半導體二極管和三極管

1、第15章 半導體二極管、三極管1. N 型 半 導 體 的 多 數 載 流 子 是 電 子，因 此 它 應（ ）。(a) 帶 負 電(b) 帶 正 電 (c) 不 帶 電2.當 溫 度 升 高 時，半 導 體 的 導 電 能 力 將（ ）。(a) 增 強(b) 減 弱(c) 不 變3在 PN 結 中 形 成 空 間 電 荷 區(qū) 的 正、負 離 子 都 帶 電，所 以 空 間 電 荷 區(qū) 的 電 阻 率（ ）。(a) 很 高(b) 很 低(c)等 于N 型 或 P 型 半 導 體 的 電 阻 率 4半 導 體 二 極 管 的 主 要 特 點 是 具 有（ ）。(a) 電 流 放 大 作 用(b)

2、 單 向 導 電 性(c) 電 壓 放 大 作 用5理 想 二 極 管 的 正 向 電 阻 為（ ）。(a) 零 (b) 無 窮 大 (c) 約 幾 千 歐6二 極 管 接 在 電 路 中， 若 測 得 a、b 兩 端 電 位 如 圖 所 示，則 二 極 管 工 作 狀 態(tài) 為（ ）。(a) 導 通 (b) 截 止 (c) 擊 穿 7如 果 把 一 個 小 功 率 二 極 管 直 接 同 一 個 電 源 電 壓 為1.5V、內 阻 為 零 的 電 池 實 行 正 向 連 接，電 路 如 圖 所 示，則 后 果 是 該 管（ ）。(a) 擊 穿 (b) 電 流 為 零 (c) 電 流 正 常 (

3、d) 電 流 過 大 使 管 子 燒 壞8 電 路 如 圖 所 示 ，二 極 管 D 為 理 想 元 件，US =5 V ，則 電 壓uO=（ ）。(a) Us (b) US / 2 (c) 零9電 路 如 圖 所 示, 所 有 二 極 管 均 為 理 想 元 件，則 D、D、D的 工 作 狀 態(tài) 為（ ）。(a) D導 通，D、D 截 止(b) D、D截 止 ， D3 導 通(c) D、D截 止， D導 通(d) D、D、D均 截 止10電 路 如 圖 所 示，二 極 管 D、D 為 理 想 元 件，判 斷 D、D的 工 作 狀 態(tài) 為（ ）。 (a) D導 通 ，D截 止 (b) D導 通

4、，D導 通 (c) D截 止 ，D導 通 (d) D截 止 ，D截 止11型 號 為 2CP10 的 正 向 硅 二 極 管 導 通 后 的 正 向 壓 降 約 為（ ）。(a) 1V (b) 0.2 V (c) 0.6 V12電 路 如 圖 所 示，二 極 管 為 同 一 型 號 的 理 想 元 件，電 阻 R = 4 k，電 位 uA=1V， uB =3V，則 電 位 uF 等 于（ ）。(a) 1 V(b) 3 V(c) 12 V13電 路 如 圖 所 示，二 極管 為 理 想 元 件，ui=6sint V，U=3V，當t = 瞬 間， 輸 出 電 壓 uO 等 于（ ）。(a) 0 V

5、 (b) 6 V (c) 3 V 14035電 路 如 圖 所 示，D 為 理 想 二 極 管，= 6sint V，則 輸 出 電 壓 的 最 大 值 uOM = （ ）。(a) 6 V (b) 3 V (c) 3 V15039電 路 如 圖1 所 示， 已 知U = 6V，u =18sintV， 波 形 如 圖2， 二 極 管 正 向 導 通 時 的 壓 降 可 忽 略 不 計， 則 二 極 管 兩 端 電 壓 uD 的 波 形 為 圖3 中（ ）。16040電 路 如 圖 1 所 示， 二 極 管 D 為 理 想 元 件，=6sintV， 則 輸 出 電 壓 uO 的 波 形 為 圖2 中

6、（ ）。17047電 路 如 圖 1 所 示，二 極 管 D 為 理 想 元 件，當 輸 入 電 壓 為 矩 形 脈 沖 信 號 如 圖 2 所 示 ， 且RC<<Tp 時 ， 輸 出 電 壓 uO 的 波 形 為 圖 3 中 （ )。18050電 路 如 圖 所 示， ，D2 均 為 硅 管（正 向 壓 降 0.7V)，D 為 鍺 管（正 向 壓 降 0.3V)， U6V ， 忽 略 二 極 管 的 反 向 電 流 ， 則 流 過 D1、D2 的 電 流 分 別 為（ ）。(a) 2mA，2mA (b) 0 ，2mA (c) 2mA，0 19054電 路 如 圖 所 示， D1，

