有當(dāng)陽(yáng)極電流小于 維持電流 電流時(shí)，晶閘管才會(huì)由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止。18、當(dāng)增大晶閘管可控整流的控制角，負(fù)載上得到的直流電壓平均值 會(huì)減小 。二、判斷題1、第一只晶閘管是1960年誕生的。（ 錯(cuò) ）2、1957年至1980年稱為現(xiàn)代電力電子技術(shù)階段。（ 錯(cuò) ）3、功率二極

4、管加正向電壓導(dǎo)通，加反向電壓截止。（ 對(duì) ）4、平板型元件的散熱器一般不應(yīng)自行拆裝。 （ 對(duì)）5、晶閘管一旦導(dǎo)通，門極沒有失去控制作用。 （ 錯(cuò) ）6、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中靈敏度最低的是第三象限的負(fù)觸發(fā)。（ 錯(cuò) ）7、GTO的緩沖電路具有保護(hù)作用。（ 對(duì) ）8、在額定結(jié)溫條件，取元件反向伏安特性不重復(fù)峰值電壓值的80%稱為反向重復(fù)峰值電壓。（ 對(duì)）9、陽(yáng)極尖峰電壓過(guò)高可能導(dǎo)致GTO失效。（對(duì) ）10、GTO在整個(gè)關(guān)斷過(guò)程分為兩個(gè)時(shí)間段：存儲(chǔ)時(shí)間和下降時(shí)間。（錯(cuò)）11、普通晶閘管內(nèi)部有兩個(gè)PN結(jié)。 （錯(cuò)）12、普通晶閘管外部有三個(gè)電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。 （錯(cuò)）13、型號(hào)為KP5

5、07的半導(dǎo)體器件，是一個(gè)額定電流為50A的普通晶閘管。（）14、只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會(huì)關(guān)斷。 （錯(cuò)）15、只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導(dǎo)通。 （錯(cuò)）16、晶閘管加上陽(yáng)極電壓后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會(huì)導(dǎo)通。（對(duì)）17、加在晶閘管門極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過(guò)100V。 （錯(cuò)）18、單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽(yáng)”接法。（錯(cuò)）19、晶閘管采用“共陰”接法或“共陽(yáng)”接法都一樣。 （錯(cuò)）20、增大晶閘管整流裝置的控制角，輸出直流電壓的平均值會(huì)增大。（錯(cuò)） 三、選擇題1、在晶閘管應(yīng)用電路中，為了防止誤觸發(fā)應(yīng)將幅值限制在不觸發(fā)區(qū)的信號(hào)是 ( 

6、0;A     ) A. 干擾信號(hào)                               B. 觸發(fā)電壓信號(hào) C. 觸發(fā)電流信號(hào)            &

7、#160;              D. 干擾信號(hào)和觸發(fā)信號(hào) 2、當(dāng)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不論門極加何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在 (    B   ) A. 導(dǎo)通狀態(tài)           B. 關(guān)斷狀態(tài)           C.

8、飽和狀態(tài)           D. 不定 3、逆導(dǎo)晶閘管是將大功率二極管與何種器件集成在一個(gè)管芯上而成 (B      ) A. 大功率三極管                           B. 逆阻型晶

9、閘管 C. 雙向晶閘管                             D. 可關(guān)斷晶閘管 4、晶閘管的伏安特性是指 (C      ) A. 陽(yáng)極電壓與門極電流的關(guān)系          &#

10、160;           B. 門極電壓與門極電流的關(guān)系 C. 陽(yáng)極電壓與陽(yáng)極電流的關(guān)系                      D. 門極電壓與陽(yáng)極電流的關(guān)系 5、晶閘管電流的波形系數(shù)定義為 (B      ) A、Kf =ITAV /IT 

11、 B、 Kf = IT /ITAV C、 Kf = ITAV ·IT   D、 Kf = ITAV - IT 6、取斷態(tài)重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值電壓中較小的一個(gè)，并規(guī)化為標(biāo)準(zhǔn)電壓等級(jí)后，定為該晶閘管的 (  D      ) A. 轉(zhuǎn)折電壓                      &#

12、160;                           B. 反向擊穿電壓 C. 閾值電壓                     &

13、#160;                            D. 額定電壓 7. 具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為 (  A    ) A. 全控型器件           

14、0;                            B. 半控型器件 C. 不控型器件                    

15、60;                   D. 觸發(fā)型器件 8、處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在陽(yáng)極與陰極間加正向電壓，且在門極與陰極間作何處理才能使其開通（C） A. 并聯(lián)一電容                     

16、           B. 串聯(lián)一電感 C. 加正向觸發(fā)電壓                          D. 加反向觸發(fā)電壓 9. 晶閘管工作過(guò)程中，管子本身產(chǎn)生的管耗等于管子兩端電壓乘以（A） A. 陽(yáng)極電流    &#

