計(jì)算機(jī)電路基礎(chǔ)-第5章：半導(dǎo)體器件ppt課件

1、http:/ 半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電子線路的根本單元，半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電子線路的根本單元， 掌掌握半導(dǎo)體器件的根本特性是分析電子線路的根底。握半導(dǎo)體器件的根本特性是分析電子線路的根底。 本章首先討論半導(dǎo)體的特性，然后分別引見本章首先討論半導(dǎo)體的特性，然后分別引見PN結(jié)、二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)、二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管(和晶閘管和晶閘管)的根本知識(shí)。的根本知識(shí)。教學(xué)目的：教學(xué)目的： 1.了解了解P型半導(dǎo)體、型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體以及型半導(dǎo)體以及PN結(jié)的特結(jié)的特性；性； 2. 掌握半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管任務(wù)掌握半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管任務(wù)原理、原理、 伏安特性和主要參數(shù)；伏安特性和主要

2、參數(shù)； 3. 了解其它類型的半導(dǎo)體器件。了解其它類型的半導(dǎo)體器件。http:/ 5.1 半導(dǎo)體與PN結(jié)5.2 半導(dǎo)體二極管5.3 半導(dǎo)體三極管5.4 場(chǎng)效應(yīng)管5.5 復(fù)合管http:/ 導(dǎo)電才干介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為導(dǎo)電才干介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體半導(dǎo)體. 常用的半導(dǎo)體資料是鍺常用的半導(dǎo)體資料是鍺Ge和硅和硅Si。5.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 1.純真的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。純真的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。 2.本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵構(gòu)造本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵構(gòu)造: 最外層都有四個(gè)價(jià)電子最外層都有四個(gè)價(jià)電子; 每一個(gè)價(jià)電子都和臨近原子每一個(gè)價(jià)電子都和臨近原子 的價(jià)電子組成一對(duì)共價(jià)鍵

3、，的價(jià)電子組成一對(duì)共價(jià)鍵， 構(gòu)成相互束縛的關(guān)系。構(gòu)成相互束縛的關(guān)系。 3.最外層均有八個(gè)價(jià)電子而處于穩(wěn)定形狀。最外層均有八個(gè)價(jià)電子而處于穩(wěn)定形狀。 這時(shí)半導(dǎo)體內(nèi)部沒(méi)有任何帶電的粒子存在，這時(shí)半導(dǎo)體內(nèi)部沒(méi)有任何帶電的粒子存在， 半導(dǎo)體資料相當(dāng)于絕緣體。半導(dǎo)體資料相當(dāng)于絕緣體。 http:/ : 溫度或外界光照影響下，價(jià)電子電子得到能量，其中溫度或外界光照影響下，價(jià)電子電子得到能量，其中少數(shù)少數(shù) 能量較大的價(jià)電子可以擺脫共價(jià)鍵的束縛而構(gòu)成能量較大的價(jià)電子可以擺脫共價(jià)鍵的束縛而構(gòu)成自在電子自在電子, ,這種景象稱為本征激發(fā)這種景象稱為本征激發(fā)5.5.電子空穴對(duì)電子空穴對(duì): : 價(jià)電子脫離了共價(jià)鍵束縛

4、后，在原共價(jià)電子脫離了共價(jià)鍵束縛后，在原共 價(jià)鍵中短少一個(gè)應(yīng)有的電子而留下了價(jià)鍵中短少一個(gè)應(yīng)有的電子而留下了 “空穴，構(gòu)成電子空穴對(duì)空穴，構(gòu)成電子空穴對(duì). . “空穴因失去電子而構(gòu)成的，空穴因失去電子而構(gòu)成的， 被視為帶單位正電荷被視為帶單位正電荷. .6.6.復(fù)合復(fù)合: : 帶正電荷的空穴，會(huì)吸引相鄰原子上的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)帶正電荷的空穴，會(huì)吸引相鄰原子上的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)( (復(fù)復(fù)合合) )，而在這個(gè)價(jià)電子的原來(lái)地方留下新的空穴。，而在這個(gè)價(jià)電子的原來(lái)地方留下新的空穴。 http:/ 7.載流子載流子 空穴空穴(+)和電子和電子(-)都是帶電的粒子，稱為載流子都是帶電的粒子，稱為載流子. 空穴和電

