半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研報(bào)整理

1、【華泰證券：迎接黃金時(shí)代，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狂飆 2016.3.23】中國(guó)證券網(wǎng)消息，武漢新芯將于28日舉行東湖存儲(chǔ)器項(xiàng)目動(dòng)工儀式，該項(xiàng)目由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、國(guó)開發(fā)展基金、湖北省科技投資集團(tuán)共同出資建設(shè)，項(xiàng)目總投資將達(dá)240億美元。目前方案顯示，產(chǎn)品方向?yàn)?D NAND，達(dá)產(chǎn)時(shí)產(chǎn)能為30萬片/月。武漢新芯、同方國(guó)芯、兆基科技（合肥爾必達(dá)）攜手挑起國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展大梁，填補(bǔ)最為缺失的Memory領(lǐng)域。全球Memory市場(chǎng)空間巨大，超800億美元。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)更是保持持續(xù)高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2018年將達(dá)到430億美元。海外巨頭三星、美光、SK Hynix完全壟斷M

2、emory市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商還完全是空白。同方國(guó)芯932億投資建12萬片/月存儲(chǔ)器晶圓廠，2018年達(dá)產(chǎn)；武漢新芯240億美元建30萬片/月NAND Flash晶圓廠，達(dá)產(chǎn)時(shí)間未知；合肥政府?dāng)y手爾必達(dá)460億人民幣建10萬片/月低功耗內(nèi)存晶圓廠，2018年下半年量產(chǎn)?！就絿?guó)芯】讓我們回顧一下同方國(guó)芯此前的公告，擬以27.04元/股的價(jià)格，發(fā)行股份29.6億股，募集資金高達(dá)800億，布局Memory產(chǎn)業(yè)鏈。同方國(guó)芯800億定增將主要包括三個(gè)項(xiàng)目，1）存儲(chǔ)器工廠項(xiàng)目投資金額達(dá)932億元，其中募投資金投資600億；2）收購(gòu)臺(tái)灣力成25%股權(quán)投資金額38億元，其中募投資金37.9億元；3）收購(gòu)臺(tái)灣南茂2

3、5%股權(quán)投資金額23.4億元，來自募投資金23.4億元；4）對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游的公司收購(gòu)?fù)顿Y金額139億元，其中募投資金139億元。三個(gè)項(xiàng)目合計(jì)投資金額高達(dá)1,132億元。由于公司目前并不具備Nand Flash技術(shù)，我們推測(cè)項(xiàng)目3對(duì)IC產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司的收購(gòu)，將為公司帶來Nand Flash相關(guān)的技術(shù)與專利、制造工藝等，成為整個(gè)計(jì)劃的關(guān)鍵，仍將值得期待。表格1： 同方國(guó)芯定增項(xiàng)目情況序號(hào) 項(xiàng)目 投資總額（萬元） 擬投入募集資金凈額（萬元） 1 存儲(chǔ)芯片工廠 9,324,265 6,000,000 2 收購(gòu)臺(tái)灣力成25%股權(quán) 379,834 379,000 4 收購(gòu)臺(tái)灣南茂25%股權(quán) 234,

4、134 234,134 3 產(chǎn)業(yè)鏈上下游收購(gòu) 1,386,866 1,386,866 合計(jì) 11,324,345 8,000,000 【儲(chǔ)存芯片工廠】公司將投資新建存儲(chǔ)類芯片工廠，工廠實(shí)施完成并完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可新增120,000片/月的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)產(chǎn)能。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目從項(xiàng)目備案至項(xiàng)目建設(shè)完成、試運(yùn)行并完成驗(yàn)收約需2 年時(shí)間。預(yù)計(jì)項(xiàng)目投產(chǎn)一年后可完全達(dá)產(chǎn)，即至項(xiàng)目建設(shè)后第四年生產(chǎn)負(fù)荷可達(dá)100%。本項(xiàng)目滿產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將貢獻(xiàn)營(yíng)業(yè)收入354億元，年均利潤(rùn)為87.2億元，稅后財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為17.65%，稅后投資回收期6.28 年（含建設(shè)期2年）。工藝節(jié)點(diǎn)與芯片成本密切相關(guān)。在NOR Flash 領(lǐng)域，目