17、160;                             B. 門極電流 C. 陽(yáng)極電流與門極電流之差               D. 陽(yáng)極電流與門極電流之和 10、在 IVEAR

18、 定義條件下的波形系數(shù) kfe 為 (  C     ) A.                                 B. 2/C. /2       

19、0;                      D.2 11. 晶閘管的額定電壓是這樣規(guī)定的，即取斷態(tài)重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值電壓中較小的一個(gè)，并經(jīng)如下處理 (  D     ) A. 乘以 1.5 倍            &

20、#160;       B. 乘以 2 倍 C. 加 100                         D. 規(guī)化為標(biāo)準(zhǔn)電壓等級(jí) 12. 晶閘管不具有自關(guān)斷能力，常稱為 (  B     ) A. 全控型器件    

21、0;                   B. 半控型器件 C. 觸發(fā)型器件                          D. 自然型器件 13、 晶閘管內(nèi)部有（C ）PN結(jié)

22、。A 一個(gè)， B 二個(gè)， C 三個(gè)， D 四個(gè)14、 單結(jié)晶體管內(nèi)部有（A）個(gè)PN結(jié)。A 一個(gè)， B 二個(gè)， C 三個(gè)， D 四個(gè)三、簡(jiǎn)答題1、晶閘管的導(dǎo)通條件是什么？晶閘管導(dǎo)通的條件：在晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間加正向電壓，同時(shí)在它的門極和陰極之間也加正向電壓，兩者缺一不可。2、晶閘管的關(guān)斷條件是什么？晶閘管的關(guān)斷條件：使流過(guò)晶閘管的陽(yáng)極電流小于維持電流。3、說(shuō)明晶閘管型號(hào)規(guī)格KP200-8E代表的意思？ K：表示晶閘管 P：表示普通200：表示晶閘管的額定電流是200A8：表示晶閘管的額定電壓的級(jí)別E：表示晶閘管正向通態(tài)平均電壓的組別4、雙向晶閘管的觸發(fā)方式有哪些？四種觸發(fā)方式：I+ 觸發(fā)方式

23、 I-觸發(fā)方式 +觸發(fā)方式-觸發(fā)方式5、 對(duì)晶閘管的觸發(fā)電路有哪些要求？答：為了讓晶閘管變流器準(zhǔn)確無(wú)誤地工作要求觸發(fā)電路送出的觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠大的電壓和功率；門極正向偏壓愈小愈好；觸發(fā)脈沖的前沿要陡、寬度應(yīng)滿足要求；要能滿足主電路移相范圍的要求；觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽(yáng)極電壓取得同步。四、繪圖1、畫出晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管的符號(hào)？五、計(jì)算題1、一晶閘管接在220V交流回路中，通過(guò)器件的電流有效值為100A，問(wèn)應(yīng)選擇什么型號(hào)的晶閘管？解：晶閘管的額定電壓：Utn=(23)Utn=（23）*220=622933V按晶閘管參數(shù)系列取800V，即8級(jí)晶閘管的額定電流 IT(AV)=(1.52

24、)*=(1.52)*100/1.57=95128A按晶閘管參數(shù)系列取100A，所以選取晶閘管型號(hào)KP100-8E。2、型號(hào)為KP100-3，維持電流IH =4mA 的晶閘管，使用在圖1-1所示電路中是否合理，為什么？（不考慮電流的裕量）不合理 不合理合理3、    如圖所示，試畫出負(fù)載Rd上的電壓波形(不考慮管子的導(dǎo)通壓降)。答案：解：由上述電路圖和U2，Ug的波形圖可知，因T是一個(gè)半控型器件晶閘管，當(dāng)Ug是高電平時(shí)晶閘管T導(dǎo)通，一直到U2變?yōu)樨?fù)電平時(shí)晶閘管截止，與二極管類似，Rd電壓波形圖如下：第二章 電力晶體管知識(shí)點(diǎn)：l 電力晶體管的符號(hào)、特性曲線、主要參數(shù)l

25、 電力晶體管的工作原理一、填空題：1、目前常用的電力晶體管有: 單管GTR 、 達(dá)林頓管 、 GTR模塊 。2、電力晶體管的三個(gè)極分別為： 發(fā)射極 、 集電極 、 基極 。3、放大區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié) 正偏 ，集電結(jié) 反偏 。4、截止區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié) 反偏 ，集電結(jié) 反偏 。5、可關(guān)斷晶閘管（ GTO ）的電流關(guān)斷增益 off 的定義式為off =_ITAO/|IgM_|_6、晶閘管反向重復(fù)峰值電壓等于反向不重復(fù)峰值電壓的 _80%_7、功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用 _快速恢復(fù)_ 型二極管，以便與功率晶體管的開關(guān)時(shí)間相配合。8、動(dòng)態(tài)特性描述GTR的開關(guān)過(guò)程的瞬態(tài)性能，又稱 開關(guān)特性 。

