半導體器件 微電子機械器件 第29部分：室溫下懸空導電薄膜的機電松弛試驗方法 征求意見稿

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:1半導體器件微電子機械器件第29部分：室溫下懸空導電薄膜的機電松弛試驗方法下的機電性能。懸空導電薄膜在MEMS、光電子學、柔性/可穿戴電子產品中有著廣泛的應用。對產品產品的電性能隨時間而變化。這種試驗方法適用IEC62047-2:2006,半導體器件-微電子機械器件-第2部分:薄膜材料的拉伸試驗方法（Part2:Ttestingmethodofthinfilmmaterials）IEC62047-3:2006,半導體器件-微電子機械器件-第3部分:拉伸試驗的薄膜標準試樣（Part3:ThinfilmstandardtestpiecefortensilIEC62047-8:2011,半導體器件-微電子機械器件-第8部分:薄膜張力特性測量的剝離彎曲試驗方法（Part8:Stripbendingtestmethodfortensilepropertymeasurementofthinfilms）IEC62047-21:2014,半導體器件-微電子機械器件-第21部分:薄膜MEMS材料泊松比的測試方法（Part21:TestmethodforPoisson’sratioofthinfilmMEMSmaterials）IEC62047-22:2014,半導體器件-微電子機械器件-第22部分:柔性襯底導電薄膜的機電拉伸測試方法（Part22:Electromechanicaltensiletestmethodforconductivethinfilmsonf注：應變系數定義為GF=(ΔR/R)/Δε,其中，ΔR是電阻變化量，R是無應變電阻，Δε是機械應變GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:2試樣的整體結構類似用于剝離彎曲試驗的傳統(tǒng)的薄膜或薄板（參見IEC62047-8:2011l1μmL2μmhμm4.1通則試樣的制備工藝應與實際MEMS器件的薄膜工藝相同。制備的試樣GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:34.2試樣的形貌4.3尺寸測量5.1試驗原理5.2試驗環(huán)境由于電性能對溫度敏感，試驗過程中的溫度波動應控制在±2℃以內。某些聚合物材料制成的柔性5.3試驗設備進行反饋控制。電阻應采用四線法(開爾文法)測量，以排除接觸電到的應變信號應連接到試驗設備用來進行反饋5.4試驗程序A）將試樣固定在松弛試驗設備上，試樣的縱向方向應與試驗裝置的驅動方向一致1°,如IEC62047-8:2011第4.4節(jié)所述。GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:4試樣的最大彈性應變?yōu)镋el[μm/m]，應變水平可選擇為Eel/4,2Eel/4,3Eel/4,或者Eel。定，并使用應變測量技術(如數字圖像相關法)進行驗證。應變分辨率應小于Eel/500，測得的應5.5數據分析見附件A。通過將松弛數據中的機械應力除以施加的應變，得到了松弛模量。應變系數按照IEC62047-22:2014的規(guī)定進行測量，并且遵循(1+2ν+πE)，其中ν是泊松比（按照IEC62047-21:2014的規(guī)定測量），E是楊氏模量（按照IEC62047-2:20A）參照本標準；GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:5F）測得的性能和結果：壓阻系數，應力松弛曲線（應力應變曲線應變控制曲線（應變隨時間GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:6A.1試驗概述用于測量懸空金薄膜機電松弛的試驗設備如圖1所示。壓電驅動器用于向懸空的金薄膜施加拉伸應鏡和成像相機獲得的圖像相關性來測量。壓電驅動器受到a）試驗設備照片b）4稱重傳感器GB/TXXXXX—XXXX/IEC62047-29:7A.2試驗結果施加4個不同應變級測得的松弛模量重疊在一條曲線上。如圖A.2d）所示，圖中顯示的是擬合曲線。這擬合曲線的斜率就是壓阻系數。從2.82×10-7MPa-1到3.07×10-7MPa-1不等。由于應變在試驗過程中保持不a）應變與時間的關系