5、前55nm58nm 工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品已開始大規(guī)模商用，45nm 產(chǎn)品也已開始研發(fā)。在NAND Flash 領(lǐng)域，目前20/19nm 以上工藝節(jié)點(diǎn)是主流的商用制程，未來主流產(chǎn)品將向1Y nm發(fā)展。工藝節(jié)點(diǎn)由20/19nm轉(zhuǎn)向1Y nm，能使單顆芯片的面積減少約三分之一，從而導(dǎo)致芯片價(jià)格大幅降低。在芯片封裝工藝上，3D 封裝和系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）在特定領(lǐng)域已開始迅速發(fā)展?！綧emory領(lǐng)域】Memory作為IC領(lǐng)域最重要的一個(gè)領(lǐng)域，市場(chǎng)規(guī)模巨大，2014年銷售收入規(guī)模達(dá)到了792億美元，占到整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的23.6%。近幾年，Memory產(chǎn)品受益于移動(dòng)智能終端快速滲透，帶來對(duì)產(chǎn)品需求的高速增長(zhǎng)，

6、過去三年復(fù)合增長(zhǎng)率18%，遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體行業(yè)整體7%的增長(zhǎng)速度，成為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的主要推動(dòng)力。未來幾年全球Memory市場(chǎng)仍有望保持快速增長(zhǎng)。1）個(gè)人電腦與手機(jī)等移動(dòng)終端的需求旺盛，拉動(dòng)了DRAM產(chǎn)值的大幅增加。2）智能手機(jī)與固態(tài)硬盤（SSD）將成為NAND Flash 最大需求。3）3D NAND Flash成為存儲(chǔ)芯片的重要增長(zhǎng)點(diǎn)。存儲(chǔ)芯片根據(jù)斷電后所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是否會(huì)丟失，可以分為易失性存儲(chǔ)器（Volatile Memory）和非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory），其中DRAM 與NAND Flash 分別為這兩類存儲(chǔ)器的代表。盡管存儲(chǔ)芯片種類眾多，但從產(chǎn)值構(gòu)成來看

7、，DRAM與NAND Flash已經(jīng)成為存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。根據(jù)IDC 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2013 年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模接近690億美元，而DRAM和NAND Flash 就占據(jù)了約600億美元，占比超過85%。圖：memory產(chǎn)品分類【Memory全球：寡頭壟斷】Memory領(lǐng)域由于具有極高的技術(shù)壁壘和資本壁壘，并且有很強(qiáng)的規(guī)模效應(yīng)，因此在行業(yè)自身發(fā)展的過程中自然形成了很強(qiáng)的寡頭壟斷格局。根據(jù)IHS的統(tǒng)計(jì)，2015年第三季度三星DRAM全球市場(chǎng)占有率達(dá)到45.2%，SK海力士占有率為27.3%，第三大廠商美光占有率為20.4%，前三大龍頭合計(jì)市占率達(dá)到了93%。在Nand Flash市場(chǎng)上，

8、2014年三星市占率為36.5%，東芝為31.8%，海力士為18.9%，美光為12.8%，前四家廠商幾乎壟斷整個(gè)市場(chǎng)。而在國(guó)內(nèi)幾乎沒有廠商做這一領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完全缺失的一環(huán)?！綧emory中國(guó)】2014年國(guó)內(nèi)Memory產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)超過了200億美元，并且未來幾年仍將保持高速增長(zhǎng)，2018年更是有望達(dá)到430億美元。對(duì)于Memory產(chǎn)業(yè)，無論是武漢新芯投資240億美金，或者是此前同方國(guó)芯投資932億元建廠僅僅只是萬里長(zhǎng)征的第一步，發(fā)展國(guó)內(nèi)Memory產(chǎn)業(yè)仍任重道遠(yuǎn)。武漢新芯的240億美金和同方國(guó)芯的932億元人民幣，這一投資金額看上去非常巨大。但是與國(guó)際Memory巨頭資本支出相比

9、，也并未拉開顯著差距。三星2015年一年規(guī)劃的資本支出就達(dá)到了151億美元。海力士與美光今年的資本支出規(guī)劃也分別有51億美元和38億美元?！?2寸晶圓】我們還是以同方國(guó)芯此次公告的Memory項(xiàng)目為參考，總投資金額932億，對(duì)應(yīng)達(dá)產(chǎn)后12寸晶元產(chǎn)能為12萬片/月，這對(duì)于國(guó)內(nèi)芯片制造行業(yè)是一個(gè)什么體量？目前，中芯國(guó)際12寸產(chǎn)能為51,000片/月，華力微大約為20,000片/月，武漢新芯約為20,000片/月。這意味從國(guó)內(nèi)最初開始建造12寸晶圓廠，到現(xiàn)在十多年時(shí)間里，國(guó)內(nèi)總共形成了91,000片/月的產(chǎn)能?？紤]三星去年剛剛投產(chǎn)的10萬片產(chǎn)能，目前國(guó)內(nèi)12寸晶圓產(chǎn)能合計(jì)為36.1萬片/月。大陸半導(dǎo)

