MMIC學習手冊

1、MMIC學習手冊-LongQdB，dBm，dBi，dBd，dBcdb是一個純計數單位。是一個純計數單位。對于功率，dB=10lg（A/B），對于電流或者電壓，db=20lg（A/B）。一般來說，db和db之間只有減運算，沒有乘除運算。比如dbm減去dbm，得到的結果的單位是db，表示的是兩個功率之間的比值，很常見的是信號功率減去噪聲功率，得到的是信噪比（SNR）。 dbm：是一個考征功率絕對值的值，計算為10lg（功率值/1mw）。比如1mw的發(fā)射功率，10*lg（1mw/1mw）=0dbm.40W的發(fā)射功率10lg(40w/1mw)=10lg(4*10000)=40+10lg4=46dbm.

2、經驗算法：左邊+10，右邊*10;左邊+3，右邊*2.0+10dbm=1mw*10. 20dbm=1mw*10*10. 30dbm=1mw*10*10*10.-50dbm=0dbm-10-10-10-10-10=1mw/10/10/10/10/10=0.00001mw.另外：+3db=*2； +1db=*1.25 +2db=*1.6 +4db=*2.5 +6db=*4 +7db=*5注意，經驗的優(yōu)先度的計算中，10db第一，6db， 3db第二，4db第三。1db的話最好少用，近似度太低了。 dbi和dbd是考征增益的值（功率增益）。兩者都是一個相對值，但是考征基準不一樣。Dbi考征的基準為全

3、方向性天線，dbd的考征基準為偶極子，兩者略有不同，一般地我們經驗性認為，考征同一個增益，dbi考征出來的要比dbd考證出來的大2.15。比如說GSM900天線增益可以為13dbd（15.15dbi），GSM1800天線增益可以為15dbd（17.15dbi）。小數點后面的值有時候忽略。 dbc：也是用來表示功率的相對單位，與db計算一樣。一般地是用來度量與載波（carrier）功率的相對值。如用來度量干擾同頻干擾，互調干擾，交調干擾，帶外干擾，以及耦合，雜散等相對值。用在dbc的地方，原則上也可以用db代替。MMIC基礎知識 射頻波段：300MHz3GHz. UHF(特高頻) 微波段：3GH

4、z30GHz. SHF(超高頻) 毫米波段：30GHz300GHz. EHF(極高頻) 亞毫米波段：300GHz3000GHz. THz MMIC的設計思想：從傳統(tǒng)的以“摻雜工程”為基礎的理論變?yōu)橐浴罢{節(jié)”化合物中個元素成分而改變其能帶結構的“能帶工程”原理。 MMIC的工作頻率：1GHz100GHz 單片射頻微波集成電路（RFIC/MMIC）是將各種有源或者無源元件制作在同一片半導體基片上的射頻微波電路。 HMIC：由有源或者無源元件，通過焊接或者環(huán)氧樹脂導電膠粘接的方式集成在同一基片上的微波電路（包括微波波導立體電路）。工作頻率1GHz100GHz。 半導體材料的發(fā)展：第一代：Si，Ge單

5、晶半導體材料。第二代：GaAs/InP/SiGe等多元化合物半導體材料第三代：GaN/SiC等高溫快帶息半導體材料。 加工工藝的發(fā)展：照相印刷術，分子束印刷術的發(fā)展。MBE:分子束外延。MOCVD：金屬-有機化學-氣相-沉淀微波基礎微波基礎MMIC設計方法 “全晶體管”技術 集總元件技術 分布式技術 微帶傳輸線，共面波導（CPW），MEMS傳輸線等 “全晶體管全晶體管”技術技術使用有源器件實現(xiàn)偏執(zhí)，匹配，濾波等功能的MMIC。特點：高集成、高密封度 高直流功耗 噪聲性能差 集總元件式集總元件式MMIC使用螺旋電感、疊片式電容、電阻等集總元件實現(xiàn)偏置、匹配、濾波等功能的MMIC。特點：高集成/封

6、裝密度 低直流功耗 噪聲性能好 分布式分布式MMIC使用微帶線、共勉波導（CPW）、MEMS線等傳輸線元件實現(xiàn)偏置、匹配、濾波等功能的MMIC特點：高工作頻率頻率低時尺寸大傳輸線損耗大時噪聲性能差多芯片模塊（MCM）技術 將系統(tǒng)分解為眾多單元功能部件，用最好的元件與方法實現(xiàn)最好性能的分部件，然后通過互聯(lián)線，偏置電路，濾波器等其他無源元器件，甚至包括平面天線，把這些芯片集成為一個獨立功能模塊的方法。 使用薄膜沉積技術的MCM-D技術 使用共燒多層陶器基片技術的MCM-C技術 使用層壓結構技術的MCM-L技術 MCM-D技術：技術：通過常規(guī)旋轉、沉積和光刻法程序制造出多層無源元件以及小特征尺寸互聯(lián)

7、線，把多個單功能芯片或器件集成為一個獨立功能模塊的方法。使用合適的材料，MCM-D技術將提供最好的器件性能，最適合倒裝芯片的裝配工藝。 MCM-L技術：技術：使用照相平板印刷發(fā)去確定金屬層圖案，通過薄化層壓后繼層實現(xiàn)多層結構，采用機械、鉆孔和刳鉆，或者激光切割和微通道加工方式成形通孔實現(xiàn)多個單功能芯片或者器件集成為一個獨立功能模塊的方法。主要優(yōu)勢在于其能加工處理很大的電路板（18*24），制造成本十分低廉。 MCM-C技術：技術：使用條型或者黏土形式未燒制（“綠”），的陶瓷材料，在多層條帶上或多層絲網狀黏土上構建多層模塊，然后將這些層重疊在一起，并一同共燒而成得到獨立功能模塊的方法。應用于MMIC的主要有源元件GaAs金屬半導體場效應管（ GaAs MESFET）砷化鎵髙電子遷移率晶體管（包括常規(guī)型和贗同品型）（GaAs HEMT/HFET/PHEMT）砷化鎵異質結雙極晶體管（ GaAs HBT）硅雙極晶體管（Si BJT）鍺硅異質結雙極晶體管（SiGe HBT）硅互補金屬氧化物半導體器件（Si CMOS）硅鍺硅互補金屬氧化物半導體器件 （Si BICMOS）磷化銦髙電子遷移率晶體管（InP HEMT）磷化銦異質結雙極晶體管（InP HBT）硅雙垂直溝道金屬氧化物半導體場（LDMOS）氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT