半導體材料項目實施方案（93頁）

1、半導體材料項目實施方案目錄第一章 項目承辦單位基本情況6二、所屬行業(yè)基本情況6三、公司經(jīng)濟效益分析6（三）工藝技術方案選用原則10（四）工藝技術方案要求11二、項目工藝技術設計方案12（二）項目技術優(yōu)勢分析12第三章 背景及必要性14二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展19三、宏觀經(jīng)濟形勢分析21四、半導體材料項目建設必要性分析21五、半導體材料行業(yè)分析25六、半導體材料市場分析預測27第四章 項目建設主要內(nèi)容和規(guī)模30（二）設備購置30第五章 項目建設地點31（一）半導體材料項目選址方案31（二）工程地質條件32三、半導體材料項目用地總體要求32（二）半導體材料項目建設條件比選方案33（三）半導體材料項目用

2、地總體規(guī)劃方案34（四）半導體材料項目節(jié)約用地措施34第六章 工程方案35二、建筑設計規(guī)范和標準35（一）混凝土要求35（二）鋼筋及建筑構件選用標準要求35四、土建工程建設指標36（二）設備選型方向37（三）設備配置方案38第八章 節(jié)能分析40二、節(jié)能法規(guī)及標準40（二）節(jié)能標準依據(jù)41四、能源消費種類和數(shù)量分析41（二）項目用水量測算42（三）綠化設計43二、運輸組成44（二）場內(nèi)運輸45（三）場外運輸45（四）運輸方式46第十章 環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生47一、建設區(qū)域環(huán)境質量現(xiàn)狀47（一）建設期大氣環(huán)境影響防治對策47（二）建設期噪聲環(huán)境影響防治對策48（三）建設期水環(huán)境影響防治對策49（

3、四）建設期固體廢棄物環(huán)境影響防治對策49（五）建設期生態(tài)環(huán)境保護措施50三、運營期環(huán)境保護50（二）運營期廢氣影響分析及防治對策50（三）運營期噪聲影響分析及防治對策51四、項目建設對區(qū)域經(jīng)濟的影響51五、廢棄物處理52六、特殊環(huán)境影響分析53七、清潔生產(chǎn)53八、項目建設對區(qū)域經(jīng)濟的影響53（二）對工業(yè)生產(chǎn)的影響54（三）對農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的影響55（四）對第三產(chǎn)業(yè)的影響56（五）對當?shù)鼐用裆畹挠绊?7九、環(huán)境保護綜合評價57十、消防安全59（二）消防設計60（三）消防總體要求60（四）消防措施61十一、防火防爆總圖布置措施61十二、自然災害防范措施62十四、電氣安全保障措施62十五、防塵防毒措施6

4、2十六、防靜電、觸電防護及防雷措施63十七、機械設備安全保障措施63十八、勞動安全保障措施63十九、勞動安全衛(wèi)生機構設置及教育制度63（二）勞動安全衛(wèi)生教育制度64二十、勞動安全預期效果評價65第十一章 項目實施進度66二、建設進度66三、進度安排注意事項66（二）投資估算編制范圍69（三）項目投資定額及規(guī)定69二、項目總投資估算70（二）流動資金投資估算70（三）總投資構成分析71三、資金籌措72第十三章 財務評價73二、經(jīng)濟評價財務測算73（一）營業(yè)收入估算74（二）達產(chǎn)年增值稅估算74（三）綜合總成本費用估算75（四）稅金及附加76（五）利潤總額及企業(yè)所得稅76（六）利潤及利潤分配77二

5、、項目盈利能力分析78附表：80第一章 項目承辦單位基本情況一、公司概況公司堅持“以人為本，無為而治”的企業(yè)管理理念，以“走正道，負責任，心中有別人”的企業(yè)文化核心思想為指針，實現(xiàn)新的跨越，創(chuàng)造新的輝煌。熱忱歡迎社會各界人士咨詢與合作。在本著“質量第一，信譽至上”的經(jīng)營宗旨，高瞻遠矚的經(jīng)營方針，不斷創(chuàng)新，全面提升產(chǎn)品品牌特色及服務內(nèi)涵，強化公司形象，立志成為全國知名的產(chǎn)品供應商。公司主要客戶在國內(nèi)、國外均衡分布，沒有集中度過高的風險，并不存在對某個或某幾個固定客戶的重大依賴，公司采購的主要原材料市場競爭充分，供應商數(shù)量眾多，在采購方面具有非常大的自主權，項目承辦單位通過供應商評價體系與部分供應

6、商建立了長期合作關系，不存在對單一供應商依賴的風險。公司一直注重科研投入，具有較強的自主研發(fā)能力，經(jīng)過多年的產(chǎn)品研發(fā)、技術積累和創(chuàng)新，逐步建立了一套高效的研發(fā)體系，掌握了一系列相關產(chǎn)品的核心技術。公司核心技術均為自主研發(fā)取得，支撐公司取得了多項專利和著作權。二、所屬行業(yè)基本情況半導體材料主要應用于集成電路，我國集成電路應用領域主要為計算機、網(wǎng)絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等，前三者合計占比達83%。近年來，隨著我國大陸地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，我國大陸地區(qū)的半導體材料市場上升最快，2016年及2017年分別增長7.3%和12%。材料和設備是半導體產(chǎn)業(yè)的基石，是推動集成電路技術創(chuàng)新的引

7、擎。一代技術依賴于一代工藝，一代工藝依賴一代材料和設備來實現(xiàn)。三、公司經(jīng)濟效益分析上一年度，xxx（集團）有限公司實現(xiàn)營業(yè)收入44800.97萬元，同比增長10.44%（4233.61萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務半導體材料生產(chǎn)及銷售收入為36729.39萬元，占營業(yè)總收入的81.98%。上年度主要經(jīng)濟指標序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入9408.2012544.2711648.2511200.2444800.972主營業(yè)務收入7713.1710284.239549.649182.3536729.392.1半導體材料(A)2545.353393.803151.383030.17

