薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)工藝流程

1、GD Solar薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程及工藝薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程及工藝國(guó)電太陽(yáng)能（江蘇）有限公司GD Solar2021-12-11培訓(xùn)內(nèi)容 非晶硅薄膜電池生產(chǎn)流程 模組生產(chǎn)流程 各主要生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的基本工藝、水電氣、原材料和基本參數(shù)GD Solar2021-12-11目錄 太陽(yáng)能電池基本原理（PN 結(jié)1） 太陽(yáng)能電池基本原理（PN 結(jié)2） 太陽(yáng)能電池基本原理（光電效應(yīng)） 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流水線總圖 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程圖 薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu) 薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)（續(xù)） 薄膜太陽(yáng)能電池電路圖 薄膜太陽(yáng)能電池的連接 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E01-E03) 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E04-E07

2、) 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E08-E11) 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E12-E15) 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E16-E18) 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E19-E23)GD Solar2021-12-11太陽(yáng)能電池基本原理（PN 結(jié)1）u PN結(jié)是太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)。結(jié)是太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)。PN結(jié)的基本材料是半導(dǎo)體。結(jié)的基本材料是半導(dǎo)體。u半導(dǎo)體：介于導(dǎo)體和絕緣體之間，如半導(dǎo)體：介于導(dǎo)體和絕緣體之間，如Si 、P、B、Gau晶體：原子的排列具有長(zhǎng)程周期性和旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性（單晶、多晶）；晶體：原子的排列具有長(zhǎng)程周期性和旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性（單晶、多晶）； 非晶體：原子無(wú)序排列，沒(méi)有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性，但短程有序。非晶體

3、：原子無(wú)序排列，沒(méi)有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性，但短程有序。uN型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：Si中摻雜中摻雜5價(jià)的價(jià)的P，P作為施主雜質(zhì)能夠提供自由移動(dòng)的電子，電子是多數(shù)載流子。作為施主雜質(zhì)能夠提供自由移動(dòng)的電子，電子是多數(shù)載流子。 P型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：Si中摻雜中摻雜3價(jià)的價(jià)的B，B作為受主雜質(zhì)，產(chǎn)生空穴，能夠接受電子，空穴是多數(shù)載流子。作為受主雜質(zhì)，產(chǎn)生空穴，能夠接受電子，空穴是多數(shù)載流子。電子電子空穴空穴硅原子的共硅原子的共價(jià)健結(jié)構(gòu)價(jià)健結(jié)構(gòu)硅中摻雜硅中摻雜P形成電子形成電子（N型）型）硅中摻雜硅中摻雜B形成空穴形成空穴（P型）型）自由電子自由電子空穴空穴GD Solar2021-12-115太陽(yáng)能電池基本原理

4、（PN 結(jié)2）內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)uPN結(jié)的形成結(jié)的形成把把P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合起來(lái)。型半導(dǎo)體結(jié)合起來(lái)。物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。地方擴(kuò)散。P區(qū)和區(qū)和N區(qū)的多數(shù)載流子由區(qū)的多數(shù)載流子由于濃度差向?qū)Ψ接跐舛炔钕驅(qū)Ψ綌U(kuò)散擴(kuò)散。擴(kuò)散的結(jié)果在。擴(kuò)散的結(jié)果在P區(qū)一側(cè)留下帶負(fù)電的離子，在區(qū)一側(cè)留下帶負(fù)電的離子，在N區(qū)一側(cè)區(qū)一側(cè)留下帶正電的離子，這就形成了一層很留下帶正電的離子，這就形成了一層很薄的薄的空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)，又稱，又稱耗盡層和耗盡層和PN結(jié)。結(jié)。由耗盡層產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)一方面阻止多由耗盡層產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)一方面阻止多子的繼續(xù)擴(kuò)散，另一方面又促使

