LTEVOLITEMOS話音質(zhì)量分析

1、1.1.1 無線側(cè)優(yōu)化eNodeB以下主要包含終端、空口及eNodeB的影響，主要定位流程和檢查點(diǎn)如下：Step1：檢查測(cè)試軟件是否調(diào)優(yōu)，最大是是否整體偏低；測(cè)試軟件統(tǒng)計(jì)方面是不是有問題；如果為路測(cè)軟件更換后恢復(fù)，則為路測(cè)軟件問題，需軟件廠家處理；Step2：隔離是否為終端問題，更換測(cè)試設(shè)備進(jìn)行對(duì)比或者更換測(cè)試區(qū)域進(jìn)行對(duì)比，如果更換測(cè)試終端恢復(fù)，則為終端問題；終端問題主要檢查終端軟件版本、終端能力等；如無法確認(rèn)，需找終端廠商確認(rèn)；Step3：空口問題隔離，分析路測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行RSRP、SINR、干擾、異常事件等的核查，如果不能滿足閾值條件，則進(jìn)行空口優(yōu)化處理；Step4：在空口條件無異常的情況下，

2、需要檢查基站狀態(tài)，故障告警信息，基站版本確認(rèn)，參數(shù)配置核查，確認(rèn)是不是為基站問題，如果一切影響因素排查完畢后仍無法恢復(fù)，提單進(jìn)行問題處理；l 終端側(cè)拉網(wǎng)數(shù)據(jù)分析 丟包，點(diǎn)擊Message選項(xiàng)下的IP Key Messages子選項(xiàng)可查看終端收發(fā)RTP包情況其中，Network-UE是指終端收到的網(wǎng)絡(luò)下發(fā)的下行RTP包，若下行sequence number不連續(xù)，則說明網(wǎng)絡(luò)側(cè)有丟包，具體丟包位置需要基站及上層網(wǎng)元同時(shí)排查；UE-Network是指終端發(fā)送到網(wǎng)絡(luò)側(cè)的上行RTP包，若上行sequence number不連續(xù)，說明終端自身有問題： 時(shí)延：端到端時(shí)延是影響交互式語音通信質(zhì)量的最重要因素之

3、一。它必須被控制在一個(gè)合理的值以內(nèi)，否則收聽的一方會(huì)誤認(rèn)為說話的一方還沒有開始講話而開口，但恰好此時(shí)另一方的通話也到了，從而發(fā)生沖突。從經(jīng)驗(yàn)來看，當(dāng)時(shí)延到達(dá)175ms、200ms的區(qū)間范圍內(nèi)時(shí)，MOS會(huì)有一明顯的抖降，后續(xù)隨時(shí)延增加MOS會(huì)持續(xù)維持抖降的過程。 抖動(dòng)：也叫做時(shí)延的變化。是指在一個(gè)IP呼叫過程中所有發(fā)送的數(shù)據(jù)包到達(dá)的時(shí)間差異。當(dāng)一個(gè)數(shù)據(jù)包發(fā)送時(shí)，發(fā)送端在RTP報(bào)文頭上增加一個(gè)時(shí)間戳；當(dāng)在另一端被接收時(shí)，接收端同樣增加另一個(gè)時(shí)間戳；計(jì)算這兩個(gè)時(shí)間戳可以得到這個(gè)數(shù)據(jù)包的通路時(shí)間。l eNodeB：eNodeB數(shù)據(jù)主要通過CELLDT數(shù)據(jù)進(jìn)行上下游隔離分析。 丟包：基站TTI級(jí)跟蹤（C

4、ellDT 138跟蹤）是在基站側(cè)PDCP層部署的跟蹤，能夠檢測(cè)到核心網(wǎng)（S1鏈路）原因?qū)е碌南滦衼G包。比如下圖中，顯示時(shí)間點(diǎn)TTI：4486447到4492787之間，基站從核心網(wǎng)（S1鏈路）收到的數(shù)據(jù)有207個(gè)丟包，RTP SN為0x057a到0x0649。 時(shí)延：UE1（CRNTI:7183）和UE2（CRNTI:6058）互相做VoLTE語音，可以根據(jù)UE1上行數(shù)據(jù)包發(fā)送給核心網(wǎng)的時(shí)間，和UE2再從核心網(wǎng)接收到該數(shù)據(jù)包的時(shí)間之差，來查看核心網(wǎng)的延遲時(shí)間。比如下圖中RTP SN=0x88e5的數(shù)據(jù)包在TTI209191805源側(cè)上行發(fā)送給核心網(wǎng)，在TTI209191809在目的側(cè)下行收到