26、9、GTR能夠安全運(yùn)行的范圍稱為 安全工作區(qū) 。10、ICBO隨溫度升高而增大，對(duì)于硅管，為當(dāng)溫度生升高8時(shí)，ICBO增加 一 倍 左右二、判斷題1、ICBO隨溫度升高而減小，對(duì)于硅管，為當(dāng)溫度生升高8時(shí)，ICBO減小 一 倍 左右。（錯(cuò)）2、一次擊穿具有可逆性，一般不會(huì)引起晶體管的特性變壞。（對(duì)）3、集電極電壓上升率是動(dòng)態(tài)過(guò)程中的一個(gè)重要參數(shù)。（對(duì)）4、電力晶體管是具有自關(guān)斷能力的全控型器件。（對(duì)）三、簡(jiǎn)答題1、達(dá)林頓GTR管和單管GTR的主要區(qū)別是什么？單管GTR的電流增益低；達(dá)林頓GTR管是有兩個(gè)或多個(gè)晶體管復(fù)合而成，電流增益高2、電力晶體管有幾個(gè)區(qū)？各有什么特點(diǎn)？放大區(qū)：放大區(qū)的特點(diǎn)是

27、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 。截止區(qū)：截止區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)，集電結(jié) 反偏 。飽和區(qū)：飽和區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)，集電結(jié)正偏3、GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答：GTO能夠自動(dòng)關(guān)斷，而普通晶閘管不能自動(dòng)關(guān)斷的原因是：GTO的導(dǎo)通過(guò)程與普通的晶閘管是一樣的，有同樣的正反饋過(guò)程，只不過(guò)導(dǎo)通時(shí)飽和程度不深。其中不同的是，在關(guān)斷時(shí)，給門極加負(fù)脈沖，即從門極抽出電流，則晶體管V2的濟(jì)濟(jì)電流Ib2減小，使Ik和IC2減小，IC2減小又使IA和IC1減小，又進(jìn)一步減小V2的基極電流，如此形成強(qiáng)烈的正反饋。當(dāng)兩個(gè)晶體管發(fā)射極電流IA和IK的減小使a1+a2<1時(shí)，器件

28、退出飽和而關(guān)斷。第三章 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管知識(shí)點(diǎn)：l 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的符號(hào)l 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)l 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用電路一、填空題1、功率集成電路 PIC 分為二大類，一類是高壓集成電路，另一類是 智能功率集成電路 2、功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用 _快速恢復(fù) _ 型二極管，以便與功3、率晶體管的開關(guān)時(shí)間相配合。4、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極分別為柵極、源極、漏極5、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電溝道分為N溝道和P溝道。6、轉(zhuǎn)移特性是指功率場(chǎng)效應(yīng)管的輸入柵極電壓與輸出漏極電流之間的關(guān)系。7、應(yīng)用SSOA的條件是：結(jié)溫小于150，器件的開通和關(guān)斷時(shí)間均小于1US8、功率MOSFE

29、T的保護(hù)分為靜電保護(hù)和工作保護(hù)9、功率MOSFET的安全工作區(qū)分為三種情況： 正向偏置安全工作區(qū) 、 開關(guān)安全工作區(qū) 換向安全工作區(qū) 。10、功率MOSFET參數(shù)主要有：電壓額定值、漏極連續(xù)電流 、漏極峰值電流等11、功率MOSFET的保護(hù)： 靜電保護(hù) 、 工作保護(hù) 。二、判斷題1、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極分別為C極、E極、B極.(錯(cuò))2、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有驅(qū)動(dòng)功率小，控制線路簡(jiǎn)單、工作頻率高的特點(diǎn)。（對(duì)）3、功率MOSFET無(wú)反向阻斷能力。（對(duì)）4、換向安全工作區(qū)是功率MOSFET寄生二極管或集成二極管反向恢復(fù)性能所決定的極限工作范圍。（對(duì)）5、功率MOSFET的柵極是絕緣的，不屬于電壓控

