安大《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程各章復(fù)習(xí)題

1、模擬電子技術(shù)第1章習(xí)題1、 本征半導(dǎo)體是一種_完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于_摻雜濃度_，而少數(shù)載流子的濃度則與_本征激發(fā) 有很大關(guān)系。2、 半導(dǎo)體的電荷載流子的濃度越高，其電導(dǎo)率就越高。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電率隨溫度的增加而增加。3、 根據(jù)本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同可分為 P（或空穴）型半導(dǎo)體和N（或電子）型半導(dǎo)體。4、 在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。5、 在本征半導(dǎo)體中加入少量 五價(jià) 元素可形成N型半導(dǎo)體，加入 三價(jià) 元素可形成P型半導(dǎo)體。6、 在P型半導(dǎo)體中，空穴 是多數(shù)載流子，自由電子 是少數(shù)載流子。7、 在

2、N型半導(dǎo)體中，自由電子 是多數(shù)載流子，空穴 是少數(shù)載流子。8、 在半導(dǎo)體中由于電場(chǎng)作用而導(dǎo)致載流子的運(yùn)動(dòng)稱為 漂移9、 半導(dǎo)體中有 自由電子 和 空穴 兩種載流子參與導(dǎo)電，其中 空穴 帶正電，而 自由電子 帶負(fù)電。10、 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將 變窄 11、 PN結(jié)加反向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將 變寬 12、 PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為 零。13、 PN結(jié)的基本特點(diǎn)是 單向?qū)щ娦浴?4、 當(dāng)外加電壓使PN結(jié)的P區(qū)電位高于N區(qū)電位時(shí)，稱為PN結(jié)_正向_偏置。15、 PN結(jié)正向偏置時(shí)產(chǎn)生的電流主要是 擴(kuò)散電流，PN結(jié)反向偏置時(shí)產(chǎn)生的電流主要是 漂移電流。16、 PN結(jié)的反向擊穿有

3、 雪崩擊穿 和 齊納擊穿。17、 PN結(jié)的電容效應(yīng)有 擴(kuò)散電容 和 勢(shì)壘電容18、 半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)的不同大致分為 面接觸型 和 點(diǎn)接觸型 兩類，點(diǎn)接觸型 二極管適用于高頻、小電流的場(chǎng)合， 面接觸 型二極管適用于低頻、大電流的場(chǎng)合19、 硅管二極管的正向?qū)▔航导s為 0.7V ，鍺管二極管的正向?qū)▔航导s為 0.2V20、 當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將 增大 。21、 當(dāng)溫度升高時(shí)，由于二極管內(nèi)部少數(shù)載流子濃度 增加 ，因而少子漂移而形成的反向電流 增加 ，二極管反向伏安特性曲線 下 移。22、 硅管的導(dǎo)通電壓比鍺管的 高 ，反向飽和電流比鍺管的 小 23、 設(shè)二極管的端電壓為U，

4、則二極管的電流方程是 24、 二極管具有單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管正常工作時(shí)是利用二極管的 反向偏置 特性。25、 硅穩(wěn)壓二極管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時(shí)，工作于 反向擊穿 狀態(tài)。26、 二極管反向擊穿分電擊穿和熱擊穿兩種情況，其中 電擊穿 是可逆的，而 熱擊穿 會(huì)損壞二極管.27、 在PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 大于 漂移電流，當(dāng)PN外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 小于 漂移電流28、 光電二極管能將 光 信號(hào)轉(zhuǎn)換為 電 信號(hào)，它工作時(shí)需加 正向 偏置電壓1、寫出圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V。圖1解：UO11.3V，UO20，UO31.3V，UO42V，UO51.3V，UO62V

5、。2、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA。求圖所示電路中UO1和UO2各為多少伏。 解：UO16V，UO25V。3、 電路如圖P1 所示，已知ui10sint(v)，試畫出ui與uO的波形。設(shè)二極管正向?qū)妷嚎珊雎圆挥?jì)。 圖P1 解圖P1 解：ui和uo的波形如解圖P1 所示。4、 電路如圖P1.4所示，已知ui5sint (V)，二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。 圖P1.4 解圖P1.4 解：波形如解圖P1.4所示。5、 電路如圖P1.6所示，二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V，常溫下UT26mV，電容C對(duì)交流信號(hào)可視為短路；ui為正弦波，

6、有效值為10mV。 試問二極管中流過的交流電流有效值為多少？ 解：二極管的直流電流 ID（VUD）/R2.6mA其動(dòng)態(tài)電阻 rDUT/ID10故動(dòng)態(tài)電流有效值 IdUi/rD1mA 圖P1.66、現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V，正向?qū)妷簽?.7V。試問： （1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ （2）若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ 解：（1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓值。 （2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。7、 已知圖P1.9所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V，最小穩(wěn)定電流IZm

