中國科學院部分LED技術成果明細表

1、精品文檔附件：中國科學院部分LED技術成果明細表【編號：01】制造LED芯片專用光刻機技術來源單位：成都光電所技術簡介：中國科學院光電技術研究所研發(fā)光刻機已經(jīng)近30年的歷史，近年來研發(fā)成功的URE-2000系列光刻機在集成電路等領域已經(jīng)獲得廣泛應用，相對于國內(nèi)外同類產(chǎn)品具有極高的性價比，已經(jīng)銷售200多臺，稍加改進即可滿足LED芯片制作和封裝要求。技術特點及優(yōu)勢：(1)技術指標曝光面積：150mm<150mm;分辨力：0.8Hm(膠厚2m正膠)；對準精度：±0.6Rm；照明均勻性：±3.5%a100mm);±5.5%d150mm)掩模尺寸：3inch、4in

2、ch、5inch、7inch;樣片尺寸：直徑415mm-M50mm、厚度0.1mm-6mm；(2)技術優(yōu)勢URE-2000系列光刻機已經(jīng)銷售200多臺套（其中由口美國、新加坡、越南、朝鮮等10多臺），目前占據(jù)國內(nèi)最大市場份額，產(chǎn)品深受國內(nèi)外用戶歡迎，產(chǎn)品2007年獲全國創(chuàng)新技術與產(chǎn)品稱號，2008年獲四川省科技進步獎，產(chǎn)品無論技術指標、性價比、外觀、模塊化、售后服務相對于國內(nèi)外同行優(yōu)勢明顯。我們光刻機共有八種型號，其中單面有五種：URE-2000A、URE-2000B、URE-2000/35、URE-2000/25、URE-2000/17,雙面有三種：URE-2000S/A、URE-2000S

3、/B、URE-2000S/25。相關圖片：圖1不同型號的光刻機【編號：02】半導體深紫外LED光源技術來源單位：中國科學院半導體研究所技術簡介：半導體深紫外光源的研究在印刷、水凈化、醫(yī)療、環(huán)境保護、高密度的信息儲存和保密通訊等領域都有重大應用價值。而以AlGaN合金為有源區(qū)的LED的發(fā)光波長能夠覆蓋210-400nm的紫外波段，是實現(xiàn)該波段深紫外LED器件產(chǎn)品的唯一理想材料。同時紫外LED具有其它紫外光源無法比擬的優(yōu)勢。本項目為“863計劃支持項目，已完成小試。獲得兩項發(fā)明專利和國家科技進步二等獎。技術特點及優(yōu)勢：通過詳細研究鋁錢氮材料生長的預反應問題，解決了外延晶體質(zhì)量差、容易在表面形成由于

4、應力而產(chǎn)生的裂紋等問題。獲得了無裂紋的高結(jié)晶質(zhì)量鋁錢氮材料，大幅度改善了鋁錢氮材料的晶體質(zhì)量，其（0002）面的X射線雙晶衍射半高寬小于200弧秒，表面AFM測試表明其粗糙度小于1nm,并獲得了Al組分高達85%的AlGaN材料；鋁錢氮材料的CL發(fā)光波長為260nm。實現(xiàn)了深紫外UVLED器件的300nm以下室溫熒光發(fā)光，并在國內(nèi)首次制備成功了300nm以下的深紫外LED器件，波長為280nm的深紫外器件在20mA連續(xù)驅(qū)動電流下輸生功率大于0.6mWo相關圖片:圖2半導體深紫外LED光源應用于所區(qū)路燈進行示范驗證【編號：03】大功率白光LED器件技術來源單位：中國科學院半導體研究所技術簡介：L

5、ED作為照明光源與現(xiàn)有的照明光源相比具有節(jié)約能源、壽命長、體積小、發(fā)光效率高、無污染以及色彩豐富等優(yōu)點。雖然GaN基功率型LED的發(fā)光效率迅速提高，但量子效率、電流分布均勻性和器件散熱能力仍是制約功率型LED性能提高的技術瓶頸。本課題重點研究了不同正裝LED結(jié)構(gòu)對散熱與光提取效率的影響以及光學增透膜、高反膜與N電極對提取效率的影響，通過優(yōu)化正裝芯片結(jié)構(gòu)設計和光學膜系設計，研制由高性能大功率藍光和白光LEDo本項目為“863計劃支持項目，已完成小試。獲得兩項發(fā)明專利和國家科技進步二等獎。技術特點及優(yōu)勢：采用新型外延結(jié)構(gòu)及條形結(jié)構(gòu)有利于提高器件提取效率，降低熱阻。研制生的白光LED在350mA工作