7、D2 均 為 理 想 二 極 管，當 輸 入 信 號 ui = 6 sintV 時，輸 出 電 壓 uO 的 最 大 值 為 ( )。(a) +1V (b) +4V (c) +6V 20057電 路 如 圖 所 示，D為 硅 二 極 管， 根 據 所 給 出 的 電 路 參 數 判 斷 該 管 為 ( )。(a) 正 偏 (b) 反 偏 (c) 零 偏21060 穩(wěn) 壓 管 反 向 擊 穿 后， 其 后 果 為 （ ）。(a) 永 久 性 損 壞(b) 只 要 流 過 穩(wěn) 壓 管 電 流 不 超 過 規(guī) 定 值 允 許 范 圍， 管 子 無 損(c) 由 于 擊 穿 而 導 致 性 能 下 降

8、22061溫 度 穩(wěn) 定 性 最 好 的 穩(wěn) 壓 管 是 （ ）。(a) 穩(wěn) 定 電 壓 UZ = 6 V 的 管 子(b) 穩(wěn) 定 電 壓 UZ > 6 V 的 管 子(c) 穩(wěn) 定 電 壓 UZ < 6 V 的 管 子23064穩(wěn) 壓 管 的 動 態(tài) 電 阻 rZ 是 指 （ ）。(a) 穩(wěn) 定 電 壓 與 相 應 電 流 IZ 之 比(b) 穩(wěn) 壓 管 端 電 壓 變 化 量 UZ 與 相 應 電 流 變 化 量 IZ 的 比 值 (c) 穩(wěn) 壓 管 正 向 壓 降 與 相 應 正 向 電 流 的 比 值24065動 態(tài) 電 阻 rZ 是 表 示 穩(wěn) 壓 管 的 一 個 重

9、要 參 數， 它 的 大 小 對 穩(wěn) 壓 性 能 的 影 響 是 （ ）。(a) rZ 小 則 穩(wěn) 壓 性 能 差 (b) rZ 小 則 穩(wěn) 壓 性 能 好 (c) rZ 的 大 小 不 影 響 穩(wěn) 壓 性 能25067電 路 如 圖 所 示，穩(wěn) 壓 管 的 穩(wěn) 定 電 壓UZ =10V，穩(wěn) 壓 管 的 最 大 穩(wěn) 定 電 流 IZMAX = 20 mA， 輸 入 直 流 電 壓 UI =20V， 限 流 電 阻 R 最 小 應 選 （ ）。(a) 0.1kW (b) 0.5kW (c) 0.15kW26068電 路 如 圖 所 示，直 流 電 壓 UI =10 V，穩(wěn) 壓 管 的 穩(wěn) 定 電

10、 壓UZ = 6 V， 則 限 流 電 阻 R 上 的 壓 降 UR 為（ ）。(a) 10V (b) 6V (c) 4V (d) -4V27070圖 1 所 示 電 路 中， 二 極 管 D 為 理 想 元 件，設 ui =10sintV， 穩(wěn) 壓 管 DZ 的 穩(wěn) 定 電 壓 為 5V， 正 向 壓 降 不 計， 則 輸 出 電 壓 uO 的 波 形 為 圖 2 中（ ）。28071電 路 如 圖 所 示，穩(wěn) 壓 管 DZ 正 向 壓 降 視 為 零， 它 的 穩(wěn) 定 電 壓 為 7V，則 回 路 中 的 電 流 等 于 （ ）。(a) 0 (b) 10mA (c) 25mA (d) 5.

11、75mA29073電 路 如 圖 所 示，設 DZ1 的 穩(wěn) 定 電 壓 為 6 V，DZ2 的 穩(wěn) 定 電 壓 為 12 V， 設 穩(wěn) 壓 管 的 正 向 壓 降 為 0.7 V，則 輸 出 電 壓UO 等 于 （ ）。(a) 18V (b) 6.7V (c) 30V (d) 12.7V30076 普 通 雙 極 型 晶 體 管 是 由（ ）。(a)一 個PN 結 組 成 (b)二 個PN 結 組 成 (c) 三 個PN 結 組 成31079測 得 電 路 中 工 作 在 放 大 區(qū) 的 某 晶 體 管 三 個 極 的 電 位 分 別 為 0V、-0.7V 和 -4.7V， 則 該 管 為

12、（ ）。(a) NPN 型 鍺 管 (b) PNP 型 鍺 管 (c) NPN 型 硅 管 (d) PNP 型 硅 管32080已 知 放 大 電 路 中 某 晶 體 管 三 個 極 的 電 位 分 別 為VE = -1.7V，VB= -1.4V ，VC = 5V， 則 該 管 類 型 為 （ ）。(a) NPN 型 鍺 管 (b) PNP 型 鍺 管 (c) NPN 型 硅 管 (d) PNP 型 硅 管33083圖 示 的 三 極 管 接 在 放 大 電 路 中， 該 管 工 作 正 常， 測 得 UBE = -0.3V ，則 此 管 的 類 型 為 （ ）。(a) PNP 型 鍺 管 (

