第一章 集成電路的寄生效應

1、博士研究生入學考試集成電路原理與設計考試大綱 半導體集成電路 張廷慶第一章 集成電路的寄生效應集成電路的雙極型工藝，典型pn結隔離工藝，集成電路元件結構和寄生效應；多結晶體管埃伯斯-莫爾模型，集成電路晶體管有源寄生效應的形成過程，集成電路中的寄生電容和效應。第二章 雙極邏輯集成電路雙極型邏輯集成電路的發(fā)展過程，簡易ttl與非門的邏輯結構，六管單元ttl與非門的工作原理及功耗計算，ttl電路的溫度特性，ttl門電路的邏輯是如何擴展。第三章 ttl中大規(guī)模集成電路ttl芯片電路的簡化邏輯門，單管邏輯門的功能，簡化觸發(fā)器結構，了解ttl中大規(guī)模集成電路的實際結構，雙極型存儲器結構，雙極型門陣列結構與

2、原理。第四章 ttl電路版圖設計結合集成電路工藝的確定，熟悉集成電路版圖設計的一般程序，版圖設計的基本尺寸確定，集成晶體管版圖，二極管版圖，肖特基勢壘二極管版圖，集成電阻的版圖。第五章 ecl和i2l電路ecl和i2l的電路結構，工作原理和特點，如何用這類型的電路實現(xiàn)邏輯運算。第六章 nmos邏輯集成電路電阻負載mos倒相器，e/e mos倒相器，e/d mos倒相器，自舉負載mos倒相器的結構和原理；了解這些電路的速度，靜態(tài)功耗等特點，弄清楚有比電路的定義；什么是靜態(tài)mos電路。第七章 cmos集成電路重點是cmos倒相器和cmos傳輸門的基本結構和工作原理，用這兩類結構如何實現(xiàn)各種大規(guī)模邏

3、輯電路，注意這類電路的轉換特性和閾值損失原因；結合mos工藝和版圖結構，了解cmos電路中的柵鎖效應。第八章 動態(tài)和準靜態(tài)mos電路理解柵電容的電荷存儲效應，這種動態(tài)電路的輸入阻抗，對信號的作用；動態(tài)倒相器和電路單元的基本結構和原理，各種動態(tài)和準靜態(tài)mos電路單元。第九章 mos集成電路的版圖設計mos集成電路的工藝設計和選擇，mos集成電路版圖的設計規(guī)則，mos集成電路各種單元電路的版圖設計。第十章 mos大規(guī)模集成電路mos大規(guī)模集成電路的特點，計算機輔助設計的流程，hmos，mos存儲器，算術邏輯單元，半定制邏輯單元的設計實例。第十一章 模擬集成電路中的特殊元件了解集成電路芯片的橫向pn

4、p晶體管，縱向pnp，超增益晶體管，隱埋齊納二極管，集成電容器，薄膜電阻等等器件的結構，工作原理以及應用特點。第十二章 雙極型模擬集成電路中的基本單元差分放大器，恒流源，有源負載，基準源，模擬開關等等單元的結構，芯片實現(xiàn)和工作原理第十三章集成運算放大器集成電路的運算放大器的原理，頻率特性和補償方式，大信號情況下運放的瞬態(tài)特性，轉移速率與補償?shù)膬?yōu)化，ua741通用放大器的基本結構和工作原理，提高集成運放性能的一些方法，如何提高輸入阻抗，從工藝角度如何減小集成運放的性能漂移。第十四章 模擬集成電路電壓比較器，d/a轉換器，a/d轉換器等單元的結構，工作原理和芯片實現(xiàn)。第十五章 模擬集成電路的版圖設

5、計雙極型模擬集成電路版圖的設計特點，各種器件的圖形結構，隔離問題；工藝相容技術，ua741運算放大器的版圖設計和分析。 模擬cmos集成電路設計 拉扎維 第一章 集成電路設計緒論模擬集成電路的重要性，cmos模擬集成電路的特點和設計一般概念，mos模擬集成電路與雙極型模擬集成電路的區(qū)別，cmos模擬集成電路與工藝發(fā)展的關系，模擬集成電路設計中器件的物理效應與模型應用問題。第二章 mos器件物理基礎mosfet的結構，mos器件的i/v特性，閾值電壓，導通電阻，器件的工作區(qū)域，體效應系數(shù)，溝道長度調制系數(shù)，亞閾值問題，器件模型與spice仿真要求。第三章 單擊放大器各種負載下的共源級放大器，包括帶源極負反饋的共源級問題；源跟隨器結構，共柵級結構，共源共柵的特點，從跨導的分析，與增益的關系，優(yōu)化動態(tài)范圍的情況下，如何提高放大器的增益。 第四章 差動放大器單端與差動的工作方式，基本差分對的定量分析（疊加法）；共模響應與電路參數(shù)對稱的關系；簡單差分對和cascade差分對，吉爾伯特單元的結構與特點。第五章 無源與有源電流鏡基本電流鏡，共源共柵電流鏡的準確性與電壓裕度的優(yōu)化，有源電流鏡,采用有源電流鏡負載的差分放大器。大信號分