8、12120.702.2半導體材料(B)1774.032365.372196.422111.948447.762.3半導體材料(C)1311.241748.321623.441561.006244.002.4半導體材料(D)925.581234.111145.961101.884407.532.5半導體材料(E)617.05822.74763.97734.592938.352.6半導體材料(F)385.66514.21477.48459.121836.472.7半導體材料(.)154.26205.68190.99183.65734.593其他業(yè)務收入1695.032260.042098.6120

9、17.908071.58根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額11891.66萬元，較去年同期相比增長2495.79萬元，增長率26.56%；實現(xiàn)凈利潤8918.74萬元，較去年同期相比增長961.37萬元，增長率12.08%。上年度主要經(jīng)濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元44800.97完成主營業(yè)務收入萬元36729.39主營業(yè)務收入占比81.98%營業(yè)收入增長率（同比）10.44%營業(yè)收入增長量（同比）萬元4233.61利潤總額萬元11891.66利潤總額增長率26.56%利潤總額增長量萬元2495.79凈利潤萬元8918.74凈利潤增長率12.08%凈利潤增長量萬元961.37投資利潤率58

10、.40%投資回報率43.80%財務內(nèi)部收益率24.84%企業(yè)總資產(chǎn)萬元55905.15流動資產(chǎn)總額占比萬元30.20%流動資產(chǎn)總額萬元16883.94資產(chǎn)負債率46.73%第二章 項目技術工藝特點及優(yōu)勢一、技術方案（一）技術方案選用方向1、對于生產(chǎn)技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統(tǒng)，由計算機統(tǒng)一控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗。嚴格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質量，為廣大顧客提供優(yōu)質的產(chǎn)品和良好的服務。2、遵循“高起點、優(yōu)質量、專業(yè)化、經(jīng)濟規(guī)?！钡慕ㄔO原則

11、。積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設備，根據(jù)有利于環(huán)境保護的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護型設備，滿足項目所制訂的產(chǎn)品方案要求，優(yōu)選具有國際先進水平的生產(chǎn)、試驗及配套等設備，充分顯現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產(chǎn)和物流方式。4、生產(chǎn)工藝設計要滿足規(guī)?；a(chǎn)要求，注重生產(chǎn)工藝的總體設計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項目的產(chǎn)品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產(chǎn)品制造的要求，同時，加強員工技

12、術培訓，嚴格質量管理，按照工藝流程技術要求進行操作，提高產(chǎn)品合格率，努力追求產(chǎn)品的“零缺陷”，以關鍵生產(chǎn)工序為質量控制點，確保該項目產(chǎn)品質量。6、在項目建設和實施過程中，認真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護和安全生產(chǎn)的“三同時”原則，注重環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項措施的貫徹落實。（三）工藝技術方案選用原則1、在基礎設施建設和工業(yè)生產(chǎn)過程中，應全面實施清潔生產(chǎn)，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費，通過物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產(chǎn)品和服務過程中，鼓勵利用可再生資源和可重復利用資源。2、遵循“高起點、優(yōu)質量、專業(yè)化、經(jīng)濟規(guī)模”的建設原則，積極采用

13、新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭力。（四）工藝技術方案要求1、對于生產(chǎn)技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統(tǒng)，控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗；嚴格按照電氣機械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質量，為廣大顧客提供優(yōu)質的產(chǎn)品和良好的服務。2、建立完善柔性生產(chǎn)模式；本期工程項目產(chǎn)品具有客戶需求多樣化、產(chǎn)品個性差異化的特點，因此，產(chǎn)品規(guī)格品種多樣，單批生產(chǎn)數(shù)量較小，多品種、小批量

14、的制造特點直接影響生產(chǎn)效率、生產(chǎn)成本及交付周期；益而益（集團）有限公司將建設先進的柔性制造生產(chǎn)線，并將柔性制造技術廣泛應用到產(chǎn)品制造各個環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生產(chǎn)規(guī)模優(yōu)勢和質量控制水平，同時，降低故障率、提高性價比，使產(chǎn)品性能和質量達到國內(nèi)領先、國際先進水平。二、項目工藝技術設計方案（一）技術來源及先進性說明項目技術來源為公司的自有技術，該技術達到國內(nèi)先進水平。（二）項目技術優(yōu)勢分析本期工程項目采用國內(nèi)先進的技術，該技術具有資金占用少、生產(chǎn)效率高、資源消耗低、勞動強度小的特點，其技術特性屬于技術密集型，該技術具備以下優(yōu)勢：1、技術含量和自動化水平較高，處于國內(nèi)先進水平，在

15、產(chǎn)品質量水平上相對其他生產(chǎn)技術性能費用比優(yōu)越，結構合理、占地面積小、功能齊全、運行費用低、使用壽命長；在工藝水平上該技術能夠保證產(chǎn)品質量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初步測算，利用該技術生產(chǎn)產(chǎn)品，可提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術使用的設備自動控制程度和性能可靠性相對較高。2、本期工程項目采用的技術與國內(nèi)資源條件適應，具有良好的技術適應性；該技術工藝路線可以適應國內(nèi)主要原材料特性，技術工藝路線簡潔，有利于流程控制和設備操作，工藝技術已經(jīng)被國內(nèi)生產(chǎn)實踐檢驗，證明技術成熟，技術支援條件良好，具有較強的可靠性。3、技術設備投資和產(chǎn)品生產(chǎn)成本低，具有較強的經(jīng)濟合理性；本期工