10、體產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)狂潮才剛剛拉開序幕，一方面國(guó)內(nèi)幾大晶圓廠快速擴(kuò)產(chǎn)，同方國(guó)芯Memory工廠新增產(chǎn)能12萬片/月，中芯國(guó)際（北京）二期、三期增加產(chǎn)能7萬片/月；另一方面海外大廠紛紛來華建廠，聯(lián)電（廈門）和力晶（合肥）分別增加5萬片/月和4萬片/月，臺(tái)積電（南京）仍在規(guī)劃中，建設(shè)最先進(jìn)的16nm產(chǎn)能。在未來幾年時(shí)間里，這些計(jì)劃的新增產(chǎn)能就直接使國(guó)內(nèi)總產(chǎn)能翻倍。而此次同方國(guó)芯一個(gè)項(xiàng)目就要建造12萬片/月，也就是比過去國(guó)內(nèi)10多年建的產(chǎn)能還要多3萬片/月。按照新聞信息武漢新芯達(dá)到30萬片/月產(chǎn)能，加上近期公布的力晶合肥4萬片/月，臺(tái)積電南京2萬片/月產(chǎn)能，中芯國(guó)際二三期7萬片/月產(chǎn)能，合肥爾必達(dá)10萬月/片

11、產(chǎn)能，短短一年內(nèi)新投資12寸硅晶圓產(chǎn)能達(dá)到65萬片/月。公司（12寸晶圓）現(xiàn)有產(chǎn)能計(jì)劃產(chǎn)能備注中芯國(guó)際（上海）1.4萬新增7萬片（北京）二期、三期中芯國(guó)際（北京）3.7萬華力微2萬海力士（無錫）12萬三星（西安）10萬2015年投產(chǎn)英特爾（大連）5萬同方國(guó)芯12萬臺(tái)積電（南京）2萬片最先進(jìn)的16nm產(chǎn)能聯(lián)電（廈門）5萬片力晶（合肥）4萬片爾必達(dá)（合肥）1萬武漢新芯2萬30萬片合計(jì)36.1萬片/月65萬片/月?lián)虾Ｐ玛柟娴拇蠊杵?xiàng)目測(cè)算，2020年國(guó)內(nèi)對(duì)12寸硅片的需求將達(dá)到100萬片/月，更是當(dāng)前國(guó)內(nèi)產(chǎn)能的三倍?！痉鉁y(cè)領(lǐng)域】與晶元廠的擴(kuò)產(chǎn)相對(duì)應(yīng)的，國(guó)內(nèi)幾大封測(cè)龍頭也在快馬加鞭通過內(nèi)生與外延相

12、結(jié)合的方式快速擴(kuò)產(chǎn)?！鞠嚓P(guān)產(chǎn)業(yè)：半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商+半導(dǎo)體耗材】1、 半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商：在生產(chǎn)線投資周期來看，最先受益，國(guó)內(nèi)有一批優(yōu)秀的半導(dǎo)體設(shè)備公司，如中微半導(dǎo)體、上海微電子、北方微電子、七星電子、天通股份等。然而，其中中微半導(dǎo)體、上海微電子并未上市，七星電子收購(gòu)北方微電子后將成為國(guó)內(nèi)上市公司中半導(dǎo)體設(shè)備的絕對(duì)龍頭。2、 半導(dǎo)體耗材：上市公司中唯一的一家是“上海新陽”；晶元類化學(xué)品、大硅片直接受益，TSV鍍銅液想象空間無限。公司投資的大硅片項(xiàng)目同樣也將直接受益（張汝京合作），武漢新芯30萬片/月、同方國(guó)芯12萬片/月產(chǎn)能的投產(chǎn)，對(duì)應(yīng)大硅片的需求規(guī)模大約為35億元。大硅片項(xiàng)目一期15萬片/月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將于2017年底達(dá)到滿產(chǎn)。根據(jù)張汝京博士的演講，預(yù)計(jì)2021年實(shí)現(xiàn)三期滿產(chǎn)，達(dá)到產(chǎn)能60萬