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文檔簡介

1、2-10 已知電荷密度為及的兩塊無限大面電荷分別位于x = 0及x = 1平面,試求及區(qū)域中的電場強度。解 無限大平面電荷產(chǎn)生的場強分布一定是均勻的,其電場方向垂直于無限大平面,且分別指向兩側(cè)。因此,位于x = 0平面內(nèi)的無限大面電荷,在x < 0區(qū)域中產(chǎn)生的電場強度,在x > 0區(qū)域中產(chǎn)生的電場強度。位于x = 1平面內(nèi)的無限大面電荷,在x < 1區(qū)域中產(chǎn)生的電場強度,在x > 1區(qū)域中產(chǎn)生的電場強度。由電場強度法向邊界條件獲知,即由此求得根據(jù)疊加定理,各區(qū)域中的電場強度應(yīng)為2-11 若在球坐標系中,電荷分布函數(shù)為試求及區(qū)域中的電通密度。解 作一個半徑為r的球面為高斯

2、面,由對稱性可知式中q為閉合面S包圍的電荷。那么在區(qū)域中,由于q = 0,因此D = 0。在區(qū)域中,閉合面S包圍的電荷量為因此,在區(qū)域中,閉合面S包圍的電荷量為因此,2-12 若帶電球的內(nèi)外區(qū)域中的電場強度為試求球內(nèi)外各點的電位。解 在區(qū)域中,電位為在區(qū)域中,2-13 已知圓球坐標系中空間電場分布函數(shù)為試求空間的電荷密度。解 利用高斯定理的微分形式,得知在球坐標系中那么,在區(qū)域中電荷密度為在區(qū)域中電荷密度為2-14 已知真空中的電荷分布函數(shù)為式中r為球坐標系中的半徑,試求空間各點的電場強度。解 由于電荷分布具有球?qū)ΨQ性,取球面為高斯面,那么根據(jù)高斯定理在區(qū)域中在區(qū)域中2-15 已知空間電場強度

3、,試求(0,0,0)與(1,1,2)兩點間的電位差。解設(shè)P1點的坐標為(0,0,0,), P2點的坐標為(1,1,2,),那么,兩點間的電位差為式中,因此電位差為2-16 已知同軸圓柱電容器的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a,外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為b。若填充介質(zhì)的相對介電常數(shù)。試求在外導(dǎo)體尺寸不變的情況下,為了獲得最高耐壓,內(nèi)外導(dǎo)體半徑之比。解 已知若同軸線單位長度內(nèi)的電荷量為q1,則同軸線內(nèi)電場強度。為了使同軸線獲得最高耐壓,應(yīng)在保持內(nèi)外導(dǎo)體之間的電位差V不變的情況下,使同軸線內(nèi)最大的電場強度達到最小值,即應(yīng)使內(nèi)導(dǎo)體表面處的電場強度達到最小值。因為同軸線單位長度內(nèi)的電容為則同軸線內(nèi)導(dǎo)體表面處電場強度為令b不變,以比

4、值為變量,對上式求極值,獲知當比值時,取得最小值,即同軸線獲得最高耐壓。2-17 若在一個電荷密度為,半徑為a的均勻帶電球中,存在一個半徑為b的球形空腔,空腔中心與帶電球中心的間距為d,試求空腔中的電場強度。習題圖2-17obaPrdr¢o¢解 此題可利用高斯定理和疊加原理求解。首先設(shè)半徑為的整個球內(nèi)充滿電荷密度為的電荷,則球內(nèi)點的電場強度為式中是由球心o點指向點的位置矢量, 再設(shè)半徑為的球腔內(nèi)充滿電荷密度為的電荷,則其在球內(nèi)點的電場強度為式中是由腔心點指向點的位置矢量。那么,合成電場強度即是原先空腔內(nèi)任一點的電場強度,即式中是由球心o點指向腔心點的位置矢量??梢姡涨粌?nèi)的

5、電場是均勻的。2-19 已知內(nèi)半徑為a,外半徑為b的均勻介質(zhì)球殼的介電常數(shù)為,若在球心放置一個電量為q的點電荷,試求:介質(zhì)殼內(nèi)外表面上的束縛電荷;各區(qū)域中的電場強度。解 先求各區(qū)域中的電場強度。根據(jù)介質(zhì)中高斯定理在區(qū)域中,電場強度為在區(qū)域中,電場強度為在區(qū)域中,電場強度為再求介質(zhì)殼內(nèi)外表面上的束縛電荷。由于,則介質(zhì)殼內(nèi)表面上束縛電荷面密度為外表面上束縛電荷面密度為2-20 將一塊無限大的厚度為d的介質(zhì)板放在均勻電場中,周圍媒質(zhì)為真空。已知介質(zhì)板的介電常數(shù)為,均勻電場的方向與介質(zhì)板法線的夾角為,如習題圖2-20所示。當介質(zhì)板中的電場線方向時,試求角度及介質(zhì)表面的束縛電荷面密度。Eedq1q 1q2q2e0e0E習題圖2-20E2en2en1解 根據(jù)兩種介質(zhì)的邊界條件獲知,邊

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