5、少數(shù)載子的繼續(xù)擴(kuò)散，另一方面又促使少數(shù)載流子向?qū)Ψ搅髯酉驅(qū)Ψ狡破?，?dāng)擴(kuò)散和漂移相等時(shí)，當(dāng)擴(kuò)散和漂移相等時(shí)，PN結(jié)處于結(jié)處于動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡。uPIN：I層能增加耗盡層的厚度，減少層能增加耗盡層的厚度，減少a-Si缺限。增加載流子的壽命，提高光電轉(zhuǎn)換效缺限。增加載流子的壽命，提高光電轉(zhuǎn)換效率。率。P區(qū)（摻B）N區(qū)（摻P）電子電子空穴空穴正離子負(fù)離子動(dòng)態(tài)平衡耗盡層/PN結(jié)GD Solar2021-12-116導(dǎo)帶禁帶價(jià)帶原子能帶原子能級(jí)原子軌道EgPNFront electrode +Back electrode -內(nèi)電場(chǎng)太陽(yáng)能電池基本原理（光電效應(yīng)）u能級(jí)：能級(jí)：原子中電子的的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)分不原

6、子中電子的的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)分不同的能級(jí)，原子核外圍的電子受原子核同的能級(jí)，原子核外圍的電子受原子核作用弱，能量坐標(biāo)上能量愈高，反之原作用弱，能量坐標(biāo)上能量愈高，反之原子核內(nèi)圍的電子能量愈低。子核內(nèi)圍的電子能量愈低。u低能吸的電子吸收一定能量的光子后低能吸的電子吸收一定能量的光子后就會(huì)躍遷到高能吸。就會(huì)躍遷到高能吸。u半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)：按量子力學(xué)方法：按量子力學(xué)方法研究固體內(nèi)部電子運(yùn)動(dòng)的理論，固體材研究固體內(nèi)部電子運(yùn)動(dòng)的理論，固體材料的結(jié)構(gòu)由多條能帶組成。料的結(jié)構(gòu)由多條能帶組成。能帶分為價(jià)能帶分為價(jià)帶、導(dǎo)帶和禁帶帶、導(dǎo)帶和禁帶，導(dǎo)帶和價(jià)帶間的空隙，導(dǎo)帶和價(jià)帶間的空隙稱為稱為禁帶寬度禁帶

7、寬度（Eg）。半導(dǎo)體的禁帶寬）。半導(dǎo)體的禁帶寬度度Eg很窄（很窄（0.3-4eV), 當(dāng)光照能量當(dāng)光照能量hvEg時(shí)，可激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶中去，時(shí)，可激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶中去，同時(shí)在價(jià)帶中形成空穴。電子和空穴總同時(shí)在價(jià)帶中形成空穴。電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)。是成對(duì)出現(xiàn)。u在內(nèi)電場(chǎng)的作用下，帶負(fù)電的電子逆在內(nèi)電場(chǎng)的作用下，帶負(fù)電的電子逆向內(nèi)電場(chǎng)向向內(nèi)電場(chǎng)向N區(qū)移動(dòng)，帶正電的空穴順內(nèi)區(qū)移動(dòng)，帶正電的空穴順內(nèi)電場(chǎng)向電場(chǎng)向P區(qū)移動(dòng)。區(qū)移動(dòng)。u薄膜太陽(yáng)能電池在光照后，從薄膜太陽(yáng)能電池在光照后，從P區(qū)前電區(qū)前電極流出正電，從極流出正電，從N區(qū)背電極流出負(fù)電。區(qū)背電極流出負(fù)電?？昭娮覩D Sola

8、r2021-12-117薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流水線總圖ID MARKER身份標(biāo)識(shí)身份標(biāo)識(shí)EDGE GRINDER磨邊磨邊MOCVD化學(xué)沉積化學(xué)沉積（TCO）INITIAL CLEANER初次清洗初次清洗DI WET CLEARER純水清洗純水清洗P1劃線劃線1PECVD化學(xué)沉積化學(xué)沉積（PIN）MOCVD化學(xué)沉積化學(xué)沉積（ZnO)SPUTTER濺射鍍?yōu)R射鍍(AL)P2劃線劃線2P4劃線劃線4P3劃線劃線3EDGE DELETION邊緣噴沙邊緣噴沙除邊除邊DI WET CLERNER純水清洗純水清洗PROCESS FLOW產(chǎn)品流產(chǎn)品流GD Solar2021-12-118薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程圖G

9、D Solar2021-12-119薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)MOCVD化學(xué)沉積化學(xué)沉積(TCO)PECVD化學(xué)沉積化學(xué)沉積(GE) PATTERN 劃線劃線1PECVD化學(xué)沉積化學(xué)沉積(PIN)MOCVD化學(xué)沉積化學(xué)沉積(ZnO) GLASS玻璃玻璃GD Solar2021-12-1110薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)（續(xù)） PATTERN 劃線劃線2 SPUTTER磁控濺射鍍磁控濺射鍍 (AL) PATTERN劃線劃線 4 PATTERN劃線劃線 3 MODULE模組模組GD Solar2021-12-1111薄膜太陽(yáng)能電池電路圖 CURRENT FLOW電流方向電流方向GD Solar2021-12-111

