Array工藝原理及工程檢查-DE

1、1DE工程工程21.TN型工藝流程（4Mask）GSPGPRGWEGPR剝離1st SiN CVD三層CVDDSPDIPRD1WEI/PR DED2WECHDEDIPR剝離PACVDCPRCDECPR剝離PISPPIPRPIWEPIPR剝離TN型工藝流程型工藝流程(4 MASK)32.TN型平面及斷面構(gòu)造（15型）像素部像素部G G端子端子G G保護(hù)回路保護(hù)回路D D端子端子D D保護(hù)回路保護(hù)回路42.TN型平面及斷面構(gòu)造（15型）GPRGPR后后GWEGWE后后G G剝離后剝離后三層三層CVDCVD后后G工程結(jié)束15型型平面平面構(gòu)造構(gòu)造52.TN型平面及斷面構(gòu)造（15型）DSPDSP后后DP

2、RDPR后后D1WED1WE后后I/PR DEI/PR DE后后15型型平面平面構(gòu)造構(gòu)造62.TN型平面及斷面構(gòu)造（15型）D2WED2WE后后CHDECHDE后后D/ID/I剝離后剝離后PA-CVDPA-CVD后后D/I工程結(jié)束15型型平面平面構(gòu)造構(gòu)造72.TN型平面及斷面構(gòu)造（15型）C-PRC-PR后后C C剝離后剝離后PI-SPPI-SP后后PI-PRPI-PR后后C工程結(jié)束15型型平面平面構(gòu)造構(gòu)造82.TN型平面及斷面構(gòu)造（15型）PIPI剝離后剝離后PI工程結(jié)束15型型平面平面構(gòu)造構(gòu)造92.TN型平面及斷面構(gòu)造15型斷面構(gòu)造型斷面構(gòu)造Gate線G絕緣層a-Sin+ a-SiDrai

3、n線SOURCEPA保護(hù)層ITO像素電極接觸孔像素AAAA玻璃基板10DE工藝一、DE工藝及裝置二、DE工程檢查及不良三、MSDS簡介11一、DE工藝及裝置1、Dry Etching目的2、Dry Etching原理概述3、Dry Etching方式4、Dry Etching裝置121、DE目的成膜工程成膜工程（ 、）、）剝離剝離工程工程刻蝕工程（刻蝕工程（ 、 ）13n反應(yīng)氣體在高頻電反應(yīng)氣體在高頻電場作用下發(fā)生等離場作用下發(fā)生等離子體放電。子體放電。n等離子體與基板發(fā)等離子體與基板發(fā)生作用將沒有被光生作用將沒有被光刻膠掩蔽的非金屬刻膠掩蔽的非金屬薄膜刻蝕掉。薄膜刻蝕掉。ETCHING GA

4、SPLASMA2、DE原理概述：基板基板14e-e-+PlasmaPlasmaRDEDE裝置采用裝置采用RFRF高頻電源來產(chǎn)生交變電場。真空中電子高頻電源來產(chǎn)生交變電場。真空中電子在電場作用下加速，與氣體分子碰撞便產(chǎn)生了在電場作用下加速，與氣體分子碰撞便產(chǎn)生了PlasmaPlasmaRF放電概要15e-+Blocking condenserBlocking condenserPlasmaPlasmae-RR陰極陰極陽極陽極產(chǎn)生后，由于電子質(zhì)量小，先到達(dá)陰極而使之帶產(chǎn)生后，由于電子質(zhì)量小，先到達(dá)陰極而使之帶負(fù)電（移動速度約是離子的負(fù)電（移動速度約是離子的10001000倍）陰極的負(fù)電位將吸引正離

5、倍）陰極的負(fù)電位將吸引正離子。子。RFRF電源側(cè)電極有電源側(cè)電極有blocking condenserblocking condenser，因而可以抑制過，因而可以抑制過剩的電子流入（和正離子電流等量）。剩的電子流入（和正離子電流等量）。RF放電概要16側(cè)、主要是活性基側(cè)、主要是活性基radicalradical的化學(xué)反應(yīng)以及離子沖擊的的化學(xué)反應(yīng)以及離子沖擊的物理反應(yīng)物理反應(yīng)+PlasmaPlasma+Blocking condenserBlocking condenserRRe-e-RF放電概要17SiFF+SiF4F*SiF4化學(xué)反應(yīng)和物理反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)和物理反應(yīng) 18nPE ( Plasm

