M27C4001(中文)

1、文檔可能無法思考全面，請瀏覽后下載! 川云農(nóng)夫山泉水是宜賓縣柏溪鎮(zhèn)解放村解放組生產(chǎn)的M27C40014比特(512 Kb x 8)紫外線和OTP EPROM編程只讀存儲器特性概述5伏±10%讀操作的電源電壓訪問時間:35 ns低功耗:目前的30 -活躍的馬在5 MHz目前100A備用編程電壓:12.75伏±0.25 V編程時間:100s /詞電子簽名寫入該設(shè)備通過下面的編程過程。對于應(yīng)用程序的內(nèi)容是程序只有一個時間和擦除不是需要時,M27C4001提供PDIP32,PLCC32和TSOP32(8×20毫米)包。為了符合環(huán)保要求,提供了在ECOPACK圣M27C40

2、01®包。ECOPACK包是無鉛。 第二層次互連的范疇標記在產(chǎn)品包裝和標簽內(nèi)盒,符合JESD97 JEDEC標準。相關(guān)的最大額定值焊接條件也標在內(nèi)部箱子標簽。ECOPACK是一個圣商標。ECOPACK規(guī)格可在:20 / 20圖1。邏輯圖表1。信號名稱A0-A18 地址輸入Q0-Q7 數(shù)據(jù)輸出E 芯片使G 輸出使VPP 項目供應(yīng)VCC 電壓VSS 地面圖2。DIP 引腳定義LCC引腳定義TSOP引腳定義設(shè)備操作這個模式的運行M27C4001列在表的操作模式。一個電源中需要讀模式。所有輸入都是除了VPP TTL水平和12 V在A9電子簽名的。2.1讀模式這個M27C4001有兩個控制功能

3、,兩者都必須在邏輯上活躍為了獲取數(shù)據(jù)輸出。芯片啟用(E)是功率控制和應(yīng)該用于設(shè)備的選擇。輸出啟用(G)是輸出控制和應(yīng)該用于門數(shù)據(jù)輸出插腳,獨立于設(shè)備的選擇。假設(shè)這個地址是穩(wěn)定的,地址訪問時間(tAVQV)等于推遲E輸出(tELQV)。數(shù)據(jù)可以在輸出的tGLQV延遲一段時間從掉落的邊上G,假定E已經(jīng)被低和地址已經(jīng)至少tAVQV-tGLQV穩(wěn)定。2.2待機模式這個M27C4001有待機模式從而減少電流從30到100A馬。這個M27C4001置于待機模式通過應(yīng)用CMOS高信號到E輸入。當在待機模式下,輸出高阻抗狀態(tài),獨立的G輸入。兩行輸出控制2.3因為EPROMs通常被用在更大的內(nèi)存數(shù)組,此產(chǎn)品的特

4、點2行控制功能,可以容納使用多個記憶之間的聯(lián)系。這兩行控制功能允許:一個可能的內(nèi)存)最低的功率消耗,b)完成保證輸出總線競爭將不會發(fā)生。對于最有效地利用這兩種控制線路,E應(yīng)該解碼和使用的主要設(shè)備選擇功能,而G應(yīng)該做了一個常見的連接到所有設(shè)備在數(shù)組和連接到讀線從系統(tǒng)控制總線。這確保所有deselected內(nèi)存設(shè)備在他們的低功耗待機模式下,輸出針腳只有活動數(shù)據(jù)時,需要從一個特定的存儲裝置。2.4系統(tǒng)的考慮功率開關(guān)特性的先進CMOS EPROMs需要小心解耦的設(shè)備。目前供應(yīng),國際刑事法庭,有三個領(lǐng)域感興趣的系統(tǒng)設(shè)計者:備用當前水平,積極的當前水平,和瞬態(tài)電流山峰所產(chǎn)生下降和上升的邊緣的大腸嚴重性的瞬