16、程項目采用本技術方案建設其主要設備多數(shù)可按通用標準在國內(nèi)采購。4、節(jié)能設施先進并可進行多規(guī)格產(chǎn)品轉換，項目運行成本較低，應變市場能力很強。第三章 背景及必要性一、半導體材料項目背景分析半導體材料是指電導率介于金屬與絕緣體之間的材料，半導體材料的電導率在歐/厘米之間，一般情況下電導率隨溫度的升高而增大。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料。半導體材料市場可以分為晶圓材料和封裝材料市場。其中，晶圓材料主要有硅片、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助設備、濕制程、濺射靶、拋光液、其他材料。封裝材料主要有層壓基板、引線框架、焊線、模壓化合物、底部填充料、液體密封劑、粘晶材料、錫球

17、、晶圓級封裝介質、熱接口材料。2018年全球半導體材料市場規(guī)模519億美金，同比去年增長10.7%。其中晶圓制造材料銷售額約322億美金，封裝材料銷售額約197億美金。全球半導體材料市場總銷售額穩(wěn)健成長，周期性較弱。中國臺灣、中國大陸和韓國市場使用了全球一半以上的半導體材料。2018年，臺灣地區(qū)憑借在晶圓制造及先進封裝的龐大產(chǎn)能，消耗了114億美金的半導體材料，連續(xù)9年成為全球最大半導體材料消費地區(qū)。2018年，韓國排名第二，半導體材料用量達87.2億美金；中國大陸排名第三，半導體材料用量達84.4億美金。2017年全球硅片出貨量為11448MSI（百萬平方英寸），創(chuàng)全球硅片出貨量的歷史新高，

18、相比2016年增長8.2%，展望2018年和2019年，全球硅片出貨量將繼續(xù)提升到11814MSI和12235MSI，分別同比增長3. 2%和3.6%，繼續(xù)創(chuàng)歷史新高。從近幾年全球硅片銷售金額來看，2015年和2016年全球硅片的銷售金額僅分別為72億美元和80億美元，2017年驟增至87億美元。其原因除硅片出貨量增加之外，更為重要的是供貨緊張引發(fā)價格不斷上漲。自2016年下半年以來，全球半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)回升，全球硅材料產(chǎn)能提升滯緩，供需矛盾日益突出，價格不斷上漲。2009年，受世界經(jīng)濟危機的影響，全球半導體市場和硅片市場急劇下滑。2010年反彈之后，20112013年受12英寸大硅片普及造成硅

19、片單位面積制造成本下降，以及全球半導體市場低迷的影響，全球硅片市場小幅下滑。2014年以后，受移動智能終端和物聯(lián)網(wǎng)等需求的帶動，全球硅片出貨量開始小幅回升。自2016年下半年起，隨著全球半導體市場持續(xù)好轉，大尺寸硅片供不應求。其中12英寸硅片需求快速增長主要源于存儲器（包括DRAM和NANDFlash）、CPU/GPU等邏輯芯片，以及智能手機基帶芯片和應用處理器（APU）等的帶動。8英寸硅片受益于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、指紋識別、可穿戴設備和CIS（CMOS圖像傳感器）等芯片市場的大幅增長，自2016年下半年起8英寸硅片供貨也趨緊張?？傊?，當前全球硅片供應緊張，主要出于以下四個主要因素。一是全球晶圓

20、制造大廠，如臺積電、三星、格羅方德、英特爾、聯(lián)電等進入高階制程競爭，各廠商的高額資本支出（60億120億美元）主要用于高階制程晶圓產(chǎn)能的擴張。二是三星、SK海力士、美光/英特爾、東芝和西部數(shù)據(jù)/SanDisk等存儲器巨頭，全力加速3DNANDFlas h和DRAM的擴產(chǎn)，強勁帶動12英寸硅片市場需求。三是物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、CIS（CMOS圖像傳感器）和智能制造控制等芯片市場旺盛，帶動了8英寸硅片市場快速增長。四是中國大陸地區(qū)大舉新建12英寸晶圓生產(chǎn)線和8英寸生產(chǎn)線擴產(chǎn)。從全球硅片市場的供給側來看，需要純度高達11個9（11N）以上的多晶硅和不斷提升大尺寸硅片的良率是制造大尺度硅片的兩大技術關鍵

21、。盡管從2016年下半起全球硅片市場顯著復蘇，但全球大尺寸硅片的產(chǎn)能沒有太大的變化。2015年年底全球12英寸硅片產(chǎn)能為510萬片/月，而2016年下半年開始全球12英寸硅片的需求量已達到520萬片/月以上。到2017年和2018年，全球12英寸硅片的需求更是分別增加到550萬片/月和570萬片/月，而對應于12英寸硅片的產(chǎn)能僅分別為525萬片/月和540萬片/月。由此可見，在今后的23年內(nèi)硅片供不應求將是常態(tài)。到2020年以后，隨著新建12英寸硅片產(chǎn)能開始釋放，全球大尺寸硅片市場有望緩解。同時，2016年12英寸硅片占全球硅片整體市場的6 3%，預計到2020年這個比例將進一步提升到68%以

22、上。與此同時，8英寸硅片占整體硅片市場的比例由2016年的28.3%降至2020年的25.3%。但是，實際上在此期間8英寸硅片的出貨量仍將繼續(xù)增長，只是市場增長速率趕不上12英寸硅片而已。6英寸及以下尺寸硅片的出貨量相對比較平穩(wěn)，占硅片市場的比例逐漸下降。近年來，全球硅片市場已被日本信越（ShinEtsu）、日本勝高（S UMCO）、德國Siltronic（原Waker）、美國SunEdision（原MEMC）、韓國LGSilitron和中國臺灣世界晶圓（GlobalWafers）6家硅片巨頭所壟斷。全球一半以上的硅片產(chǎn)能集中于日本。并且硅片尺寸越大，壟斷程度越嚴重。例如，2015年這6家硅片