5、，可以看到核心網(wǎng)的時(shí)延很短，只有4ms。 抖動(dòng)，CellDT 138跟蹤也能夠判斷eNodeB收到核心網(wǎng)（S1鏈路）的包是否有抖動(dòng)。比如下圖中，能夠看到核心網(wǎng)的來包稍有抖動(dòng)。1.2 影響因素和優(yōu)化方法1.2.1 影響因素MOS影響因素多，考慮三網(wǎng)元、兩管道，需要端到端拉通優(yōu)化，無線+承載網(wǎng)性能是影響MOS指標(biāo)的關(guān)鍵因素。具體如下圖所示：兩管道三網(wǎng)元通話中語音包的丟包率、時(shí)延、時(shí)延抖動(dòng)、切換等，會(huì)影響到MOS分。因此，在MOS分析中，需要從這些指標(biāo)方面分析對(duì)MOS影響。語音質(zhì)量端到端各網(wǎng)元影響分析：設(shè)備影響因素終端硬件性能，參數(shù)設(shè)置，軟件限制、測(cè)試軟件影響空口參數(shù)配置，話務(wù)容量受限，覆蓋差，外部

6、干擾，切換異常，版本問題eNodeB參數(shù)配置，工程錯(cuò)誤，基站異常，版本問題承載網(wǎng)參數(shù)配置，容量或能力限制，傳輸質(zhì)量問題CN參數(shù)配置、路由配置1.2.2 終端側(cè)影響l 終端能力: 是否支持VOLTE、SRVCC、終端性能受限、兼容性等問題，導(dǎo)致MOS分問題發(fā)生。l 語音編碼（VoLTE語音業(yè)務(wù)的編碼為終端之間協(xié)商結(jié)果，一般為WB23.85K）目前VoLTE支持的主要語音編碼類型： AMR WB，包括從6.6K23.85K的9種速率； AMR NB：包括從4.75K12.2K的8種速率； G.711編碼：支持64K的PCM碼流。 在覆蓋較好區(qū)域和同等覆蓋情況下（RSRP和SINR水平相當(dāng)），語音編

7、碼速率越高，MOS分越好。但在小區(qū)邊緣和業(yè)務(wù)覆蓋受限點(diǎn)，低編碼速率的語音業(yè)務(wù)魯棒性（健壯性）相對(duì)較好，在覆蓋邊緣的同等覆蓋情況下，語音編碼速率越低，MOS分越好。如下圖所示，當(dāng)Pathloss大于141dB的情況下，12.65k語音MOS比23.85k的要好。核心網(wǎng)是否做編解碼轉(zhuǎn)換。除了語音編碼類型及速率外，語音編解碼次數(shù)也對(duì)語音質(zhì)量有直接的影響，端到端的語音會(huì)經(jīng)過兩次編解碼，一次是在終端上，一次是在核心網(wǎng)。一般情況下，網(wǎng)絡(luò)側(cè)不進(jìn)行編解碼轉(zhuǎn)換從而通過減少一次編解碼來改善語音質(zhì)量。VoLTE與VoLTE用戶互通，SBC不做編解碼轉(zhuǎn)換 l 終端能力 VoLTE 能力查詢。通過分析路測(cè)軟件記錄或者跟

8、蹤消息中的ATTACH Request/TAU Request消息，查看可選信元Voice Domain Preference用于指示語音能力，具體值如下：Bit 位說明2100CS Voice only01IMS PS Voice only10CS voice preferred, IMS PS Voice as secondary11IMS PS voice preferred, CS Voice as secondaryMS not supporting IMS voice shall indicate “CS Voice only”.MS only supporting IMS voi

9、ce shall indicate “IMS PS Voice only”.當(dāng)Voice Domain Preference顯示01或11時(shí)，如果網(wǎng)絡(luò)側(cè)支持VoLTE，終端采用VoLTE方式發(fā)起呼叫。 UE是否支持SRVCC功能查詢通過分析路測(cè)數(shù)據(jù)或者跟蹤消息中UE開機(jī)發(fā)送Attach Request消息，Attach Request消息中攜帶相關(guān)關(guān)鍵信元MS Network Capability中的第21 Bit表示SRVCC to GERAN/UTRAN capability。上接入過程通過查看Initial Context Setup Request中是否攜帶SRVCC operatio

10、n possible信元來排查UE及MME是否支持SRVCC能力。l 語音編碼方式在路測(cè)工具窗口中可以直接看到采用的語音編碼方式，中國移動(dòng)要求為WB AMR 23.85kbit/s編碼方式：1.2.3 空口優(yōu)化空口引入的問題較多，主要為覆蓋和干擾、空口資源、網(wǎng)內(nèi)切換、eSrvcc影響等， 主要影響和優(yōu)化方法如下：1. 覆蓋與SINR覆蓋是影響MOS的最重要因素，弱覆蓋直接影響到語音質(zhì)量。移動(dòng)要求MOS3.5分，對(duì)應(yīng)的覆蓋要求為RSRP-110dbm&SINR0db,在覆蓋達(dá)不到此要求的情況下，MOS無法達(dá)到要求，且覆蓋越好MOS值越高。 根據(jù)多次MOS值拉網(wǎng)分析MOS值隨RSRP變化的分布，如