5、態(tài)當前的山峰是依賴于電容和電感的加載設(shè)備輸出。相關(guān)的瞬態(tài)電壓峰值能遵守加以抑制兩行輸出控制和通過適當選擇偶合電容。建議一個0.1F陶瓷電容器,每個設(shè)備上使用,VSS VCC之間。這應(yīng)該是一個高頻率電容器的低固有的電感和應(yīng)該放在盡可能靠近盡可能的設(shè)備。此外,一個4.7F大部分應(yīng)該使用電解電容器VCC之間,每8個設(shè)備VSS。大部分電容器應(yīng)當靠近電源連接點。大部分電容器的目的就是要克服電壓下降導致的歸納影響的PCB導線。2.5編程當交付(和之后的每一個擦除紫外線EPROM),所有的碎片M27C4001在“1”狀態(tài)。數(shù)據(jù)是通過有選擇性地介紹了編程' 0的成所需的一些地點。盡管只有' 0

6、的將被編程,不論是“1和“0可以出現(xiàn)在數(shù)據(jù)字。要想改變一個0一個' 1 '是死暴露于紫外線(UV EPROM)。這個M27C4001就是編程模式當VPP輸入是12.75 V,G是在VIH和E脈沖以飾。數(shù)據(jù)被應(yīng)用于8位并行數(shù)據(jù)輸出針。所要求的水平的地址和數(shù)據(jù)輸入TTL。VCC是指定6.25伏±0.25 V。2.6很快II編程算法轉(zhuǎn)眼間II編程算法允許整個陣列輸入一系列保證利潤率,在一個典型的52.5秒的時間。編程和PRESTO II包括應(yīng)用序列的100s程序脈沖每個字節(jié),直到一個正確的驗證發(fā)生(見圖5)。在編程和驗證操作、保證金模式電路自動激活,以保證每一個細胞都是編程

7、擁有足夠的保證金。沒有overprogram脈沖是應(yīng)用自驗證模式提供保證金的必要的保證金,每個程序性細胞。圖5。程序流程圖2.7程序抑制在并行編程的多個M27C4001s也可以很容易地使用不同的數(shù)據(jù)完成了。除了E,都喜歡輸入包括G的平行M27C4001可能常見的。一個TTL低水平脈沖應(yīng)用到一個M27C4001的E輸入,VPP在12.75伏,M27C4001程序。 一個高水平的E輸入抑制其他M27C4001s從編程。2.8程序驗證一個驗證(讀)應(yīng)進行了編程的位,確定他們正確的程序。驗證是成就與G在維爾,E在VIH,VPP在12.75 V和VCC于6.25伏。2.9電子簽名電子簽名(ES)模式允許

8、讀出來的二進制代碼從一個可編程只讀存儲器,它會識別其制造商和類型。這種模式是適用的編程設(shè)備自動匹配設(shè)備必須編程與它的相應(yīng)的規(guī)劃算法。e級的模式是在25°C功能±5°C環(huán)境溫度范圍,M27C4001時需要編程的。激活e級的模式下,編程設(shè)備必須強迫11.5 V 12.5 V的地址行A9M27C4001的與VPP = VCC = 5 V。 兩個標識符字節(jié)也許就無法測出的設(shè)備輸出通過啟用地址行A0到VIH從飾。所有其他的地址線必須維爾舉行在電子簽名模式。字節(jié)0(A0 =飾)代表制造商代碼和字節(jié)1(A0 = VIH)設(shè)備標識符的代碼。對意法半導體M27C4001,這兩個標識

9、符字節(jié)表3給出了,可以在輸出的讀取器7 Q0。2.10擦除操作(適用于UV EPROM)消除M27C4001的特點是這樣的,當細胞開始消除暴露在光線與波長短于約4000個。還應(yīng)該注意的陽光和一些類型的熒光燈的波長范圍在3000 - 4000年的一個范圍。數(shù)據(jù)顯示,持續(xù)的接觸到房間水平熒光燈可以抹去典型的M27C4001在大約3年,而這將造成約一星期擦除直接暴露于陽光的時候。如果M27C4001是會接觸到這些類型的照明條件下時間延長,建議不透明的標簽是把在M27C4001窗戶以免意外擦除。推薦的擦除M27C4001過程是接觸短波紫外線具有2537的波長。集成的劑量(即。紫外線強度x曝光時間)對擦

