電子科技大學(xué)《微電子器件》課程重點(diǎn)與難點(diǎn)

1、重點(diǎn)與難點(diǎn)第 1 章 半導(dǎo)體器件基本方程 一般來說要從原始形式的半導(dǎo)體器件基本方程出發(fā)來求解析解 是極其困難的，通常需要先對(duì)方程在一定的具體條件下采用某些假設(shè) 來加以簡(jiǎn)化，然后再來求其近似解。 隨著半導(dǎo)體器件的尺寸不斷縮小， 建立新解析模型的工作也越來越困難， 一些假設(shè)受到了更大的限制并 變得更為復(fù)雜。 簡(jiǎn)化的原則是既要使計(jì)算變得容易， 又要能保證達(dá)到 足夠的精確度。如果把計(jì)算的容易度與精確度的乘積作為優(yōu)值的話， 那么從某種意義上來說， 對(duì)半導(dǎo)體器件的分析問題， 就是不斷地尋找 具有更高優(yōu)值的簡(jiǎn)化方法。 要向?qū)W生反復(fù)解釋， 任何方法都是近似的， 關(guān)鍵是看其精確程度和難易程度。 此外，有些近似方

2、法在某些條件下 能夠采用， 但在另外的條件下就不能采用， 這會(huì)在后面的內(nèi)容中具體 體現(xiàn)出來。第 2 章 PN 結(jié)第 2.1 節(jié) PN 結(jié)的平衡狀態(tài)本節(jié)的重點(diǎn)是 PN 結(jié)空間電荷區(qū)的形成、內(nèi)建電勢(shì)的推導(dǎo)與計(jì) 算、耗盡區(qū)寬度的推導(dǎo)與計(jì)算。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)耗盡近似的理解。 要向?qū)W生強(qiáng)調(diào)多子濃度與少子 濃度相差極其巨大，從而有助于理解耗盡近似的概念，即所謂耗盡， 是指“耗盡區(qū)”中的載流子濃度與平衡多子濃度或摻雜濃度相比可以 忽略。第 2.2 節(jié) PN 結(jié)的直流電流電壓方程本節(jié)的重點(diǎn)是對(duì)PN結(jié)擴(kuò)散電流的推導(dǎo)。講課時(shí)應(yīng)該先作定性介 紹，讓學(xué)生先在大腦中建立起物理圖象，然后再作定量的數(shù)學(xué)推導(dǎo)。 當(dāng)PN結(jié)上無外

3、加電壓時(shí)，多子的擴(kuò)散趨勢(shì)正好被高度為qVm的勢(shì)壘 所阻擋， 電流為零。 外加正向電壓時(shí)， 降低了的勢(shì)壘無法阻止載流子 的擴(kuò)散， 于是構(gòu)成了流過 PN 結(jié)的正向電流。 正向電流的電荷來源是 P 區(qū)空穴和 N 區(qū)電子，它們都是多子，所以正向電流很大。外加反 向電壓時(shí)，由于勢(shì)壘增高，多子的擴(kuò)散變得更困難。應(yīng)當(dāng)注意， “勢(shì) 壘增高”是對(duì)多子而言的，對(duì)各區(qū)的少子來說，情況恰好相反，它們 遇到了更深的勢(shì)阱， 因此反而更容易被拉到對(duì)方區(qū)域去， 從而構(gòu)成流 過 PN 結(jié)的反向電流。 反向電流的電荷來源是少子， 所以反向電流很 小。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)有外加電壓時(shí)勢(shì)壘區(qū)兩旁載流子的運(yùn)動(dòng)方式的 理解、以及電子（空穴）電

4、流向空穴（電子）電流的轉(zhuǎn)化。第 2.3 節(jié) 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)與大注入效應(yīng)本節(jié)的重點(diǎn)是 PN 結(jié)在外加正向電壓和反向電壓時(shí)的能帶圖、 大 注入條件及大注入條件下的 PN 結(jié)電流公式。本節(jié)的難點(diǎn)是大注入條件下自建場(chǎng)的形成原因。要向?qū)W生說明， 大注入自建場(chǎng)的推導(dǎo)與前面進(jìn)行過的非均勻摻雜內(nèi)建場(chǎng)的推導(dǎo)在本 質(zhì)上是相同的， 都是令多子電流密度方程為零而解出電場(chǎng)， 這也是分 析微電子器件時(shí)的一種常用方法。第 2.4 節(jié) PN 結(jié)的擊穿 本節(jié)的重點(diǎn)是利用雪崩擊穿臨界電場(chǎng)和通過查曲線來求得雪崩 擊穿電壓的方法，以及 PN 結(jié)的實(shí)際結(jié)構(gòu)（高阻區(qū)的厚度和結(jié)深）對(duì) 擊穿電壓的影響，這些都是實(shí)際工程中的常見問題。本節(jié)的難點(diǎn)是