11、下圖所示，可見RSRP低于-110dBm時(shí)，MOS分惡化較為明顯。根據(jù)多次MOS值拉網(wǎng)分析MOS分隨SINR分布如下圖所示，可見SINR低于0時(shí)，MOS分惡化較為明顯通過分析路測(cè)數(shù)據(jù)的上下行空口誤碼，針對(duì)丟包率高且MOS分低的區(qū)域，首先進(jìn)行覆蓋檢查，滿足下述判斷條件則認(rèn)為網(wǎng)絡(luò)覆蓋差：RSRP分布：RSRP -110dBm，SINR分布差：SINR 60%，就認(rèn)為負(fù)載較高，可能應(yīng)影響語音質(zhì)量。需要進(jìn)行高負(fù)荷場(chǎng)景下的參數(shù)配置核查。 該問題影響范圍為高話務(wù)站點(diǎn)，基于eRan8.1版本解決方案有兩個(gè)：方案一：執(zhí)行VoLTE SR 優(yōu)于數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)SR調(diào)度優(yōu)化參數(shù)，建議整網(wǎng)執(zhí)行：MOD eNBCellRsv

12、dPara: LocalCellId=1-6, RsvdSwPara3=RsvdSwPara3_bit1-1;或者方案二：修改高話務(wù)站點(diǎn)子幀3/8，上下行CCE占比10:1，保證上行調(diào)度CCE充足MOD ENBCELLRSVDPARA:LocalCellId=3,RsvdPara52=10;3. 干擾影響上行干擾直接影響上行丟包，從而影響MOS值。根據(jù)小區(qū)受干擾水平分析MOS值隨小區(qū)每RB平均干擾電平值變化分布如下圖，可見平均每RB干擾電平值大于-105dBm時(shí)，MOS分惡化較為明顯。 查看MOS分低點(diǎn)區(qū)域TOP小區(qū)的上行干擾話統(tǒng)數(shù)據(jù)，如果L.UL.Interference.Avg = -10

13、5dBm，則初步判斷很有可能存在上行干擾； DT測(cè)試log中，查看終端上行發(fā)射功率是否存在大幅提升（表現(xiàn)為整網(wǎng)路測(cè)log的UE發(fā)射功率分布中，滿功率比例明顯增加，例如滿功率比例增加15%以上），并且M2000上的上行接收SINR水平降低。當(dāng)兩者同時(shí)滿足時(shí)，可以斷定存在上行干擾，需要進(jìn)行干擾排查； 4. 切換事件影響 分析路測(cè)數(shù)據(jù)，確認(rèn)低分點(diǎn)評(píng)分周期內(nèi)是否有切換慢、切換頻繁、切換失敗、eSRVCC切換或掉話等，從而確認(rèn)切換是否為導(dǎo)致低分的原因 系統(tǒng)內(nèi)切換過程中對(duì)MOS有影響：系統(tǒng)內(nèi)切換對(duì)MOS值并不一定影響非常大，RSRP較好地方切換MOS值下降0.10.5，而乒乓切換影響較大，MOS值下降0.

14、51.5分。路測(cè)工具間隔10S采集一次MOS值（10S平均值），如果采集到切換過程的MOS，測(cè)試結(jié)果就會(huì)偏低。在分析路測(cè)數(shù)據(jù)時(shí)，需要關(guān)注低MOS區(qū)域是否有切換或者乒乓切換發(fā)生。 切換失敗影響，UE收到切換命令后，啟動(dòng)T304（系統(tǒng)內(nèi)500ms；到GERAN8000ms），定時(shí)器超時(shí)，仍然沒有完成切換，UE側(cè)丟棄切換命令里邊攜帶的專用Preamble，恢復(fù)小區(qū)的原來配置，發(fā)起重建，重建期間的MOS會(huì)降低到1.5左右。 LTE語音評(píng)估算法使用POLQA算法進(jìn)行評(píng)估，主要是用來評(píng)估WB的，而2G是屬于NB的，用這種算法評(píng)估2G MOS值是不合適，MOS值下降1.52.0分，影響較大；如下圖所示SRV

