集成電路與器件工藝原理ppt課件

1、一。定義和用途 1.外延：指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術。因是由襯底向外延伸，故稱外延。2.用途：根據(jù)需要，在單晶襯底上形成摻雜類型不同或摻雜濃度不同的均勻摻雜單晶層。 硅的氣相外延原理：利用硅的氣態(tài)化合物，在加熱的硅襯底表面，與 H2發(fā)生反應或自身發(fā)生熱分解，還原生成硅，以單晶形式淀積在襯底表面。反應方程：SiCl4 +2 H2 = Si+ 4HCl; 四氯化硅Si H2Cl2 = Si + 2HCl. 二氯二氫硅第二種源優(yōu)點：外延溫度低，缺陷少，外延質量高。 外延過程：裝片通N2趕氣通 H2通電源、通水冷 H2處理HCl氣相腐蝕趕HCl，爐溫調至外延生長標準外延生長通 H2、硅源、摻雜

2、氣） H2清洗關硅源、摻雜氣）關電源降溫通N2趕 H2冷卻取片檢驗。 層錯的形成:局部原子層錯排：（1，1，1） 面上顯示正三角形，（1，0，0面上顯示 正方形。實際上是正三棱錐和正四棱錐 （象倒金字塔）。 外延層測量： 1、厚度測量：層錯法、C-V法、紅外橢圓 儀法、紅外反射干涉法等。 2、 電阻率測量：四探針法、三探針法、 C-V法。 測試原理實際上是根據(jù)歐姆定律來測 中間兩針間的電壓。 外延工藝的特有質量問題： 自摻雜效應：襯底的雜質在外延過程中逸 出，摻入外延層中，造成電阻率失常甚至 反型。 防止：生長過度層，降低外延溫度。 外延工藝的優(yōu)點： 高效率的獲得較厚的均勻摻雜單晶層。 不存在

3、兩種雜質相互補償問題，PN結兩邊 雜質分布為突變結 外延工藝的優(yōu)點： 高效率的獲得較厚的均勻摻雜單晶層。 不存在兩種雜質相互補償問題，PN結 兩邊雜質分布為突變結 一一.氧化工藝：在高溫爐中，使硅晶體表面生氧化工藝：在高溫爐中，使硅晶體表面生成一層氧化層的工藝。成一層氧化層的工藝。 二二. 氧化層的作用氧化層的作用: 1.掩蔽作用掩蔽作用:磷、硼等雜質在磷、硼等雜質在SiO2中的擴散速度中的擴散速度較較Si中慢很多，于是可用中慢很多，于是可用SiO2來進行摻雜時的來進行摻雜時的掩蔽。掩蔽。 2.SiO2的表面保護和鈍化作用：可防止外部環(huán)的表面保護和鈍化作用：可防止外部環(huán)境影響產(chǎn)品性能，鈍化表面

4、，消除表面態(tài)，防鈉境影響產(chǎn)品性能，鈍化表面，消除表面態(tài)，防鈉離子沾污離子沾污.（Si片表面很容易生成片表面很容易生成SiO2，是它的，是它的大優(yōu)點，形成了一套完整的平面工藝大優(yōu)點，形成了一套完整的平面工藝.） 3.MOS管的柵極絕緣材料；管的柵極絕緣材料；IC電容的層間介質。電容的層間介質。 三SiO2的性質：具有很好的電絕緣性， 電阻率達10的1517次方歐姆厘米。對各種 酸、堿氣氛有耐受性，但不耐HF腐蝕。 熱生長氧化膜是非晶態(tài)無定型結構，比較 疏松，只有四成空間被SiO2分子占據(jù)，密 度較低。 四熱氧化膜生長機理： 1. 干氧氧化：Si + O2 = SiO2 2.水汽氧化：Si + H

5、2O = SiO2 + H2 3.濕氧氧化：是上述兩項的結合。在向氧化爐中通O2時，讓其從95的氧化水瓶中鼓泡后進入。 4.氫氧合成水汽氧化：將高純 H2和O2分別通入爐管，使其燃燒成水汽，對硅片進行氧化。2 H2 +O2 = 2 H2O。 普通 氫：氧=2：1即可，但實際上O2是過量的，防止發(fā)生危險。這樣，其實質也是一種濕氧氧化。爐口裝有燃燒部注入器），配有報警系統(tǒng)，當氫氧比例失調，或溫度低于 H2燃燒點時，就會關斷 H2，充入N2。 優(yōu)點：由于 H2和O2純度可以很高，因此合 成的水汽中Na+含量可低于0.1PPB。氧化 層質量高，均勻性好。 本卷須知： H2噴口溫度必須高于585， 管道

