用CMOS傳輸門(mén)和CMOS非門(mén)設(shè)計(jì)邊沿D觸發(fā)器

1、數(shù)字電子技術(shù)研究性學(xué)習(xí)用CMO傳輸門(mén)和CMOSE門(mén)設(shè)計(jì)邊沿D觸發(fā)器姓 名： 賈嵐婷學(xué) 號(hào)：班 級(jí)： 通信1307指導(dǎo)老師：侯建軍時(shí) 間：2015年12月1日目錄摘要 3關(guān)鍵字 3正文 31 電路結(jié)構(gòu)圖及其原理 311 傳輸門(mén) 312 與非門(mén) 313 D 觸發(fā)器電路 42 電路工作原理仿真 53 特征方程、特征表、激勵(lì)表與狀態(tài)圖 53 1 特征方程 532 特征表 53 3 激勵(lì)表 63 4 狀態(tài)圖 64激勵(lì)信號(hào)D的保持時(shí)間和時(shí)鐘 CP的最大頻率65 設(shè)計(jì)的 D 觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成 JK 觸發(fā)器和 T 觸發(fā)器 85. 1 D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為JK觸發(fā)器85. 2 D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為T(mén)觸發(fā)器 96基于CMOS勺D

2、觸發(fā)器芯片與基于 TTL的D觸發(fā)器芯片外特性比較分析 117 CMOS D觸發(fā)器的應(yīng)用一一CD4013觸摸開(kāi)關(guān)138 總結(jié) 148. 1 總結(jié) 148. 2 感想 14參考文獻(xiàn) 15摘要：本文主要研究了用CMO傳輸門(mén)和CMOSE門(mén)設(shè)計(jì)邊沿D觸發(fā)器。首先分析CMO傳輸門(mén)和CMOS!非門(mén)原理；然后設(shè)計(jì)出 CMO傳輸門(mén)和CMOS非門(mén)設(shè)計(jì)邊沿D觸發(fā)器；闡述電路工作原理；寫(xiě)出特征方程，畫(huà)出特征表， 激勵(lì)表與狀態(tài)圖；計(jì)算出激勵(lì)信號(hào) D的保持時(shí)間和時(shí)鐘CP的最大頻率;將設(shè)計(jì)的D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成JK觸發(fā)器和T觸發(fā)器，最后對(duì)CMO構(gòu)成的D觸發(fā)器進(jìn)行辨證分析。關(guān)鍵詞：CMO傳輸門(mén)；CMOSE門(mén)；邊沿D觸發(fā)器；1. 結(jié)

3、構(gòu)圖以及功能1.1 CMO傳輸門(mén)圖 1 傳輸門(mén)的結(jié)構(gòu)圖原理： 所謂傳輸門(mén)(TG就是一種傳輸模擬信號(hào)的模擬幵關(guān)。CMOS傳輸門(mén)由一個(gè)P溝道和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管并聯(lián)而成，如上圖所示。 設(shè)它們的幵啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號(hào)的變化范圍為 0V到+5V。為使 襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時(shí)刻都不致正偏，故 T2的襯底接+5V電壓， 而 T1 的襯底接地。傳輸門(mén)的工作情況如下：當(dāng) C端接低電壓0V時(shí)T1的柵壓即為0V, vl 取0V到+5V范圍內(nèi)的任意值時(shí)，TN均不導(dǎo)通。同時(shí),TP的柵壓為+5V, TP 亦不導(dǎo)通?？梢?jiàn)，當(dāng) C 端接低電壓時(shí)，開(kāi)關(guān)是斷開(kāi)的。為使開(kāi)關(guān)接通，可 將C端接高電壓+5