7、in5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax25mA。 （1）分別計(jì)算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值； （2）若UI35V時(shí)負(fù)載開路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？解：（1）當(dāng)UI10V時(shí)，若UOUZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當(dāng)UI15V時(shí)，穩(wěn)壓管中的電流大于最 圖P1.9小穩(wěn)定電流IZmin，所以 UOUZ6V 同理，當(dāng)UI35V時(shí)，UOUZ6V。 （2）29mAIZM25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。模擬電子技術(shù)第2-4章習(xí)題29、 雙極結(jié)型三極管可分為 NPN型 和PNP型 ，三個(gè)極分別叫基極b，發(fā)射極e，集電極c；30、 雙極結(jié)

8、型三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是：基區(qū)很薄且摻雜濃度很低；發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是同類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體，發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)高很多，同時(shí)集電區(qū)的面積比發(fā)射區(qū)大。31、 當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為前者正偏、后者反偏 ；32、 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12A增大到22A時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為 100 33、 雙極結(jié)型三極管共射連接時(shí)輸出特性區(qū)域可分為 放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū) 34、 當(dāng)晶體管工作在截止區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 前者反偏、后者反偏 35、 當(dāng)晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為前者正偏、后者正偏 放大區(qū)：Ube>Uon且Uc

9、e>Ube截止區(qū)：Ube<Uon且Uce>Ube飽和區(qū)：Ube>Uon且Uce<Ube36、 當(dāng)溫度升高時(shí)，集電極和基極間反向飽和電流以及集電極和發(fā)射極間反向飽和電流都 增加 ，b也 增加。37、 雙極型晶體管是一種 電流控制器件 38、 靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置引起的波形失真有 截止失真 和 飽和失真 兩種；靜態(tài)工作點(diǎn)過低，引起截止失真；靜態(tài)工作點(diǎn)過高，引起飽和失真。39、 根據(jù)輸入和輸出回路公共端的不同，放大電路可分為3種基本組態(tài) 共射極放大電路、共集電極放大電路、共基極放大電路。40、 共集電極放大電路只有 電流放大作用，沒有 電壓放大作用，輸入電阻 最高， 輸出電

10、阻 最??； 共基極放大電路只有 電壓放大作用，沒有電流放大作用；共射放大電路既有電壓放大作用，也有電流放大作用。41、 在圖T2.3所示電路中， 已知VCC12V，晶體管的b100，100k。填空：要求先填文字表達(dá)式后填得數(shù)（1）當(dāng)0V時(shí)，測(cè)得UBEQ0.7V，若要基極電流IBQ20A， 則 和RW之和Rb k；而若測(cè)得UCEQ6V，則Rc k。（2）若測(cè)得輸入電壓有效值=5mV時(shí)，輸出電壓有效值0.6V， 則電壓放大倍數(shù) 。若負(fù)載電阻RL值與RC相等 ，則帶上負(fù)載 圖T2.3 后輸出電壓有效值 V。 解：（1） 。（2） 。42、 已知圖T2.3所示電路中VCC12V，RC3k，靜態(tài)管壓降U

11、CEQ6V；并在輸出端加負(fù)載電阻RL，其阻值為3k。（1）該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom 2V ；（2）當(dāng)1mV時(shí)，若在不失真的條件下，減小RW，則輸出電壓的幅值將 增大 （3）在1mV時(shí)，將Rw調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時(shí)增大輸入電壓，則輸出電壓波形將_底部失真 （4）若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將 Rc 減小。43、 共發(fā)射極接法，_發(fā)射極_極作為公共電極，用CE表示；共集電極接法，_集電極_極作為公共電極，用CC表示；共基極接法，_基_極作為公共電極，用CB表示。三種接法中既有電壓放大能力，又有電流放大能力的接法是_共發(fā)射極接法 _。44、 雙極型三極管輸出特

12、性曲線可以分為_放大區(qū)_ _，_截止區(qū)_，_飽和區(qū) _三個(gè)區(qū)域。45、 兩個(gè)三極管復(fù)合，其值約為_兩個(gè)管的值乘積_，其管型決定于 前一個(gè) 的管型。46、 復(fù)合管的組成原則是：同一類型的BJT三極管構(gòu)成的復(fù)合管時(shí)，應(yīng)將前一個(gè)管子的 發(fā)射極 接至后一只管子的 基極；不同類型的BJT三極管構(gòu)成的復(fù)合管時(shí)，應(yīng)將前一個(gè)管子的 集電極 接至后一只管子的基極；同時(shí)必須保證兩只BJT三極管均工作在 放大狀態(tài)。47、 射極輸出器具有_電壓 _增益恒小于1且接近于1、_輸出電壓_與_輸入電壓_同相、_輸入阻抗_高和_輸出阻抗_低的特點(diǎn)。48、 將兩個(gè)值分別為1和2的三極管復(fù)合，所得復(fù)合管的值約為_1*2_。49、