23、廠商不但掌控了全球92%的硅片出貨量（見圖6），更是囊括了全球97.8%的12英寸硅片銷售額。201 6年9月，中國臺灣的環(huán)球晶圓以6.83億美元并購了美國的SunEdision（其前身是MEMC），從而一舉成為全球排名第三位的硅片供應商。2017年5月，環(huán)球晶圓又以3.2億元收購了丹麥硅材料公司Topsil。2017年年初，韓國SKHynix收購了LGSiliton，易名為SKSilitron。到2017年年底，全球前5大半導體硅片供應商的市場份額。在半導體材料領域，由于高端產(chǎn)品技術壁壘高，國內(nèi)企業(yè)長期研發(fā)投入和積累不足，我國半導體材料在國際分工中多處于中低端領域，高端產(chǎn)品市場主要被歐美日韓

24、臺等少數(shù)國際大公司壟斷，比如：硅片全球市場前六大公司的市場份額達90%以上，光刻膠全球市場前五大公司的市場份額達80%以上，高純試劑全球市場前六大公司的市場份額達80%以上，CMP材料全球市場前七大公司市場份額達90%。國內(nèi)大部分產(chǎn)品自給率較低，基本不足30%，并且大部分是技術壁壘較低的封裝材料，在晶圓制造材料方面國產(chǎn)化比例更低，主要依賴于進口。另外，國內(nèi)半導體材料企業(yè)集中于6英寸以下生產(chǎn)線，目前有少數(shù)廠商開始打入國內(nèi)8英寸、12英寸生產(chǎn)線。由于我國半導體市場需求巨大，而國內(nèi)很大一部分不能供給，致使我國集成電路（俗稱芯片）進口金額巨大，近幾年芯片進口額穩(wěn)定在2000億美元以上，2017年我國芯

25、片進口額為2601.16億美元，同比增長14.6%；2018年我國芯片進口額為3120.58億美元，同比增長19.8%。我國近十年芯片進口額每年都超過原油進口額，2018年我國原油進口額為2402.62億美元，芯片繼續(xù)是我國第一大進口商品。貿(mào)易逆差逐年擴大，2010年集成電路貿(mào)易逆差1277.4億美元，而在2017年集成電路貿(mào)易逆差增長到1932.4億美元，2018年集成電路貿(mào)易逆差2274.22億美元。如此大的貿(mào)易逆差反映出我國集成電路市場長期嚴重供不應求，進口替代的市場空間巨大。二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展引導民營企業(yè)建立品牌管理體系，增強以信譽為核心的品牌意識。以民企民資為重點，扶持一批品牌培育

26、和運營專業(yè)服務機構，打造產(chǎn)業(yè)集群區(qū)域品牌和知名品牌示范區(qū)。近年來，從中央到地方加快了經(jīng)濟體制改革和經(jīng)濟發(fā)展方式的轉變，相繼出臺了一系列重大政策鼓勵、支持和引導民營經(jīng)濟加快發(fā)展。民營經(jīng)濟已成為我省國民經(jīng)濟的重要支撐，財政收入的重要來源，擴大投資的重要主體，吸納勞動力和安置就業(yè)的主渠道，體制創(chuàng)新和機制創(chuàng)新的重要推動力，為我省經(jīng)濟社會又好又快發(fā)展作出了積極貢獻。引導民間投資參與制造業(yè)重大項目建設，國務院辦公廳轉發(fā)財政部發(fā)展改革委人民銀行關于在公共服務領域推廣政府和社會資本合作模式指導意見，要求廣泛采用政府和社會資本合作（PPP）模式。為推動中國制造2025國家戰(zhàn)略實施，中央財政在工業(yè)轉型升級資金基礎

27、上整合設立了工業(yè)轉型升級（中國制造2025）資金。圍繞中國制造2025戰(zhàn)略，重點解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎、共性問題，充分發(fā)揮政府資金的引導作用，帶動產(chǎn)業(yè)向縱深發(fā)展。重點支持制造業(yè)關鍵領域和薄弱環(huán)節(jié)發(fā)展，加強產(chǎn)業(yè)鏈條關鍵環(huán)節(jié)支持力度，為各類企業(yè)轉型升級提供產(chǎn)業(yè)和技術支撐。中小企業(yè)促進法完全符合新時期中國經(jīng)濟發(fā)展的實際，是時代的需要，歷史的必然，它順應了中小企業(yè)改革與發(fā)展的客觀要求，中小企業(yè)的快速發(fā)展和提高從此有了強有力的法律保障。立法是基礎，但關鍵在于付諸實施。因此，要動員社會各界認真學習、宣傳和貫徹中小企業(yè)促進法，提高全社會促進中小企業(yè)發(fā)展的法律意識和思想觀念，形成全社會關心和支持中小企業(yè)發(fā)展的良好

28、氛圍。各地區(qū)、各部門要按照“三個代表”要求，認真貫徹中小企業(yè)促進法，切實維護中小企業(yè)的合法權益，落實好中小企業(yè)扶持政策。要以中小企業(yè)促進法為基礎，加快制定與之配套的法規(guī)和實施辦法，并根據(jù)中小企業(yè)促進法規(guī)定的促進中小企業(yè)改革與發(fā)展的基本方針、政策和原則，盡快制定相應的地方性法規(guī)，使我國中小企業(yè)立法形成一個科學、完備、有序的體系。通過引導社會投資、財政資金支持等多種方式，重點支持在輕工、紡織、電子信息等領域建設一批產(chǎn)品研發(fā)、檢驗檢測、技術推廣等公共服務平臺。支持小企業(yè)創(chuàng)業(yè)基地建設，改善創(chuàng)業(yè)和發(fā)展環(huán)境。鼓勵高等院校、科研院所、企業(yè)技術中心開放科技資源，開展共性關鍵技術研究，提高服務中小企業(yè)的水平。完