5、雪崩倍增因子與碰撞電離率之間關(guān)系的數(shù)學(xué)推導(dǎo)。 在講課時(shí)可以將對(duì)碰撞電離率的簡(jiǎn)化移到推導(dǎo)過程的較前處， 這樣既 顯著簡(jiǎn)化了推導(dǎo)過程， 又不會(huì)影響所得的結(jié)果。 對(duì)于有能力的學(xué)生可 以鼓勵(lì)他們看懂教材上的推導(dǎo)過程。 本節(jié)的另一個(gè)難點(diǎn)是對(duì)雪崩擊穿 條件的理解。根據(jù)雪崩擊穿條件， 當(dāng)電離率積分趨于 1 時(shí)雪崩倍增因 子趨于無窮大， 此時(shí)發(fā)生雪崩擊穿。 但是電離率積分趨于 1意味著每 個(gè)載流子通過耗盡區(qū)時(shí)只產(chǎn)生一對(duì)電子空穴對(duì)， 這怎么會(huì)使電流趨于 無窮大呢？答案是每對(duì)新的電子空穴對(duì)在通過耗盡區(qū)時(shí)又會(huì)產(chǎn)生一 對(duì)電子空穴對(duì)， 從而使載流子無限地增加下去。 本節(jié)的第三個(gè)難點(diǎn)是 對(duì)雪崩擊穿臨界電場(chǎng)的理解。 這個(gè)臨

6、界電場(chǎng)并不是從物理概念推導(dǎo)出 來的，而是根據(jù)碰撞電離率強(qiáng)烈地依賴于電場(chǎng)強(qiáng)度的事實(shí)而引入的。第 2.5 節(jié) PN 結(jié)的勢(shì)壘電容本節(jié)的重點(diǎn)是 PN 結(jié)勢(shì)壘電容的物理意義、 勢(shì)壘電容的定義和突 變結(jié)與線性緩變結(jié)勢(shì)壘電容的計(jì)算。 要特別說明的是， 雖然 PN 結(jié)勢(shì) 壘電容有與平行板電容器相同的計(jì)算公式， 但由于勢(shì)壘區(qū)的厚度是隨 偏壓而變的，所以勢(shì)壘電容的值也將隨偏壓而變，是偏壓的函數(shù)。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)實(shí)際擴(kuò)散結(jié)的勢(shì)壘電容的計(jì)算。第 2.6 節(jié) PN 結(jié)的交流小信號(hào)特性與擴(kuò)散電容本節(jié)的重點(diǎn)是 PN 結(jié)擴(kuò)散電容的物理意義、 小信號(hào)電導(dǎo)和擴(kuò)散電 容的計(jì)算。 應(yīng)該通過將勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容在各個(gè)方面進(jìn)行比較， 特

7、 別是這兩種電容的物理意義的比較， 使學(xué)生充分理解這兩種電容的本 質(zhì)區(qū)別。擴(kuò)散電容上的電荷是儲(chǔ)存在中性區(qū)的非平衡載流子電荷， 這 一點(diǎn)是容易理解的。但是學(xué)生常常誤認(rèn)為擴(kuò)散電容上的成對(duì)的正負(fù)電 荷是位于 PN 結(jié)兩側(cè)的非平衡少子電荷。 實(shí)際上成對(duì)的正負(fù)電荷應(yīng)該 是位于 PN 結(jié)同側(cè)的非平衡少子電荷和非平衡多子電荷。本節(jié)的難點(diǎn)是 PN 結(jié)小信號(hào)交流電流的推導(dǎo)過程， 一定要在推導(dǎo) 之前先將推導(dǎo)的思路清晰地告訴學(xué)生。第 2.7 節(jié) PN 結(jié)的開關(guān)特性本節(jié)的重點(diǎn)是 PN 結(jié)的瞬態(tài)開關(guān)特性， 其中最重要的知識(shí)點(diǎn)是為 什么在反向恢復(fù)期間會(huì)出現(xiàn)一個(gè)很大的反向電流。 已知 PN 結(jié)反向電 流的電荷來源是少子，