6、嚴禁泄露，開工時要先用N2充滿爐管，后按O2 H2的順序通氣，完工時按 H2O2的順序關氣，然后用N2清掃。 氧氣要過量。 5.熱氧化的微觀過程和氧化速率。 微觀過程：氧化過程中，O2和 H2O分子總 要穿過已經(jīng)形成的SiO2層，繼續(xù)向下穿 越，到達SiO2Si界面，形成新的SiO2層。 因此氧化是越來越慢的。由于氧分子穿越 速度慢，故干氧氧化較慢。隨著爐溫的提 高，氧化速度將加快。 6.對于較短時間氧化，氧化層厚度tox近似 與時間成正比。對于較長時間氧化，氧化 層厚度tox與時間的開方成正比 7.摻氯氧化：Cl元素在SiO2Si界面可同硅的懸掛健結合，減少界面態(tài)。Cl在SiO2中可俘獲Na

7、+，可與重金屬雜質生成氯化物氣體排出，并減少熱氧化層錯。 C2H3CL3 + O2 = CL2 + HCL + CO2 + H2O; HCL + O2 = CL2 + H2O. .氧化膜厚度測量：可用測厚儀測。SiO2膜 的顏色隨厚度變化，呈現(xiàn)紅、橙、黃、 綠、青、藍、紫的周期性變化，有經(jīng)驗工 人可粗略判斷氧化層厚度。這稱為比色法. 定義：在高溫爐中，通入含有所需雜質的 氣體，使該雜質向硅晶體體內擴散。 用途：形成特定的P型或N型區(qū)。 1.恒定表面源擴散：通源擴散過程。2.有限表面源擴散：實際上是雜質的再分布驅入）。 擴散方法：液-固擴散； 氣-固擴散； 固-固擴散實質上最終都是氣-固） 1.

8、硼的液-固擴散：BBr3的擴散： 4 BBr3 + 3O2 = 2B2O3 + 6 Br2， B2O3則作為擴散源： 2B2O3 + 3Si = 4B + 3SiO2。 本卷須知：該源怕潮、怕光，有毒，注意排風。 優(yōu)點：該源的蒸汽壓較高，可得到較高表面濃度。 4 POCl3 + O2 = P4O10 + 6CI2， P4O10是P2O5的雙聚分子，繼續(xù)發(fā)生下列反應： P4O10 + 5Si = 5SiO2 + 4P。 使用方法：大N2和O2直接進爐，小N2攜帶源進爐。 3.本卷須知：該源怕潮，有毒，注意排風。 優(yōu)點：可得到較高表面濃度，老牌源，工藝成熟。一般用四探針法測出Rs,稱為方塊電阻，通

9、過它可判斷擴散濃度的大小。 一.離子注入原理：在接近真空的條件下,將 待摻雜元素電離成正離子，用強電場使其 加速，獲得足夠的能量，高速射入硅片體 內。 二.用途：在硅片上形成特定的P型或N型區(qū)。 三 .離子注入設備：離子源，磁分析器，加 速管，聚焦和掃描系統(tǒng)，靶室和后部處理 系統(tǒng)。 四.注入損傷：注入離子和晶格原子碰撞， 使其脫離原格點位置。 四.退火：將注入后的硅片在8001000爐管中烘烤，使離位硅原子在熱運動中歸位，消除缺陷。 實驗發(fā)現(xiàn)：500600烘烤反而使情況更糟，故在降溫時，應快速通過這一溫度范圍。 退火還有另一作用，就是激活所摻雜質原子。 退火技術的新進展:快速退火技術(RTP技

10、術). 特點:單片操作. 優(yōu)點: 1.雜質濃度不變,并100%激活. 2.殘留晶格缺陷少,均勻性和重復性好. 3.加工效率高,可達200300片/h. 4.設備簡單,成本低. 通道效應及防止:因硅晶體空隙大,個別雜質 離子可能速度極大,進入硅片深處,造成穿通. 防止:在硅片表面長薄層氧化層;讓注入角度偏幾度. 七.公司常用離子源： Sb2O5, 五氧化二銻 ,（也用三氧化二銻) BF3, 三氟化硼 PH3, 磷烷 AsH3.砷烷 八.離子注入的優(yōu)點： 1 可精確控制摻雜濃度和深度。 2 離子注入不存在橫向擴散。 3 大面積均勻摻雜。 4 能容易地摻入多種雜質。 5 摻雜純度較高。 九.離子注入

