ttl與非門的靜態(tài)參數(shù)測試

1、實驗一 TTL與非門的靜態(tài)參數(shù)測試實驗報告By kqh from SYSU、實驗數(shù)據(jù)及數(shù)據(jù)分析1 .低電平輸出電源電流ICCL和高電平輸出電源電流ICCH及靜態(tài)平均功耗P：I血：測試電路如圖1所示，測得ICCL為測試電路如圖1(b)所示，測得I cch為mAP:W=p£P叱=匆乎 + 處Z73 乂。+ 5 乂。一叱X。：222圖 1(b)圖 1(a)數(shù)據(jù)分析：低電平輸出電源電流I CCL比高電平輸出電源電流ICCH高，符合理論預測。2 .輸入短路電流I IS和輸入漏電流Iih：I IS (或 I IL )：測試電路如圖2所示，測得Iis為I IH :測試電路如圖2(b)所示，電流過小

2、，多用電表無測量示數(shù)+5V數(shù)據(jù)分析：輸入短路電流I IS和輸入漏電流I IH分別是和無示數(shù)，均比較小，說明前級門電路帶負載的個數(shù)較多。3 .輸出高電平UOH及關門電平UOff測試電路如圖3所示，測得UOh為則當輸出電壓為90%Uh ()時，測得輸入電壓(即關門電壓)為+5V4 .輸出低電平UOl及開門電平UOn測試電路如圖4所示，測得UOL為調整輸入電壓，測得開門電平UOn為560Q數(shù)據(jù)分析：綜合實驗3、4可知，74LS00的跳變電壓在 在之間，高電平為 ，低5.電平為。測試TTL與非門的電壓傳輸特性Ui(V)0U0(V)Ui(V)WV)Ui(V)234U0(V)用MATLAB以合，U0關于U

3、i的函數(shù)圖像，如圖 5所示TTL與非門的電壓傳輸特性圖5圖像分析：在高電平輸出范圍內，隨輸入電平增大，輸出電平輕微減小；在低電平 輸出范圍內，輸出電平基本不隨輸入電平變化而變化。輸入電平在左右時，輸出電平出 現(xiàn)跳躍，與實驗 3、4結果基本相符6.平均傳輸延遲時間tpd測試電路如圖6(a)所示，輸出波形如圖 6(b)所示。七級非門整形非門圖 6(a)RIGOL tdDB 30000 00 Op &T 干 ii 152V二二11iwrinlI科節(jié)r.卻交in fln;中心；T.dil= fi /.e>.00 VJUUUL上三性間圖 6（b）數(shù)據(jù)分析：由波形圖中讀得T=,則tp。6 6

4、29ns二、實驗思考題1、TTL與非門和CMOS1非門有何異同點答：TTL與CMOS的相同點是：a.都是與非邏輯元件，可以實現(xiàn)與非邏輯功能b.輸出端都可以懸空c.都有輸出高電平 UOH關門電平Uof、輸出低電平UOL及開門電平Uon等參數(shù)TTL與CMOS的不同點是：a. TTL與非門的閑置輸入端可以懸空，懸空時相當于接高電平。CMOST非門閑置輸入端應接高電平或地，因 CMO崎入懸空時能感應出高電壓會損壞芯片；b. TTL電路是電流控制器件，而 CMOSI路是電壓控制器件。c. TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短 （5-10ns），但是功耗大。COMSl路的速度慢，傳輸延遲時間長（25-50ns）,但功耗低。d. CMOS勺邏輯1電平電壓接近于電源電壓，邏輯0電平接近于0V,具有更寬的噪聲容限。2、如何將與非門作為非門使用答：主要有兩種方法：a.將與非門的兩輸入端短接端，即兩輸入端輸入同一信號b.將多余輸入端接高電平處