10、除至少應(yīng)在15 W-sec /平方厘米。與這個劑量的擦除時間大約是15到20分鐘以一個紫外線燈與12000W / cm2額定功率。M27C4001的應(yīng)放置在2.5厘米(1英寸)管的燈在擦除。一些燈有一個過濾器在他們管這應(yīng)該拆除之前擦除。表2。操作模式表3。電子簽名3最高評級強調(diào)了設(shè)備高于評級列入絕對最大額定值表可能對器件造成永久性的損壞。這些只是應(yīng)力等級和操作的設(shè)備在這些或任何其他條件表明上述操作的部分這個規(guī)范是不可取的。暴露于絕對最大評級條件時間延長可能影響器件的可靠性。還指意法半導體的肯定計劃和其他相關(guān)質(zhì)量文件。表4。絕對最大額定值1。取決于范圍。-40年到125年°CTBIAS

11、溫度在-50年到125年°C的偏見-65年至150年TSTG儲藏溫度°Cvio(2)2。至少在輸入或輸出直流電壓為-0.5 V與可能低于-2.0 V一段時間不到20 ns。最大的直流電壓輸出是VCC + 0.5 V與可能的過度到VCC+ 2 V期少于20 ns。4直流和交流參數(shù)本節(jié)總結(jié)操作和測量條件和直流和交流設(shè)備的特點。參數(shù)的直流和交流特征表遵循源于測試條件下進行測量進行了總結(jié)相關(guān)的表。設(shè)計者應(yīng)該檢查操作條件的電路匹配測量條件時依靠引用參數(shù)。表5。AC測量條件高速 標準輸入上升和下降 10 ns 20 ns輸入脈沖電壓 0到3 V 0.4到2.4 V輸入和輸出時間Ref電

12、壓 1.5伏。 0.8和2 V圖6。AC測試輸入輸出波形高速 標準圖7。AC測試負載電路測裝置：DEVICE UNDER TESTCL = 30 pF對高速度CL = 100 pF標準CL包括夾具電容表6。電容符號 參數(shù) 測試條件 單位1。TA = 25°C,f = 1 MHz。 Input Capacitance：輸入電容2。只取樣,而不是100%的測試。 Output Capacitance：輸出電容表7。讀模式直流特性Input Leakage Current ：輸入泄漏電流 Output Leakage Current ：輸出泄漏電流 Supply Current：電流 Su

13、pply Current (Standby) TTL ：電流(備用)TTLSupply Current (Standby) CMOS：電流(備用) Program Current：程序當前 Input Low Voltage：輸入低電壓Input High Voltage ：輸入高電壓Output Low Voltage：產(chǎn)量低電壓Output High Voltage TTL：輸出高電壓TT L Output High Voltage CMOS：輸出高電壓CMOS1 TA = 0到70或-40至85°C°C,VCC = 5伏±5%或5伏±10%;VPP

14、 = VCC2 VCC同時必須應(yīng)用或之前或之后VPP和移除同時VPP . .3 最大的直流電壓輸出是VCC + 0.5 V。表8。編程模式直流特性(1)(2)符號 參數(shù) 測試條件 Input Leakage Current ：輸入泄漏電流 Supply Current ：電流 Program Current ：程序當前 Input Low Voltage：輸入低電壓 Input High Voltage：輸入高電壓 Output Low Voltage ：產(chǎn)量低電壓Output High Voltage TTL：輸出高電壓TTA9 Voltage：A9電壓1。TA = 25°C,VC