29、善中小企業(yè)信息服務網(wǎng)絡，加快發(fā)展政策解讀、技術推廣、人才交流、業(yè)務培訓和市場營銷等重點信息服務。三、宏觀經(jīng)濟形勢分析中央經(jīng)濟工作會議再次強調(diào)“堅定不移建設制造強國”“推動制造業(yè)高質量發(fā)展”，使我們深受鼓舞，信心倍增。他強調(diào)，要貫徹落實中央對當前經(jīng)濟運行的重大決策。四、半導體材料項目建設必要性分析材料和設備是半導體產(chǎn)業(yè)的基石，是推動集成電路技術創(chuàng)新的引擎。一代技術依賴于一代工藝，一代工藝依賴一代材料和設備來實現(xiàn)。半導體材料處于整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，對半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起著重要支撐作用，具有產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、細分行業(yè)多、技術門檻高、更新速度快等特點。半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料。根據(jù)SEM

30、I，2017年全球半導體材料銷售額為469億美元，增長9.6%，其中晶圓制造材料和封裝材料的銷售額分別為278億美元和191億美元，同比增長率分別為12.7%和5.4%。2018年全球半導體材料銷售額達到519億美元，增長1 0.6%，超過2011年471億美元的歷史高位，其中晶圓制造材料和封裝材料的銷售額分別為322億美元和197億美元，同比增長率分別為15.9%和 3.0%。2018年，全球半導體晶圓制造材料市場規(guī)模與全球半導體市場規(guī)模同步增長。根據(jù)WSTS和SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)測算，2013-2018年每年全球半導體晶圓制造材料市場規(guī)模占全球半導體市場規(guī)模的比例約為7%。半導體材料行業(yè)是半導

31、體產(chǎn)業(yè)鏈中細分領域最多的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，其中晶圓制造材料包括硅片、光掩模、光刻膠、光刻膠輔助材料、工藝化學品、電子特氣、靶材、CMP拋光材料（拋光液和拋光墊）及其他材料，封裝材料包括引線框架、封裝基板、陶瓷基板、鍵合絲、包封材料、芯片粘結材料及其他封裝材料，每一種大類材料又包括幾十種甚至上百種具體產(chǎn)品，細分子行業(yè)多達上百個。由于半導體材料行業(yè)細分領域眾多，且不同的子行業(yè)在技術上存在較大差異，因此半導體材料行業(yè)各個子行業(yè)的行業(yè)龍頭各不相同。從半導體材料行業(yè)競爭格局看，全球半導體材料產(chǎn)業(yè)依然由美國、日本等廠商占據(jù)絕對主導，國內(nèi)半導體材料企業(yè)和海外材料龍頭仍存在較大差距。根據(jù)SEMI，2018年中國臺灣

32、憑借其龐大的代工廠和先進的封裝基地，以114.5億美元連續(xù)第九年成為半導體材料的最大消費地區(qū)，增長率11%；中國大陸半導體材料市場銷售額84.4億美元，增長率11%。20 18年，中國大陸及臺灣地區(qū)半導體材料銷售額占比合計超過全球銷售額的38%。半導體晶圓制造材料和晶圓制造產(chǎn)能密不可分。全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國大陸轉移趨勢明顯，中國大陸迎來建廠潮。根據(jù)SEMI預測，20 17-2020年全球將有62座晶圓廠投產(chǎn)，其中26座晶圓廠來自于中國大陸，占比約42%。根據(jù)SEMI2018年中國半導體硅晶圓展望報告，中國的Fab廠產(chǎn)能預計將從2015年的每月230萬片（Wpm）到2020年的400萬片，每年1

33、2%的復合年增長率，比其他所有地區(qū)增長都要快。根據(jù)ICInsight s，隨著中國IC設計公司的增長，中國晶圓代工服務的需求也隨之增長。2018年度，中國純晶圓代工銷售額106.90億美元，較2017年度大幅增長了41%，增幅超過全球純晶圓代工市場規(guī)模增幅5%的八倍。由于許多純晶圓代工廠商計劃在中國大陸新建或擴建IC制造產(chǎn)線，中國的純晶圓代工全球市場份額已由2015年11%快速增長到2018年19%。根據(jù)ICInsights，在經(jīng)過2017年增長7%之后，2018年和2019年全球晶圓產(chǎn)能都將繼續(xù)增長8%，分別增加1730萬片和1810萬片。在這兩年中，眾多的DRAM和3DNANDFlash生

34、產(chǎn)線導入是晶圓產(chǎn)能增加的主導因素。預計2017-2022年全球IC產(chǎn)能年增長率平均為6.0%，而2012- 2017年平均為4.8%。全球晶圓產(chǎn)能增長為上游半導體材料行業(yè)帶來了強勁的需求。集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)。近年來國家制定了一系列“新一代信息技術領域”及“半導體和集成電路”產(chǎn)業(yè)支持政策，加速半導體材料國產(chǎn)化、本土化供應的進程。特別是“十二五”期間實施的國家“02專項”，對于提升中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈關鍵配套材料的本土供應能力起到了重要作用。此外，國家集成電路基金及社會資本的大力支持為進一步加快推進我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了

35、保障。根據(jù)ICInsi ghts，2018年中國IC產(chǎn)值238億美元占中國IC市場1,550億美元的比例為 15.3%，比例較2013年的12.6%有所提升，但國產(chǎn)化水平仍然較低。根據(jù)國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要發(fā)展目標，到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強，關鍵裝備和材料進入國際采購體系，基本建成技術先進、安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系；到2030年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平，一批企業(yè)進入國際第一梯隊，實現(xiàn)跨越發(fā)展。五、半導體材料行業(yè)分析半導體行業(yè)具有技術難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產(chǎn)品種類多、更