11、的缺點： 1 成本較高。 2 有注入損傷，若退火不當，會應響成品 率。 一.光刻的基本原理：分“圖形轉移和“刻蝕兩步。類似照相制版，在硅片上涂對光敏感的“光刻膠”，光透過光掩模版光罩）-相當于底版，照在光刻膠上，構成“潛影”，經(jīng)顯影后完成“圖形轉移”。再對光刻膠刻出的窗口進行刻蝕，光刻工作即告完成。在離子注入工序，光刻膠還可充當掩蔽膜的角色。 二.用途：在二氧化硅膜或其它絕緣膜上刻 出特定的窗口，將金屬層刻成條狀內引 線。 三.目前IC制造對光刻的基本要求： 1.高分辨率； 2.高靈敏度的光刻膠； 3.低缺陷； 4.精確的套刻對準； 5.大尺寸硅片。 四.正性光刻膠光照到處可顯掉）。 優(yōu)點：可

12、刻3微米以下細線條，分辨率高。缺陷：粘附性差，不耐濕法腐蝕，價格高。 這是鄰疊氮醌類化合物。經(jīng)光照后成為羧酸有機酸），可以被堿性的顯影液所中和，反應生成的胺和金屬鹽可快速溶解在顯影液中。 五.負性光刻膠光照到處可交聯(lián)成不溶物，顯影中保留下來）。優(yōu)點：價格低，耐濕法腐蝕，工藝成熟，可選品種多。缺陷：因負膠在光刻腐蝕液中會膨脹，故刻不了細線條。 1.聚肉桂酸酯類光刻膠：老牌光刻膠。 2.聚烴類-雙疊氮系光刻膠：又稱環(huán)化橡膠系光刻膠。其中的雙疊氮成分是交聯(lián)劑。目前IC制造中常用的負性膠。優(yōu)點：黏附性好，耐腐蝕。缺陷：曝光后靈敏度會受O2的影響。 1.制程：預烤涂膠前烘對位曝光 顯影檢驗ADI）后烘堅

13、膜）刻 蝕檢驗 （AEI）去膠。 預烤：在真空烘箱中150左右烘烤，同時使增粘劑HMDS蒸汽進入，在硅片上均布一薄層HMDS，將Si表面由親水變成憎水，增強光刻膠與Si表面粘和性能。 HMDS成分：六甲基乙硅氮烷。涂膠：旋轉涂布法，在自動涂膠機上進行，每片用膠大約一到幾毫升。前烘；在涂膠機的第二個臺位上完成，熱板傳導加熱方式，12分鐘即可，趕出膠膜中的有機溶劑，使其固化。對位曝光：用紫外燈透過光掩模光刻版對膠膜曝光，除第一次光刻外，其它各道都存在和前道的對準問題。 顯影：對正膠，在四甲基氫氧化銨堿液中 溶去光照過的膠膜；對負膠，一般是在芳 香烴類有機溶劑中溶去未被光照過的膠 膜。圖形轉移即告完

14、成。 F. ADI：顯微鏡下檢驗顯影質量。 G. 后烘：在烘箱中將Si片烘干。 .刻蝕指濕法刻蝕，干法隨后再述）： 一般是在SiO2上刻出窗口： SiO2 +4 HF = SiF4 +2 H2O ； 刻Al時則是： H3PO4 + Al = AlPO4 + H2. AEI：刻蝕后檢驗。去膠：一般是 H2SO4 + H2O2 中去膠。但在有鋁后，則在MUII吡咯酮中去膠。(干法去膠在干法刻蝕中講)。 1.浮膠、鉆蝕光刻膠掀起，旁蝕刻）。 4 鋁線過細。 5 鋁線橋接。 6 瞎窗。（尤其是引線孔光刻）。 7 鋁發(fā)黃。 8 對準偏差。 9 引線孔未完全覆蓋。 濕法腐蝕的缺點： A.使用大量酸液，安全