30、制器件，屬于開關(guān)器件。（錯(cuò)）6、為防止功率MOSFET誤導(dǎo)通，截止時(shí)最好對(duì)其提供負(fù)的柵偏壓。（對(duì)）7、安裝時(shí)，工作臺(tái)和電烙鐵不需要接地。（錯(cuò)）8、測(cè)試時(shí)，測(cè)量?jī)x器和工作臺(tái)要良好接地，器件的三個(gè)極必修都接入測(cè)試儀器或電路，才能施加電壓。改換測(cè)試時(shí)，電壓和電流要恢復(fù)到零。（對(duì)）三、簡(jiǎn)答題1、什么是轉(zhuǎn)移特性？轉(zhuǎn)移特性是指功率場(chǎng)效應(yīng)管的輸入柵極電壓與輸出漏極電流之間的關(guān)系。2、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)？ 漏極擊穿電壓 漏極連續(xù)電流和漏極峰值電流 柵極擊穿電壓 開啟電壓 極間電容3、簡(jiǎn)述N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET的工作原理？ 當(dāng)漏極接電源正極，源極接電源負(fù)極，柵極之間電壓為零或?yàn)樨?fù)時(shí)，漏極之間無(wú)電流

31、流過(guò)。當(dāng)UGS為正且大于開啟電壓時(shí)，出現(xiàn)漏極電流。4、功率MOSFET的保護(hù)有幾種？?jī)煞N：靜電保護(hù) 工作保護(hù)5、功率MOSFET并聯(lián)使用時(shí)應(yīng)注意什么問(wèn)題？（1）在每個(gè)柵極上串聯(lián)一個(gè)小電阻、（2）在每一個(gè)柵極導(dǎo)線上套一個(gè)小磁環(huán)（3）必要時(shí)在漏極和源極之間接入數(shù)百皮法的小電容（4）盡可能降低驅(qū)動(dòng)信號(hào)源的內(nèi)阻。四、畫圖1、繪制功率MOSFET晶體管的符號(hào)？第四章 絕緣柵雙極晶體管知識(shí)點(diǎn)：l 絕緣柵雙極晶體管的工作原理l 絕緣柵雙極晶體管的主要參數(shù)l 絕緣柵雙極晶體管的安全工作區(qū)一、填空題1、 絕緣柵雙極晶體管稱為IGBT 。2、IGBT的靜態(tài)傳輸特性描述集電極電流和柵射電壓之間的互相關(guān)系。3、IGB

32、T的輸出特性描述以柵射電壓為控制變量時(shí)，集電極電流與射極間電壓之間的互相關(guān)系。4、IGBT的輸出特性分為正向阻斷區(qū)、有源區(qū)、飽和區(qū)。5、關(guān)斷時(shí)間包括關(guān)斷延時(shí)和電流下降時(shí)間兩部分。6、安全工作區(qū)可分為正向偏置安全工作區(qū)和反向偏置安全工作區(qū)。7、射極電壓在1015V之間工作時(shí)，集電極電流可在510US以內(nèi)超過(guò)額定電流的410倍。8、過(guò)電壓保護(hù)措施主要是利用緩沖電路抑制過(guò)電壓的產(chǎn)生。9、IGBT緩沖電路，也稱為吸收電路。10、緩沖電容的計(jì)算公式 CS =LI2 /(UCEP-UCC) 緩沖電路電阻RS的選擇公式 RS<=1/2*3CSf 。11、IGBT的最高允許結(jié)溫為150二、判斷題1、過(guò)電

33、壓保護(hù)措施主要是利用驅(qū)動(dòng)電路抑制過(guò)電壓的產(chǎn)生。（錯(cuò)）2、IGBT的安全工作區(qū)較小。（錯(cuò)）3、IGBT的驅(qū)動(dòng)電路小。（對(duì)）4、過(guò)電流保護(hù)措施措施主要通過(guò)檢出過(guò)電流信號(hào)后切斷柵極控制信號(hào)的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)。（對(duì)）5、IGBT的通態(tài)壓降UCES基本穩(wěn)定，不隨溫度而變。（對(duì)）6、驅(qū)動(dòng)電路與整個(gè)控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離，具有對(duì)IGBT的自保護(hù)功能，并有較高的抗干擾能力。（對(duì)）7、IGBT的關(guān)斷過(guò)程是從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換到反向阻斷狀態(tài)的過(guò)程。（錯(cuò)）8、當(dāng)IGBT集電極通態(tài)電流的連續(xù)值超過(guò)臨界值ICM時(shí)產(chǎn)生的擎住效應(yīng)稱為靜態(tài)擎住效應(yīng)（對(duì)）三、簡(jiǎn)答題1、什么是擎住效應(yīng)？當(dāng)IGBT集電極通態(tài)電流的連續(xù)值超過(guò)臨界值IC