13、 在分析放大電路的頻率響應(yīng)時(shí)，可將信號(hào)頻率劃分為三個(gè)區(qū)域：低頻區(qū)、中頻區(qū)和高頻區(qū)。50、 頻率響應(yīng)包括 幅頻響應(yīng) 和 相頻響應(yīng)。51、 某晶體管的極限參數(shù)PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CEO=30V，若其工作電壓UCE=10V，則工作電流不得超過_15_mA；若工作電壓UCE=1V，則工作電流不得超過_100_mA；若工作電流IC=1mA，則工作電壓UCE不得超過_30_V。52、 放大電路中，測(cè)得三極管三個(gè)電極電位為U1=6.5V, U2=7.2V, U3=15V，則該管是_NPN_類型管子，其中_U3_極為集電極。NPN：Vb>Ve; Vc>Vb 即Vc&g

14、t;Vb>VePNP：Ve>Vb; Vb>Vc 即Ve>Vb>Vc硅 |Vbe|=0.7V 鍺 |Vbe|=0.2V硅 |Vbe|=0.7V 鍺 |Vbe|=0.2V53、 放大電路中，測(cè)得三極管三個(gè)電極A, B, C電位為UA=-9V, UB=-6V, UC=-6.2V，則該管是_PNP_類型管子，其中_C_極為基極；_A_極為集電極；_B_極為發(fā)射極。54、 場(chǎng)效應(yīng)管按基本結(jié)構(gòu)可分為 MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管) 和 JFET(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) ；按導(dǎo)電載流子的帶電極性可分為 N溝道MOSFET 和 P溝道MOSFET ；按導(dǎo)電溝道形成的機(jī)理不同可分為N溝道增

15、強(qiáng)型MOSFET，P溝道增強(qiáng)型MOSFET ，N溝道耗盡型MOSFET ，P溝道耗盡型MOSFET。55、 N溝道增強(qiáng)型MOSFET的三個(gè)電極是 柵極、源極 和 漏極。其輸出特性曲線可分為 可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)。特點(diǎn)是只有在柵源間有一定的電壓作用才能產(chǎn)生感生溝道。56、 N溝道增強(qiáng)型MOSFET 的VGS<VT時(shí)，d、s之間沒有形成導(dǎo)電溝道，此時(shí)iD=0，場(chǎng)效應(yīng)管工作于輸出特性曲線的 截止區(qū)。57、 N溝道增強(qiáng)型MOSFET，當(dāng)VGS>VT，并且VDS>VGS-VT時(shí)，當(dāng)d、s之間形成導(dǎo)電溝道，此時(shí)iD基本保持不變，場(chǎng)效應(yīng)管工作于輸出特性曲線的 飽和區(qū)。58、 N溝道增

16、強(qiáng)型MOSFET是 電壓控制器件， 是指 iD的大小受 柵源電壓VGS控制的。59、 當(dāng)N溝道耗盡型MOSFET的VGS>0時(shí)，溝道 變寬，但不會(huì)產(chǎn)生柵極電流iG，在VDS作用下，iD會(huì)很大。60、 N溝道耗盡型MOSFET的夾斷電壓VP<0，即當(dāng)VGS<VP時(shí)溝道完全夾斷進(jìn)入截止區(qū)。61、 P溝道增強(qiáng)型MOSFET溝道產(chǎn)生的條件是 VGS<=VT，在可變電阻區(qū)還有 VDS>=VGS-VT ；在飽和區(qū)有 VDS<=VGS-VT ；62、 MOS管的直流輸入電阻RGS是在漏源之間短路的條件下，柵源之間加一定電壓時(shí)的柵源直流電阻。63、 MOS管的輸出電阻rds

17、=dVDS/diD是反映VDS對(duì)iD的影響。64、 當(dāng)VDS一定時(shí)，互導(dǎo)gm=diD/ dVGS反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力。65、 根據(jù)輸入和輸出回路公共端的不同，場(chǎng)效應(yīng)管放大電路可分為3種基本組態(tài) 共源極放大電路、共漏極放大電路、共柵極放大電路。66、 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受 反向 電壓，才能保證其RGS大的特點(diǎn)；67、 若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變 大 。68、 UGS0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有 結(jié)型 管和 耗盡型MOS 管；69、 當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí)，它的低頻跨導(dǎo)gm將 增加 70