15、性差，又污染環(huán)境。 B.側向腐蝕嚴重，線條做不細。 C.刻Si3N4和多晶硅時，光刻膠對H3PO4 和HNO3 + HF的耐受性不好。 干刻原理：是利用接近真空條件下氣體輝 光放電產(chǎn)生等離子體，其中的腐蝕性氣體 的化學活性游離基與SiO2等被刻蝕表面發(fā) 生反應，且生成物是氣體 。 A.刻SiO2：在反應室通入CF4，CHF3， C2F6，SF6，C3F8，NF3等氣體，產(chǎn)生 F游離基），于是： SiO2 + 4F*（游離基）= SiF4氣）+O2。 目前流行用CHF3 + Cl2來刻蝕。 通入少量 O2可加速反應。 B.刻鋁：可在反應室通入SiCl4 ,BCl3， CCl4 + Cl2，BCl

16、3 + Cl2等氣體。 于是： AL + 3Cl*（游離基）= ALCl3氣）。氟化 物不行，因不能形成氣體排走。留意:刻鋁 后應立即沖水或在有機溶劑中漂洗,防止氯 離子殘留腐蝕鋁膜. C.刻Si3N4：原則上刻SiO2的氣體都可刻 Si3N4，但發(fā)現(xiàn)NF3效果較好。 于是：Si3N4 +12 F*（游離基） = 3SiF4 +2 N2。 D.刻多晶硅：一般常用Cl2，HCl，SiCl4等 氣體，氟化物氣體各向異性腐蝕的選擇性 差。Si +4 Cl*（游離基）= SiCl4. 原理：用高能粒子等離子體從金屬的 表面撞出原子，然后讓其淀積在硅片表面 的物理過程。 .歐姆接觸的概念:線性和對稱的伏

17、安特性,接 觸電阻小于材料體電阻. 用途:制作IC的內部條狀互連線。 三.濺射過程： 1.產(chǎn)生氬氣離子并導向一個靶，（鋁靶材）。 2.離子把靶表面的原子轟擊出來。 3.被轟出的鋁向硅片運動。 4.原子在表面上成膜。 影響濺射過程的因素： 1.工作壓力，實質上是真空度。 2.工作架轉速。 3.濺射電流。 4.硅片加熱溫度。一般為320，10分鐘，可改善鋁膜與硅片粘附性。 （因機臺不同，情況各異，僅供參考） 1.硅向鋁中的溶解造成鋁尖楔，可使PN結短路。 防止：采用鋁中摻硅的靶材。普通：摻Si約12 在通電時，鋁原子會沿電流方向進行遷 移，造成鋁膜斷路。 防止：采用鋁硅銅靶材。普通：（摻Si約 1

18、2，摻Cu約45）.我公司鋁材含銅 0.5%. 鋁的合金化工藝：（國外稱為alloy）.本質 是在400左右通 H2和N2，讓硅和鋁的表 面形成微合金，構成牢靠的接觸 一.CVD原理：將各種反應氣體導入反應 室，在硅片上方反應，生成物淀積到硅片 外表，形成一層薄膜。 一.CVD原理：將各種反應氣體導入反應 室，在硅片上方反應，生成物淀積到硅片 外表，形成一層薄膜。 二.CVD工藝用途： 形成鈍化保護層， 介質層， 導電層， 和掩蔽層 三.CVD技術分類： . 按淀積溫度分： A 低溫CVDLT）：200-500。 B 中溫CVDMT）：500-1000。 C 高溫CVDHT）：1000-120

19、0 按反應壓力分常采用此分法）： A 常壓CVDAPCVD）：一個大氣壓，101Kpa. B 低壓CVD （LPCVD）：100Pa左右。 .按反應器壁溫可分為： 熱壁； 冷壁。 按反應器形狀分： A.立式，（又可細分為鐘罩式和桶式）； B.臥式。 新進展:PECVD，稱等離子體CVD，既是低溫：100400，又是低壓與LPCVD同）?？捎迷跒R射鋁層以后CVD操作，可防止鋁尖楔的產(chǎn)生。 最主要優(yōu)點：工作時加熱溫度低。 APCVD的缺點： 1.硅片水平放置，量產(chǎn)受限，易掉渣污染。 2反應速度受多種因素影響，反應室尺寸、氣體流速、硅片位置等都會影響速度。 3均勻性不太好。 LPCVD的優(yōu)勢： 1在