36、新迭代快、下游應用廣泛的特點，產(chǎn)業(yè)鏈呈垂直化分工格局。半導體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含設計、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導體材料和設備屬于芯片制造、封測的支撐性行業(yè)，位于產(chǎn)業(yè)鏈最上游。半導體產(chǎn)品的加工過程主要包括晶圓制造（前道）和封裝（后道）測試，隨著先進封裝技術的滲透，出現(xiàn)介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱為中道。由于半導體產(chǎn)品的加工工序多，所以在制造過程中需要大量的半導體設備和材料。我們主要以最為復雜的晶圓制造（前道）工藝為例，說明制造過程的所需要的材料。晶圓生產(chǎn)線可以分成7個獨立的生產(chǎn)區(qū)域：擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、拋光（CMP）、金屬化。每個獨立生產(chǎn)區(qū)域中所用到的半導體材料都不盡相同。半導

37、體制造材料主要包括硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學品、拋光材料、光刻膠、濕法化學品與濺射靶材等。根據(jù)SEMI預測，2019年硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學品的銷售額分別為123.7億美元、43.7億美元、41.5億美元、22.8億美元，分別占全球半導體制造材料行業(yè)37.29%、13.17%、12.51%、6.87%的市場份額。其中，半導體硅片占比最高，為半導體制造的核心材料。轉向區(qū)域市場方面，根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，臺灣憑借其龐大的代工廠和先進的封裝基地，以114億美元連續(xù)第九年成為半導體材料的最大消費地區(qū)。韓國位列第二，中國大陸位列第三。韓國，歐洲，中國臺灣和中國大陸的材料市場銷

38、售額增長較為強勁，而北美，世界其他地區(qū)和日本市場則實現(xiàn)了個位數(shù)的增長。（其他地區(qū)被定義為新加坡，馬來西亞，菲律賓，東南亞其他地區(qū)和較小的全球市場。）半導體材料市場處于寡頭壟斷局面，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)規(guī)模非常小。相比同為產(chǎn)業(yè)鏈上游的半導體設備市場，半導體材料市場更細分，單一產(chǎn)品的市場空間很小，所以少有純粹的半導體材料公司。半導體材料往往只是某些大型材料廠商的一小塊業(yè)務，例如陶氏化學公司（TheDO WChemicalCompany），杜邦，三菱化學，住友化學等公司，半導體材料業(yè)務只是其電子材料事業(yè)部下面的一個分支。盡管如此，由于半導體工藝對材料的嚴格要求，就單一半導體化學品而言，僅有少數(shù)幾家供應商可以提供

39、產(chǎn)品。以半導體硅片市場為例，全球半導體硅片市場集中度較高，產(chǎn)品主要集中在日本、韓國、德國和中國臺灣等發(fā)達國家和地區(qū)，中國大陸廠商的生產(chǎn)規(guī)模普遍偏小。在整個晶圓制造的過程中，濕電子化學品自始至終需要參與晶圓制造中出現(xiàn)的清洗、光刻、蝕刻等工藝流程。在半導體集成電路的制造流程中，濕電子化學品主要參與半導體集成電路前段的晶圓制造環(huán)節(jié)，也是技術要求的最高環(huán)節(jié)。并且隨著集成電路的集成度不斷提高，要求線寬不斷變小，薄膜不斷變薄，對濕電子化學品的技術水平要求也更高。同時，為了能夠滿足芯片尺吋更小、功能更強大、能耗更低的技術性能求，高端封裝領域所需的濕電子化學品技術要求也越來越高。六、半導體材料市場分析預測半導

40、體材料主要應用于集成電路，我國集成電路應用領域主要為計算機、網(wǎng)絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等，前三者合計占比達83%。近年來，隨著我國大陸地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，我國大陸地區(qū)的半導體材料市場上升最快，2016年及2017年分別增長7.3%和12%。由于我國半導體市場需求巨大，而國內(nèi)很大一部分不能供給，致使我國集成電路(俗稱芯片)進口金額巨大，近幾年芯片進口額穩(wěn)定在2000億美元以上，2017年我國芯片進口額為2601.16億美元，同比增長14.6%;2018年1-3月，我國芯片進口額為700.48億美元，同比大幅增長36.9%。半導體材料主要應用于集成電路，我國集成電路應用領域主

41、要為計算機、網(wǎng)絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等，前三者合計占比達83%。2015年，隨著國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要等一系列政策落地實施，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金開始運作，中國集成電路產(chǎn)業(yè)保持了高速增長。半導體產(chǎn)業(yè)成為中國資本市場未來幾年最重要的投資方向之一，而半導體材料作為半導體產(chǎn)業(yè)的原材料，市場具備巨大的空間。半導體材料主要應用于晶圓制造與芯片封裝環(huán)節(jié)。半導體材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、細分行業(yè)多、技術門檻高、成本占比低。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2015年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到3609.8億，同比增長19.7%;2016年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到43 35.5億元，同比增長20.1

42、%;2017年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到5411.3億元，同比增長24.8%，預計到2020年中國半導體行業(yè)維持20%以上的增速。國內(nèi)半導體工業(yè)的相對落后導致了半導體材料產(chǎn)業(yè)起步較晚，受到技術、資金、以及人才的限制，國內(nèi)半導體材料產(chǎn)業(yè)企業(yè)數(shù)量偏少、規(guī)模偏小、技術水平偏低、產(chǎn)業(yè)布局分散。伴隨國內(nèi)代工制造生產(chǎn)線、存儲器生產(chǎn)線、以及封裝測試線的持續(xù)大規(guī)模建設，國內(nèi)半導體材料市場規(guī)?？焖僭鲩L。第四章 項目建設主要內(nèi)容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積59049.51平方米（折合約88.53畝），其中：凈用地面積59049.51平方米（紅線范圍折合約88.53畝）。項目規(guī)劃總建筑面積74402.38平