15、CC到2G后MOS值：5. 無線網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化提升動(dòng)作結(jié)合空口側(cè)的影響因素，總結(jié)網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化主要?jiǎng)幼魅缦拢盒蛱?hào) 動(dòng)作名稱具體操作 1鄰區(qū)優(yōu)化 華為無線網(wǎng)絡(luò)可以采用OMStar工具進(jìn)行自動(dòng)鄰區(qū)優(yōu)化，包括：1.多配、漏配同頻鄰區(qū)；2.異頻鄰區(qū)超過3個(gè)場(chǎng)景的優(yōu)化；3. eSRVCC鄰區(qū)優(yōu)化。解決由于鄰區(qū)漏配而導(dǎo)致的MOS問題 2PCI優(yōu)化 使用SMARTRNO的PCI MOD3檢查功能進(jìn)行PCI檢查和優(yōu)化 3上行干擾優(yōu)化 使用OMStar工具支持上行干擾的自動(dòng)排查，包括雜散、互調(diào)等，發(fā)現(xiàn)并解決上行干擾問題 4基線參數(shù)核查結(jié)合參數(shù)配置基線檢查參數(shù)配置 ，含eSRVCC、調(diào)度參數(shù)和算法、高負(fù)荷小區(qū)的參數(shù)設(shè)置、問題

16、規(guī)避參數(shù)設(shè)置等5功控參數(shù)優(yōu)化針對(duì)大話務(wù)場(chǎng)景，調(diào)整功控參數(shù)P0NominalPUCCH=-113，設(shè)置過高，初始發(fā)射工具增加，提升呼叫建立成功率和減小接入時(shí)延，但是會(huì)增大上行干擾；設(shè)置過低，會(huì)降低呼叫建立成功率和增加接入時(shí)延。建議針對(duì)單小區(qū)語音同時(shí)在線40的小區(qū)進(jìn)行調(diào)整 6切換優(yōu)化 1. 優(yōu)化乒乓切換參數(shù)（門限、磁滯、CIO等）;2.優(yōu)化eSRVCC切換參數(shù)，包括A2門限、磁滯 7覆蓋優(yōu)化調(diào)整RF參數(shù)，包括方向角度、下傾角，解決過覆蓋、弱覆蓋問題，提升SINR和RSRP 1.2.4 eNodeB優(yōu)化1. 算法特性限制l eNodeB基線參數(shù)配置，參考VOLTE參數(shù)配置基線描述，在網(wǎng)管平臺(tái)上檢查e

17、NodeB參數(shù)配置，詳細(xì)參數(shù)見VoLTE參數(shù)配置基線（中移動(dòng).xlsx；涉及性能提升特性，建議現(xiàn)場(chǎng)根據(jù)基線配置建議，選擇使用。l 調(diào)度特性影響：在預(yù)調(diào)度關(guān)閉或失效場(chǎng)景，終端上行發(fā)包會(huì)觸發(fā)SR，如果出現(xiàn)SR持續(xù)漏檢（干擾或弱覆蓋引起），上行語音包遲遲得不到調(diào)度，就會(huì)出現(xiàn)上行語音包由于PDCP丟棄定時(shí)器超時(shí)而丟棄，該定時(shí)器默認(rèn)為100毫秒。建議打開智能預(yù)調(diào)度開關(guān)；l 無線側(cè)參數(shù)優(yōu)化場(chǎng)景優(yōu)化腳本參數(shù)作用CQI變步長(zhǎng)調(diào)整開關(guān)MOD CELLALGOSWITCH: LocalCellId=x, CqiAdjAlgoSwitch=StepVarySwitch-1;用來控制變步長(zhǎng)方案的打開和關(guān)閉。打開開關(guān)，

18、采用變步長(zhǎng)調(diào)整方案，可加快IBLER的收斂速度，當(dāng)IBLER的測(cè)量值與目標(biāo)值相差比較大的時(shí)候，采用大的步長(zhǎng)快速調(diào)整，當(dāng)IBLER的測(cè)量值接近目標(biāo)值的時(shí)候，采用小步長(zhǎng)進(jìn)行微調(diào)；關(guān)閉開關(guān)，采用固定步長(zhǎng)調(diào)整。上行RLC分段增強(qiáng)MOD CELLULSCHALGO: LocalCellId=x, UlVoipRlcMaxSegNum=4;用于控制非TTI Bundling模式下VoIP業(yè)務(wù)上行RLC分段控制特性的開啟以及配置上行最大RLC分段數(shù)。設(shè)置為0，表示不開啟該特性；如果設(shè)置為X（X0），表示開啟該特性，并且在非TTI Bundling模式下對(duì)VoIP業(yè)務(wù)的上行動(dòng)態(tài)調(diào)度限制最大RLC分段數(shù)為X。2