5、子的運(yùn)動(dòng)是雜亂無(wú)章的空穴和電子的運(yùn)動(dòng)是雜亂無(wú)章的, 在本征半導(dǎo)體中不構(gòu)成電流。在本征半導(dǎo)體中不構(gòu)成電流。 8.激發(fā)和復(fù)合的動(dòng)態(tài)平衡激發(fā)和復(fù)合的動(dòng)態(tài)平衡: 在外界環(huán)境影響下，電子和空穴的激發(fā)和復(fù)合是同時(shí)在外界環(huán)境影響下，電子和空穴的激發(fā)和復(fù)合是同時(shí) 進(jìn)展的，并堅(jiān)持動(dòng)態(tài)平衡，使電子空穴的濃度堅(jiān)持不變。進(jìn)展的，并堅(jiān)持動(dòng)態(tài)平衡，使電子空穴的濃度堅(jiān)持不變。 隨著溫度的升高，本征激發(fā)會(huì)提高電子空穴對(duì)濃度。隨著溫度的升高，本征激發(fā)會(huì)提高電子空穴對(duì)濃度。5.1.2 P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體中空穴本征半導(dǎo)體中空穴(+)和電子和電子(-)是等量的而且很少是等量的而且很少. 在本征半導(dǎo)體

6、中摻入微量的其它在本征半導(dǎo)體中摻入微量的其它(雜質(zhì)雜質(zhì))元素元素,摻雜后的半導(dǎo)體摻雜后的半導(dǎo)體 - 雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體。 摻雜的元素不同，摻雜的元素不同，P型型(雜質(zhì)雜質(zhì))半導(dǎo)體和半導(dǎo)體和N(雜質(zhì)雜質(zhì))型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 http:/ 在本征半導(dǎo)體鍺或硅中摻入五價(jià)的磷在本征半導(dǎo)體鍺或硅中摻入五價(jià)的磷(P)或銻或銻(Sb)元素，元素，雜質(zhì)原子替代本征半導(dǎo)體晶格中的某些鍺或硅的原子，并提供雜質(zhì)原子替代本征半導(dǎo)體晶格中的某些鍺或硅的原子，并提供一個(gè)多余價(jià)電子，它僅受本身原子核的吸引，只需獲得少量的一個(gè)多余價(jià)電子，它僅受本身原子核的吸引，只需獲得少量的能量就能掙脫原子核的束縛而成為自在電子。能量

7、就能掙脫原子核的束縛而成為自在電子。 五價(jià)的雜質(zhì)元素提供多余五價(jià)的雜質(zhì)元素提供多余 的價(jià)電子，稱此雜質(zhì)為施主雜質(zhì)。的價(jià)電子，稱此雜質(zhì)為施主雜質(zhì)。 摻入施主雜質(zhì)后的半導(dǎo)體中摻入施主雜質(zhì)后的半導(dǎo)體中 自在電子的濃度遠(yuǎn)大于空穴，自在電子的濃度遠(yuǎn)大于空穴， 這樣的半導(dǎo)體稱為這樣的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 N型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中 自在電子稱為多數(shù)載流子，自在電子稱為多數(shù)載流子， 空穴稱為少數(shù)載流子空穴稱為少數(shù)載流子. 五價(jià)的雜質(zhì)原子由于給出一個(gè)五價(jià)的雜質(zhì)原子由于給出一個(gè)價(jià)電子后成為帶正電荷的離子價(jià)電子后成為帶正電荷的離子,它是被束縛在半導(dǎo)體晶格中不能挪動(dòng)而不能參與導(dǎo)電。它是被束縛在半導(dǎo)體晶格中不