10、2薄膜太陽(yáng)能電池的連接130011007mm Cell( 150ea)i0.9V 0.9V 0.9V0.9V 0.9V 0.9V1.2A 1.2A 1.2A1.2A 1.2A 1.2A1.8V 2.7V135V134.1V整塊做為電池，阻抗大，通過(guò)劃線后，由很多電池串聯(lián)，可提高光電轉(zhuǎn)換效率。8個(gè)激光頭，劃線19次，劃線152條。每個(gè)電池的寬度7mm每個(gè)電池的面積127x0.7=88.9cm2VOC = 0.9V X 150= 135VISC = 13.5mA/cm2 X 88.9cm2 = 1.2APMAX= Voc*Isc*FF=VPMxIPMGD Solar2021-12-1113ATM

11、ROBORT薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E01-E03)Glass Load玻璃裝入玻璃裝入ID Marker身份標(biāo)識(shí)身份標(biāo)識(shí)Edge Grinder磨邊磨邊Initial Cleaner初次清洗初次清洗-Loading by the glass loader onto the cassette -Moving to ID marker using ATM robot. -After marking process, perform Edge grinding using logistics line. -Cleaning using DI and a detergent. GD Solar202

12、1-12-1114MOMOMOMOMOMOPEPEL/LP/RATM ROBORTAOI自動(dòng)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)光學(xué)檢測(cè)MOCVD(IN LINE)化學(xué)沉積化學(xué)沉積ZnOLaser Scribe(P1)激光劃線激光劃線1DI Wet Cleaner純水清洗純水清洗COOLING冷卻冷卻薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E04-E07)ZnOGeP1次次品品GD Solar2021-12-1115L/LIP/HIIIIPNL/LIP/HIIIIPNL/LL/LP/HP/HPCPCPCATM ROBORTATM ROBORTTCTCTCRMS阻抗測(cè)量阻抗測(cè)量PECVD(PIN)化學(xué)沉積化學(xué)沉積PINMOCVD(BA

13、CK ZnO)化學(xué)沉積化學(xué)沉積ZnOCOOLING冷卻冷卻薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E08-E11)PINZnO次次品品GD Solar2021-12-1116Laser Scribe(P1-1)PECVD(ICP)MOCVD(Back ZnO)薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E12-E15)預(yù)留二期預(yù)留二期(TANDEM CELL)GD Solar2021-12-11L/LP/HPSPSATM ROBORTTCLaser Scribe(P2)劃線劃線2Dry Cleaner干洗干洗SPUTTER(AL)磁控濺射鍍磁控濺射鍍ALCOOLING冷卻冷卻薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E16-E18)P2ALGD

14、Solar2021-12-1118Laser Scribe(P3)劃線劃線3Laser Scribe(4)劃線劃線4Edge Deletion邊緣噴沙除邊邊緣噴沙除邊DI Wet Cleaner純水清洗純水清洗薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)流程(E19-E23)P3P4MODULEGD Solar 模組生產(chǎn)流程GD Solar2021-12-11目錄 模組生產(chǎn)總圖 薄膜太陽(yáng)能電池膜組生產(chǎn)流程圖 模組結(jié)構(gòu)圖 模組結(jié)構(gòu)圖（續(xù)） 模組電路圖 模 組生產(chǎn)流程圖(M1-1 to M2-4) 模組生產(chǎn)流程圖(M2-5 to M4-1) 模組生產(chǎn)流程圖(M4-2 to M6-11) 模組生產(chǎn)流程圖(M7-1 to M1

15、2-2) 模組生產(chǎn)流程圖（M13-1 to M15-2) 太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)GD Solar2021-12-1121模組生產(chǎn)總圖SOLAR SIMULATE太陽(yáng)模擬測(cè)試太陽(yáng)模擬測(cè)試CIRCUIT FORMATION電路形成電路形成EVA LAY UP切割和安放切割和安放EVALAMINATE層壓層壓EDGE TRIMING去除邊緣去除邊緣JUCTION BOX安裝接線盒安裝接線盒AL FRAME安裝鋁框安裝鋁框SOLAR SIMULATE太陽(yáng)模擬測(cè)試太陽(yáng)模擬測(cè)試BACK SHEETLAY UP切割和安放背板切割和安放背板GD Solar2021-12-11薄膜太陽(yáng)能電池膜組生產(chǎn)流程圖EVA l