20、低壓下，反應速率基本上由溫度決定，而溫度較易控制，故均勻性、重復性好。 2在低壓下，化學反應效率高，故片子可豎裝密排，提高了裝片量又防止了掉渣。 3設備簡單，基本上與擴散爐相似。 化學反應式： SiH4 + PH3 + O2 -SiO2 + P2O5 + H2； 或：SiH4 + PH3 + N2O -.SiO2 + P2O5 + H2 + N2。 .LPCVD生長Si3N4： 化學反應式：SiH4 + NH3 -Si3N4 + H2 或：Si H2Cl2 + NH3 -Si3N4 + HCl + H2 PECVD生長SiON膜：在已經(jīng)有了金屬層以 后，我公司鈍化層常采用低溫生長氮氧化 硅.的

21、方法。 反應式：SiH4 + N2O+ NH3 -SiON + N2 + H2。 爐溫為380。 雙層鋁連線工藝：在IC的結構較復雜以 后，為解決交叉布線問題，特設計了雙鋁 層。 雙鋁層之間的絕緣，采用了SiON-SOG- SiON的三明治結構。 SiON的應力較小，SOG主要解決平坦化問題 .SOG涂覆工藝：這是旋轉ON-玻璃的縮 寫，實際上是SiO2和有機溶劑的混和液， 可用與涂膠機相似的設備，在硅片上涂一 層，可填平片子表面的臺階，可先在熱板 上烤一下，再經(jīng)400固化，成為一層氧化 膜。工藝簡單實用。 硅片清洗的必要性:半導體對雜質極其敏感，百萬分之一微量雜質，就會有物理性質的改變。污染

22、是絕對的，故必須清洗。 另外從圖形的納米化的角度講，任何小的顆粒對芯片而言就像一座大山。 1.硅片表面狀態(tài)： 理想表面； 潔凈表面真空中剝SiO2的表面）； 真實表面有薄氧化層幾十埃）； SiO2表面SiO2200埃）。 2.污染源: 硅片成型過程中的污染-（切、磨、拋過程）。 環(huán)境污染-微粒塵埃；纖維、金屬屑、皮屑；微生物等） /有害氣體 水污染。/ 化學試劑污染。/氣體污染：特氣污染。 器材污染。（爐管，石英舟，鑷子等）。 人體污染正常人一天吃鹽10克左右，NA+為1.0E23個，皮膚、肺排出一半。） 3.污染物分類： 微粒有機的、無機的）； 膜層。 .化學清洗的一般步驟： 1.先去除分子

23、型雜質蠟，膠，油等）。 2.去除離子型雜質K+，NA+，CL-，F(xiàn)-等）。 3.去除原子型雜質Au，Ag, Cu, Fe 等）。 1.一號液：一號液： NH4OH： H2O2： H2O = 1：1：4 。 絡合劑絡合劑 氧化劑氧化劑 主要性質：主要性質： A.有很好的去油作用，也可去金屬雜質。有很好的去油作用，也可去金屬雜質。 B. H2O2揮發(fā)性極強，故洗液穩(wěn)定性較差。室揮發(fā)性極強，故洗液穩(wěn)定性較差。室溫下，其半衰期為溫下，其半衰期為11小時。應現(xiàn)配現(xiàn)用。公司一小時。應現(xiàn)配現(xiàn)用。公司一般規(guī)定洗多少片后換液。般規(guī)定洗多少片后換液。 C. H2O2揮發(fā)后，氨水會腐蝕硅片，溫度超過揮發(fā)后，氨水會腐

24、蝕硅片，溫度超過70C，也會對硅片有腐蝕。，也會對硅片有腐蝕。 所以每次清洗前應添加 H2O2， 且清洗時間不宜過長，一般5分，最多10分 鐘。 清洗溫度7075度即可。 2.二號液：二號液： HCl： H2O2： H2O = 1：1：4。 絡合劑絡合劑 氧化劑氧化劑 主要性質：主要性質： A.對金屬雜質有極好的清洗作用，且洗后對金屬雜質有極好的清洗作用，且洗后表面較好，因此常安排在最后的清洗位置。表面較好，因此常安排在最后的清洗位置。 B H2O2揮發(fā)性極強，故洗液穩(wěn)定性較差。揮發(fā)性極強，故洗液穩(wěn)定性較差。室溫下，其半衰期為室溫下，其半衰期為50小時，建議每次清小時，建議每次清洗前洗前 添添

