單晶斷棱的原因及采取的措施ppt課件

1、斷棱的緣由及采取的措施 斷棱的緣由及采取的措施n斷棱的緣由：nA：極限真空、漏氣率達(dá)不到要求nB：設(shè)備缺點(diǎn)nC：縮頸位錯(cuò)排除不干凈nD：吃渣nE：操作不當(dāng)nF：熱場(chǎng)梯度不適宜極限真空、漏氣率達(dá)不到要求n緣由：n1.存在僥幸心思。n采取措施：嚴(yán)厲執(zhí)行工藝條件n2.密封清理不干凈n采取措施：重新清理密封n3.泵油沒(méi)及時(shí)改換；過(guò)濾網(wǎng)沒(méi)有清掃n采取措施：改換泵油n4.其它緣由，請(qǐng)維修部檢修設(shè)備缺點(diǎn)n機(jī)械缺點(diǎn)n液面震動(dòng)；堝升不適宜等。n電器缺點(diǎn)n拉速不穩(wěn)；晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)不穩(wěn)；歐陸有自動(dòng)升降溫景象等。n采取措施：找維修人員維修縮頸位錯(cuò)排除不干凈n引晶的目的：引入一定向晶核，對(duì)于我公司的產(chǎn)品型號(hào)是P型，晶向是n

2、縮頸的目的：引出的單晶存在著大量的位錯(cuò)，經(jīng)過(guò)縮細(xì)頸可有效地排除位錯(cuò)，保證無(wú)位錯(cuò)單晶的生長(zhǎng)。如何引晶、縮細(xì)頸n引晶n1.保證籽晶無(wú)氧化、外表干凈n2.熔硅時(shí)使籽晶遠(yuǎn)離高溫區(qū)，防止籽晶污染和新的位錯(cuò)產(chǎn)生。n3.多晶硅熔完后，籽晶下降到離液面1020毫米，烘510分鐘，使籽晶溫度接近熔硅溫度。n4.調(diào)整液面溫度，待溫度適宜時(shí)，籽晶點(diǎn)入熔體5毫米左右，停留穩(wěn)定至少10分鐘，讓其充分熔接。如何引晶、縮細(xì)頸n縮細(xì)頸n待溫度適宜時(shí)，逐漸上提拉速引出一段晶體，確認(rèn)是要求的晶向，并且是單晶開(kāi)場(chǎng)縮頸。n縮頸的要求：n1.拉速2.54.0毫米/分最好n2.細(xì)頸的直徑2.54.5毫米n3.細(xì)頸的長(zhǎng)度100毫米以上n4

3、.縮頸時(shí)位錯(cuò)排除不徹底，放肩時(shí)到轉(zhuǎn)肩200毫米時(shí)會(huì)斷棱，由于位錯(cuò)會(huì)擴(kuò)張長(zhǎng)大。n5.熔硅溫度的起伏和縮頸速率的起伏，均會(huì)產(chǎn)生新的位錯(cuò) 吃渣n當(dāng)晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中遇到外來(lái)的渣點(diǎn)原來(lái)生長(zhǎng)的單晶的晶格將被破壞，使原來(lái)的單晶變?yōu)槎嗑?，?duì)于晶向即所謂的斷棱。n渣點(diǎn)的來(lái)源n 1.原料內(nèi)存在的石英、石墨及多晶料殘留的水痕、酸痕。n 2.爐室清掃的不干凈，殘留的渣點(diǎn)落入液面呵斥斷棱。n 3.導(dǎo)流筒內(nèi)外外表清掃的不干凈，殘留的渣點(diǎn)落入液面呵斥斷棱。n 4.氬氣不純、漏氣、漏水生成的SiOn 5.抽氣速率低生成的揮發(fā)物排除的不及時(shí)。 防止吃渣采取的措施n1.裝料時(shí)要仔細(xì)檢查原料能否有石英、石墨，盡量防止熔硅時(shí)的搭橋、掛邊，檢查原料能否清洗干凈。n2.爐室及導(dǎo)流筒的內(nèi)、外外表必需清掃干凈，必要時(shí)要用沙紙把外表過(guò)多的揮發(fā)物要進(jìn)展清理。n3.嚴(yán)厲按操作工藝要求操作，仔細(xì)檢查爐臺(tái)各部分的密封，并按工藝要求進(jìn)展清理。n4.對(duì)于抽氣率、漏氣率要嚴(yán)厲按工藝要求執(zhí)行。n5.仔細(xì)察看拉晶過(guò)程中爐內(nèi)的運(yùn)轉(zhuǎn)情況，并做好記錄，存在的問(wèn)題要及時(shí)處置。n6.必要時(shí)要掉出一部分料沾出一些渣點(diǎn)，高溫?fù)]發(fā)一段時(shí)間 操作不當(dāng)n1.引晶、縮頸位錯(cuò)排除的不徹底n2.放肩速度不適宜，溫度、拉速控制不當(dāng)n3.轉(zhuǎn)肩沒(méi)有掌握要領(lǐng)n4.裝爐檢