19、. 基站小區(qū)狀態(tài)核查測(cè)試前要確?；緺顟B(tài)正常，通過下告警判斷：以下條告警可能影響語音MOS分，建議在網(wǎng)管進(jìn)行重點(diǎn)排查：1. VoLTE語音呼叫流程進(jìn)行VoLTE語音呼叫業(yè)務(wù)，需要用戶已注冊(cè)到IMS網(wǎng)絡(luò)，通過LTE網(wǎng)絡(luò)發(fā)起呼叫。通過SIP消息攜帶SDP信息，完成會(huì)話承載的協(xié)商，主要包括承載的IP地址、端口號(hào)、編解碼類型、打包時(shí)長(zhǎng)等信息。2. VoLTE語音質(zhì)量關(guān)鍵指標(biāo)VoLTE語音質(zhì)量定界方案中，定界對(duì)部署方案的要求至少要保證S1-U、Mw或Gm接口至少有一個(gè)接口具有VoLTE語音呼叫媒體面測(cè)量能力。對(duì)于VoLTE與VoLTE互通場(chǎng)景、VoLTE與2/3G、PSTN互通場(chǎng)景，探針采集節(jié)點(diǎn)和語音質(zhì)

20、量指標(biāo)所表示的測(cè)量范圍如下圖所示：圖 21 語音質(zhì)量指標(biāo)所表示的測(cè)量范圍對(duì)于VoLTE與VoLTE互通場(chǎng)景，端到端的MOS和端到端的單通是根據(jù)RTCP消息統(tǒng)計(jì)的，RTCP消息也是UEUE的E2E透?jìng)鳎谠捯袅鞯奶结槻杉?jié)點(diǎn)都可以完成RTCP消息的獲取。分段的IPMOS和分段的單通是根據(jù)RTP消息統(tǒng)計(jì)的，表示的范圍為UE到RTP消息的采集節(jié)點(diǎn)。對(duì)于VoLTE與2/3G、CSFB或者PSTN互通場(chǎng)景，端到端的MOS和端到端的單通是根據(jù)RTCP消息統(tǒng)計(jì)的，具有發(fā)送RTCP的報(bào)文的網(wǎng)元包括VoLTE側(cè)的UE和CS域的MGW，端到端范圍實(shí)際為VoLTE的UE到CS域的MGW。分段的IPMOS和分段的單通

21、是根據(jù)RTP消息統(tǒng)計(jì)的，表示的范圍為UE或者CS域的MGW到RTP消息的采集節(jié)點(diǎn)。對(duì)于VoLTE與VOBB互通場(chǎng)景，與2/3G互通場(chǎng)景類似。具有發(fā)送RTCP報(bào)文的網(wǎng)元為VoBB側(cè)的SBC。端到端測(cè)量指標(biāo)表示的范圍為UE到VoBB側(cè)的SBC，分段測(cè)量指標(biāo)表示范圍為UE或者VOBB側(cè)的SBC到RTP消息的采集節(jié)點(diǎn)。VoLTE語音呼叫關(guān)鍵測(cè)量點(diǎn)，以S1-U接口為例：l 測(cè)量點(diǎn)1，呼叫的承載建立，用戶面開始周期測(cè)量，包括周期內(nèi)的RTP包數(shù)、抖動(dòng)、時(shí)延和編解碼信息進(jìn)行測(cè)量、MOS、單通，記錄開始時(shí)間l 測(cè)量點(diǎn)2，呼叫應(yīng)答，此時(shí)對(duì)振鈴階段的用戶面的測(cè)量進(jìn)行重置，重新開始測(cè)量周期測(cè)量，包括周期內(nèi)的RTP包數(shù)

22、、抖動(dòng)、時(shí)延和編解碼信息進(jìn)行測(cè)量、MOS、單通。記錄語音流的開始時(shí)間l 測(cè)量點(diǎn)3，呼叫的承載釋放，用戶面停止測(cè)量，記錄結(jié)束時(shí)間l 呼叫結(jié)束后，對(duì)周期測(cè)量的MOS、單通記錄做匯聚，填寫呼叫單據(jù)CDR里，并且對(duì)整條語音流的RTP包數(shù)填寫到呼叫單據(jù)CDR里對(duì)于VoLTE語音呼叫，根據(jù)RTCP報(bào)文的周期上報(bào)時(shí)間，把語音流做周期化處理。RTCP消息默認(rèn)每5秒報(bào)一個(gè)，網(wǎng)絡(luò)帶寬狀況不同會(huì)得到不同的RTCP周期時(shí)長(zhǎng)。SEQ根據(jù)RTCP的周期性規(guī)律，使用周周期測(cè)量原理如下：l 對(duì)于呼叫過程中沒有RTCP報(bào)文的呼叫, 無法做RTCP的周期測(cè)量, 語音流的CDR的MOS和根據(jù)RTCP得到的單通記錄為0。l 對(duì)于不滿