8、所以反向電流應(yīng)該極其微小。 但在反向恢復(fù)過 程中，卻會(huì)出現(xiàn)一個(gè)很大的反向電流。 這是因?yàn)檎蚱陂g存儲(chǔ)在中性 區(qū)內(nèi)的大量非平衡少子電荷充當(dāng)了反向電流的電荷來源。 本節(jié)的另一 個(gè)重要的知識(shí)點(diǎn)是，反向恢復(fù)期間少子存儲(chǔ)電荷的下降有兩個(gè)途徑， 一個(gè)是反向電流的抽取， 一個(gè)是少子自身的復(fù)合。 由此可以得到反映 少子存儲(chǔ)電荷下降規(guī)律的微分方程。本節(jié)的難點(diǎn)是在反向恢復(fù)過程的各階段， 對(duì) PN 結(jié)的電荷和電壓 的變化情形的理解，以及對(duì)反映少子存儲(chǔ)電荷下降規(guī)律的微分方程的 求解。第 3 章 雙極結(jié)型晶體管第 3.1 節(jié) 雙極結(jié)型晶體管基礎(chǔ) 本節(jié)的第一個(gè)重點(diǎn)是共基極放大區(qū)晶體管中的電流傳輸過程。 輸 入電流Ie流過

9、晶體管成為輸出電流Ic時(shí)將發(fā)生兩部分虧損，要講清 楚發(fā)生這兩部分虧損的原因， 以及為提高晶體管的電流傳輸效率和減 少這兩部分虧損應(yīng)采取的具體措施。 第二個(gè)重點(diǎn)是基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)和發(fā) 射結(jié)注入效率的定義。 第三個(gè)重點(diǎn)是各種電流放大系數(shù)的定義及相互 關(guān)系。短路電流放大系數(shù)的定義是集電結(jié)零偏時(shí)的輸出輸入電流之 比，而晶體管放大區(qū)的定義卻是集電結(jié)反偏。 要向?qū)W生說明， 集電結(jié) 零偏可以得到最大輸出電流， 可以使對(duì)電流放大系數(shù)和電流電壓方程 的推導(dǎo)得到簡(jiǎn)化。 實(shí)際上集電結(jié)零偏仍在放大區(qū)的邊緣上， 與集電結(jié) 反偏相比，集電結(jié)零偏對(duì)電流放大系數(shù)引起的差別是微乎其微的。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)共基極電流放大系數(shù)的理解。在共

10、基極接法下， 電流放大系數(shù)是小于 1 的，這意味著電流經(jīng)過晶體管后反而變小了， 那么晶體管還有放大能力嗎？實(shí)際上， 共基極電路中的晶體管是通過 輸入端到輸出端電阻的變大而電流基本不變來實(shí)現(xiàn)功率放大功能的。第 3.2 節(jié) 均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù) 本節(jié)的重點(diǎn)是對(duì)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的推導(dǎo)和基區(qū)渡越時(shí)間的概念。 基 區(qū)渡越時(shí)間是一個(gè)很重要的概念。 利用基區(qū)渡越時(shí)間， 可以通過物理 意義直接而方便地推導(dǎo)出基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)。 此外，基區(qū)渡越時(shí)間對(duì)晶體 管的頻率特性也有十分重要的作用。本節(jié)的難點(diǎn)是，若利用將基區(qū)少子濃度分布代入電流密度方程的 方法來推導(dǎo)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)， 則必須采用薄基區(qū)二極管的少子濃度分布 的精確

