指出下列各原子軌道相應(yīng)的主數(shù)n及角量子數(shù)l的數(shù)值是多

1、第5章 習(xí) 題1. 指出下列各原子軌道相應(yīng)的主數(shù)n及角量子數(shù)的數(shù)值是多少？軌道數(shù)分別是多少？2p 3d 4s 4f 5s2. 當主量子數(shù)n=4時，可能有多少條原子軌道？分別用表示出來。電子可能處于多少種運動狀態(tài)（考慮自旋在內(nèi)）？3. 將下列軌道上的電子填上允許的量子數(shù)。（1）n ，=2，ms=±（2）n=2， ，m=0，ms=±（3）n=4，=2，m= ，ms= -（4）n=3，=2，m=2，ms= （5）n=2， ，m=，ms= -（6）n=5，=0，m= ，ms= +4填上n，m，ms等相應(yīng)的量子數(shù)：量子數(shù) 確定多電子原子軌道能量E的大??；的函數(shù)式則是由量子數(shù) 所確定；

2、確定核外電子運動的量子數(shù)是 ；原子軌道或電子去的角度分布圖的不同情況決定于量子數(shù) 。5. 按近代量子力學(xué)的觀點，核外電子運動的特征是 。A具有波粒二象性。B可以用2表示電子在核外出現(xiàn)的幾率。C原子軌道的能量是不連續(xù)變化的。D電子的運動軌跡可以用的圖像表示。6電子云的角度分布圖是 。A波函數(shù)在空間分布的圖形。B波函數(shù)2在空間分布的圖形。C波函數(shù)徑向部分R(r)隨r變化的圖形。D波函數(shù)角度部分的平方Y(jié)2（）隨變化的圖形。7下列說法是否正確？應(yīng)如何改正？（1）s電子繞核旋轉(zhuǎn)，其軌道為一圓圈，p電子是走8字形。（2）主量子數(shù)為1時，有自旋相反的兩條軌道。（3）主量子數(shù)為3時，有3s，3p，3d，3f四

3、條軌道。（4）主量子數(shù)為4時，軌道總數(shù)為16，電子層最多可容納32個電子。8某原子的最外層電子的最大主量子數(shù)為4時 。A僅有s電子。B有s和p電子。C有s，p和d電子。D有s，p，d和f電子。9某元素有6個電子處于n=3，l =2的能級上，推測該元素的原子序為 ，根據(jù)洪特規(guī)則在d軌道上有 個未成對電子，它的電子分布式為 。10填充下表原子序電子分布式外層電子分布式第幾周期第幾族哪一區(qū)金屬或非金屬53       1s22s22p63s23p6       

4、3d54s1       六I B   14比較下列各組元素的原子半徑大小，用>，<， 等符號表示。ANa和Mg； BK和V；CLi和Rb； DMo和W；ES和Cl16計算作用在Na、Si、Cl三種元素原子的最外層某一個電子上有效核電荷數(shù)z，并解釋它對元素性質(zhì)的影響。17IA和IB族元素的最外層電子數(shù)都是1，但它們的金屬性強弱卻很不同，試從有效核電荷數(shù)和原子半徑兩方面予以解釋。第5章 習(xí) 題 答 案1. n： 2，3，4，4，5l： 1，2，0，3，0軌道數(shù)： 3，5，1，7，12.

5、 16條子軌道，分別表示如下：，電子可能有32種動態(tài)狀態(tài)。3.（1）3，4，5，（大于2的自然數(shù)） （2）0，1 （3）±2，±1，0 （4）± （5）1 （6）04. n，l；n，l，m；n，l，m，ms；l，m5. A，C6. D7. （1）錯誤。改正為：s電子繞核旋轉(zhuǎn)，原子軌道的角度分布圖為球面，表示在離核等距離的位置電子出現(xiàn)的幾率密度相等；p電子的原子軌道角度分布圖為雙球面。 （2）錯誤。改正為：主量子數(shù)為1時，只有一條1s原子軌道，其上有自旋相反的兩個電子。 （3）錯誤。改正為：主量子數(shù)為3時，可以有3s、3p、3d三種能級的軌道。（4）正確。8. B、

6、C9. 26，4，1s22s22p63p63d64s2原子序電子分布式外層電子構(gòu)型第幾周期第幾族哪一區(qū)金屬或非金屬531s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p55s25p5五VIIAp非金屬181s22s22p63s23p63s23p6三零p非金屬241s22s22p63s23p63d54s13d54s1四VIBds金屬 14. A , >；B, >；C, <；D,(鑭系收縮)；E，>16. 16.        Na：Z=2.20； Si：Z=4.15； Cl：Z=6.10依Na 、Si、 Cl的順序，其Z的數(shù)值依次遞增，三者電子層數(shù)相同，原子半徑遞減。各元素的最外層電子受核的束縛力依次遞增，原子失電子的能力依次減弱。所以三者依Na 、Si、 Cl的順序，金屬性遞減，非金屬性遞增。17. IA族元素的外層電子構(gòu)型為ns1，IB族元素的外層電子構(gòu)型為(n-1)d10ns1。次外層每增加1個電子，有效核電荷數(shù)將增加1-0.85=0.15，所以Z(IB