8、能挪動(dòng)而不能參與導(dǎo)電。 http:/ N型半導(dǎo)體簡(jiǎn)化構(gòu)造型半導(dǎo)體簡(jiǎn)化構(gòu)造 空穴空穴http:/ 由于三價(jià)元素只需三個(gè)價(jià)電子，使第四對(duì)共價(jià)鍵留下由于三價(jià)元素只需三個(gè)價(jià)電子，使第四對(duì)共價(jià)鍵留下“空穴，空穴，臨近原子共價(jià)鍵上的電子只需獲得少量的能量就能填補(bǔ)這個(gè)空臨近原子共價(jià)鍵上的電子只需獲得少量的能量就能填補(bǔ)這個(gè)空穴，穴， 三價(jià)的雜質(zhì)元素的原子能接受電子，故稱為受主雜質(zhì)。三價(jià)的雜質(zhì)元素的原子能接受電子，故稱為受主雜質(zhì)。摻雜后的半導(dǎo)體中空穴為多數(shù)載流子，摻雜后的半導(dǎo)體中空穴為多數(shù)載流子，自在電子為少數(shù)載流子，這樣的半導(dǎo)體稱為自在電子為少數(shù)載流子，這樣的半導(dǎo)體稱為P P型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。負(fù)離子多子空穴

9、少子電子型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體簡(jiǎn)化構(gòu)造簡(jiǎn)化構(gòu)造http:/ 純真的半導(dǎo)體晶片上，純真的半導(dǎo)體晶片上， 一邊摻雜成一邊摻雜成P型半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體， 一邊摻雜一邊摻雜成成N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體,如以下圖如以下圖 . 1).分散運(yùn)動(dòng)分散運(yùn)動(dòng) : 濃度的差別引起載流子濃度的差別引起載流子的運(yùn)動(dòng)稱為分散運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)稱為分散運(yùn)動(dòng) .分散從分散從P區(qū)與區(qū)與N區(qū)的交界處開場(chǎng)。區(qū)的交界處開場(chǎng)?？昭ǚ稚⒌娇昭ǚ稚⒌絅區(qū)與電子復(fù)合，區(qū)與電子復(fù)合，在在P區(qū)留下不能挪動(dòng)的負(fù)離子；區(qū)留下不能挪動(dòng)的負(fù)離子；電子分散到電子分散到P區(qū)與空穴復(fù)合區(qū)與空穴復(fù)合.2)空間電荷區(qū)空間電荷區(qū):在在N區(qū)留下不能挪動(dòng)的正離子。在區(qū)留下不能挪動(dòng)的正離子。

10、在P區(qū)和區(qū)和N區(qū)的交界附近構(gòu)成一個(gè)不區(qū)的交界附近構(gòu)成一個(gè)不能挪動(dòng)的正、負(fù)離子的空間電荷區(qū)稱為能挪動(dòng)的正、負(fù)離子的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。結(jié)。 http:/ 由正、負(fù)離子組成的空間電荷區(qū)由正、負(fù)離子組成的空間電荷區(qū),其電場(chǎng)是由其電場(chǎng)是由N區(qū)去指向區(qū)去指向P區(qū)，區(qū)，即即PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)。結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)。 (見上頁(yè)圖見上頁(yè)圖) 內(nèi)電場(chǎng)力妨礙多子的分散，有利于雙方少子向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)力妨礙多子的分散，有利于雙方少子向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)(飄移飄移運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng))。飄移運(yùn)動(dòng)所構(gòu)成的電流稱為飄移電流。飄移運(yùn)動(dòng)所構(gòu)成的電流稱為飄移電流。4)動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡少子的飄移運(yùn)動(dòng)少子的飄移運(yùn)動(dòng)(復(fù)合對(duì)方的離子復(fù)合對(duì)方的離子)會(huì)使空間電荷區(qū)變窄