34、M時(shí)產(chǎn)生的擎住效應(yīng)稱為靜態(tài)擎住效應(yīng)2、什么是過(guò)電流保護(hù)？過(guò)電流保護(hù)措施措施主要通過(guò)檢出過(guò)電流信號(hào)后切斷柵極控制信號(hào)的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)3、什么是過(guò)電壓保護(hù)？過(guò)電壓保護(hù)措施主要是利用緩沖電路抑制過(guò)電壓的產(chǎn)生。四、繪圖題1、繪制絕緣柵雙極晶體管的符號(hào)。第五章 其他新型電力電子器件l MOS控制晶閘管的符號(hào)，特性l SIT的主要參數(shù)l 靜電感應(yīng)晶閘管的符號(hào)、特性l 靜電感應(yīng)晶體管的符號(hào)、特性一、填空題1、MOS控制晶閘管是一種單極型和雙極型組合而成的復(fù)合器件。2、MCT的三個(gè)極分別為： 陽(yáng)極 、 陰極 、 門極 3、一般使MCT導(dǎo)通的負(fù)脈沖電壓為-5V-15V，使MCT關(guān)斷的正脈沖電壓為+1020V。4、M

35、CT驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是當(dāng)溫度超過(guò)150時(shí)，會(huì)自動(dòng)降低輸出。5、伏安特性是指SIT的漏極電壓與漏極電流之間的關(guān)系。6、靜電感應(yīng)晶體管SIT也是采用垂直導(dǎo)電型式的多胞集成結(jié)構(gòu)7、SIT器件不僅可以工作在開關(guān)狀態(tài)，而且還可以工作在放大狀態(tài)。8、PIC按結(jié)構(gòu)型式可分為兩類：一類：智能功率集成電路，另一類是高壓集成電路9、當(dāng)測(cè)試條件為陽(yáng)極電壓1250V，陽(yáng)極電流1000A，結(jié)溫為25時(shí)，開通時(shí)間為2微秒，關(guān)斷時(shí)間為3.1微秒。10、電壓監(jiān)視電路使IC和電動(dòng)機(jī)在UCC大于18V時(shí)不工作，推薦的正常使用電壓在17.4V一下。二、判斷題1、SIT器件不僅可以工作在開關(guān)狀態(tài)，而且還可以工作在放大狀態(tài)。（對(duì)）2、伏

36、安特性是指SIT的漏極電壓與漏極電流之間的關(guān)系。(對(duì))3、功率MOSFET的柵極是絕緣的，不屬于電壓控制器件，屬于開關(guān)器件。（錯(cuò)）4、在SIT的驅(qū)動(dòng)電路中，負(fù)柵偏電壓的大小決定了漏源阻斷電壓的高低。(對(duì))5、高壓集成電路是由縱向功率器件與邏輯或模擬控制電路以及傳感器、保護(hù)電路等集成。（錯(cuò)）6、智能功率集成電路是由橫向高壓器件與邏輯或模擬控制電路所集成。（錯(cuò)）7、電壓監(jiān)視電路使IC和電動(dòng)機(jī)在UCC大于18V時(shí)工作。（錯(cuò)）8、MOS控制晶閘管是一種雙極型器件。（錯(cuò)）9、MOS控制晶閘管是一種單極型和雙極型組合而成的復(fù)合器件。（對(duì)）10、MCT的門極是由MOSFET管引出，屬于電壓控制器件。(對(duì))三

37、、問(wèn)答題1、MCT管有什么特點(diǎn)？ 1）、阻斷電壓高，峰值電流大。 2）、通態(tài)壓降小。3）、工作溫度高。4）、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，工作頻率高。5）、門極驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。6）、即使關(guān)斷失敗，MCT也不會(huì)損壞。2、SIT有哪些參數(shù)？ 1）、柵源擊穿電壓 2）、柵漏擊穿電壓3）、最大漏極電流4）、允許功耗四、繪圖1、繪制MOS控制晶閘管的符號(hào)？2、繪制靜電感應(yīng)晶體管的符號(hào)？3、靜電感應(yīng)晶閘管的符號(hào)？第六章 可控整流電路知識(shí)點(diǎn)：l 整流的定義l 單相半波可控整流電路的工作原理l 單相橋式全控整流電路的工作原理l .三相半波可控整流電路的工作原理l .三相橋式全控整流電路的工作原理l 輸出電壓l 晶閘管

38、的電流一、填空題 1、可控整流電路是應(yīng)用廣泛的電能變換電路，它的作用是將交流電變換成大小可以調(diào)節(jié)的直流電。2、電阻負(fù)載的特點(diǎn)是 負(fù)載兩端電壓波形和流過(guò)的電流波形相似 ，電流、電壓均允許突變。在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，晶閘管控制角的最大移相范圍是 0 。3、在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，移相角的控制范圍為0 ，對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通角的可變范圍是0，兩者關(guān)系為+=。 4、在單相半波可控整流帶阻感負(fù)載并聯(lián)續(xù)流二極管的電路中，晶閘管控制角的最大移相范圍是_180_度_ _ ，其承受的最大正反向電壓均為_U2_ _，續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為_U2_ （設(shè)U2為相電壓有效值）。5、單相橋式全控