25、H2O2。 3.三號液：三號液： H2SO4： H2O2 = 3：1 主要性質：主要性質： A有極強的脫水性和強氧化性，可將光刻有極強的脫水性和強氧化性，可將光刻膠等有機物脫水成膠等有機物脫水成C碳），然后再將碳），然后再將C氧氧化成化成CO2。主要用來濕法去膠。主要用來濕法去膠。 B對油膜和金屬雜質的清洗作用效果良對油膜和金屬雜質的清洗作用效果良好。好。 C每次清洗前也應補充每次清洗前也應補充 H2O2。 D對于對于 H2SO4，只可將其倒入水中，嚴，只可將其倒入水中，嚴禁將水倒入硫酸中。禁將水倒入硫酸中。 4HF的清洗作用：將的清洗作用：將SiO2和其上的臟物和其上的臟物 一起剝掉。一起剝

26、掉。 特別要注意，特別要注意，HF沾上沒有任沾上沒有任 何感覺，它會慢慢滲入皮膚，腐蝕骨頭！何感覺，它會慢慢滲入皮膚，腐蝕骨頭！ 沾上任何不明液體，都應沖水。沾上任何不明液體，都應沖水。 確實沾上確實沾上 HF，應涂葡萄糖酸鈣軟膏或氧化鎂溶液，應涂葡萄糖酸鈣軟膏或氧化鎂溶液， 并到職業(yè)病醫(yī)院注射葡萄糖酸鈣針劑。并到職業(yè)病醫(yī)院注射葡萄糖酸鈣針劑。 5留意：以上洗液配制時，注意倒入順留意：以上洗液配制時，注意倒入順 序，一般先加水，這樣可減少酸堿的揮序，一般先加水，這樣可減少酸堿的揮 發(fā)。各種試劑瓶子很象，切勿拿錯！發(fā)。各種試劑瓶子很象，切勿拿錯！ 沾上酸、堿液體，最好的處理方法就沾上酸、堿液體，

27、最好的處理方法就是馬上沖水！是馬上沖水！ 二二.鋁金屬膜的電子束蒸發(fā)工藝鋁金屬膜的電子束蒸發(fā)工藝 1.原理原理:利用經(jīng)高壓加速并聚焦的電子束利用經(jīng)高壓加速并聚焦的電子束,在在真空中直接打到蒸發(fā)源真空中直接打到蒸發(fā)源(鋁材鋁材)外表外表,當功率當功率密度足夠大時密度足夠大時,使蒸發(fā)源金屬熔化使蒸發(fā)源金屬熔化,并蒸發(fā)并蒸發(fā)淀積到硅片表面形成薄膜淀積到硅片表面形成薄膜.(熔點熔點3千度以上千度以上的金屬也可蒸的金屬也可蒸). .背面蒸金,摻金的作用:給硅片摻金,可以減 短載流子壽命,提高開關二極管的開關速度. 2.設備 A.電子槍:電流通過螺旋狀鎢燈絲,使其發(fā)熱后發(fā)射電子,經(jīng)加速陽極孔射出,形成電子

28、束. B. 磁偏轉系統(tǒng):使電子在磁場中受洛侖茲力作作用,偏轉270度,打到鋁材上. C. 水冷坩堝:放置鋁材. D.行星式支架和行星鍋:裝待蒸發(fā)硅片. E.抽真空系統(tǒng). 一.電鍍原理:在溶有欲鍍金屬的鹽類的鍍液 中,以欲鍍金屬為陽極,通以直流電,陽極發(fā)生 金屬的溶解,使欲鍍金屬的離子在陰極上放 電而沉積下來. 我公司電鍍目的:在二部二極管產(chǎn)品上形成 半球狀電極. 三.電鍍銀工藝: 在陽極: Ag = Ag+ + e ,在陰極(硅片在此): Ag+ + e = Ag. 在陰極還可能有下列反應: Ag(CN)2- = Ag + 2CN- . 電鍍液的組分是很復雜的,除含鍍層的鹽外,還有絡合劑,導電鹽,緩沖劑,陽極話化劑,光亮劑,潤濕劑等. 但鍍銀液中主要成分是氰化銀鉀:KAg(CN)2. 以及氰化鉀:KCN. 四.本卷須知:氰化物有劇毒,注意自我保護. 電鍍廢水要經(jīng)過處理才能排放,否則污染環(huán) 境. 氰化物在堿性環(huán)境中較穩(wěn)定，在酸性環(huán)境中會放出氰氫酸氣體，故一定要保證電鍍液的PH值大于7！ 一一.生產(chǎn)環(huán)境的內涵：空氣，人身，水，氣生產(chǎn)環(huán)境的內涵：空氣，人身，水，氣體，化學試劑，工具，電磁環(huán)境等。體，化學試