4、V。此時(shí)T1的柵壓為+5V, vl在0V到+3V的范圍內(nèi)，TN 導(dǎo)通。同時(shí)T2的棚壓為-5V，vl在2V到+5V的范圍內(nèi)T2將導(dǎo)通。由上分析可知，當(dāng) vl v +3V時(shí)，僅有T1導(dǎo)通，而當(dāng)vl > +3V時(shí)，僅有T2 導(dǎo)通當(dāng)vl在2V到+3V的范圍內(nèi)，T1和T2兩管均導(dǎo)通。進(jìn)一步分析還可看 到，一管導(dǎo)通的程度愈深，另一管的導(dǎo)通程度則相應(yīng)地減小。換句話說(shuō)， 當(dāng)一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加。由于兩管系并聯(lián)運(yùn) 行，可近似地認(rèn)為幵關(guān)的導(dǎo)通電阻近似為一常數(shù)。這是CMO傳輸出門(mén)的優(yōu)點(diǎn)。1.2 CMOS!非門(mén)圖 2 與非門(mén)的結(jié)構(gòu)圖原理：CMOS!非門(mén)的組成如上圖所示，其工作原理如下：A

5、=0 ，B=0 時(shí)，T1、T2 并聯(lián)(ON，T3、T4 串聯(lián)(OFF，輸出 丫=1。A=0 ，B=1 時(shí)，T1 (OFF)，T2 (ON，T4 (ON，T3 (OFF)，輸出 Y=1。A=1，B=0 時(shí)，T1 (ON，T2 (OFF, T3 (ON，T4 (OFF)，輸出 Y=1。A=1，B=1 時(shí)，T1、T2 并聯(lián)(OFF，T3、T4 串聯(lián)(ON，輸出 Y=0。因此構(gòu)成與非的關(guān)系。1.3 總體電路圖 3 D 觸發(fā)器結(jié)構(gòu)圖原理：當(dāng)CP的上升沿到達(dá)(即CP'跳變?yōu)?,CP下降為0)時(shí),TG1截 止,TG2導(dǎo)通，切斷了 D信號(hào)的輸入,由于G1的輸入電容存儲(chǔ)效應(yīng)，G1輸入端 電壓不會(huì)立即消失

6、,于是Q、Q'在TG1截止前的狀態(tài)被保存下來(lái)；同時(shí)由 于TG3導(dǎo)通、TG4截止,主觸發(fā)器的狀態(tài)通過(guò) TG3和G3送到了輸出端,使 Q=Q二D（CP上升沿到達(dá)時(shí)D的狀態(tài)）,而Q=Q =Do在CP =1,CP ' =0期間,Q=Q =D,Q=Q =D的狀態(tài)一直不會(huì)改變,直到 CP下降沿到達(dá)時(shí)（即CP跳變?yōu)镺,CP '跳變?yōu)?）,TG2、TG3又截止,TG1、 TG4又導(dǎo)通,主觸發(fā)器又幵始接收 D端新數(shù)據(jù),從觸發(fā)器維持已轉(zhuǎn)換后的狀 態(tài)?？梢?jiàn)，這種觸發(fā)器的動(dòng)作特點(diǎn)是輸出端的狀態(tài)轉(zhuǎn)換發(fā)生在CP的上升沿,而且觸發(fā)器所保持的狀態(tài)僅僅取決于CP上升沿到達(dá)時(shí)的輸入狀態(tài)。正因?yàn)橛|發(fā)器輸出端

7、狀態(tài)的轉(zhuǎn)換發(fā)生在CP的上升沿（即CP的上升沿）,所以這是一個(gè)CP上升沿觸發(fā)的邊沿觸發(fā)器,CP上升沿為有效觸發(fā)沿,或稱CP 上升沿為有效沿（下降沿為無(wú)效沿）。若將四個(gè)傳輸門(mén)的控制信號(hào)CP和CP極性都換成相反的狀態(tài)，則CP下降沿為有效沿，而上升沿為無(wú)效沿。2. CMO構(gòu)成的D觸發(fā)器工作原理仿真圖4仿真原理圖圖5仿真圖3. 寫(xiě)出特征方程，畫(huà)出特征表，激勵(lì)表與狀態(tài)圖3.1特征方程臂礙,D3.2特征表表1特征表CP DX X00 113.3激勵(lì)表表2激勵(lì)表QnQn+1D0 00111001113.4狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖圖6D觸發(fā)器狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖4. 激勵(lì)信號(hào)D勺保持時(shí)間和時(shí)鐘CF的最大頻率概念：平均傳輸延遲時(shí)間平均傳