11、公式。 如果采用薄基區(qū)二極管的少子濃度分布的近似公式， 就 會(huì)得到基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)等于 1 的結(jié)果。出現(xiàn)這種情況的原因是， 基區(qū)輸 運(yùn)系數(shù)是用來衡量少子在基區(qū)中復(fù)合的大小的， 而少子濃度分布的近 似公式的近似之處恰恰就是忽略了基區(qū)中的少子復(fù)合。 另一方面， 若 利用電荷控制法來推導(dǎo)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)， 則可以采用薄基區(qū)二極管的電 流密度的近似公式。 這個(gè)例子說明， 同樣的近似公式， 在解決同一個(gè) 問題的時(shí)候，在有的條件下可以使用，在另外的條件下則不能使用。第 3.3 節(jié) 緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù) 本節(jié)的重點(diǎn)是緩變基區(qū)晶體管中的基區(qū)內(nèi)建電場(chǎng)極其對(duì)基區(qū)渡 越時(shí)間和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的作用，和發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)。

12、本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)緩變基區(qū)晶體管電流放大系數(shù)的推導(dǎo)和對(duì)異質(zhì) 結(jié)雙極晶體管的理解。 本節(jié)涉及的數(shù)學(xué)推導(dǎo)比較多， 在教學(xué)中仍應(yīng)遵循先作定性的物理概念的介紹，再作定量的數(shù)學(xué)公式的推導(dǎo)的順序。 在進(jìn)行數(shù)學(xué)推導(dǎo)時(shí)， 也應(yīng)先交代清楚推導(dǎo)的思路和步驟。 求基區(qū)輸運(yùn) 系數(shù)的步驟是： 首先，令多子電流密度為零解出基區(qū)內(nèi)建電場(chǎng) (這個(gè) 方法已經(jīng)用過多次) ；然后，將內(nèi)建電場(chǎng)代入基區(qū)少子電流密度方程 求出注入基區(qū)的少子電流密度； 第三，將基區(qū)少子電流密度公式中的 積分下限由零改為基區(qū)中的任意位置x，即可解出基區(qū)少子濃度分布；第四，對(duì)基區(qū)少子濃度作積分求得基區(qū)少子電荷；最后，將基區(qū) 少子電荷除以基區(qū)少子電流密度，就可得到

13、基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)。第 3.4 節(jié) 雙極晶體管的直流電流電壓方程本節(jié)的重點(diǎn)是埃伯斯-莫爾(Ebers-Moll)方程、共發(fā)射極輸出 特性曲線和基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)。注意埃伯斯-莫爾方程并不是僅僅用來已知兩個(gè)結(jié)上的電壓后求兩個(gè)極上的電流。實(shí)際上，在IE、 IC、VBE、 VBC 四個(gè)變量中已知任意兩個(gè)變量，就可以利用埃伯斯-莫爾方程求出另外兩個(gè)變量。輸出特性方程就是利用埃伯斯-莫爾方程推導(dǎo)出來的。下一節(jié)要介紹的浮空電勢(shì)以及飽和壓降等也可以利用埃伯斯 -莫爾方程推導(dǎo)出來。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)倒向晶體管的理解、 有關(guān)基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)的數(shù) 學(xué)推導(dǎo)和對(duì)厄爾利電壓的理解。 為了幫助學(xué)生對(duì)厄爾利電壓的數(shù)學(xué)表 達(dá)式的記憶，

14、可以將厄爾利電壓的物理意義歸結(jié)為： 厄爾利電壓是基 區(qū)寬度隨集電結(jié)電壓的相對(duì)變化率的倒數(shù)的相反數(shù)。第 3.5 節(jié) 雙極晶體管的反向特性 本節(jié)的重點(diǎn)是各種反向截止電流和各種擊穿電壓的測(cè)量方法、BVCBO 與 BVCEO 之間的關(guān)系。 這些內(nèi)容有很重要的工程實(shí)際意義，例如在設(shè)計(jì)用于共發(fā)射極接法的功率晶體管時(shí)， 應(yīng)該先根據(jù)電源電壓確 定BVceo，再根據(jù)BVcbo與BVceo之間的關(guān)系確定BVcbo，最后根 據(jù) BVCBO 確定集電區(qū)的摻雜濃度，而不應(yīng)根據(jù)電源電壓來直接確定 集電區(qū)摻雜濃度。本節(jié)的難點(diǎn)是如何理解為什么雪崩倍增效應(yīng)對(duì)共發(fā)射極接法的 影響要遠(yuǎn)大于對(duì)共基極接法的影響。 在共基極接法中， 發(fā)