39、整流電路中，帶純電阻負(fù)載時(shí)，角移相范圍為_180度_ _，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為_ /2U2_ _和_U2_ _；帶阻感負(fù)載時(shí)，角移相范圍為_90_度 _，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為_U2_ _和_U2_ _。6、可從各角度對(duì)整流電路進(jìn)行分類，主要分類方法有：按組成的器件可分為：不可控、 半控、 全控；按電路結(jié)構(gòu)可分為橋式和零式電路；按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路；按變壓器一次測(cè)電流的方向是單向或雙向，又分為單拍電路和雙拍電路。7、.三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差120度_ _，當(dāng)它帶阻感負(fù)載時(shí)，a的移相范圍為_

40、90度 _。8、電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓 UFm 等于_ _U2 _，晶閘管控制角的最大移相范圍是_150度 _，使負(fù)載電流連續(xù)的條件為_ a<=30度_ _ _(U2為相電壓有效值)。9、三相零式可控整流電路帶電阻性負(fù)載工作時(shí)，在控制角 >30°時(shí)，負(fù)載電流出現(xiàn)_斷續(xù)_。晶閘管所承受的最大反向電壓為_U2_。10、三相零式可控整流電路，在電阻性負(fù)載時(shí)，當(dāng)控制角30°，每個(gè)晶閘管的導(dǎo)通角=_120度_。此電路的移相范圍為_150度_ _。11、晶閘管的保護(hù)有：過(guò)電壓保護(hù) 、 過(guò)電流保護(hù)。12、三相全控橋電路的等效內(nèi)阻和晶閘管

41、導(dǎo)通時(shí)的管壓降均是三相半波電路的兩倍13、三相全控橋可控整流，其輸出電壓的脈動(dòng)頻率為_6f _三相半波可控整流，其輸出電壓的脈動(dòng)頻率為_3f _ _。二、判斷題1、在三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動(dòng)頻率為300Hz。(錯(cuò))2、三相半波可控整流電路，不需要用大于60º小于120º的寬脈沖觸發(fā)，也不需要相隔60º的雙脈沖觸發(fā)，只用符合要求的相隔120º的三組脈沖觸發(fā)就能正常工作。3、三相橋式半控整流電路，帶大電感性負(fù)載，有續(xù)流二極管時(shí)，當(dāng)電路出故障時(shí)會(huì)發(fā)生失控現(xiàn)象。對(duì) 4、三相橋式全控整流電路，輸出電壓波形的脈動(dòng)頻率是150HZ 錯(cuò)。 5、三相

42、半波可控整流電路中，如果三個(gè)晶閘管采用同一組觸發(fā)裝置，則的移相范圍只有120o。 錯(cuò)6、在三相橋式全控整流電路中，采用雙窄脈沖觸發(fā)晶閘管元件時(shí)，電源相序還要滿足觸發(fā)電路相序要求時(shí)才能正常工作。 （錯(cuò)）7、在單相全控橋電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2。（錯(cuò) ） 8、在橋式半控整流電路中，帶大電感負(fù)載，不帶續(xù)流二極管時(shí)，輸出電壓波形中沒有負(fù)面積。錯(cuò)9、 在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時(shí)會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。         （  對(duì)    ）10、 在用兩組反并聯(lián)晶閘管

43、的可逆系統(tǒng)，使直流電動(dòng)機(jī)實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行時(shí)，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，那么另一組就工作在逆變狀態(tài)。    （  錯(cuò)    ）                           11、 晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，必須注意均流問(wèn)題。               

44、60;   （錯(cuò)      ）12、 逆變角太大會(huì)造成逆變失敗。                            （錯(cuò)    ）13、 并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。                   （&

45、#160; 對(duì)    14、 給晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓它就會(huì)導(dǎo)通。                            （錯(cuò)      15、 有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負(fù)載。                （  錯(cuò)

46、60;   ）16、 在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2。             （ 錯(cuò)     ）三、選擇題1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差  A       度。A、180°，  B、60°，  c、360°，  D、120°2、為   

47、C     度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A，0度，  B，60度，  C，30度，  D，120度，3、可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為    A       。  A、三相半波可控整流電路，        B、三相半控橋整流橋電路，C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路，  D、單相

48、半控橋整流電路。4、單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角的最大移相范圍是(  D    )A、0º-90°              B、0º-120°            C、0º-150°    &#

49、160;        D、0º-180°5、= C 度時(shí)，三相全控橋式整流電路帶電阻負(fù)載電路，輸出負(fù)載電壓波形處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。 A、0度； B、60度； C、30度； D、120度；6、如某晶閘管的正向阻斷重復(fù)峰值電壓為745V，反向重復(fù)峰值電壓為825V，則該晶閘管的額定電壓應(yīng)為（A）A、700VB、750VC、800VD、850V7、單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角的最大移相范圍是(  D    )A、0º-90°