8、輸延遲時(shí)間是表示門(mén)電路開(kāi)關(guān)速度的參數(shù)，它是指門(mén)電路在輸入脈沖波形的作用下，輸出波形相對(duì)于輸入波形延遲了多少時(shí)間。圖7門(mén)電路傳輸延遲時(shí)間導(dǎo)通延遲時(shí)間tPHL :輸入波形上升沿的50%畐值處到輸出波形下降沿 50%幅值處所需要 的時(shí)間。截止延遲時(shí)間tPLH:從輸入波形下降沿50%幅值處到輸出波形上升沿 50%幅值處所 需要的時(shí)間。平均傳輸延遲時(shí)間 tpd :四個(gè)傳輸門(mén)（TQ t具I有傳輸延遲牡tpd ）,五個(gè)反相器（G）也具有傳 輸延遲（tpdl ）,并且傳輸門(mén)（tG）在導(dǎo)通和截止轉(zhuǎn)換時(shí)會(huì)存在延遲（tpd 2）。_當(dāng)CP二時(shí),TG1導(dǎo)通,TG2截止,D端輸入信號(hào)送人主觸發(fā)器中，使Q2= ,Q3=

9、D,但這時(shí)主觸發(fā)器尚未形成反饋連接，不能自行保持。Q2 Q3艮隨輸入端D 端的狀態(tài)變化；由于TG1和G1存在傳輸延遲設(shè)二者總的延遲時(shí)間為T(mén)su，如果D在CP由 1跳變?yōu)?前小于Tsu時(shí)間內(nèi)發(fā)生跳變.，則跳變后的信號(hào).由于 在傳輸過(guò)程中的延時(shí)Tsu無(wú)法在CP跳變前傳送到Q2,而此時(shí)CP跳變完成，T G3導(dǎo)通TG4截止，Q2的狀態(tài).會(huì)通過(guò)TG3傳送到從觸發(fā)器中（Q4）,從而通 過(guò)G3專(zhuān)到了輸出端。這時(shí)，由于 TG1已經(jīng)截止，而且跳變:.沒(méi)有傳送到Q2, 所以也不會(huì)有電容電壓保持,所以.就會(huì)衰弱消失，也阻止了其進(jìn)入 TG 3干擾輸出端的可能。所以，輸入信號(hào)D只有在CF跳變之前>Tsu的時(shí)間里準(zhǔn)

10、備好，觸發(fā)器才能 將數(shù)據(jù)鎖存到Q輸出端口，Tus也就是所說(shuō)的能夠保證信號(hào)的建立時(shí)間由于傳輸門(mén)TG由具有延時(shí)效應(yīng)的MO管和負(fù)載電容CL勾成，所以在導(dǎo) 通和截止時(shí)會(huì)存在延時(shí)tpd2。設(shè)tpd2為狀態(tài)轉(zhuǎn)換延遲,T2為信號(hào)傳輸延遲。將兩者進(jìn)行比較，得出兩種情況:（1）當(dāng)T2>tpd2時(shí)，不需有維持信號(hào)時(shí)間。分析：我們不妨以極限的思想討論，tpd無(wú)限小，T2正常延遲數(shù)量級(jí)。此時(shí)TG1相當(dāng)于理想開(kāi)關(guān)，當(dāng)時(shí)鐘下降沿時(shí)瞬間關(guān)閉。因此此后的輸入端 D的狀態(tài)變化不可能傳到Q1，更不可能影響到后續(xù)的信號(hào)傳輸。（2） 當(dāng)T2<tpd2時(shí)，信號(hào)輸入維持時(shí)間為：tpd2-T2.分析：當(dāng)信號(hào)輸入端D在CP由 1