11、，會(huì)使空間電荷區(qū)變窄，消弱了內(nèi)電場(chǎng)。使內(nèi)電場(chǎng)力減小，又有利于分散的進(jìn)展。消弱了內(nèi)電場(chǎng)。使內(nèi)電場(chǎng)力減小，又有利于分散的進(jìn)展。 分散分散 空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) 內(nèi)電場(chǎng)力內(nèi)電場(chǎng)力 飄移運(yùn)動(dòng)飄移運(yùn)動(dòng) 消弱了內(nèi)電場(chǎng)消弱了內(nèi)電場(chǎng) 動(dòng)態(tài)平衡 - 空間電荷區(qū)穩(wěn)定 http:/ - P區(qū)接電源的正極， N區(qū)接電源的負(fù)極. 外電場(chǎng)消弱了內(nèi)電場(chǎng)，使PN結(jié) 變窄，破壞了原動(dòng)態(tài)平衡，多子的 分散大于少子的飄移，外電路可測(cè) 到一個(gè)正向電流I，此時(shí)稱為PN結(jié)導(dǎo)通 . PN結(jié)呈現(xiàn)為低電阻. 2.PN結(jié)的特性 PN結(jié)兩端加不同極性的電壓，就會(huì)有不同的導(dǎo)電特性。 http:/ (2).PN結(jié)反向偏置 : 如圖 - P區(qū)接電源的負(fù)

12、極， N區(qū)接電源的正極 . 外電場(chǎng)加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)， 使PN結(jié)變寬，破壞了原有的 動(dòng)態(tài)平衡，加強(qiáng)子的飄移運(yùn)動(dòng)。 少子的數(shù)量很少.因此，少子的 飄移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的電流很小， 可忽略不計(jì)，此時(shí)稱為PN結(jié)截止。 PN結(jié)呈現(xiàn)出高電阻。 (3).單導(dǎo)游通特性 PN結(jié)正向偏置，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻，正導(dǎo)游通； PN結(jié)反向偏置，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻，反向截止。 - PN結(jié)重要的單導(dǎo)游通特性。http:/ 根本構(gòu)造 一個(gè)PN結(jié)上引出兩個(gè)電極， 加上外殼 封裝,如右圖(a)。 半導(dǎo)體二極管用圖(b)符號(hào)表示. 加工工藝不同,二極管類型: 點(diǎn)接觸型二極管: PN結(jié)面積很小，流過(guò)電流小。結(jié)電容小，多用于 高頻與開關(guān)電路。點(diǎn)接觸型二極管

13、多是鍺管。 面接觸型二極管: PN結(jié)的面積大，可經(jīng)過(guò)大的電流，任務(wù)頻率低， 多用于整流電路。此類管普通是硅管。http:/ 是指流過(guò)二極管的電流和二極管兩端電 壓之間的關(guān)系曲線，如以下圖。1.當(dāng)正偏置電壓Uth值: 流過(guò)二極管的電流才隨電壓的 添加而呈指數(shù)式大導(dǎo)通區(qū) Uth稱為二極管的門限(死區(qū))電壓。 鍺管:Uth值約為0.1V; 硅管:Uth值約為0.5V。 使二極管上有明顯的電流流過(guò)，鍺管正向電壓應(yīng)取(0.20.3)V ; 硅管正向電壓應(yīng)取(0.60.8)V， 這個(gè)電壓稱為二極管導(dǎo)通電壓UD(正導(dǎo)游通壓降)。 死區(qū)導(dǎo)通區(qū)UDhttp:/ 3.反向特性:1).反向截止形狀:二極管加反偏置電

14、壓時(shí)，只需少數(shù)載流子的飄移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生微小的反向電流，稱為反向飽和電流 - 二極管反向截止。 2).反向擊穿形狀:當(dāng)反向電壓加大到某一數(shù)值時(shí)，反向電流將會(huì)急劇添加， - 稱為反向擊穿，該反向電壓稱為反向擊穿電壓Ubr。 這時(shí)，二極管失去單導(dǎo)游電的特性。5.2.3 主要參數(shù) 1.最大整流電流 - 最大正向平均電流 . 2.最高反向任務(wù)電壓 -二極管加反向電壓時(shí)不被擊穿 的極限參數(shù)。 3.最大的反向電流- 單導(dǎo)游電性能好壞的目的. http:/ (左圖) 當(dāng)二極管兩端的反向電壓加大到一定程時(shí), 反向電流急劇添加大 - 二極管反向擊穿特性. 在這區(qū)間里，反向電流在很大范圍內(nèi)變化， 而二極管兩端電壓根本不