15、射結(jié)上有一 個(gè)反偏的浮空電勢(shì)， ICBO 比單獨(dú)一個(gè)集電結(jié)的反向飽和電流 ICS 還要 小，所以 BVCBO 比單獨(dú)一個(gè)集電結(jié)的擊穿電壓略大。但在共發(fā)射極 接法中，集電極和發(fā)射極之間的電壓對(duì)集電結(jié)是反偏， 對(duì)發(fā)射結(jié)則是 一個(gè)很小的正偏，發(fā)射區(qū)的載流子可以源源不斷地穿過基區(qū)到達(dá)集電 區(qū)，使Iceo遠(yuǎn)大于單獨(dú)一個(gè)集電結(jié)的反向飽和電流les，所以BVceo顯著小于單獨(dú)一個(gè)集電結(jié)的擊穿電壓。這就使BVCEO 顯著小于BVcBo 。第 3.6 節(jié) 基極電阻 本節(jié)的重點(diǎn)是利用方塊電阻來計(jì)算基極電阻的方法和減小基極 電阻的各項(xiàng)措施。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)等效電阻的理解。在計(jì)算第(2)和第(4)部分電阻時(shí)有兩個(gè)困難：

16、 一是這個(gè)區(qū)域的電流方向會(huì)發(fā)生變化； 二是這個(gè)區(qū)域 的電流大小會(huì)發(fā)生變化。 解決第一個(gè)問題的辦法是， 考慮到實(shí)際晶體 管是很扁平的， 垂直方向的電流比水平方向的電流短得多， 所以可以 忽略垂直方向的電流； 解決第二個(gè)問題的辦法就是采用等效電阻的概 念，以功率相等為標(biāo)準(zhǔn)， 將大小變化的電流遇到的分布電阻等效為大 小固定的電流遇到的集中電阻。第 3.8 節(jié) 電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系 本節(jié)的重點(diǎn)是共發(fā)射極高頻小信號(hào)短路電流放大系數(shù)隨頻率的 變化，特征頻率的定義和計(jì)算公式，以及提高特征頻率的措施。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)超相移因子的理解。 與直流情況不同， 對(duì)于高頻小信號(hào)，當(dāng)發(fā)射結(jié)剛向基區(qū)注入少子時(shí)，集電結(jié)并不

17、能立刻得到(qb/ b)的電流，即式(3-223)是不夠準(zhǔn)確的。詳細(xì)論證表明，雖 然少子在基區(qū)內(nèi)逗留的平均時(shí)間是基區(qū)渡越時(shí)間b，可是在開始的被稱為延遲時(shí)間的一段時(shí)間內(nèi)，它們并不能被集電結(jié)取走。它們被集電 結(jié)取走的平均時(shí)間實(shí)質(zhì)上是基區(qū)渡越時(shí)間與延遲時(shí)間之差。這就是超相移因子的由來。第3.9節(jié) 高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路本節(jié)的重點(diǎn)是高頻小信號(hào)電流電壓方程、 混合n等效電路和共發(fā) 射極T形等效電路。本節(jié)的難點(diǎn)是高頻小信號(hào)電流電壓方程的推導(dǎo)過程。 由于該推導(dǎo) 過程比較復(fù)雜，所以要在推導(dǎo)前先講清楚推導(dǎo)的思路與步驟： 先找出 晶體管中的各種高頻小信號(hào)電荷，總共有四種；然后根據(jù)電荷控制方 程建立起晶體

18、管三個(gè)電極上的高頻小信號(hào)電流與這些電荷之間的關(guān) 系，即“電流電荷”方程；接著再推導(dǎo)出這些電荷與晶體管兩個(gè)結(jié)上 的高頻小信號(hào)電壓之間的關(guān)系，即“電荷電壓”方程；最后將“電荷 電壓”方程代入“電流電荷”方程，即可得到晶體管的高頻小信號(hào)電 流電壓方程。第3.10節(jié)功率增益和最高振蕩頻率本節(jié)的重點(diǎn)是最大功率增益和最高振蕩頻率的定義及計(jì)算、提高 晶體管咼頻優(yōu)值的措施。本節(jié)的難點(diǎn)是如何全面理解提高晶體管高頻優(yōu)值的各項(xiàng)措施，及其所帶來的負(fù)面影響。第五章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管第5.1節(jié)MOSFET基礎(chǔ)本節(jié)的重點(diǎn)是 MOSFET 的工作原理和 MOSFET 的輸出特性曲 線圖。本節(jié)的難點(diǎn)是如何正確理解溝道電阻與漏源