16、ayupCircuit formationEdge TrimmingFrame Assembly(Sealing, Framing)Solar simulationJunction Box(Soldering, Potting)Back sheet layupSolar simulationCELLLINELaminationSELLDEPTGD Solar2021-12-1123模組結(jié)構(gòu)圖Solar simulation太太陽(yáng)陽(yáng)模模擬測(cè)試擬測(cè)試Circuit formation電電路形成路形成EVA layup放放EVABack sheet layup放背板放背板GD Solar2021-1

17、2-1124模組結(jié)構(gòu)圖（續(xù)）Lamination層壓層壓Edge Trimming去除去除邊緣邊緣Junction Box安裝接安裝接線線盒、盒、焊焊接接Frame Assembly安裝安裝鋁鋁框框Solar simulation太太陽(yáng)陽(yáng)模模擬測(cè)試擬測(cè)試SELL DEPTGD Solar2021-12-1125Kapton tapeSilver pasteCopper tapeSmall EVA sheetSmall Insulation sheetInsulation tapeCopper tapeFlow模組電路圖-+-+-GD Solar2021-12-1126模組生產(chǎn)流程圖(M1-1

18、to M2-4)M1-1高度降底高度降底M1-2旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)90度度M1-3模擬測(cè)試模擬測(cè)試M1-4改變方向改變方向M2-1點(diǎn)銀膠點(diǎn)銀膠M2-2貼導(dǎo)線和單面膠貼導(dǎo)線和單面膠M2-3點(diǎn)銀膠點(diǎn)銀膠M2-4放小塊放小塊EVA和絕緣板和絕緣板銀膠銀膠導(dǎo)線導(dǎo)線/單面膠單面膠銀膠銀膠EVA/絕緣板絕緣板次次品品GD Solar2021-12-1127M2-5貼導(dǎo)線貼導(dǎo)線/單面膠單面膠M2-6人工檢查人工檢查M2-7改變方向改變方向M3-2改變方向改變方向M3-3旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)安安EVA/背板背板M3-4切割切割EVAM3-5切割背板切割背板M4-1暫時(shí)存放暫時(shí)存放模組生產(chǎn)流程圖(M2-5 to M4-1

19、)導(dǎo)線導(dǎo)線/單面膠單面膠切切EVA切背板切背板EVA/背板背板次次品品GD Solar2021-12-1128M4-2,3,5,8改變方向改變方向M6-5,7,9,11改變方向改變方向M4-4,6,7輸送帶輸送帶M6-6,8,10輸送帶輸送帶M5-6,7,8層壓層壓M6-1,2,3,4暫時(shí)存放暫時(shí)存放膜組生產(chǎn)流程圖(M4-2 to M6-11)GD Solar2021-12-1129M7-1邊緣切割臺(tái)邊緣切割臺(tái)M7-3改變方向改變方向M8-1,2粘接線盒粘接線盒M9自動(dòng)焊接自動(dòng)焊接M10-1檢查焊點(diǎn)檢查焊點(diǎn)M11-1灌樹(shù)脂膠灌樹(shù)脂膠M12-1邊緣涂密封膠邊緣涂密封膠M12-2投入小推車(chē)投入小推

20、車(chē)硬化硬化模組生產(chǎn)流程圖(M7-1 to M12-2)次次品品刀片刀片接線盒接線盒焊條焊條樹(shù)脂樹(shù)脂密封膠密封膠GD Solar2021-12-1130M13-1膜組裝入膜組裝入M13-2旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)90度度M13-4裝鋁框裝鋁框M14模擬測(cè)試模擬測(cè)試M15-2旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)清潔表面清潔表面模組生產(chǎn)流程圖（M13-1 to M15-2)鋁框鋁框GD Solar2021-12-11太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)切換器切換器太陽(yáng)能電池方陣：將光能轉(zhuǎn)換成電能太陽(yáng)能電池方陣：將光能轉(zhuǎn)換成電能充放電控制器：能自動(dòng)防止蓄電池過(guò)充電和過(guò)放電的設(shè)備充放電控制器：能自動(dòng)防止蓄電池過(guò)充電和過(guò)放電的設(shè)備蓄電池組：是儲(chǔ)存太陽(yáng)能電