11、跳變?yōu)?后，如果在某個(gè)時(shí)間（此時(shí)暫 不限定具體時(shí)間段）經(jīng)過(guò) TG專(zhuān)入到Q1 后，會(huì)通過(guò)G們傳送到Q2或者反饋 電路Q1-TG2-G2-Q2 （此時(shí)TG2可能會(huì)已經(jīng)導(dǎo)通，具體情況后續(xù)會(huì)詳細(xì)分析） 傳送到Q2,進(jìn)而影響到Q3和輸出端的狀態(tài)，使之出現(xiàn)振蕩?，F(xiàn)在我們討論能使D得突變信號(hào)干擾到輸出端的具體時(shí)間段數(shù)值。由 于狀態(tài)轉(zhuǎn)換延遲時(shí)間為tpd2，傳輸時(shí)間為T(mén)2,只需在D跳變信號(hào)沒(méi)有在TG1 開(kāi)關(guān)截止前傳輸?shù)絈1即可，也就是說(shuō)，D跳變信號(hào)如果在TG確定截止后仍 沒(méi)傳送到Q1,就不會(huì)對(duì)后續(xù)信號(hào)造成影響。那么需要的保持時(shí)間T=tpd2-T2。進(jìn)一步解釋就是，如果信號(hào)D在CP下降沿后T的時(shí)間段內(nèi)發(fā)生了跳變，

12、那么跳變的信號(hào)一.就會(huì)干擾到后面的信號(hào)。圖8 D觸發(fā)器波形圖1信號(hào)保持時(shí)間CP=0寸，信號(hào)經(jīng)過(guò)TG1和一個(gè)非門(mén)到達(dá)TG3的輸入端，需要兩個(gè)延遲時(shí)間，即2tpd，同時(shí)經(jīng)過(guò)一個(gè)非門(mén)到達(dá) TG2又需一個(gè)延時(shí)時(shí)間，即1tpd，因而信號(hào)的保持時(shí)間thold = 2tpd + tpd = 3tpd 。2. CP頻率要求當(dāng)CP從0變?yōu)?的上升沿時(shí)刻，TG3和TG2導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)器1將輸入信號(hào)D保存下來(lái)，并且 經(jīng)過(guò)兩個(gè)延時(shí)時(shí)間，即 2tpd，信號(hào)經(jīng)過(guò)TG3和非門(mén)到達(dá)輸出端，tout = 2tpd 。由信號(hào)的 保持時(shí)間和輸出時(shí)延可得，時(shí)鐘 CP勺高低電平保持時(shí)間須分別滿足以下條件：tCPL > thold

13、 = 3tpdtCPH > tout = 3tpd則：TCP = tCPL + tCPH > 6tpdfCP w 1 / 6tpd5將設(shè)計(jì)的D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成JK觸發(fā)器和T觸發(fā)器5.1 D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成JK觸發(fā)器D觸發(fā)器的狀態(tài)方程是：Q*=Djk觸發(fā)器的狀態(tài)方程是：Q*=JQ'+K'Q。讓兩式相等可得：D=JQ'+K'Q。用門(mén)電路實(shí)現(xiàn)上述函數(shù)即可轉(zhuǎn)換成為jk觸發(fā)器圖9 D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換JK觸發(fā)器電路圖5.2 D觸發(fā)器轉(zhuǎn)成T觸發(fā)器圖10 D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換稱T觸發(fā)器電路圖6. CMO構(gòu)成的D觸發(fā)器與TTL構(gòu)成的D觸發(fā)器比較常用的TTL型雙D觸發(fā)器74LS74引腳功能如

