![長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD知識(shí)科普 一文讀懂精髓所在_第1頁(yè)](http://file3.renrendoc.com/fileroot_temp3/2022-1/10/26a23f47-16ff-4536-9c7a-874f5575c4e0/26a23f47-16ff-4536-9c7a-874f5575c4e01.gif)
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1、長(zhǎng)江存儲(chǔ)ssd知識(shí)科普 一文讀懂精髓所在長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于xtacking架構(gòu)的3d nand顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見(jiàn)面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問(wèn)題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)的技術(shù),而就在近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家越發(fā)的了解致鈦品牌固態(tài)。背景介紹:長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2014年,開(kāi)頭3d nand flash的研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開(kāi)頭研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)光,并在,2016年注冊(cè)公司,短短的時(shí)光內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到xtacking架構(gòu),再到消費(fèi)級(jí)ssd。促使長(zhǎng)江存儲(chǔ)迅速進(jìn)展的主要緣由是基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)研發(fā)的持續(xù)投入和團(tuán)隊(duì)的努力,
2、以及對(duì)xtacking技術(shù)路途的創(chuàng)新和堅(jiān)守。關(guān)于硬盤壽命:致鈦系列消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤的優(yōu)點(diǎn)之一就是寫(xiě)入壽命長(zhǎng),固態(tài)硬盤的壽命也是眾多消費(fèi)者較為關(guān)懷的話題。對(duì)此,長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,寫(xiě)入壽命是致鈦產(chǎn)品的一個(gè)很重要的指標(biāo)。寫(xiě)入壽命長(zhǎng)事實(shí)上就代表了致鈦的ssd生命周期會(huì)更長(zhǎng)。假如寫(xiě)入壽命短,事實(shí)上用這個(gè)盤的時(shí)光就會(huì)短。nand flash并不是無(wú)限可寫(xiě)入的,它本身的壽命也是有限的。因此,當(dāng)你的寫(xiě)入壽命增強(qiáng)10%,那么產(chǎn)品的可用法時(shí)長(zhǎng)就增強(qiáng)10%。此外,在相同寫(xiě)入量的狀況下,寫(xiě)入壽命更長(zhǎng)的ssd,數(shù)據(jù)也會(huì)越發(fā)平安一些。還有,硬盤的壽命也會(huì)受到不同因素的影響,寫(xiě)入壽命本身是產(chǎn)品通過(guò)驗(yàn)證和測(cè)試后一個(gè)重要的認(rèn)證結(jié)果,
3、可以通過(guò)硬盤的標(biāo)識(shí)來(lái)分辨,其中致鈦 sc001寫(xiě)入壽命從170tbw到680tbw不等,而pc005寫(xiě)入壽命從200tbw到640tbw不等,在寫(xiě)入壽命方面,致鈦已經(jīng)達(dá)到了國(guó)際率先水。固然,硬盤的寫(xiě)入壽命主要與固件的算法挺直相關(guān),致鈦用法的算法同囫圇業(yè)界是一樣的,但寫(xiě)入放大是需要顆粒來(lái)舉行承載,這也就意味著xtacking的確可以間接協(xié)助提高寫(xiě)入壽命。由于xtacking是將閃存陣列的工藝和xtacking下的規(guī)律器件工藝分割隔離的,從這一程度上講,利用xtacking技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)得以更簡(jiǎn)單地調(diào)節(jié)閃存陣列的工藝。假如閃存陣列的工藝更簡(jiǎn)單調(diào)節(jié)優(yōu)化,相對(duì)它的壽命也就會(huì)更長(zhǎng)一些。還有,致鈦系列寫(xiě)入
4、壽命高的主要緣由是用法顆粒本身的壽命會(huì)更長(zhǎng)一些。長(zhǎng)江存儲(chǔ)用法的磨損均衡管理同業(yè)界用法的辦法是全都的。壞塊管理也跟壞塊產(chǎn)生的數(shù)量和程度相關(guān),比如是壞了一個(gè)頁(yè),或是壞了一個(gè)wordline,還是壞了無(wú)數(shù),相應(yīng)壞塊管理的方式就會(huì)不一樣。從現(xiàn)有狀況來(lái)看,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的nand flash的失效模型(defect modeling)同業(yè)界其他友商也是相當(dāng)?shù)模谟行┓矫嫔踔吝€可能更好一些。長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)用法冗余度更低的辦法來(lái)舉行壞塊管理,冗余度降低了,寫(xiě)入壽命自然也就提高一些。通過(guò)上文信任大家對(duì)硬盤的壽命有了也許的了解,為了能夠讓大家越發(fā)了解硬盤壽命,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還舉行相應(yīng)的舉例解析。例如256gb 170tbw的硬
5、盤,一個(gè)人天天寫(xiě)60g,也要用差不多8年才干用盡,這對(duì)一般消費(fèi)者已經(jīng)足夠了。然而,消費(fèi)級(jí)的用法一天也許在5-6g左右。此外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的芯片也不僅僅開(kāi)發(fā)給消費(fèi)者,也會(huì)開(kāi)發(fā)給一些pc用戶、oem用戶、企業(yè)級(jí)用戶等等。在他們的用法過(guò)程中可能會(huì)有些特別狀況發(fā)生,使得天天的需求量會(huì)變得十分高。也就是說(shuō),長(zhǎng)江存儲(chǔ)將能夠支撐更好應(yīng)用的顆粒用在了消費(fèi)級(jí)ssd上面,自然而然也就可以保障其壽命的增強(qiáng)。pcie 4.0時(shí)代 長(zhǎng)江存儲(chǔ)蓄力待發(fā)2020年可以說(shuō)是pcie4.0 ssd發(fā)力的一年,各大廠商都在運(yùn)籌帷幄,而長(zhǎng)江存儲(chǔ)希翼能夠更快地進(jìn)入到pcle 4.0的范疇,推出一些pcle 4.0的產(chǎn)品。由于pcle 4.