21、池方陣受光照時(shí)發(fā)出的電能并可隨時(shí)向負(fù)載供電蓄電池組：是儲(chǔ)存太陽(yáng)能電池方陣受光照時(shí)發(fā)出的電能并可隨時(shí)向負(fù)載供電逆變器：是將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的設(shè)備逆變器：是將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的設(shè)備太陽(yáng)能電池方陣太陽(yáng)能電池方陣控制器控制器逆變器逆變器負(fù)載負(fù)載蓄電池組蓄電池組電網(wǎng)電網(wǎng)GD Solar各生產(chǎn)工序工藝、水電氣、原材料和主要數(shù)GD Solar2021-12-11CONTENT ID MARKER(E01) INITIAL CLEANER（E03） AOI（E04） MOCVD IN LINE（E05） PATTERN1（E06） DI WET CLEANER（E07） RMS（E08） PECVD-PI

22、N（E09-E10） MOCVD BACK ZnO（E11） PATTERN2 (E16) DRY CLEANER (E17) SPUTTER(E18) PATTERN3 (E19) PATTERN4 (E20)GD Solar2021-12-11CONTENT EDGE DELETION(E22) MODULE （M1-1 to M1-4-1） MODULE（M2-1 to M2-6) MODULE(M2-7 to M3-5) MODULE(M4-1 to M7-3) MODULE (M8-1 to M12-2) MODULE(M13-1 to M13-4)GD Solar2021-12-1

23、1ID MARKER身份標(biāo)識(shí)（E01）基本原理 ID=IDENTIFICATION(身份證，標(biāo)識(shí)符）身份證，標(biāo)識(shí)符） 用用Laser光線在光線在Glass內(nèi)部刻印一串號(hào)碼內(nèi)部刻印一串號(hào)碼/文字文字/條形碼。條形碼。 Laser Head安裝在安裝在Conveyor System下部采用背面刻印。下部采用背面刻印。 Scanner Head安裝在安裝在Conveyor System上部，用于監(jiān)控刻印。上部，用于監(jiān)控刻印。所需原材料 GLASS所需UTILITY POWER CDA主要參數(shù)RECIPE WAVELENGTH : 355NM Lens focal length 50mm Markin

24、g field 20mm20mm WARM UP TIME : 20MIN COOLING WATER-AIR : +15 TO +40Glass的定位的定位 Loading Marking Scanner Data傳送傳送 UnloadingGD Solar2021-12-11INITIAL CLEANER初次清洗（E03）基本原理 DET ROLL BRUSH:用毛刷配合清洗劑來(lái)除去用毛刷配合清洗劑來(lái)除去玻璃板表面比較大的玻璃板表面比較大的Particle。 BJ&FR: Bubble Jet & Final Rinse:使用高壓的使用高壓的CDA和和DIW在在NOZZLE

25、內(nèi)部混合內(nèi)部混合s形成水珠，形成水珠， 水珠通過(guò)高速氣體流動(dòng)進(jìn)行加速并分散，水珠通過(guò)高速氣體流動(dòng)進(jìn)行加速并分散， 最后通過(guò)此流體的沖擊最后通過(guò)此流體的沖擊來(lái)清除玻璃上的異物。來(lái)清除玻璃上的異物。 AIR KNIFE：用高壓的：用高壓的CDA來(lái)來(lái) 吹掃玻璃表面水份，使其表面干燥。吹掃玻璃表面水份，使其表面干燥。 In ConveyorDET Roll BushBJ&FRAir KnifeOut Conveyor所需原材料所需原材料 Detergent(主要成份主要成份KOH）所需所需UTILITY POWER PCW，CDA，DI，Recovery Drain, Genaral Exha

26、ust, 主要參數(shù)主要參數(shù)RECIPE Brush Speed （300400rpm） Detergent Temperature (40 5 )GD Solar2021-12-11AOI自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（E04）基本原理 AOI=Automated Optical Inspection自動(dòng)光學(xué)檢驗(yàn)自動(dòng)光學(xué)檢驗(yàn) 人認(rèn)識(shí)物體是通過(guò)光線反射回來(lái)的量進(jìn)行判斷，反射量多為亮，反射量少為人認(rèn)識(shí)物體是通過(guò)光線反射回來(lái)的量進(jìn)行判斷，反射量多為亮，反射量少為暗。暗。AOI與人判斷原理相同。與人判斷原理相同。 AOI通過(guò)人工光源通過(guò)人工光源LED燈光代替自然光，光學(xué)透燈光代替自然光，光學(xué)透鏡和鏡和CCD Camer