50、;              B、0º-120°            C、0º-150°             D、0º-180°8、在單相全控橋整流電路中，兩對(duì)晶閘管的觸發(fā)脈

51、沖，應(yīng)依次相差 A 度。A 、180度； B、60度； C、360度； D、120度；9、三相半波可控整流電路在換相時(shí)，換相重疊角的大小與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān) B 。A、Id、 XL、U2；      B、Id；C、U2；               D、U2、 XL；10、單相半波可控整流電路，阻性負(fù)載，導(dǎo)通角的最大變化范圍是0°( D )A、90°B、120°C、150°

52、;D、180°11、單相全波可控整流電路，電感性負(fù)載，控制角°，每個(gè)周期內(nèi)輸出電壓的平均值為( B )A、Ud=0.45U2cosB、Ud=0.92cosC、Ud=1.172cosD、Ud=2.342cos12、三相半波可控整流電路，阻性負(fù)載，導(dǎo)通角的最大變化范圍是0°( B )A、90°B、120°C、150°D、180°13、三相全控橋式整流電路，阻性負(fù)載，控制角的最大移相范圍是0°( A )A、90°B、120°C、150°D、180°14、三相半波可控整流電路電源電壓

53、波形的自然換向點(diǎn)比單相半波可控整流電路的自然換向點(diǎn)( )A、超前30°B、滯后30°C、超前60°D、滯后60°15、.三相全控橋式整流電路，電感性負(fù)載，控制角>30°，負(fù)載電流連續(xù)，整流輸出電流的平均值為Id，流過(guò)每只晶閘管的平均值電流為( )A、Id/2B、Id/3C、2Id/3D、Id16、單相全控橋式有源逆變電路最小逆變角為( )A、°°B、°°C、°°D、°°18、三相全控橋整流裝置中一共用了（B）晶閘管。A 三只， B 六只， C 九只。19、雙向

54、晶閘管是用于交流電路中的，其外部有（C）電極。A 一個(gè)， B 兩個(gè)， C 三個(gè)， D 四個(gè)。20、若可控整流電路的功率大于4kW，宜采用（C ）整流電路。A 單相半波可控 B 單相全波可控 C 三相可控21、三相可控整流與單相可控整流相比較，輸出直流電壓的紋波系數(shù)（B）。A 三相的大， B 單相的大， C一樣大。四、計(jì)算題1、 單相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載。要求輸出的直流平均電壓為5092V之間連續(xù)可調(diào)，最大輸出直流電流為30A，由交流220V供電，求晶閘管控制角應(yīng)有的調(diào)整范圍為多少？選擇晶閘管的型號(hào)規(guī)格（安全余量取2倍，=1.66）。解： 單向半波可控整流電路的 UL=0.45U2當(dāng)UL

55、=50V時(shí)COS=1=10則=90°當(dāng)UL=92V時(shí)COS=1=1=0.87則=30°控制角的調(diào)整范圍應(yīng)為090°由=1.66知I=1.66Id=1.66×30=50A 為最大值 IT(AV)=2×=2×=64A 取100A又 Uyn=2UTM=2××220=624V 取700V晶閘管的型號(hào)為：KP100-7。2、 單相半波可控整流電路中，已知變壓器次級(jí)U2=220V，晶閘管控制角=45°，負(fù)載RL=10。計(jì)算負(fù)載兩端的直流電壓平均值、負(fù)載中電流平均值和每只晶閘管流過(guò)的電流平均值。(P91) 解： UL=

56、0.45U2 IL=UL/RL ITV=IT3、 單相全控橋式整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，若已知U2=220V。負(fù)載電阻Rd=10，求=60°時(shí)，電源供給的有功功率、視在功率以及功率因數(shù)為多少？（P=980.1W,S=2.178VA,cos=0.45） （P97）解：第七章 晶閘管的觸發(fā)電路知識(shí)點(diǎn)：l 晶閘管的觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)電路圖l 晶閘管的觸發(fā)電路的工作原理一、填空題1、晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有 正弦波 同步電壓和 鋸齒波 電壓。2、晶閘管整流裝置的功率因數(shù)定義為 、交流 側(cè) 有功功率 與視在功率 之比。3、正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用 正弦波同步電壓 與一個(gè)或幾個(gè)控制電