18、、 場(chǎng)效應(yīng)管屬于_電壓 控制型有源器件71、 場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用 電場(chǎng) 效應(yīng)來控制其 電流 大小的半導(dǎo)體器件。72、 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用_柵源電壓_控制漏極電流的。73、 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷后，管子進(jìn)入恒流區(qū) 。74、 場(chǎng)效應(yīng)管靠_一種載流子_導(dǎo)電。75、 增強(qiáng)型PMOS管的開啟電壓 小于零 ；增強(qiáng)型NMOS管的開啟電壓 大于零。76、 只有_耗盡型 和 結(jié)型_場(chǎng)效應(yīng)管才能采取自偏壓電路。77、 分壓式電路中的柵極電阻RG一般阻值很大，目的是 提高電路的輸入電阻 。78、 源極跟隨器（共漏極放大器）的輸出電阻與 管子跨導(dǎo)gm和源極電阻RS 有關(guān)。79、 某場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ

19、自漏極流出，大小為8mA，則該管是_耗盡型NMOS管。1、如圖所示的分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路中，已知Rb1=10k，Rb2=30k，Rc=2k，RL=2k，Vcc=12V，三極管的=100，。試求（1）畫出電路的直流通路 （2）估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ, ICQ, VCEQ （3）畫出電路的交流通路 （4）求出交流電壓放大倍數(shù)Av、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro 2、放大電路如圖所示，已知Rb ，Rb1 ，Rb2 ，Rc ，RL ，Vcc ，三極管的 ，。試求（1）畫出電路的直流通路 （2）估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ, ICQ, VCEQ （3）畫出電路的交流通路 （4）求出交流電壓放大倍數(shù)

20、Av、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro 圖1 圖2 圖3 圖43、 共集電極放大電路如圖所示，已知Rb ，Rb1 ，Rb2 ，Rc ，RL ，Vcc ，三極管的 ，。試求（1）畫出電路的直流通路 （2）估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ, ICQ, VCEQ （3）畫出電路的交流通路 （4）求出交流電壓放大倍數(shù)Av、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro 4、 共基極放大電路如圖所示，已知Rb ，Rb1 ，Rb2 ，Rc ，RL ，Vcc ，三極管的 ，。試求（1）畫出電路的直流通路 （2）估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ, ICQ, VCEQ （3）畫出電路的交流通路 （4）求出交流電壓放大倍數(shù)Av、輸入電阻Ri和

21、輸出電阻Ro 模擬電子技術(shù)第6-7章習(xí)題80、 集成電路按其功能來分，有 數(shù)字集成電路 和 模擬集成電路。 81、 模擬集成電路中普遍使用直流偏置技術(shù)，電流源除可以為電路提供穩(wěn)定的直流偏置外，還可以作放大電路的有源負(fù)載以獲得高增益。82、 為提高工作點(diǎn)的穩(wěn)定性，集成電路中普遍采用恒流源偏置 。83、 集成運(yùn)放中采用有源負(fù)載是為了 提高系統(tǒng)的共模抑制比 84、 差動(dòng)放大電路具有電路結(jié)構(gòu)_參數(shù)對(duì)稱 _的特點(diǎn)，因此具有很強(qiáng)的_抑制 零點(diǎn)漂移的能力。它能放大_差_模信號(hào)，而抑制_共 _模信號(hào)。85、 雙端輸入、雙端輸出的差分放大電路的電壓增益與單邊電路的電壓增益 相等，該電路是用成倍的元器件以換取抑制

22、共模信號(hào)的能力。86、 雙端輸入、單端輸出的差模電壓增益只有 雙端輸出的 一半。87、 雙端輸入、雙端輸出的差分放大電路的高頻響應(yīng)與共射放大電路相同，但由于采用直接耦合方式，因此具有極好的 低頻響應(yīng)。88、 直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是 晶體管參數(shù)受溫度影響 89、 集成放大電路采用直接耦合方式的原因是 不易制作大容量電容 90、 選用差分放大電路的原因是 克服溫漂 91、 差分放大電路的差模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的 差 ；共模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的 平均值 。92、 用恒流源取代長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re，將使電路的 抑制共模信號(hào)能力增強(qiáng) 93、 互補(bǔ)輸出級(jí)采用共集形式是為了

23、使帶負(fù)載能力強(qiáng) 94、 集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)榧晒に囯y于制造大容量電容95、 通用型集成運(yùn)放適用于放大 低頻信號(hào) 96、 集成運(yùn)放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的參數(shù)一致性好 97、 集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差分放大電路是因?yàn)榭梢詼p小溫漂 ，對(duì)共模信號(hào)進(jìn)行抑制。98、 為增大電壓放大倍數(shù)，集成運(yùn)放的中間級(jí)多采用 共射放大電路 99、 根據(jù)下列要求，將應(yīng)優(yōu)先考慮使用的集成運(yùn)放填入空內(nèi)。已知現(xiàn)有集成運(yùn)致的類型是：通用型 高阻型 高速型 低功耗型 高壓型 大功率型 高精度型（1）作低頻放大器，應(yīng)選用 。 （2）作寬頻帶放大器，應(yīng)選用 。 （3）作幅值為1V以下微弱信號(hào)的量測(cè)放大器，應(yīng)選用 。 （

