低頻練習(xí)題(答案)

1、一、判斷下列說法是否正確，用“”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（ ）（2）PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（ ）（3）處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。（ ）（4）只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用；（ ）（5）放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的；（ ）（6）在運(yùn)算電路中，集成運(yùn)放的反相輸入端均為虛地。（ ）（7）在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，單限比較器和滯回比較器的輸出電壓均只躍變一次。（ ）（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7）二、選擇正確答案填入空內(nèi)。（1

2、）穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 。 A. 正向?qū)?B.反向截止 C.反向擊穿（2）當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（3）UGS0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有 。 A. 結(jié)型管 B. 增強(qiáng)型MOS管 C. 耗盡型MOS管（4）在本征半導(dǎo)體中加入 元素可形成N型半導(dǎo)體，加入 元素可形成P型半導(dǎo)體。 A. 五價(jià) B. 四價(jià) C. 三價(jià)（5） 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)Au1的放大器。A. 同相比例 B. 反相比例（6） 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)Au0的放大器。A. 同相比例 B. 反相比例（1）C （2）B （3）

3、A C （4）A ，C （5）A （6）B三、計(jì)算1已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA，最大功耗PZM150mW。試求圖示電路中電阻R的取值范圍。 解：穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流 IZMPZM/UZ25mA電阻R的電流為IZMIZmin，所以其取值范圍為 2電路如圖所示，晶體管導(dǎo)通時(shí)UBE0.7V，=50。試分析VBB為0V、1V、1.5V三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓uO的值。 解：（1）當(dāng)VBB0時(shí)，T截止，uO12V。 （2）當(dāng)VBB1V時(shí)，因?yàn)?A 所以T處于放大狀態(tài)。 （3）當(dāng)VBB1.5V時(shí)，因?yàn)?A 所以T處于放大狀態(tài)。 3已知圖示電路中晶體管的b 100

4、，rbe=1k。 （1）現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降UCEQ6V，估算Rb約為多少千歐； （2）若測得和的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻RL為多少千歐？ 解：（1）求解Rb （2）求解RL： 4電路如圖所示，晶體管的b100，=100, UBEQ0.7V。 （1）求電路的Q點(diǎn)、Ri和Ro； （2）若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？解：（1）靜態(tài)分析： 動(dòng)態(tài)分析： （2）Ri增大，Ri4.1k；減小，1.92。5已知圖(a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖（b）(c)所示。 （1）利用圖解法求解Q點(diǎn)； （2）利用等效電路法求解、Ri和Ro 。 解：（1）在轉(zhuǎn)移特性中作直線uGSiDRS，與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出IDQ1mA，UGSQ2V。如解圖（a）所示。在輸出特性中作直流負(fù)載線uDSVDDiD（RDRS），與UGSQ2V的那條輸出特性曲線的交點(diǎn)為Q點(diǎn)，UDSQ3V。如解圖（b）所示。（2）首先畫出交流等效電路（圖略），然后進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。 6試求圖示各電路輸出電壓與輸入