27、a 代替人眼，把從光源反射回來(lái)的量與已經(jīng)編好程的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行代替人眼，把從光源反射回來(lái)的量與已經(jīng)編好程的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較、分析和判斷。比較、分析和判斷。所需原材料所需UTILITY POWER CDA主要參數(shù)RECIPEGD Solar2021-12-1138INLINE MOCVD （E05）基本原理TCO = Transparent Conductive Oxide (透明導(dǎo)電氧化物透明導(dǎo)電氧化物)MOCVD=Metal Organic Chemical Vapor Deposition(金屬有機(jī)物化金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積）學(xué)氣相沉積） 化學(xué)反應(yīng)：化學(xué)反應(yīng)：DEZ + H2O ZnO 1， DEZ

28、+2H2O Zn(OH)2+2C2H6 2，Zn(OH)2 ZnO+H2OZnO Doping B: 增加導(dǎo)電性增加導(dǎo)電性Thickness of TCO layer：Trade-off between transparency and conductivityCrease average light path in the absorber layer Haze = DT/TT (Diffuse Transmission / Total Transmission)表面金表面金字塔結(jié)構(gòu)，增加光的吸收。字塔結(jié)構(gòu)，增加光的吸收。PECVD Deposition Ge（Doping B）: 防止防止

29、ZnO層和層和P層污染。層污染。所需原材料DEZ(Zn(C2H5)2)，10%GeH4/H2,NF3, 0.5%B2H6/H2, N2，Ar，H2所需UTILITYPOWERPCW, CDA,DI, Genaral Exhaust N2, Ar, H2, 10%GeH4/H2, NF3, 0.5%B2H6/H2,主要參數(shù)Thickness:1000-1500nm Zn(OH)2SubstrateH2OZnOLOAD LOCKPRE-HEATMO(ZnO)PE(Ge)LOAD LOCKGD Solar2021-12-1139PATTERN1劃線1（E06）基本原理 “ LASER : Light

30、 Amplification by Stimulated Emission of Radiation”是一種經(jīng)由是一種經(jīng)由Stimulated Emission(激發(fā)放射）過(guò)程來(lái)激發(fā)放射）過(guò)程來(lái)Amplification(放大）其能量的放大）其能量的Light(光線）。光線）。 LASER特性：特性：?jiǎn)紊?，定向性，相干性，聚焦性。單色性，定向性，相干性，聚焦性?First scribe , The transparent conductive film(TCO)should be divided for insulation, Also Horizontal direction scrib

31、ing is needed Glass turn to back-side所需原材料所需UTILITY POWER CDA，General Exhaust主要參數(shù)RECIPE Wave length: 1064nm Laser Power:4 W Frequency: 60kHz Processing speed: 800mm/s Line Width：about 30umGD Solar2021-12-1140 WET CLEANER（E07,E22）基本原理BJ&FR: Bubble Jet &Final Rinse,使用高壓的CDA和DIW在NOZZLE內(nèi)部混合形成水珠，

32、 水珠通過(guò)高速氣體流動(dòng)進(jìn)行加速并分散， 最后通過(guò)此流體的沖擊來(lái)清除玻璃上的異物。 AIR KNIFE:用高壓的CDA來(lái) 吹掃玻璃表面水份，使其表面干燥。 IR: 用紅外加熱器對(duì)對(duì)玻璃表面進(jìn)行烘干，CB: 用FFU形成的干凈的風(fēng)對(duì)玻璃表面進(jìn)行冷卻。In ConveyorBJ&FRAir KnifeOut ConveyorIRCB所需原材料所需UTILITY POWER PCW，CDA，DI，General Exhaust, Recovery Drain主要參數(shù)RECIPEpIR Temperature(110120)GD Solar2021-12-11RMS阻抗測(cè)量（E08）基本原理 R