43、方米，其中：規(guī)劃建設主體工程46672.47平方米，計容建筑面積74402.38平方米；預計建筑工程投資5278.52萬元。（二）設備購置項目計劃購置設備共計160臺（套），設備購置費7367.77萬元。二、產(chǎn)值規(guī)模項目計劃總投資22443.07萬元；預計年實現(xiàn)營業(yè)收入48839.00萬元。第五章 項目建設地點一、半導體材料項目建設選址原則為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)半導體材料項目選址的一般原則和半導體材料項目建設地的實際情況，“半導體材料項目”選址應遵循以下原則：1、布局相對獨立，便于集中開展科研、生產(chǎn)經(jīng)營和管理活動。2、與半導體材料項目建設地的建成區(qū)有較方便的

44、聯(lián)系。3、地理條件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎設施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、半導體材料項目選址方案及土地權屬（一）半導體材料項目選址方案1、半導體材料項目建設單位通過對半導體材料項目擬建場地縝密調(diào)研，充分考慮了半導體材料項目生產(chǎn)所需的內(nèi)部和外部條件：距原料產(chǎn)地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎設施條件及土地成本等。2、通過對可供選擇的建設地區(qū)進行比選，綜合考慮后選定的半導體材料項目最佳建設地點半導體材料項目建設地，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為半導體材料

45、項目建設提供了良好的投資環(huán)境。（二）工程地質條件1、根據(jù)建筑抗震設計規(guī)范（GB50011）標準要求，半導體材料項目建設地無活動斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實較好，因此，本期工程半導體材料項目建設區(qū)處于地質構造運動相對良好的地帶，地下水為上層滯水，對混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進行地質勘探，參考臨近建筑物的地質資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質粘土、淤泥質粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設區(qū)域地質抗風化能力較強，地層承載力高，工程地質條件較好，不會受到滑坡及泥石流等次生

46、災害的影響，無不良地質現(xiàn)象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適應本期工程半導體材料項目建設。三、半導體材料項目用地總體要求（一）半導體材料項目用地控制指標分析1、“半導體材料項目”均按照項目建設地建設用地規(guī)劃許可證及建設用地規(guī)劃設計要求進行設計，同時，嚴格按照建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設半導體材料項目平面布置符合輕工產(chǎn)品制造行業(yè)、重點產(chǎn)品的廠房建設和單位面積產(chǎn)能設計規(guī)定標準，達到工業(yè)半導體材料項目建設用地控制指標（國土資發(fā)【2008】24號）文件規(guī)定的具體要求。（二）半導體材料項目建設條件比選方案1、半導體材料項目建設單位通過對可供選擇的建

47、設地區(qū)進行縝密比選后，充分考慮了半導體材料項目擬建區(qū)域的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，半導體材料項目經(jīng)營期所需的內(nèi)外部條件：距原料產(chǎn)地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎設施條件等，通過建設條件比選最終選定的半導體材料項目最佳建設地點半導體材料項目建設地，本期工程半導體材料項目建設區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網(wǎng)絡、施工環(huán)境等條件均較好，可保證半導體材料項目的建設和正常經(jīng)營，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為半導體材料項目建設提供了良好的投資環(huán)境。2、由半導體材料項目建設單位承辦的“半導體材料項目”，擬選址在半導體材料項目建設地，所選區(qū)

48、域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地形平坦、土地平整、交通運輸條件便利、配套設施齊全，符合半導體材料項目選址要求。（三）半導體材料項目用地總體規(guī)劃方案本期工程項目建設規(guī)劃建筑系數(shù)75.73%，建筑容積率1.26，建設區(qū)域綠化覆蓋率7.17%，固定資產(chǎn)投資強度189.99萬元/畝。（四）半導體材料項目節(jié)約用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質基礎，也是社會經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，半導體材料項目建設單位在利用土地資源時，嚴格執(zhí)行國家有關行業(yè)規(guī)定的用地指標，根據(jù)建設內(nèi)容、規(guī)模和建設方案，按照國家有關節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。2、在半導體材料項目建設過程中，半導體材料項目建設單位根據(jù)

49、總體規(guī)劃以及項目建設地期對本期工程半導體材料項目地塊的控制性指標，本著“經(jīng)濟適宜、綜合利用”的原則進行科學規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設計條件半導體材料項目建設地屬于建設用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質條件優(yōu)良，水文地質條件良好，適宜本期工程半導體材料項目建設。二、建筑設計規(guī)范和標準1、砌體結構設計規(guī)范（GB50003-2001）。2、建筑地基基礎設計規(guī)范（GB50007-2002）。3、建筑結構荷載規(guī)范（GB50009-2001）。三、主要材料選用標準要求（一）混凝土要求根據(jù)混凝土結構耐久性設計規(guī)范（GB/T50476）之規(guī)定，確定構筑物結構構

50、件最低混凝土強度等級，基礎混凝土結構的環(huán)境類別為一類，本工程上部主體結構采用C30混凝土，上部結構構造柱、圈梁、過梁、基礎采用C25混凝土，設備基礎混凝土強度等級采用C30級，基礎混凝土墊層為C15級，基礎墊層混凝土為C15級。（二）鋼筋及建筑構件選用標準要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標準熱軋鋼筋：基礎受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要構件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。四、土建工程建設指標本期工程項目預計總建筑面積74402.38平方米，其中：計容建筑面積74402.38平方米，計劃建筑工程投資5278.52萬元，占項