15、變。 采用特殊的工藝可制形成穩(wěn)壓二極管， 它在電路中能起到穩(wěn)壓的作用。任務(wù)在反向穿 形狀下，它的反向擊穿是可逆的。 2.主要參數(shù) (1)穩(wěn)定電壓UZ：是穩(wěn)壓二極管正常任務(wù)時(shí)的穩(wěn)壓值(2)穩(wěn)定電流IZ：正常穩(wěn)壓時(shí)的最小任務(wù)電流。(3)動(dòng)態(tài)電阻rZ： rZ越小,穩(wěn)壓性能越好.正向特性反向特性IZVZ0VIhttp:/ 三極管的根本構(gòu)造 一塊半導(dǎo)體基片上摻雜構(gòu)成三個(gè)區(qū)。由P區(qū)和N區(qū)的陳列不同， 三極管分成兩類：NPN型和PNP型，如圖(a)和(b)所示。三個(gè)區(qū)三個(gè)區(qū)兩個(gè)結(jié)兩個(gè)結(jié)三個(gè)極三個(gè)極http:/ 發(fā)射結(jié)有明顯的電流流過(guò)， 鍺管正向電壓應(yīng)(0.20.3)V ; 硅管正向電壓應(yīng)(0.60.8)V，

16、 (正導(dǎo)游通壓降)。2.電源EC向集電結(jié)提供反向偏置，UCB0。 三極管(NPN為例)要實(shí)現(xiàn)放大的條件:如圖(a)所示。http:/ (2).基區(qū)中多子空穴，向發(fā)射區(qū)分散構(gòu)成電流IEP (3)兩者的電流方向一樣，構(gòu)成發(fā)射極電流IE IE = IEN +IEP IEN E區(qū)摻雜的濃度遠(yuǎn)高于 B區(qū)摻雜的濃度.http:/ ,絕大多數(shù)都能穿越基區(qū)到達(dá)集電結(jié)附近。(2).集電結(jié)反向偏置，基區(qū)和集電區(qū)的少子互向?qū)Ψ斤h移，形成飄移電流ICB0，稱為反向電流。(3) 上知:基區(qū)中多子空穴，向發(fā)射區(qū)分散構(gòu)成電流IEP (4) 組成基極電流IB有: IB = IBN + IEP - ICB0 IBN - ICB

17、0 (5-2)3.集電區(qū)搜集載流子構(gòu)成集電極電流IC (1) 集結(jié)在集電結(jié)附近發(fā)射區(qū)發(fā)射過(guò)來(lái)的大量電子,被EC正極吸引到集電區(qū)，流向EC的正極，構(gòu)成ICN (2)上知:基區(qū)和集電區(qū)中少子飄移，產(chǎn)生飄移電流ICB0(3) 集電極電流IC為 : IC = ICN + ICB0 = IEN - IBN + ICB0 (5-3) 2.基區(qū)復(fù)合構(gòu)成基極電流IChttp:/ 知知:式式(5-1)、(5-2)、(5-3)如下如下: IE = IEN +IEP (5-1) IB = IBN + IEP - ICB0 (5-2) IC = IEN - IBN + ICB0 (5-3) 而而(5-2)+(5-3)

18、 得得 IB + IC = IEN +IEP 即即: IE = IB + IC 分析可看出：分析可看出： 發(fā)射極電流發(fā)射極電流IE等于集電極電流等于集電極電流IC和基極電流和基極電流IB之之和和.http:/ 把三極管看成一個(gè)結(jié)點(diǎn)，根據(jù)基爾霍夫電流定律，那么可寫成: IE = IB + IC 5.電流放大倍數(shù) 將IC和IB的關(guān)系寫成: 由于IC比IB的電流大得多 , 稱為直流放大倍數(shù) 同樣可寫成電流變化量比: 稱為交流放大倍數(shù) 在實(shí)踐中，兩個(gè)放大倍數(shù)在數(shù)值上很接近，常相互交換. IC比IB的電流關(guān)系寫成: 可看出:當(dāng)IB(IB)有很小的變化時(shí)，就會(huì)控制IC(IC)的很大變化. IE IB IC