15、C = 6.25伏±0.25 V;VPP = 12.75伏±0.25 V。2。VCC同時必須應(yīng)用或之前或之后VPP和移除同時VPP圖8。讀模式AC波形表9。讀模式AC特征符號 參數(shù) 測試條件 1。TA = 0到70或-40至85°C°C,VCC = 5伏±5%或5伏±10%;VPP = VCC2。VCC同時必須應(yīng)用或之前或之后VPP和移除同時VPP符號Alt參數(shù)的測試條件M27C4001-35(3)單元3。速度獲得高速AC測量條件。4。只取樣,而不是100%的測試。Address Valid to Output Valid：地址有效輸

16、出有效。Chip Enable Low to Output Valid：芯片使低到輸出有效Output Enable Low to Output Valid：輸出使低到輸出有效Chip Enable High to Output Hi-Z：芯片Hi-Z啟用高輸出Output Enable High to Output Hi-Z：輸出Hi-Z啟用高輸出Address Transition to Output Transition：地址轉(zhuǎn)換到輸出轉(zhuǎn)換表10。讀模式AC特征符號 參數(shù) 測試條件1。TA = 0到70或-40至85°C°C,VCC = 5伏±5%或5伏&#

17、177;10%;VPP = VCC2。VCC同時必須應(yīng)用或之前或之后VPP和移除同時VPP。3。只取樣,而不是100%的測試。Address Valid to Output Valid：地址有效輸出有效。Chip Enable Low to Output Valid：芯片使低到輸出有效Output Enable Low to Output Valid：輸出使低到輸出有效Chip Enable High to Output Hi-Z：芯片Hi-Z啟用高輸出Output Enable High to Output Hi-Z：輸出Hi-Z啟用高輸出Address Transition to Outp

18、ut Transition：地址轉(zhuǎn)換到輸出轉(zhuǎn)換圖9。編程和驗證模式AC波形VALID：有效 DATA IN：數(shù)據(jù)輸入 DATA OUT：數(shù)據(jù)輸出 VERIFY：核對表11。編程模式AC特征符號 參數(shù) 測試條件1。TA = 25°C,VCC = 6.25伏±0.25 V;VPP = 12.75伏±0.25 V2。VCC同時必須應(yīng)用或之前或之后VPP和移除同時VPP。3。只取樣,而不是100%的測試。Address Valid to Chip Enable Low：地址有效芯片使低Input Valid to Chip Enable Low：輸入有效的芯片使低VPP

19、High to Chip Enable Low：VPP高到芯片使低VCC High to Chip Enable Low：VCC高到芯片使低Chip Enable Program Pulse Width：芯片使程序脈沖寬度Chip Enable High to Input Transition：芯片能使高輸入過渡Input Transition to Output Enable Low：輸入過渡到輸出使低Output Enable Low to Output Valid：輸出使低到輸出有效Output Enable High to Output Hi-Z：輸出Hi-Z啟用高輸出Output E

20、nable High to Address Transition：輸出使高到地址轉(zhuǎn)換5包裝機械圖10。FDIP32W - 32銷陶瓷Frit-seal沾窗口,計劃大綱1。繪畫是不成比例的表12。FDIP32W - 32銷陶瓷Frit-seal沾窗口、包裝機械數(shù)據(jù)圖11。PDIP32 - 32鉛塑料下降,600毫升的寬度,計劃大綱1。繪畫是不成比例的表13。PDIP32 - 32鉛塑料下降,600毫升的寬度、包裝機械數(shù)據(jù)圖12。PLCC32 - 32鉛塑料鉛芯片載體,包大綱1 繪畫是不成比例的表14。PLCC32 - 32鉛塑料鉛芯片載體、包裝機械數(shù)據(jù)圖13。TSOP32 - 32鉛塑料薄小輪廓,8×20毫米,計劃大綱2 繪畫是不成比例的表15。TSOP32 - 32鉛塑料薄小輪廓,8×20毫米、包裝機械數(shù)據(jù)6零件編號Device Type：設(shè)備類型Supply Voltage電源電壓Device Function設(shè)備功能Spe