23、足最小測(cè)量周期的呼叫（即短呼），無法做計(jì)算周期性測(cè)量，語音流的CDR的MOS和根據(jù)RTCP得到的單通記錄為0。注：周期最小時(shí)長(zhǎng)默認(rèn)4.5秒（可配置）、周期最大時(shí)長(zhǎng)默認(rèn)10.5秒（可配置）語音質(zhì)量關(guān)鍵測(cè)量信息如下表：測(cè)量字段名稱計(jì)算公式測(cè)量描述上行MOS均值每周期上行MOS的均值端到端的指標(biāo)，表示本端發(fā)送的語音質(zhì)量情況。從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，周期性對(duì)接收方向RTCP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)E-Model模型計(jì)算得到周期上行MOS下行MOS均值每周期下行MOS的均值端到端的指標(biāo)，表示本端接收的語音質(zhì)量情況。從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，周期性對(duì)發(fā)送方向RTCP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)E-Model模型計(jì)算得到周期下行MOS上

24、行IPMOS均值每周期上行IPMOS的均值分段指標(biāo)，表示本端到采集節(jié)點(diǎn)發(fā)送的語音質(zhì)量情況。從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，周期性對(duì)發(fā)送方向RTP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)E-Model模型計(jì)算得到周期上行IPMOS下行IPMOS均值每周期下行IPMOS的均值分段指標(biāo)，表示對(duì)端到采集節(jié)點(diǎn)接收的語音質(zhì)量情況。從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，周期性對(duì)接收方向RTP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)E-Model模型計(jì)算得到周期下行IPMOSRTP上行單通時(shí)長(zhǎng)單通周期的時(shí)長(zhǎng)累計(jì)值分段指標(biāo)，表示本端到采集節(jié)點(diǎn)發(fā)送的語音單通情況。從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，周期性對(duì)發(fā)送方向RTP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)單通模型判斷周期是否發(fā)生單通，并且記錄持續(xù)時(shí)長(zhǎng)RTP下行單通時(shí)長(zhǎng)單通周

25、期的時(shí)長(zhǎng)累計(jì)值分段指標(biāo)，表示對(duì)端到采集節(jié)點(diǎn)接收的語音單通情況。從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，周期性對(duì)接收方向RTP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)單通模型判斷周期是否發(fā)生單通，并且記錄持續(xù)時(shí)長(zhǎng)RTCP上行單通時(shí)長(zhǎng)單通周期的時(shí)長(zhǎng)累計(jì)值端到端的指標(biāo)，表示本端發(fā)送的語音單通情況。從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，周期性對(duì)接收方向RTCP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)單通模型判斷周期是否發(fā)生單通，并且記錄持續(xù)時(shí)長(zhǎng)RTCP下行單通時(shí)長(zhǎng)單通周期的時(shí)長(zhǎng)累計(jì)值端到端的指標(biāo)，表示本端接收的語音單通情況。從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，周期性對(duì)發(fā)送方向RTCP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)單通模型判斷周期是否發(fā)生單通，并且記錄持續(xù)時(shí)長(zhǎng)RTCP上行包數(shù)通話過程累計(jì)值從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，對(duì)接收

26、方向的RTCP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)報(bào)文中的最大包序號(hào)和發(fā)送方向的RTP報(bào)文包序號(hào)得到RTCP上行丟包數(shù)通話過程累計(jì)值從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，對(duì)接收方向的RTCP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)報(bào)文中的累計(jì)丟包數(shù)得到RTCP下行包數(shù)通話過程累計(jì)值從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，對(duì)發(fā)送方向的RTCP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)報(bào)文中的最大包序號(hào)和接收方向的RTP報(bào)文包序號(hào)得到RTCP下行丟包數(shù)通話過程累計(jì)值從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，對(duì)發(fā)送方向的RTCP報(bào)文計(jì)算，根據(jù)報(bào)文中的累計(jì)丟包數(shù)得到RTP上行包數(shù)通話過程累計(jì)值從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，對(duì)發(fā)送方向的RTP報(bào)文包序號(hào)計(jì)算得到RTP上行丟包數(shù)通話過程累計(jì)值從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，對(duì)發(fā)送方向的RTP報(bào)文包累計(jì)

27、不連續(xù)值計(jì)算得到RTP下行包數(shù)通話過程累計(jì)值從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，對(duì)接收方向的RTP報(bào)文包序號(hào)計(jì)算得到RTP下行丟包數(shù)通話過程累計(jì)值從應(yīng)答開始到呼叫結(jié)束，對(duì)接收方向的RTP報(bào)文包累計(jì)不連續(xù)值計(jì)算得到3. VoLTE語音質(zhì)量問題定界原理本文檔的定界是針對(duì)VoLTE與VoLTE互通、VoLTE和CS/PSTN/VoBB互通場(chǎng)景，VoLTE呼叫側(cè)語音質(zhì)量問題的定界。不包括未部署支持VoLTE語音質(zhì)量分析的VoLTE呼叫側(cè)、CS/PSTN/VoBB的定界分析。本文檔是對(duì)基于單接口的語音質(zhì)量問題進(jìn)行定界分析。探針系統(tǒng)支持EPC域和IMS域語音承載面的采集，具備探針部署的接口有： S1-U，Mw，Gm。對(duì)