19、電壓 VDS 的關(guān)系。隨 著 VDS 的增大，由漏極流向源極的溝道電流也相應(yīng)增大， 使得沿著溝 道由源極到漏極的電勢(shì)由零逐漸增大。 越向漏極靠近，溝道電勢(shì)越高， 柵極與溝道之間的電勢(shì)差就越小。 溝道中的電子濃度將隨柵極與溝道 之間電勢(shì)差的減小而減小， 因此溝道厚度將隨著向漏極靠近而逐漸減 薄。溝道內(nèi)自由電子數(shù)的減少和溝道的減薄， 將使溝道電阻增大。 當(dāng) VDS 增大到被稱為飽和漏源電壓 VDsat 的值時(shí)，溝道厚度在漏極處減薄 到零，溝道在漏極處消失， 該處只剩下了耗盡層， 這稱為溝道被夾斷。第 5.2 節(jié) MOSFET 的閾電壓閾電壓是 MOSFET 的重要參數(shù)之一， 所以關(guān)于閾電壓的定義及

20、 計(jì)算的問題和關(guān)于影響閾電壓的各種因素的問題不但是本節(jié)也是本 章的重點(diǎn)。本節(jié)的難點(diǎn)之一是閾電壓的推導(dǎo)過程。 另一個(gè)難點(diǎn)是如何理解為 什么當(dāng)襯底表面開始發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)可以忽略反型層中的電子濃度。 事 實(shí)上，根據(jù)強(qiáng)反型的定義， 當(dāng)襯底表面開始發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)， 雖然反型 層中的表面電子濃度等于襯底的雜質(zhì)濃度， 但是由于反型層的厚度遠(yuǎn) 小于耗盡區(qū)的厚度，所以反型層中的電子面密度遠(yuǎn)小于耗盡區(qū)中的電 離雜質(zhì)面密度。第 5.3 節(jié) MOSFET 的輸出特性本節(jié)的重點(diǎn)是 MOSFET 非飽和區(qū)漏極電流的近似表達(dá)式、 飽和 漏源電壓與飽和漏極電流的近似表達(dá)式、有效溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì)緩變溝道近似的理解、

21、 非飽和區(qū)精確的直流電流電壓方程的推導(dǎo)過程、對(duì)溝道夾斷的理解、和 MOSFET在飽和區(qū)的 特性。緩變溝道近似是指假設(shè)垂直于溝道方向的電場(chǎng)梯度（:Ex/: x）遠(yuǎn)大于平行于溝道方向的電場(chǎng)梯度（dEy/cy），這表示溝道厚度在沿 溝道長(zhǎng)度方向上的變化很小，故可采用一維分析。從泊松方程可知， 緩變溝道近似實(shí)際上意味著認(rèn)為溝道內(nèi)的載流子電荷都是由柵極電 壓Vg產(chǎn)生的（fEx/：x）所感應(yīng)出來的，而可忽略由漏極電壓Vd產(chǎn)生的（：Ey/ry）的作用。第5.4節(jié)MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)的重點(diǎn)是亞閾區(qū)導(dǎo)電的性質(zhì)、MOSFET亞閾漏極電流的特點(diǎn)、閾電壓的測(cè)試方法。關(guān)于MOSFET亞閾漏極電流 Gub的特點(diǎn)，可以作出如下簡(jiǎn)單的 歸納：當(dāng)Vds不變時(shí)，iDsub與Vgs呈指數(shù)關(guān)系，類似于PN結(jié)的正向伏 安特性，但I(xiàn)Dsub隨Vgs的增加要比PN結(jié)正向電流慢一些。當(dāng)Vgs不變時(shí)，IDsub隨Vds的增加而增加，但當(dāng) Vds大于（kT/q） 的若干倍時(shí)，IDsub變得與Vds無關(guān)，即IDsub對(duì)Vds而言會(huì)發(fā)生飽和， 這類似于PN結(jié)的反向伏安特性。本節(jié)的難點(diǎn)是對(duì) MOSFET亞閾漏極電流公式的推導(dǎo)過程。第5.5節(jié)MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性本節(jié)的重點(diǎn)是MOSFET的通導(dǎo)電阻、MOSFET的溫度特性、M