13、b) NPN 型 鍺 管 (c) PNP 型 硅 管 (d) NPN 型 硅 管34084晶 體 管 的 主 要 特 點 是 具 有（ ）。(a) 單 向 導 電 性 (b) 電 流 放 大 作 用 (c) 穩(wěn) 壓 作 用35086如 果 改 變 晶 體 管 基 極 電 壓 的 極 性， 使 發(fā) 射 結 由 正 偏 導 通 改為 反 偏， 則 集 電 極 電 流（ ）。(a) 反 向 (b) 近 似 等 于 零 (c) 不 變 (d) 增 大36088 晶 體 管 處 于 截 止 狀 態(tài) 時， 集 電 結 和 發(fā) 射 結 的 偏 置 情 況 為（ ）。(a) 發(fā) 射 結 反 偏，集 電 結 正

14、 偏(b) 發(fā) 射 結、集 電 結 均 反 偏(c) 發(fā) 射 結、集 電 結 均 正 偏 (d) 發(fā) 射 結 正 偏，集 電 結 反 偏37090已 知 某 晶 體 管 處 于 放 大 狀 態(tài)， 測 得 其 三 個 極 的 電 位 分 別 為 6V、9V 和 6.3V， 則 6V所 對 應 的 電 極 為（ ）。(a) 發(fā) 射 極 (b) 集 電 極 (c) 基 極38091 晶 體 管 的 穿 透 電 流 ICEO 是 表 明（ ）。(a) 該 管 溫 度 穩(wěn) 定 性 好 壞 的 參 數(b) 該 管 允 許 通 過 最 大 電 流 的 極 限 參 數(c) 該 管 放 大 能 力 的 參

15、數39093 表 明 晶 體 管 質 量 優(yōu) 劣 的 主 要 參 數 是（ ）。(a) 、（） (b) ICM 、PCM (c) U（BR）CEO ，ICM 40095某 晶 體 管 的 集 電 極 的 最 大 允 許 耗 散 功 率 PCM = 500 mW， 集 電 極 最 大 允 許 電 流 ICM = 500 mA， 在 實 際 應 用 線 路 中 測 得 它 的 集 電 極 電 流 IC =100 mA，UCE = 6 V， 其 后果 為 （ ）。(a) 該 管 應 過 熱 而 損 壞(b) 該 管 可 長 期 安 全 工 作(c) 該 管 可 安 全 工 作、但 將 下 降4110

16、0已 知 某 晶 體 管 的 ICEO 為 200， 當 基 極 電 流 為 20 時， 集 電 極 電 流 為1mA，則 該 管 的 ICBO 約 等 于 （ ）。(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5 (d) 2042102單 管 放 大 電 路 的 靜 態(tài) 基 極 電 流 IB 適 當 增 加 時， 晶 體 管 的 輸 入 電 阻 rbe 將（ ）。(a) 減 小 (b) 增 加 (c) 不 變43104在 計 算 低 頻 小 功 率 晶 體 管 輸 入 電 阻 rbe 時， 有 三 位 同 學 用 了 三 種 方 法， 而 且 計 算 結 果 差 別 很 大， 請 指 出 正

17、 確 的 表 達 式 是 （ ）。(a) rbe = (b) rbe = (c) rbe = 300W44106 所 謂 晶 體 管 輸 出 特 性 曲 線 中 的 線 性 區(qū) 域 是 指（ ）。(a) 放 大 區(qū) (b) 飽 和 區(qū) (c) 截 止 區(qū)45108 如 果 接 在 電 路 中 某 晶 體 管 的 基 極 與 發(fā) 射 極 短 路， 則（ ）。(a) 管 子 深 度 飽 和 (b)管 子 截 止(c)管 子 工 作 在 放 大 狀 態(tài)46111圖 中 已 標 出 各 硅 晶 體 管 電 極 的 電 位， 判 斷 處 于 截 止 狀 態(tài) 的 晶 體 管 是（ ）。47113測 得 某

18、 一 PNP 硅 管 三 個 極 的 電 位 是：VB = -3.2V，VE = -2.5V，VC = -7V， 則 該 管 工 作 在（ ）。(a) 線 性 放 大 狀 態(tài)(b) 飽 和 工 作 狀 態(tài)(c) 截 止 工 作 狀 態(tài)48116電 路 如 圖 所 示， 晶 體 管 處 于（ ）。(a) 飽 和 狀 態(tài) (b) 放 大 狀 態(tài) (c) 截 止 狀 態(tài)49118電 路 如 圖 所 示， 靜 態(tài) 時 晶 體 管 處 于（ ）。(a) 飽 和 狀 態(tài)(b) 放 大 狀 態(tài) (c) 截 止 狀 態(tài) 50123某 場 效 應 管 的 漏 極 特 性 曲 線 如 圖 所 示， 則 該 場 效 應 管 為 （ ）。(a) P 溝 道 耗 盡 型 MOS 管 (b) N 溝 道 增 強 型 MOS 管(c) P 溝 道 增 強 型 MOS 管 (d) N 溝 道 耗 盡 型 MOS 管 51124圖 示 為 場 效 應 管 的 轉 移 特 性 和 漏 極 特 性 曲 線 ， 由 此 可 判 斷 該 場 效 應 管 為 （ ）。(a) 絕 緣 柵 N 溝 道 耗 盡 型 (b) 絕 緣 柵 P 溝 道 耗 盡 型(c)