6、0還比較新,可能會(huì)考慮接下來(lái)在pcle 4.0上推出低中高端不同系列的產(chǎn)品,會(huì)有一些性能的分割,在價(jià)格上也會(huì)有一定差異。此外,還會(huì)盡量降低囫圇產(chǎn)品的功耗,雖然pc005和sc001的功耗已經(jīng)控制得不錯(cuò)了,但仍有優(yōu)化的空間。關(guān)于3d nand有無(wú)數(shù)的小伙伴對(duì)3d nand愛(ài)好深厚,對(duì)此,長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,3d nand的容量有幾個(gè)指標(biāo),一是看芯片里有多少塊(block),二是看每個(gè)塊里面有多少flash的晶體管,層數(shù)多了,自然就能讓一個(gè)塊內(nèi)的容量變大。不過(guò),并不是層數(shù)多了就能讓囫圇產(chǎn)品的容量變大,在設(shè)計(jì)的時(shí)候,也可以設(shè)計(jì)更少的塊,那容量自然就小下來(lái)了,也可以設(shè)計(jì)更多的塊,容量自然就增長(zhǎng)上去了。不過(guò),
7、并不是每一層的容量都是統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),只能說(shuō)是大致統(tǒng)一。長(zhǎng)江存儲(chǔ)每一個(gè)塊的容量大約會(huì)比業(yè)界其他產(chǎn)品多50%左右。盡人皆知,3d nand層數(shù)的堆疊,也瀕臨一些挑戰(zhàn)。比如隨著層數(shù)的增強(qiáng),越來(lái)越難達(dá)到孔所需要的長(zhǎng)寬比,正常來(lái)說(shuō),3d nand的極限也許在100層左右,而長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前做到128層。對(duì)此,長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,實(shí)際上,技術(shù)是向來(lái)在進(jìn)展的,設(shè)備和工藝本身也在進(jìn)展。以前長(zhǎng)江存儲(chǔ)連五納米、十納米的技術(shù)都不敢想,那時(shí)候還是幾十納米、上百納米的技術(shù),大家都認(rèn)為十納米以下相當(dāng)于一個(gè)原子都沒(méi)有了,是不行能的。而現(xiàn)在這已經(jīng)是很普遍的技術(shù)了。所以,并不是說(shuō)3d nand的極限就在100層左右。現(xiàn)在128層也已經(jīng)是相對(duì)照較成熟的技術(shù)了,在將來(lái)的一兩年里面,市場(chǎng)上就會(huì)看到無(wú)數(shù)128層及以上的產(chǎn)品浮現(xiàn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ),用更好的設(shè)備、更好的工藝調(diào)校能力,終于能夠達(dá)到128層,甚至未來(lái)達(dá)到256層、300層、500層都是有可能的。固然,3d nand不行能舉行無(wú)限堆疊,用法現(xiàn)有的堆疊方式,3d nand的堆疊層數(shù)也許在500層左右,但是技術(shù)是在不斷演進(jìn)的,或許在500層以后,還需要找到全新的辦法、設(shè)備或是理論,能夠協(xié)助突破到500層以上,也是很有可能的。寫(xiě)在最后十分謝謝,分量級(jí)大咖長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品工程與測(cè)試工程處副總裁陳軼帶來(lái)的ssd核心學(xué)問(wèn),信任大家對(duì)致鈦品牌固態(tài)已經(jīng)有很更深化的了解。長(zhǎng)江存儲(chǔ),作為
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