14、圖8所示，CM0型雙D觸發(fā) 器CC4013引腳功能如圖9所示圖8 74LS74引腳功能74LS47和74HC47都是雙D觸發(fā)器，其功能比較的多，可用作寄存器，移位寄存器，振蕩器，單穩(wěn)態(tài)，分頻計(jì)數(shù)器等功能。不同的是74LS74是由TTL門(mén)電路構(gòu)成而74HC74是由CMOS 門(mén)電路構(gòu)成，下面我將分析比較兩塊芯片的功能。下面以TTL電路:74LS74芯片和CMO電路:74HC74芯片為例，討論TTL以及CMO電路的特 點(diǎn),進(jìn)而分析好壞。為了比較方便，參數(shù)均采用額定參數(shù).具體參數(shù)見(jiàn)表3所示.表3 74LS74, 74HC74部分參數(shù)對(duì)照表74LS7474HC74功耗P (mW20.004傳輸延遲Tpd

15、(ns)19 ns17 nsTplh(ns)1320Tphl(ns)2520Tsu(ns)2016Th(ns)53.0TAC)0-70-4085二者比較分析：1. 靜態(tài)功耗CMO集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng) 效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為 零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMO電路尚有微量靜態(tài)功耗。根據(jù)上表的數(shù)據(jù)可知，74HC74E片的靜態(tài)功耗為0.004mw。同時(shí)74LS74芯片通過(guò)提高 電路中個(gè)電阻的阻值，改變電阻的連接方向，降低了功耗。通過(guò)上表參數(shù) 可知，74LS74勺功耗為20mw兩者相比較，雖然功耗都非常低，接近于0,但是CM

16、O集成電路74HC74E片的靜態(tài)功耗更低，兩個(gè)相差四個(gè)數(shù)量級(jí)。2. 工作電壓范圍CMO集成電路供電簡(jiǎn)單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。由上表 可知,74HC74芯片的供電電源范圍為2-6V,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于74LS74芯片的供電電 源范圍 4.75-5.35V。3. 邏輯擺幅CMOS成電路的邏輯高電平"1"、邏輯低電平"0"分別接近于電源高電 位VD及電源低電位VSS由上表可知，輸出電壓Uout為-0.5 -VCC + 0.5,當(dāng)VDD=6V VSS=0V時(shí)，輸出邏輯擺幅近似7V。而74LS74芯片的輸出電壓 擺幅為(3.5-0.35)V=3.15V 。因此，

17、CMOS成電路74HC7芯片的邏輯擺幅 比TTL集成電路的74LS74大，似的電源電壓得到了充分的利用。4. 抗干擾能力CMC的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL則相差小，抗干擾能力差。根據(jù)上表中的參數(shù)可知，74HC74芯片的高低電平差距為7V,74LS74 芯片的高低電平差距為3.15V.所以可知74HC74E片的抗干擾能力更強(qiáng)根 據(jù)上表的參數(shù)無(wú)法計(jì)算出電壓噪聲容限 , 所以只能利用典型值進(jìn)行定性分 析.CMOS!成電路的電壓噪聲容限的典型值為電源電壓的45%保證值為電源電壓的 30%。隨著電源電壓的增加，噪聲容限電壓的絕對(duì)值將成比例增 加。對(duì)于VDD=15的供電電壓（當(dāng)VSS=0V

18、時(shí)），電路將有7V左右的噪聲容限.5. 扇出系數(shù)扇出能力是用電路輸出端所能帶動(dòng)的輸入端數(shù)來(lái)表示的。由于CMC集成電路的輸入阻抗極高，因此電路的輸出能力受輸入電容的限制，但是， 當(dāng)CMO集成電路用來(lái)驅(qū)動(dòng)同類(lèi)型，如不考慮速度，一般可以驅(qū)動(dòng)50個(gè)以上的輸入端 .通常門(mén)的驅(qū)動(dòng)能力由前級(jí)門(mén)輸出的高低電平，輸出的驅(qū)動(dòng)電流及后級(jí) 門(mén)的輸入電流等參數(shù)決定。當(dāng)兩個(gè)電路驅(qū)動(dòng)同類(lèi)型的電路時(shí)，CMO電路的驅(qū)動(dòng)能力比TTL電路強(qiáng)得多。但是，靜態(tài)情況下估算出的 CMOS扇出系數(shù) 往往很大，實(shí)際使用時(shí)考慮到門(mén)電路的輸入電容等因素的影響，電路中的 充、放電將直接影響到信號(hào)的傳輸速度。因此，在信號(hào)的頻率較高時(shí)，CMOS6路的扇