24、4）作內(nèi)阻為100k信號(hào)源的放大器，應(yīng)選用 。 （5）負(fù)載需5A電流驅(qū)動(dòng)的放大器，應(yīng)選用 。 （6）要求輸出電壓幅值為±80的放大器，應(yīng)選用 。 （7）宇航儀器中所用的放大器，應(yīng)選用 。100、 現(xiàn)有基本放大電路：A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路 D.共源電路 E.共漏電路根據(jù)要求選擇合適電路組成兩級(jí)放大電路。（1）要求輸入電阻為1k至2k，電壓放大倍數(shù)大于3000，第一級(jí)應(yīng)采用 ，第二級(jí)應(yīng)采用 。 （2）要求輸入電阻大于10M，電壓放大倍數(shù)大于300，第一級(jí)應(yīng)采用 ，第二級(jí)應(yīng)采用 。 （3）要求輸入電阻為100k200k，電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于100，第一級(jí)應(yīng)采用 ，第二級(jí)應(yīng)

25、采用 。 （4）要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于10，輸入電阻大于10M，輸出電阻小于100，第一級(jí)應(yīng)采用 ，第二級(jí)應(yīng)采用 。 （5）設(shè)信號(hào)源為內(nèi)阻很大的電壓源，要求將輸入電流轉(zhuǎn)換成輸出電壓，且，輸出電阻Ro100，第一級(jí)應(yīng)采用 ，第二級(jí)應(yīng)采用 。解：（1）A，A （2）D，A （3）B，A （4）D，B （5）C，B101、 通用型集成運(yùn)放一般由幾部分電路組成，每一部分常采用哪種基本電路？通常對(duì)每一部分性能的要求分別是什么？ 解：通用型集成運(yùn)放由輸入級(jí)、中間級(jí)、輸出級(jí)和偏置電路等四個(gè)部分組成。 通常，輸入級(jí)為差分放大電路，中間級(jí)為共射放大電路，輸出級(jí)為互補(bǔ)電路，偏置電路為電流源電路。 對(duì)輸入級(jí)的要

26、求：輸入電阻大，溫漂小，放大倍數(shù)盡可能大。 對(duì)中間級(jí)的要求：放大倍數(shù)大，一切措施幾乎都是為了增大放大倍數(shù)。對(duì)輸出級(jí)的要求：帶負(fù)載能力強(qiáng)，最大不失真輸出電壓盡可能大。對(duì)偏置電路的要求：提供的靜態(tài)電流穩(wěn)定。102、 共模抑制比定義為 放大電路差模信號(hào)的電壓增益與共模信號(hào)的電壓增益之比的絕對(duì)值。共模抑制比數(shù)值越大，放大電路的性能越優(yōu)良。103、 雙端輸入雙端輸出差分放大器的差模電壓增益是雙端輸入單端輸出差分放大器的差模電壓增益的2倍。104、 源極耦合差分式放大電路的差模輸入阻抗比射極耦合差分式放大電路 大得多。105、 輸入失調(diào)電壓是指在室溫及標(biāo)準(zhǔn)電源電壓下，輸入電壓為零時(shí)，為使集成運(yùn)放的輸出電壓

27、為零，在輸入端加的補(bǔ)償電壓。106、 對(duì)BJT集成電路運(yùn)放，其輸入失調(diào)電流是指當(dāng)輸入電壓為零時(shí)流入放大器兩輸入端的靜態(tài)基極電流之差。107、 對(duì)于理想集成運(yùn)算放大器，其開環(huán)差模電壓放大倍數(shù)可視為 無窮大 ，輸入阻抗可視為無窮大，輸出阻抗可視為_零_。電路的越大，表明電路_抑制零漂_的能力越強(qiáng)。108、 對(duì)于放大電路，所謂開環(huán)是指 無反饋通路 1. 如圖1-2所示的電路中，A點(diǎn)電位為多少？ 圖1-22 圖示3-2電路中，運(yùn)算放大器的最大輸出電壓，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓，其正向壓降，參考電壓，輸入電壓，則輸出電壓 6V ；參考電壓，輸入電壓，則輸出電壓 0.7V 。圖3-23. 某運(yùn)算放大電路如圖3-1