57、壓 的疊加，利用改變 、控制電壓 的大小，來(lái)實(shí)現(xiàn)移相控制。4、晶閘管裝置的容量越大，則高次諧波 越大 ，對(duì)電網(wǎng)的影響 越大 。5、在裝置容量大的場(chǎng)合，為了保證電網(wǎng)電壓穩(wěn)定，需要有無(wú)功功率補(bǔ)償，最常用的方法是在負(fù)載側(cè) 并聯(lián)電容 。6、整流是把 交流 電變換為 直流 電的過(guò)程；逆變是把 直流 電變換為 交流 電的過(guò)程。二、判斷題1、 只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導(dǎo)通。 （錯(cuò)）2、 晶閘管加上陽(yáng)極電壓后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會(huì)導(dǎo)通。（對(duì)）3、 加在晶閘管門極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過(guò)100V。 （錯(cuò)4、 單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽(yáng)”接法。（錯(cuò)）5、 晶閘管采用“共

58、陰”接法或“共陽(yáng)”接法都一樣。 （錯(cuò)）6、 增大晶閘管整流裝置的控制角，輸出直流電壓的平均值會(huì)增大。（錯(cuò)）7、 在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。 （對(duì)）8、 為防止“關(guān)斷過(guò)電壓”損壞晶閘管，可在管子兩端并接壓敏電阻。（錯(cuò)）9、 雷擊過(guò)電壓可以用RC吸收回路來(lái)抑制。 （錯(cuò)）10、 硒堆發(fā)生過(guò)電壓擊穿后就不能再使用了。 （錯(cuò)）11、 晶閘管串聯(lián)使用須采取“均壓措施”。 （對(duì)）三、 選擇題1、晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（B ）。A 高， B 低， C 好。2、晶閘管變流器接直流電動(dòng)機(jī)的拖動(dòng)系統(tǒng)中，當(dāng)電動(dòng)機(jī)在輕載狀況下，電樞電流較小時(shí)，變流器輸出電流是（B）的。A 連續(xù)， B 斷續(xù)

59、， C 不變。3、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（C）來(lái)表示的。A 有效值 B 最大賽值 C 平均值4、普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（A）晶閘管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。5、晶閘管在電路中的門極正向偏壓（B）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不變6、晶閘管兩端并聯(lián)一個(gè)RC電路的作用是（C ）。A 分流， B 降壓， C 過(guò)電壓保護(hù)， D 過(guò)電流保護(hù)。7、壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來(lái)（C ）。A 分流， B 降壓， C 過(guò)電壓保護(hù)， D 過(guò)電流保護(hù)。第八章、交流電力控制電路一、填空題1、由普通晶閘管組成的直流斬波器通常有 定頻調(diào)寬 式， 定寬調(diào)頻

60、式和 調(diào)寬調(diào)頻 式三種工作方式。2、由兩套晶閘管組成的變流可逆裝置中，每組晶閘管都有四種工作狀態(tài)，分別是 待整流 狀態(tài)、 整流 狀態(tài)、 待逆變 狀態(tài)和逆變 狀態(tài)。二、判斷題1、把交流電變成直流電的過(guò)程稱為逆變。 （錯(cuò)）2、應(yīng)急電源中將直流電變?yōu)榻涣麟姽粽彰?，其電路中發(fā)生的“逆變”稱有源逆變。 采用正弦波移相觸發(fā)電路的可控整流電路工作穩(wěn)定性較差。 （對(duì)）3、正弦波移相觸發(fā)電路不會(huì)受電網(wǎng)電壓的影響。 （錯(cuò)）4、對(duì)低電壓大電流的負(fù)載供電，應(yīng)該用帶平衡電抗器的雙反星型可控整流裝置。 （對(duì)）5、晶閘管觸發(fā)電路與主電路的同步，主要是通過(guò)同步變壓器的不同結(jié)線方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的 （對(duì)）6、晶閘管裝置的容量愈大，對(duì)

61、電網(wǎng)的影響就愈小。 （錯(cuò)）三、選擇題1、變壓器一次側(cè)接入壓敏電阻的目的是為了防止（C）對(duì)晶閘管的損壞。A 關(guān)斷過(guò)電壓， B 交流側(cè)操作過(guò)電壓， C 交流側(cè)浪涌。2、晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（B ）。A 高， B 低， C 好。3、晶閘管變流器接直流電動(dòng)機(jī)的拖動(dòng)系統(tǒng)中，當(dāng)電動(dòng)機(jī)在輕載狀況下，電樞電流較小時(shí)，變流器輸出電流是（B）的。A 連續(xù)， B 斷續(xù)， C 不變。4、脈沖變壓器傳遞的是（C ）電壓。A 直流， B 正弦波， C 脈沖波。5、下列不可以實(shí)現(xiàn)逆變的電路是（A）式晶閘管電路。A 單相全波， B 三相半控橋， C三相全控橋第九章 逆變電路和直流斬波技術(shù)知識(shí)點(diǎn)：l 逆變的概念l 有源逆變l 無(wú)源逆變l 有源逆變的工作的原理一、填空