19、出系數(shù)一般取1020左右。用CMO驅(qū)動(dòng)CMOS時(shí)通常不考慮扇 出系數(shù)。用CMO直接驅(qū)動(dòng)TTL門(mén)肘，通常一個(gè)只能驅(qū)動(dòng)一個(gè)。6. 集成度，溫度穩(wěn)定性能由于CMO集成電路的功耗很低，內(nèi)部發(fā)熱量少，所以集成度可大大提 高。而且，CMO電路線路結(jié)構(gòu)和電氣參數(shù)都具有對(duì)稱性，在溫度環(huán)境發(fā)生 變化時(shí)，某些參數(shù)能起到自動(dòng)補(bǔ)償作用，因而CMO集成電路的溫度特性非常好。由上表可知74HC7的工作溫度范圍為-4085 C，而74LS74的工作溫 度范圍是0-70 C。因此，CMO集成電路74HC74芯片的溫度穩(wěn)定性能相比于 CMO集成電路74HC74E片更好，同時(shí)集成度也更高。？?？7. 傳輸時(shí)間根據(jù)上表的參數(shù)可知，

20、CMO集成電路74HC7芯片的傳輸延遲時(shí)間為17 ns，TTL集成電路的74LS74芯片的延遲時(shí)間為19ns，兩者傳輸延遲時(shí)間同 一數(shù)量級(jí)，大小幾乎相等，傳輸時(shí)間都很短，傳輸速度快。TTL電路以雙極型晶體管為開(kāi)關(guān)元件，所以又稱雙極型集成電路。雙極型數(shù)字集成電路 是利用電子和空穴兩種不同極性的載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的器件。 它具有速度高 （開(kāi)關(guān)速度快） 、 驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，但其功耗較大，集成度相對(duì)較低。TTL電路以雙極型晶體管為開(kāi)關(guān)元件， 所以又稱雙極型集成電路。 雙極型數(shù)字集成電路是利用電子和空穴兩種不同極性的載流子進(jìn) 行電傳導(dǎo)的器件。它具有速度高（開(kāi)關(guān)速度快） 、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，但其功耗較大，

21、集成 度相對(duì)較低。MO電路又稱場(chǎng)效應(yīng)集成電路，屬于單極型數(shù)字集成電路。單極型數(shù)字集成電路中只利 用一種極性的載流子（電子或空穴）進(jìn)行電傳導(dǎo)。它的主要優(yōu)點(diǎn)是輸入阻抗高、功耗低、抗 干擾能力強(qiáng)且適合大規(guī)模集成。CMO與TTL電路相互比較：1) TTL電路是電流控制器件，而 CMO電路是電壓控制器件。2) TTL電路的速度快，傳輸延遲時(shí)間短 (5-10ns)，但是功耗大。COM電路的速度慢，傳輸延遲時(shí)間長(zhǎng)(25-50ns),但功耗低。COM電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān)，頻率越高，芯片集越熱，這是正常現(xiàn)象。3) 由于CMO集成電路的功耗很低，內(nèi)部發(fā)熱量少，而且，CMO電路線路結(jié)構(gòu)和電氣參 數(shù)