28、所示，已知輸入電壓，則輸出電壓= 3V ，= 6V 圖3-14. 某運(yùn)算放大器構(gòu)成的電路如圖所示，已知輸入電壓、，各相關(guān)電阻大小已經(jīng)標(biāo)出，試求：（1）求A點(diǎn)的電壓值； （2）求輸出電壓的大小。 解：（1），所以，。 (2), ,所以，代入數(shù)值得， 5. 某運(yùn)算放大器構(gòu)成的電路如圖4-2所示，已知輸入電壓、，那么（1）求A點(diǎn)的電壓值；(2分)（2）求輸出電壓和輸入電壓、的關(guān)系式；(5分)（3）若，求和、的關(guān)系式。(3分) 圖4-2解：（1），所以，（2分）（2），聯(lián)立方程可得，.（5分）（3）若，.（1分）若， 則 .（1分） 所以，（1分）6集成運(yùn)放組成如圖所示電路，已知R1=10K，Rf =

29、100K，vi=06V，求輸出電壓vO和平衡電阻R2的大小及電壓放大倍數(shù)AVF（1）（2）7計(jì)算圖示電路的輸出電壓（1）已知某減法電路如圖所示，R1= R2= R3= Rf =5K，vi1=10mV，vi2=30mV，求輸出電壓vO和電壓放大倍數(shù)AVF（2）已知某加法電路如圖所示，R1= R2= R3= 10K，Rf =10K，vi1=06V，vi2=08V，vi3=12V，求輸出電壓vO8畫出能實(shí)現(xiàn)vO=20vi關(guān)系的運(yùn)放電路，Rf選用100 K，要求計(jì)算出R1和 R2的具體數(shù)值，并畫出電路圖。9說明運(yùn)放電路的類型，并求出輸出電壓Vo？ 10 圖7中：A1、A2、A3均為理想運(yùn)效，U1，U2

30、，U3為已知電壓，試求 （1）Uo1（2）Uo2 （3）Uo圖711求圖8中運(yùn)放電路的輸出電壓VO? 圖812求圖9中運(yùn)放電路的輸出電壓Vo1、Vo2和VO? 圖913試畫出符合下列關(guān)系式的集成運(yùn)放電路，其中Rf選100K，并在圖上標(biāo)出其他電阻的參數(shù)。 （1） vo=5vi （2） vo=-vi （3） vo=vi1+2vi2-5vi3模擬電子技術(shù)第8-10章習(xí)題109、 對(duì)于放大電路，所謂開環(huán)是指 無反饋通路 ；而所謂閉環(huán)是指 存在反饋通路 。110、 在輸入量不變的情況下，若引入反饋后 凈輸入量減小，則說明引入的反饋是負(fù)反饋。111、 直流負(fù)反饋是指在直流通路中的負(fù)反饋；交流負(fù)反饋是指 在

31、交流通路中的負(fù)反饋 。112、 一個(gè)由電流源產(chǎn)生的電流信號(hào)經(jīng)放大電路放大后，希望得到一個(gè)穩(wěn)定的輸出電壓信號(hào)，這放大電路應(yīng)選電壓并聯(lián)負(fù)反饋 .113、 為了將輸入電流轉(zhuǎn)換成與之成比例的輸出電壓，應(yīng)引入深度 電壓并聯(lián) 負(fù)反饋。114、 為了將輸入電壓轉(zhuǎn)換成與之成比例的輸出電流，應(yīng)引入深度 電流串聯(lián) 負(fù)反饋。115、 負(fù)反饋能抑制 反饋環(huán)內(nèi)的噪聲與干擾 。116、 負(fù)反饋反饋深度為 1+AF ，深度負(fù)反饋滿足：，即117、 此時(shí)反饋為負(fù)反饋；時(shí)反饋為正反饋；當(dāng) 時(shí)，此時(shí)，放大電路可產(chǎn)生自激振蕩。118、 在放大電路中引入負(fù)反饋，會(huì)使閉環(huán)增益 下降 ，但會(huì)提高增益的穩(wěn)定性。負(fù)反饋減小非線性失真所指的是

32、反饋環(huán)內(nèi)的失真；119、 負(fù)反饋放大電路產(chǎn)生自激振蕩的條件是環(huán)路增益 。120、 為了實(shí)現(xiàn)下列目的，應(yīng)引入： A直流負(fù)反饋 B交流負(fù)反饋a) 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，應(yīng)引入 A ；b) 為了穩(wěn)定放大倍數(shù)，應(yīng)引入 B ；c) 為了改變輸入電阻和輸出電阻，應(yīng)引入 B d) 為了抑制溫漂，應(yīng)引入 A e) 為了展寬頻帶，應(yīng)引入 B 121、 選擇合適答案填入空內(nèi)。A電壓 B電流 C串聯(lián) D并聯(lián)（1）為了穩(wěn)定放大電路的輸出電壓，應(yīng)引入 A 負(fù)反饋；（2）為了穩(wěn)定放大電路的輸出電流，應(yīng)引入 B 負(fù)反饋； （3）為了增大放大電路的輸入電阻，應(yīng)引入 C 負(fù)反饋； （4）為了減小放大電路的輸入電阻，應(yīng)引入 D 負(fù)

