FLX-2320操作手冊

1、KUCjencorFLX 2320 Stress Measurement System操作手冊A. IO1 .打 FLX-2320主械雷源。（屋下Power-On筵）2 .打月面重源，系統(tǒng)曾自行迤入 WIN31行Tencor FLX群 下之WINFLX,既可迤入主操作重面。B. MS1 .高隹主操作軟H （ Measure Exit ）,跳出 WIN31 至 DOST, 源。2 . 80 FLX-2320 雷源（屋下 Power-Off 筵）。C.量測Stress值需有Wafers理前典虞理彳爰之曲率半彳圣差累值算，故Wafers（在房膜之前先量一次，是膜之彳爰再量一次才可得出 Stress

2、值。1 .於主I1面之Edit逗罩下，溟攆Process Program,按Load可 逗攆欲量測Wafer尺寸的程式，彳爰再Cancel。2 .打主械FElf, W Wafer置於Locator內(nèi)， Wafer定位於中心，吉青言己住Wafer放的方向3 . M±mo4 .於主逗罩Measure下篷犀F(xiàn)irst （No Film）。此未I!膜之 前的量測。5 . WJ入此量測資料欲儲存的槽名，3a俞入定羲給此 Wafer之ID。6 .按Measure即始量測，量根豚吉束曾K示曲率半彳困之圈形。再 按Measure可再量測一次或按Cancel高隹I弱。7 .打主械上蓋，取出 Wafer

3、。8 .富Wafer做完裂程彳爰，再符 Wafer置於主械內(nèi)，逗攆主逗軍 Measure下之 Single 。9 . WJ入奧之前相同之槽名或按下 File逗攆，WJ入奧之前相同之 ID, WJ入膜眉之厚度（？）。10 .按Measure即始量測，量根豚吉束曾K示曲率半彳國之圈形典 Stress值。再按Measure可再量測一次或按 Cancel高隹I弱。D. Stress-Time 量測1 .富Wafer做完裂程彳爰，可做是日寺削性量測；逗攆主逗軍Measure 下之Time。2 . WJ入奧之前相同之槽名或按下 File逗攆，WJ入奧之前相同之 ID, WJ入膜眉之厚度（？）。3 . WJ

4、入麻鬲量根崎（ Interval ）（最小30秒），賺新寺Total ) 。4 .按Measure即始量測，量測K示隔日寺言已數(shù)，余吉束曾11示Stress之趣勢|1|。再按Measure可再量測一次或按Cancel irn。E. Stress-Temp 量測Stress - Temp量測Wafer放置方法1 .打HI主檄咒H, W Wafer置於Locator內(nèi)，> Wafer定位於中心，己住 Wafer 放的方向。2 .官青小心取出 Wafer Locator ,取出畤勿移Ift到 Wafer。3 .符透明石英片放置Heater上。4 .蓋上升溫用不輔金園外罩，符四他旋扭Hit。5

5、. > N2打趣微量，只要微量充入Chamber既可，量遇大曾造成 Wafer震勤或 溫度瓢法有效上升。（此項卷有接才使用）6 . > CDA打至60 psi。（此項卷有接才使用）7 .按下檄臺上之Heater典Fan lUBfl （余泉色按）。8 .Hot Plate Cov&rQuartz PlateaShallow depression where the wafer is placed, face up. for measurementMeatei through hich compressed air or liquid nitrogen is run to al

6、low fas coming富Wafer做完裂程彳爰，可做昇溫量測；逗攆主逗軍Measure下之Temperature。1. WJ入奧之前相同之槽名或按下 File逗攆，WJ入奧之前相同之ID, WJ入膜眉之厚度（？）最高昇2. 於昇溫之Recipe內(nèi)可輸入每卜皆段之昇溫或降溫僚件溫速率余勺每分金童1520 C,最高溫度 500 Q定升溫溫度量瀏雉.Priority iSM3. WJ入完成彳爰，按Measure即始量測，量測K示溫度奧量測燮化，余吉束曾K示Stress之升降溫圈。X注意：降溫至室溫畤言青步驟溫度U定大於室10度（例40C）,以避免等待日寺遇晨到逵室溫。F.其他功能1 . Dat

7、a Edit & ReviewEdit逗罩下逗攆Data,可叫出已存槽之資料，供橫視或 圈形。2 .校正 Calibration隨械之Certified Wafer可供做定期檢測量測之正碓性。« 符 Wafer A做 First 量根!，W Wafer B做 Single 量根L （參照其附之Certified Data sheet ）?？雌淞繙y值是否在襟凈值2.5 %之規(guī)格內(nèi)，若超出規(guī)格者青1繇各Scientech Service 。3 .雷射強度典位置檢查a.符一 Bare Silicon Wafer 至於主械 Chamber。b.孰行主逗罩 Utilities 下之 Diagnosticsc.富11示放入一 Bare Silicon Wafer 日寺，按 OKd. f1面上 11rls示 650nmW 750nm雷射之弓度（Intensity ）及位置（Diff ）,若雷射位置瓢ig, |fj Table Leveling #K示OK否即曾K示CW或CCWH爾符主械內(nèi)晶片載臺旁之水平I1整力郎寺金十或逆日寺金十旋I1整，I1整至TableLeve