51、目總投資的2 3.52%。第七章 設備選型分析一、設備選型（一）設備選型的原則1、選用的設備必須有較高的生產(chǎn)效率，能降低勞動強度，滿足生產(chǎn)規(guī)模的要求，2、為滿足產(chǎn)品生產(chǎn)的質量要求，關鍵設備為知名廠家生產(chǎn)的品牌產(chǎn)品，3、按經(jīng)濟規(guī)律辦事，講求投資經(jīng)濟效益，在充分考慮設備的先進性和適用性的同時，綜合考慮各設備的性價比和壽命年限。（二）設備選型方向1、以“比質、比價、比先進”為原則。選擇設備時，要著眼高起點、高水平、高質量，最大限度地保證產(chǎn)品質量的需要，不斷提高產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的自動化程度，降低勞動強度提高勞動生產(chǎn)率，節(jié)約能源降低生產(chǎn)成本和檢測成本。2、主要設備的配置應與產(chǎn)品的生產(chǎn)技術工藝及生產(chǎn)規(guī)模相適

52、應，同時應具備“先進、適用、經(jīng)濟、配套、平衡”的特性，能夠達到節(jié)能和清潔生產(chǎn)的各項要求。該項目所選設備必須技術先進、性能可靠，達到目前國內(nèi)外先進水平，經(jīng)生產(chǎn)廠家使用證明運轉穩(wěn)定可靠，能夠滿足生產(chǎn)高質量產(chǎn)品的要求。3、設備性能價格比合理，使投資方能夠以合理的投資獲得生產(chǎn)高質量產(chǎn)品的生產(chǎn)設備。對生產(chǎn)設備進行合理配置，充分發(fā)揮各類設備的最佳技術水平。在滿足生產(chǎn)工藝要求的前提下，力求經(jīng)濟合理。充分考慮設備的正常運轉費用，以保證在生產(chǎn)本行業(yè)相同產(chǎn)品時，能夠保持最低的生產(chǎn)成本。4、以甄選優(yōu)質供應商為原則。選擇設備交貨期應滿足工程進度的需要，售后服務好、安裝調(diào)試及時、可靠并能及時提供備品備件的設備生產(chǎn)廠家。

53、根據(jù)生產(chǎn)經(jīng)驗和技術力量，該項目主要工藝設備及儀器基本上采用國產(chǎn)設備，選用生產(chǎn)設備廠家具有國內(nèi)一流技術裝備，企業(yè)管理科學達到國際認證標準要求。（三）設備配置方案該項目的生產(chǎn)及檢測設備以工藝需要為依據(jù)，滿足工藝要求為原則，并盡量體現(xiàn)其技術先進性、生產(chǎn)安全性和經(jīng)濟合理性，以及達到或超過國家相關的節(jié)能和環(huán)保要求。先進的生產(chǎn)技術和裝備是保證產(chǎn)品質量的關鍵。因此，關鍵工藝設備必須選擇國內(nèi)外著名生產(chǎn)廠商的產(chǎn)品，并且在保證產(chǎn)品質量的前提下，優(yōu)先選用國產(chǎn)的名牌節(jié)能環(huán)保型產(chǎn)品。根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模和生產(chǎn)工藝的要求，本著“先進、合理、科學、節(jié)能、高效”的原則，該項目對比考察了多個生產(chǎn)設備制造企業(yè)，優(yōu)選了產(chǎn)品生產(chǎn)專用設備和檢

54、測儀器等國內(nèi)先進的環(huán)保節(jié)能型設備，確保該項目生產(chǎn)及產(chǎn)品檢驗的需要。項目計劃購置設備共計160臺（套），設備購置費7367.77萬元。第八章 節(jié)能分析一、節(jié)能概述從國內(nèi)看，“十三五”是國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略機遇期，也是全面建設小康社會的關鍵時期。我國正處于工業(yè)化、城鎮(zhèn)化深入發(fā)展階段，經(jīng)濟社會發(fā)展對能源的需求仍不斷增加，能源資源和環(huán)境約束將更趨嚴峻。工業(yè)發(fā)展對能源的需求繼續(xù)增加，工業(yè)和高耗能行業(yè)對國內(nèi)生產(chǎn)總值的貢獻率呈下降趨勢，國家節(jié)能減排約束性指標要求工業(yè)加快轉變發(fā)展方式。同時，實施能源消耗總量控制，也將對工業(yè)發(fā)展形成硬約束。另外，傳統(tǒng)的能源資源高消耗的粗放型工業(yè)發(fā)展道路已難以為繼，工業(yè)轉型升

55、級為節(jié)能降耗提供良好契機。加大節(jié)能降耗力度，進一步提高工業(yè)能源利用效率和能源生產(chǎn)率，改造提升傳統(tǒng)制造業(yè)，是建立資源節(jié)約型、環(huán)境友好型產(chǎn)業(yè)結構和生產(chǎn)方式，破解能源資源環(huán)境制約，走新型工業(yè)化道路的必然選擇。二、節(jié)能法規(guī)及標準（一）節(jié)能法律及法規(guī)1、中華人民共和國節(jié)約能源法2、中華人民共和國可再生能源法3、中華人民共和國電力法4、中華人民共和國建筑法5、中華人民共和國清潔生產(chǎn)促進法6、中華人民共和國計量法（二）節(jié)能標準依據(jù)1、工業(yè)企業(yè)能源管理導則（GB/T15587-2008）2、綜合能耗計算通則（GB/T2589-2008）3、評價企業(yè)合理用電技術導則（GB/T3485-1998）4、評價企業(yè)合理用熱技術導則（GB/T3486-1993）5、用能單位能源計量器具配備和管理通則（GB17167-2006）6、企業(yè)能源審計技術通則（GB/T17166-1997）7、企業(yè)節(jié)能量計算方法（GB/T13234-2009）三、項目所在地能源消費及能源供應條件1、供水條件：本期工程項目供水由某循環(huán)經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園自來水管網(wǎng)供應，能夠保證項目用水需要。2、供電條件：本期工程項目電源由某循環(huán)經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園變配（供）電系統(tǒng)供應，可滿足項目用電需要。四、能源消費