33、反饋； （5）為了增大放大電路的輸出電阻，應(yīng)引入 B 負(fù)反饋；（6）為了減小放大電路的輸出電阻，應(yīng)引入 A 負(fù)反饋。122、 電路如圖所示，已知集成運(yùn)放的開環(huán)差模增益和差模輸入電阻均近于無窮大，最大輸出電壓幅值為±14V。填空:電路引入了 電壓串聯(lián)負(fù)反饋 （填入反饋組態(tài)）交流負(fù)反饋，電路的輸入電阻趨近于 無窮大 ，電壓放大倍數(shù)AufuO/uI 11 。設(shè) uI1V，則uO 11 V； 若R1開路，則uO變?yōu)?1 V；若R1短路，則uO變?yōu)?14 V；若R2開路，則uO變?yōu)?14 V；若R2短路，則uO變?yōu)?1 V。123、 現(xiàn)有電路： A. 反相比例運(yùn)算電路 B. 同相比例運(yùn)算電路

34、C. 積分運(yùn)算電路 D. 微分運(yùn)算電路 E. 加法運(yùn)算電路 F. 乘方運(yùn)算電路選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。 （1）欲將正弦波電壓移相90O，應(yīng)選用 C 。 （2）欲將正弦波電壓轉(zhuǎn)換成二倍頻電壓，應(yīng)選用 F 。 （3）欲將正弦波電壓疊加上一個(gè)直流量，應(yīng)選用 E 。 （4）欲實(shí)現(xiàn)Au100的放大電路，應(yīng)選用 A 。 （5）欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成三角波電壓，應(yīng)選用 C 。 （6）欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成尖頂波波電壓，應(yīng)選用 D 。124、 為了避免50Hz電網(wǎng)電壓的干擾進(jìn)入放大器，應(yīng)選用 帶阻 濾波電路。125、 已知輸入信號(hào)的頻率為10kHz12kHz，為了防止干擾信號(hào)的混入，應(yīng)選用 帶通 濾波電路。126

35、、 為了獲得輸入電壓中的低頻信號(hào)，應(yīng)選用 低通 濾波電路127、 為了使濾波電路的輸出電阻足夠小，保證負(fù)載電阻變化時(shí)濾波特性不變，應(yīng)選用 有源 濾波電路。128、 反相 比例運(yùn)算電路中集成運(yùn)放反相輸入端為虛地，而 同相 比例運(yùn)算電路中集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端的電位等于輸入電壓。129、 同相 比例運(yùn)算電路的輸入電阻大，而 反相 比例運(yùn)算電路的輸入電阻小。130、 同相 比例運(yùn)算電路的輸入電流等于零，而 反相 比例運(yùn)算電路的輸入電流等于流過反饋電阻中的電流。131、 同相 比例運(yùn)算電路的比例系數(shù)大于1，而 反相 比例運(yùn)算電路的比例系數(shù)小于零。132、 同相比例 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)Au1的放大器。133、

36、反相比例 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)Au0的放大器。134、 微分 運(yùn)算電路可將三角波電壓轉(zhuǎn)換成方波電壓。135、 同相求和 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)函數(shù)YaX1bX2cX3，a、b和c均大于零。136、 反相求和 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)函數(shù)YaX1bX2cX3，a、b和c均小于零。137、 乘方 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)函數(shù)YaX2。138、139、 甲類功率放大器的缺點(diǎn)是 效率最低 ，乙類功率放大器的缺點(diǎn)是 存在交越失真 ；乙類功率放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ= 0 ；故一般采用甲乙類放大器。140、 功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時(shí)，輸出基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大 交流功率 。141、 功率放大電路的轉(zhuǎn)

37、換效率是指 最大輸出功率與電源提供的平均功率之比。142、 在OCL乙類功放電路中，若最大輸出功率為1W，則電路中功放管的集電極最大功耗約為0.2W。143、 在選擇功放電路中的晶體管時(shí)，應(yīng)當(dāng)特別注意的參數(shù)有 ICM BUCEO PCM。144、 分析下列說法是否正確，凡對(duì)者在括號(hào)內(nèi)打“”，凡錯(cuò)者在括號(hào)內(nèi)打“×”。 （1）在功率放大電路中，輸出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ） （2）功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大交流功率。（ ） （3）當(dāng)OCL電路的最大輸出功率為1W時(shí)，功放管的集電極最大耗散功率應(yīng)大于1W。（ ） （4）功率放大電路與電壓放