33、MS = Resistance Measurement System阻抗測(cè)量系統(tǒng) R=U/I 采用電壓電流法來(lái)判定各個(gè)CELL之間的laser切割狀況及清洗效果。R值越大說(shuō)明各個(gè)CELL之間Laser效果越好。越小說(shuō)明laser切割的不好或清洗的不好。所需原材料所需UTILITY POWER Vacuum, CDA主要參數(shù)RECIPEGD Solar2021-12-1142PECVD基本原理 。 PECVD Layer Gas： PECVD=Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 P-Layer：B-doped; a-SiC:

34、H, 1020nm I-Layer： Absorber; a-Si:H, 200300nm N-Layer：P-doped ;a-Si:H/uc-Si:H, 3050nm 在a-Si材料中，包含有大量的懸浮鍵、空位等缺陷，提供了電子和空穴復(fù)合的場(chǎng)所，造成太陽(yáng)能光電率降低，在a-Si太陽(yáng)電池制程中，薄膜含有一定量的H可以使許多斷鍵、懸浮鍵被氫化，大大降低材料的缺陷 P : SiH4, H2, B2H6, CH4 I : SiH4, H2 N : SiH4, H2, PH3所需原材料 N2,Ar,H2,NF3,CH4,0.5%B2H6/H2,SiH4, 1%PH3/H2所需UTILITY POWE

35、R N2，Ar，H2，PCW，CDA，City Water, Genaral Exhaust,Toxic(Acid Exhaust),Acid Drain, NF3, CH4,0.5%B2H6/H2,SiH4, 1%PH3/H2主要參數(shù)RECIPEPP/IIIII/NNLL/PHGD Solar2021-12-11NF3 的作用RPSC就是Remote Plasma source clean,遠(yuǎn)程等離子清洗源，就是使用高頻電源（一般是13.6M）使清洗氣體（一般是NF3或CF4)電離，產(chǎn)生F離子，與SIN發(fā)生反應(yīng)，這樣固態(tài)的SIN就生成氣態(tài)的SIF4，Pump后就可以把SIF4抽走，這樣就可以

36、達(dá)到清洗的目的。GD Solar2021-12-1144BACK MOCVD基本原理 MOCVD=Metal Organic Chemical Vapor Deposition(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積） 化學(xué)反應(yīng)：DEZ + H2O ZnO 1， DEZ+2H2O Zn(OH)2+2C2H6 2，Zn(OH)2 ZnO+H2O ZnO Doping B: 增加導(dǎo)電性 Thickness of TCO layer：Trade-off between transparency and conductivity Crease average light path in the absorber la

37、yer Haze = DT/TT (Diffuse Transmission / Total Transmission)表面金字塔結(jié)構(gòu)，增加光的吸收。所需原材料 DEZ(Zn(C2H5)2)， 0.5%B2H6/H2, N2，Ar，H2，NF3所需UTILITY POWER N2，Ar，PCW，CDA，DI，City Water, Genaral Exhaust, Toxic(Acid) Exhaust,Acid Drain, NF3, 0.5%B2H6/H2,主要參數(shù)RECIPETHICKNESS：About 100nmZn(OH)2SubstrateH2OZnOLOAD LOCKLOAD

38、LOCKPRE-HEATMO(ZnO)GD Solar2021-12-1145PATTERN2 劃線2(E16)基本原理 “ LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”是一種經(jīng)由Stimulated Emission(激發(fā)放射）過(guò)程來(lái)Amplification(放大）其能量的Light(光線）。 特征：?jiǎn)紊裕ㄏ蛐?，相干性，聚焦性?Second scribe marks made with laser isolates the PIN+ZnO into individual cells to form C

39、ontact hole Glass turn to back-side所需原材料所需UTILITY POWER CDA，Genaral Exhaust主要參數(shù)RECIPE Wave length: 532nm KLY-QG10a or30a Laser Power:0.9W Frequency: 15kHz Processing speed: 800mm/s Line width: about 90um Space to P1:110umGD Solar2021-12-11DRY CLEANER基本原理 利用Air Knife 的clean pressure air 先破壞基板上的空氣層，再用High Speed的Vacuum將玻璃表面的微小Particle或異物除去的一種VUV Type的Dry Cleaner.所需原材料所需UTILITY POWER CDA，Genaral Exhaust主要參數(shù)RECIPEVACUUM：-0.9kpaPRSSSURE: 1.4kpaGD Solar2021-12-1147SPUTTER基本原理 Magnet