22、都具有對(duì)稱性，在溫度環(huán)境發(fā)生變化時(shí)， 某些參數(shù)能起到自動(dòng)補(bǔ)償作用， 因而CMO集成電 路的溫度特性非常好。 一般陶瓷金屬封裝的電路， 工作溫度為-55 +125 C；塑料封裝的電 路工作溫度范圍為-45 +85 C。4) CMOS電路是電壓控制器件， 輸入電阻極大，對(duì)于干擾信號(hào)十分敏感， 因此不用的輸入端不應(yīng)開(kāi)路，接到地或者電源上。CMO電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小。7.CMOS D觸發(fā)器的應(yīng)用一一CD4013觸摸開(kāi)關(guān)M為觸摸電極片，手指摸一下M使人體泄漏的交流電在 R4上的壓降， 其正半周信號(hào)進(jìn)入IC1的第3腳即單穩(wěn)態(tài)電路的 CP端，使單穩(wěn)態(tài)電路反 轉(zhuǎn)進(jìn)入瞬時(shí)，其輸出端 Q即1腳由

23、原來(lái)的低電位跳變?yōu)楦唠娢?，此高電?經(jīng)R1向C2充電，使4腳即R1端的電位上升，當(dāng)上升到復(fù)位電位時(shí)，單 穩(wěn)態(tài)電路復(fù)位， 1 腳恢復(fù)低電位。所以每觸摸一次電極片 M， 1 腳就輸出一 個(gè)固定寬度的正脈波。此正脈波將直接加到11腳即雙穩(wěn)態(tài)電路的CP端，使雙穩(wěn)態(tài)電路反轉(zhuǎn)一次，其輸出端 Q即13腳電位就改變一次。當(dāng)13腳為 高電位時(shí)， Q1 的基極透過(guò) R2 獲得正向電流而開(kāi)通，使繼電器動(dòng)作，進(jìn)而 以它的接點(diǎn)來(lái)做控制。由此可見(jiàn)，每觸摸一次電極片M就能實(shí)現(xiàn)繼電器“開(kāi)”或“關(guān)”的動(dòng)作。圖 10 CD4013 觸摸開(kāi)關(guān)電路原理圖8. 總結(jié)總結(jié)：在撰寫(xiě)數(shù)電研討論文的過(guò)程，學(xué)生逐字推敲，精益求精，力求使整個(gè)論文

24、思路清晰，文筆簡(jiǎn)潔，格式正確，講解透徹而不累贅，希望通過(guò)這篇論文對(duì)自己的數(shù)電研討成果做一個(gè)階段性的總結(jié)，同時(shí)加深自己對(duì)相關(guān)知識(shí)的理解。在撰寫(xiě)這篇研討時(shí)，我查閱很多資料，對(duì) D觸發(fā)器進(jìn)行了充分的原理，對(duì)書(shū)本上有關(guān)CMOS!路和TTL電路進(jìn)行了復(fù)習(xí)。與此同時(shí)，我瀏覽了很多課外文獻(xiàn)，發(fā)現(xiàn)了一片更廣闊的天空，閱讀大家的思想可以讓自己有巨大的收獲！通篇來(lái)看，本文：1. 注重理論知識(shí)與實(shí)際的聯(lián)系。在研究D 觸發(fā)器理論的同時(shí)，對(duì)實(shí)際芯片74HC74與74LS74相比較，從功耗、抗干擾能力等方面進(jìn)行對(duì)比分析，既在理論方 面上對(duì) D 觸發(fā)器進(jìn)行了掌握，也在實(shí)際方面對(duì) D 觸發(fā)器的應(yīng)用有了些許了解。2. 注重哲學(xué)思想（從局部到整體，再?gòu)恼w到局部，辨證思想）的運(yùn)用。哲學(xué)是知識(shí)中的知識(shí)，首先應(yīng)用局部到整體的思想，分析構(gòu)成D 觸發(fā)器的門(mén)電路 : 傳輸門(mén)和與非門(mén)，再?gòu)恼w到局部分析其性能。緊接著用辯證的思想對(duì)74HC74 和74LS74 進(jìn)行分析，分析其優(yōu)缺點(diǎn)。3. 注意對(duì)軟件的應(yīng)用。在撰寫(xiě)這篇論文時(shí)，我用multisim 進(jìn)行仿真，在利用multisam 仿真軟件的過(guò)程中， 不斷的