38、大電路、電流放大電路的共同點(diǎn)是 1）都使輸出電壓大于輸入電壓；（ ） 2）都使輸出電流大于輸入電流；（ ） 3）都使輸出功率大于信號(hào)源提供的輸入功率。（ ） （5）功率放大電路與電壓放大電路的區(qū)別是 1）前者比后者電源電壓高；（ ） 2）前者比后者電壓放大倍數(shù)數(shù)值大；（ ） 3）前者比后者效率高；（ ） 4）在電源電壓相同的情況下，前者比后者的最大不失真輸出電壓大；（ ） （6）功率放大電路與電流放大電路的區(qū)別是 1）前者比后者電流放大倍數(shù)大；（ ） 2）前者比后者效率高；（ ） 3）在電源電壓相同的情況下，前者比后者的輸出功率大。（ ） 解：（1）×（2）（3）× （4）

39、× × （5）× × （6）× 145、 直流電源是一種能量轉(zhuǎn)換電路，它將交流能量轉(zhuǎn)換為 直流能量 。146、 在變壓器副邊電壓和負(fù)載電阻相同的情況下，橋式整流電路的輸出電流是半波整流電路輸出電流 的2倍147、 若U2為電源變壓器副邊電壓的有效值，則半波整流電容濾波電路和全波整流電容濾波電路在空載時(shí)的輸出電壓均為。148、 整流電路可將正弦電壓變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓。149、 電容濾波電路適用于小負(fù)載電流，而電感濾波電路適用于大負(fù)載電流。150、 線性直流電源中的調(diào)整管工作在放大狀態(tài)，開關(guān)型直流電源中的調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài)。151、 因?yàn)榇?lián)型穩(wěn)

40、壓電路中引入了深度負(fù)反饋，因此也可能產(chǎn)生自激振蕩。152、 整流的目的是將 交流變?yōu)橹绷?153、 在單相橋式整流電路中，若有一只整流管接反，則 整流管將因電流過大而燒壞 。154、 直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是 將交、直流混合量中的交流成分濾掉。155、 直流穩(wěn)壓電源中濾波電路應(yīng)選用 低通濾波電路 156、 若要組成輸出電壓可調(diào)、最大輸出電流為3A的直流穩(wěn)壓電源，則應(yīng)采用 電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路 157、 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對(duì)象是 基準(zhǔn)電壓與采樣電壓之差 158、 開關(guān)型直流電源比線性直流電源效率高的原因是 調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài) 159、 在脈寬調(diào)制式串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電路中，

41、為使輸出電壓增大，對(duì)調(diào)整管基極控制信號(hào)的要求是 周期不變，占空比增大 160、 正弦波振蕩電路一般由_放大電路、正反饋網(wǎng)絡(luò)、選頻網(wǎng)絡(luò)和 穩(wěn)幅環(huán)節(jié)_這四個(gè)部分組成。161、 振蕩器的輸出信號(hào)最初由 干擾或噪聲信號(hào) 而來的。162、 振蕩器之所以能獲得單一頻率的正弦波輸出電壓是依靠了振蕩器中的 選頻 環(huán)節(jié)。163、 正弦波振蕩電路利用正反饋產(chǎn)生振蕩條件是 ，其中相位平衡條件是，幅值平衡條件是 AF=1 ,為使振蕩電路起振，其條件是 。164、 產(chǎn)生低頻正弦波一般可用 RC 振蕩電路，產(chǎn)生高頻正弦波可用 LC 振蕩電路，要求頻率穩(wěn)定性很高，則可用 石英晶體 振蕩電路。165、 穩(wěn)壓電源主要是要求在_

42、電源電壓_和_負(fù)載_發(fā)生變化的情況下，其輸出電壓基本不變。166、 78M05為輸出電壓固定的三端集成穩(wěn)壓器，它的三個(gè)引出端分別是 輸入端 、輸出端 、公共端 ，輸出電壓值為 5V 。167、 低電壓穩(wěn)壓電路一般由 電源變壓器、 整流 、濾波 、 穩(wěn)壓 等單元電路組成。168、 單相 整流 電路用來將交流電壓變換為單相脈動(dòng)的 直流電壓 。169、 單相橋式整流電路的輸入電壓時(shí)則輸出電壓平均值為 9V 。170、 電容濾波電路適用于小負(fù)載電流，而電感濾波電路適用于大負(fù)載電流。171、 在脈寬調(diào)制式串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電路中，為使輸出電壓增大，對(duì)調(diào)整管基極控制信號(hào)的要求是周期不變，占空比增大。172、 串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路的調(diào)整管是工作在 線性放大區(qū)，