6、a Etching)nRIE (Reactive Ion Etching)nICP (Inductive Couple Plasma)3、Dry Etching方式19電源基板基板放置于接地側(cè)電極上，主要為radical的化學(xué)反應(yīng)。氣體氣體氣體抽氣泵過濾裝置PE (Plasma Etching)20電源基板基板放置于RF電源側(cè)的壁板上方，主要為radical的化學(xué)反應(yīng)以及ion的物理撞擊反應(yīng)。抽氣泵過濾裝置氣體氣體氣體RIE (Reactive Ion Etching)21電源基板電源下部電極側(cè)施加RF電源，通過控制RF電壓控制離子刻蝕。抽氣泵過濾裝置氣體氣體氣體線圈狀電極上施加RF電源。通過

7、控制RF電壓，來控制Plasma密度。ICP (Inductive Couple Plasma)22項目項目PEPERIERIEICPICPEtching粒子RadicalRadicalIonRadicalIon方向性等方性刻蝕異方性刻蝕可以控制等方性/異方性Etching形狀控制困難容易容易Plasma密度(cm3)Etching Rate小中中大Plasma damage小大可控制大/小壓力范圍(Pa)裝置價格低廉低廉昂貴三種刻蝕方式比較三種刻蝕方式比較23/CassetteCassetteCassette搬送機(jī)械手搬送機(jī)械手/4、Dry Etching裝置24大氣壓大氣壓大氣壓大氣壓真空

8、真空真空真空真空真空plasmaP/C P/C 刻蝕腔刻蝕腔T/C T/C 搬送腔搬送腔L/L 受入腔受入腔機(jī)械臂傳送機(jī)械臂傳送Dry Etching裝置25二、DE工程檢查及不良n設(shè)備管理項目n功率n氣體流量n壓強(qiáng)n冷卻板溫度n工藝管理項目nParticlenAOI檢nE/R Rate（刻蝕速度）nChannel段差（量產(chǎn)抽檢）nDEC還有TOK檢1、DE工程檢查26TYPE2TYPE1TYPE1減掉3300（D層厚度）就是CH刻蝕,TYPE2是D層加上三層a-Si的厚度（還有少量被刻掉的G-SiNx）27TOK1特性管理（點分布）116162631321127174322223713862

9、8333235791929344243915102030358259282、DE工程不良介紹n點缺陷n薄明G線29點缺陷： IDE工程Particle正常部-前-后完了后30particle正常部-前-后完了后31點缺陷： 工程particle正常部-前-后完了后32黑白灰度畫面：白色G線，畫面中部較明顯，兩側(cè)幾乎看不見TN型 薄明G線 P檢畫面1黑白灰度畫面：白色G線，畫面中部較明顯TN型 薄明G線 P檢畫面2薄明G線： C工程33發(fā)生原因及相關(guān)工程：發(fā)生原因及相關(guān)工程：DEC刻蝕時接觸電阻過大產(chǎn)生原因： DEC刻蝕過量 DEC刻蝕形狀較差改善前改善后34三 陣列化學(xué)物品MSDS3.1 MS

10、DS介紹： MSDS是化學(xué)物品安全數(shù)據(jù)表（Material Safety Data Sheet)的縮寫，國際上稱作化學(xué)品安全信息卡。 a. MSDS是化學(xué)品生產(chǎn)商和進(jìn)口商用來闡明化學(xué)品的理化特性（如PH值，閃點，易燃度，反應(yīng)活性等）以及對使用者的健康（如致癌，致畸等）可能產(chǎn)生的危害的一份文件。 b. 是一份關(guān)于危險化學(xué)品的燃、爆性能，毒性和環(huán)境危害，以及安全使用、泄漏應(yīng)急救護(hù)處置、主要理化參數(shù)、法律法規(guī)等方面信息的綜合性文件。 c. 是傳遞化學(xué)品危害信息的重要文件。353.2 MSDS的作用n提供有關(guān)化學(xué)品的危害信息，保護(hù)化學(xué)產(chǎn)品使用者n確保安全操作，為制訂危險化學(xué)品安全操作規(guī)程提供技術(shù)信息 n提供有助于緊急救助和事故應(yīng)急處理的技術(shù)信息 n指導(dǎo)化學(xué)品的安全生產(chǎn)、安全流通和安全使用 n是化學(xué)品登記管理的重要基礎(chǔ)和信息來源363.3 MSDS數(shù)據(jù)項目解釋及說明n標(biāo)識：品名、化學(xué)式或構(gòu)造式、 CAS號、區(qū)分等n理化性質(zhì)：外觀、氣味、比重、分子量、蒸汽密度、沸點、熔點等n危險、有害性：引火點、著火點、爆炸限