28、于多個(gè)接口聯(lián)合分析，可參考單接口的定界原理進(jìn)行聯(lián)合定界分析。探針系統(tǒng)支持VoLTE語音呼叫使用amr-wb和amr類型的編解碼的MOS測(cè)量。當(dāng)VoLTE語音呼叫的終端或者網(wǎng)元（如SBC、IM-MGW等）支持RTCP信息時(shí)，除RTP分段測(cè)量統(tǒng)計(jì)外，還可做UE到UE或者UE到網(wǎng)元的測(cè)量統(tǒng)計(jì)；否則，根據(jù)RTP信息做分段測(cè)量統(tǒng)計(jì)。1.1 質(zhì)差MOS定界原理l 對(duì)單接口單據(jù)的不同節(jié)點(diǎn)的MOS進(jìn)行有效性識(shí)別和差值計(jì)算l 根據(jù)不同接口的MOS差值和MOS所表示的測(cè)量范圍，確定質(zhì)差MOS的引入范圍。1.2 單通問題定界原理對(duì)單通結(jié)果進(jìn)行有效性識(shí)別，根據(jù)不同接口的是否發(fā)生單通標(biāo)的差異與單通指標(biāo)代表的測(cè)量范圍，確

29、定單通問題的引入范圍。4. 單接口定界方法1.1 上行質(zhì)差MOS定界單接口上行質(zhì)差MOS定界流程如下圖：圖 41單接口上行質(zhì)差MOS定界流程l 第一步：判斷上行MOS和上行IPMOS的有效性。當(dāng)上行MOS大于0，則上行MOS有效，否則上行MOS無效；當(dāng)上行IPMOS大于0，則上行IPMOS有效，否則上行IPMOS無效。l 第二步：判斷上行MOS或者上行IPMOS是否質(zhì)差使用上行MOS判斷質(zhì)差，當(dāng)上行MOS無效時(shí)，使用上行IPMOS判斷，方法：當(dāng)上行MOS有效，并且上行MOS小于質(zhì)差閾值（注釋1），則上行MOS質(zhì)差，否則上行MOS非質(zhì)差；當(dāng)上行MOS無效時(shí)，并且上行IPMOS有效，并且上行IPM

30、OS小于質(zhì)差閾值（注釋1），則上行IPMOS質(zhì)差，否則上行IPMOS非質(zhì)差。對(duì)于非質(zhì)差的上行MOS和上行IPMOS，不需要定界分析。l 第三步：對(duì)質(zhì)差呼叫單據(jù)做分段MOS損失計(jì)算采集接口以上MOS損失=當(dāng)上行MOS并且上行IPMOS有效時(shí)，上行IPMOS-上行MOS；否則0采集接口以下MOS損失=當(dāng)上行IPMOS有效時(shí)，編解碼或者上行編解碼平均速率對(duì)應(yīng)的MOS分（注釋2）-上行IPMOS；否則0上行編解碼協(xié)商MOS損失=當(dāng)編解碼類型為AMR或者AMR-WB時(shí)，編解碼起始MOS（注釋3）-編解碼或者上行編解碼平均速率對(duì)應(yīng)MOS（注釋2）；否則0l 第四步：對(duì)質(zhì)差呼叫單據(jù)做質(zhì)差范圍定界當(dāng)上行MOS

31、質(zhì)差，上行IPMOS無效時(shí)，無法準(zhǔn)確定界質(zhì)差引入范圍。對(duì)采集接口以上MOS損失、采集接口以下MOS損失、上行編解碼協(xié)商MOS損失取最大值，得到與最大值相應(yīng)的主要質(zhì)差引入范圍。備注：注釋1，參考質(zhì)差MOS配置說明；注釋2，參考編解碼或者編解碼平均速率對(duì)應(yīng)的MOS分計(jì)算說明；注釋3，編解碼起始MOS計(jì)算說明1.2 下行質(zhì)差MOS定界單接口下行質(zhì)差MOS定界流程如下圖：圖 42單接口下行質(zhì)差MOS定界流程 l 第一步：判斷下行MOS和下行IPMOS的有效性。當(dāng)下行MOS大于0，則下行MOS有效，否則下行MOS無效；當(dāng)下行IPMOS大于0，則下行IPMOS有效，否則下行IPMOS無效。l 第二步：判斷