19、BCIIBCIIBCIIBCIIhttp:/ 6.共發(fā)射極電路在上述分析的圖(a)電路中:發(fā)射極是基極回路(輸入回路)和集電極回路(輸出回路)共有，此電路的接法稱為共發(fā)射極電路。 所以這里的電流放大系數(shù)的全稱應(yīng)為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，簡(jiǎn)稱為電流放大系數(shù)。 對(duì)于詳細(xì)的某個(gè)三極管，它一旦制造完成，其電流放大系數(shù)就確定了而不會(huì)改動(dòng)。http:/ 輸入回路的函數(shù)關(guān)系式： IB = f (UBE)UCE常數(shù) 發(fā)射極之間的電壓UCE為常數(shù)時(shí)，基極回路中基極電流IB與基極、發(fā)射極間電壓UBE的關(guān)系曲線. 右圖所示。 集電結(jié)加有反向偏置電壓: 輸入特性曲線和二極管的伏安特性曲線一樣 (1)死區(qū): UBE 0.

20、7V IB與隨UBE的添加明顯增大.死區(qū)導(dǎo)通區(qū)http:/ 基極電流IB為常數(shù)，集電極回路中IC與集電極、發(fā)射極間電壓UCE的關(guān)系曲線.函數(shù)關(guān)系式為: IC = f (UCE ) IB =常數(shù) 完好的輸出特性曲線如右圖. 輸出特性曲線分成三個(gè)任務(wù)區(qū)域: 截止區(qū)： 飽和區(qū)：放大區(qū)： 代表三極管的三個(gè)不同的任務(wù)形狀。 放放大大區(qū)區(qū)http:/ 位于輸出特性曲線的最下端，IB=ICB0曲線以下區(qū)域。 三極管的兩個(gè)結(jié)都處于反向偏置形狀，即UBE0 ，UBC0)的正向偏置， 集電結(jié)( UBC0，UBC0 可看出：IC電流不受I B的控制， IC和IB已不符合的關(guān)系。 - 飽和任務(wù)形狀， 普通以為：當(dāng)UC

21、E0，源極S和P型的襯底相銜接. 在靠近絕緣層外表P區(qū)一側(cè)感應(yīng)出負(fù)電荷。感應(yīng)負(fù)電荷隨著UGS加大而增多，產(chǎn)生N+型層-稱為反型層。在兩個(gè)N+型區(qū)之間形成了一條N型的導(dǎo)電溝道. 構(gòu)成N型導(dǎo)電溝道的柵源電壓UGS 稱為開啟電壓UGS(th)。 (2).這時(shí)如加正電壓UDS，源區(qū)中的電子就會(huì)沿著導(dǎo)電溝道到達(dá)漏極，構(gòu)成漏極電流ID。加大UGS，導(dǎo)電溝道加寬，導(dǎo)電才干增強(qiáng)，ID增大。ID和UGS的關(guān)系曲線稱為場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性 曲線,反映了 UGS對(duì)ID控制特性。UDShttp:/ UGS(th)時(shí)，溝道構(gòu)成，時(shí)，溝道構(gòu)成，加上加上UDS，產(chǎn)生，產(chǎn)生ID電流，而且會(huì)電流，而且會(huì)隨著隨著UDS的加大而增大

22、的加大而增大;(3)隨著隨著UGS加大，導(dǎo)電溝道加寬，加大，導(dǎo)電溝道加寬，導(dǎo)電才干加強(qiáng)，導(dǎo)電才干加強(qiáng)，ID增大。增大。http:/ UGS(th)時(shí)，時(shí)，ID與與UDS之間是可變的線性之間是可變的線性電阻關(guān)系，稱為可變線性電阻區(qū)電阻關(guān)系，稱為可變線性電阻區(qū)在在區(qū)中區(qū)中:ID不隨不隨UDS增大而增大，增大而增大， 而是維持在某一個(gè)數(shù)值上，而是維持在某一個(gè)數(shù)值上， 稱為恒流區(qū)。稱為恒流區(qū)。 呈現(xiàn)出很大的輸出電阻呈現(xiàn)出很大的輸出電阻r0。在不同的柵源電壓下，漏極的電流是呈線性增大的在不同的柵源電壓下，漏極的電流是呈線性增大的IDUDShttp:/ - gm - 柵源電壓對(duì)漏極電流控制才干的強(qiáng)弱。柵源電壓對(duì)漏極電流