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文檔簡介

1、山東大學(xué)碩士學(xué)位論文MgZnO:Al透明導(dǎo)電膜的制備與特性研究姓名:王永利申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):微電子與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:馬瑾20070430 山東大學(xué)碩士學(xué)位論文:0.92以,tJ。瓦i而 山東大學(xué)碩士學(xué)位論文33濺射功率對MgZnO:Al薄膜特性的影響實(shí)驗(yàn)條件為:濺射氣壓固定為ZOPa,襯底溫度為室溫,濺射時間為30min,濺射功率分別設(shè)置為:踟w、lw、120w和140W。研究濺射功率對M甑1砜.90:Al 薄膜的結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)的影響。 33.1薄膜的結(jié)構(gòu)特性 山東大學(xué)碩士學(xué)位論文 山東大學(xué)碩士學(xué)位論文 (a130"C180"C(c230"C 山東

2、大學(xué)碩士學(xué)位論文 (a130"C180"C(c230"Csubswate啪ture:(a130"C秭180"C(c230"C3.42薄膜的電學(xué)特性 山東大學(xué)碩士學(xué)位論文3.5退火處理對MgZnO:Al薄膜特性的影響 山東大學(xué)碩士學(xué)位論文 (a:200"C O250"C(c300"C(d400"Ctemperature:國200"C250"C(c300"C(d400 山東丈學(xué)碩士學(xué)位論文 (a200"(2Co250(c300"(2(d400temperature:(a200"C Co250"(2(c300"C(d4001礦101function of annealing temperature睜心們驢1111 Mg

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