32、下行MOS或者下行IPMOS是否質(zhì)差使用下行MOS判斷質(zhì)差，當(dāng)下行MOS無效時(shí)，使用下行IPMOS判斷，方法：當(dāng)下行MOS有效，并且下行MOS小于質(zhì)差閾值（注釋1），則下行MOS質(zhì)差，否則下行MOS非質(zhì)差；當(dāng)下行MOS無效時(shí)，并且下行IPMOS有效，并且下行IPMOS小于質(zhì)差閾值（注釋1），則下行IPMOS質(zhì)差，否則下行IPMOS非質(zhì)差。對(duì)于非質(zhì)差的下行MOS和下行IPMOS，不需要定界分析。l 第三步：對(duì)質(zhì)差呼叫單據(jù)做分段MOS損失計(jì)算采集接口以下MOS損失=當(dāng)下行MOS并且下行IPMOS有效時(shí)，下行IPMOS-下行MOS；否則0采集接口以上MOS損失=當(dāng)下行IPMOS有效時(shí)，編解碼或者下行

33、編解碼平均速率對(duì)應(yīng)的MOS分（注釋2）-下行IPMOS；否則0下行編解碼協(xié)商MOS損失=當(dāng)編解碼類型為AMR或者AMR-WB時(shí)，編解碼起始MOS（注釋3）-編解碼或者下行編解碼平均速率對(duì)應(yīng)MOS（注釋2）；否則0l 第四步：對(duì)質(zhì)差呼叫單據(jù)做質(zhì)差范圍定界當(dāng)下行MOS質(zhì)差，下行IPMOS無效時(shí)，無法準(zhǔn)確定界質(zhì)差引入范圍。對(duì)采集接口以下MOS損失、采集接口以上MOS損失、下行編解碼協(xié)商MOS損失取最大值，得到與最大值相應(yīng)的主要質(zhì)差引入范圍。備注：注釋1，參考3.5節(jié)質(zhì)差MOS閾值說明；注釋2，參考3.5節(jié)編解碼或者編解碼平均速率對(duì)應(yīng)的MOS分計(jì)算說明；注釋3，參考3.5節(jié)編解碼起始MOS計(jì)算說明。1

34、.3 上行單通定界單接口上行單通定界流程如下圖：圖 43單接口上行單通定界流程l 第一步：判斷是否發(fā)生上行單通：當(dāng)單通標(biāo)記為上行單通或者雙向不通時(shí)，則發(fā)生過上行單通；否則未發(fā)生上行單通，不需要定界分析，結(jié)束。l 第二步：判斷是否發(fā)生上行單通（RTP）：當(dāng)上行單通（RTP）時(shí)長(zhǎng)0，則發(fā)生上行單通（RTP），定界結(jié)果為采集接口以下原因，結(jié)束；否則定界結(jié)果為采集接口以下原因，結(jié)束。1.4 下行單通定界單接口下行單通定界流程如下圖：圖 44單接口下行單通定界流程l 第一步：判斷是否發(fā)生下行單通：當(dāng)單通標(biāo)記為下行單通或者雙向不通時(shí)，則發(fā)生過下行單通；否則未發(fā)生下行單通，不需要定界分析，結(jié)束。l 第二步：

35、判斷是否發(fā)生下行單通（RTP）：當(dāng)下行單通（RTP）時(shí)長(zhǎng)0，則發(fā)生下行單通（RTP），定界結(jié)果為采集接口以上原因，結(jié)束；否則定界結(jié)果為采集接口以上原因，結(jié)束。1.5 定界計(jì)算參考信息因?yàn)橛?jì)算MOS的算法模型，可使用和P.863 SWB兩種計(jì)算模式，默認(rèn)使用P.863 SWB模式。需要提前獲取MOS的評(píng)分模式。l 質(zhì)差MOS閾值說明：當(dāng)使用P.863 SWB，質(zhì)差閾值使用2.0，當(dāng)使用，質(zhì)差閾值使用2.8。l 編解碼或者編解碼平均速率對(duì)應(yīng)的MOS分計(jì)算說明，如下表：評(píng)分模式為P.863 SWB時(shí)：計(jì)算公式AMR-WB類型的速率對(duì)應(yīng)的起始分：y=-0.0043*x2+0.1851*x+2.3566AMR類型的速率對(duì)應(yīng)的起始分：y=-0.0078*x2+0.2422*x+1.421評(píng)分模式為時(shí)：計(jì)算公式AMR-WB類型的速率對(duì)應(yīng)的起始分：y=-0.0093*x2+0.3652*x+0.8051AMR類型的速率對(duì)應(yīng)的起始分：y=0.0108*x2+0.2749*x+2.3726表格 41 平均速率對(duì)應(yīng)MOS分計(jì)算x表示平均速率，y表示某平均速率對(duì)應(yīng)的mos分值。l 編解碼起始MOS計(jì)算說明：當(dāng)使用P.863 SWB模式，對(duì)于AMR-WB編解碼起始分為4.349，對(duì)于A