6、電流下，工作電壓3.2V,突破了130lm/W技術，實現(xiàn)光效產(chǎn)業(yè)化100lm/W以上，封裝后熱阻小于7K/W。相關圖片:圖4白光LED發(fā)光照片圖3在20mA電流下，室溫連續(xù)輸出功率大于0.65mW(281nm)【編號：04】第三代寬禁帶半導體材料一氮化錢襯底晶片及相關產(chǎn)品技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：氮化錢（GaN）是第三代半導體材料，產(chǎn)品可廣泛應用于氮化錢高亮度發(fā)光二極管、藍綠光激光器二極管、射頻器件、電力電子器件等。蘇州納米所在GaN晶片中具有雄厚實力和豐富成果。技術特點及優(yōu)勢：（1）小尺寸氮化錢自支撐晶片產(chǎn)品圖片（Photo）:性能參數(shù)(Specification)精品文檔導電類型C

7、onductionTypeN-typeSemi-insulating電阻率 Resistivity(300K)拋光 Polishing有效面積 UsableSurface Area<10>105mQcmQ,cmStandard:DoubleSidePolishedOption:SingleSidePolished>90%(2)氮化錢厚膜晶片產(chǎn)品圖片(Photo)性能參數(shù)(Specification)2，尺寸DimensionsC-axis (0001) 1.把晶體取向Orientation厚度GaNthicknessTypical30m以位錯密度DislocationDens

8、ityLessthan3x108cm-2導電類型ConductionType電阻率Resistivity(300K)襯底SubstrateN-type<10mQ,cmSemi-insulating>105Q2''sapphire(0001)(3) 2英寸直徑自支撐氮化錢晶片產(chǎn)品圖片(Photo)性能參數(shù)(Specification)尺寸 Dimensions晶體取向Orientation2”C-axis (0001) 1段厚度 Thickness位錯密度Dislocation Density電阻率 Resistivity(300K)載流子濃度CarrierConce

9、ntrationLess than 5 x 107cm-213 x 1018 cm-3拋光 PolishingStandard: Double SidePolishedOption: Single SidePolished有效面積 UsableSurface Area>90%【編號：05】基于同質(zhì)外延技術的超大功率單芯片LED產(chǎn)業(yè)化技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：該項目是中科院創(chuàng)新項目，擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)，技術已達國際先進水平。應用于高端半導體照明領域。技術成熟度：目前處于小批量生產(chǎn)階段。投資規(guī)模：6000萬可建成相應生產(chǎn)線。合作方式：技術合作、技術服務等。已獲得相關發(fā)明專利近10項

10、。技術特點及優(yōu)勢：技術指標：1w白光LED光通量100120lm，光效100120lm/w;3w白光LED光通量1802001m,光效6070lm/w。創(chuàng)新內(nèi)容：采用自主研發(fā)的同質(zhì)氮化鎵襯底，實現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)LED，提高了材料質(zhì)量，減小了器件發(fā)熱；自主開發(fā)的同質(zhì)外延在位監(jiān)控系統(tǒng)及納米圖形化設計，大大提高了產(chǎn)品質(zhì)量?！揪幪枺?6】平板顯示關鍵技術及產(chǎn)業(yè)化開發(fā)技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：該項目是蘇州市人才孵化項目，研發(fā)并進行產(chǎn)業(yè)化大尺寸液晶顯示所需的LED背光模組，可應用于平板顯示器領域，擁有中外專利23項。已完成42寸樣機研制。可通過專利許可等方式開展產(chǎn)業(yè)化合作，投資規(guī)模約7000萬元。技術特

11、點：本項目技術指標：亮度提升300%、成本降低30%；動態(tài)對比度達到10000：1；使用壽命大于5萬小時；功耗低于同尺寸、同亮度CCFL背光模組30%;制造成本控制在CCFL背光模組的1.3倍以內(nèi)。創(chuàng)新內(nèi)容（A）LED光源極化及保極化導光板；（B）LED光源COB封裝；（C）雙通道圖像動態(tài)驅(qū)動；（D）LED差異老化控制。相關圖片：圖6CCFL背光液晶電視的顯示效果（左），LED背光液晶電視的顯示效果（右）tmageContmt: H鋁e - BLU * LCDPower: fl,J2 =黑 tQ,73,0.55, 030：圖7LED背光模組時空調(diào)制實現(xiàn)高對比度和低功耗【編號：07】高效率高光通

12、量LED關鍵技術及3W級LED芯片開發(fā)技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：本項目主要研究高效率、高光通量LED的一些關鍵技術，針對3W級LED芯片產(chǎn)品進行開發(fā)研究。研究高效率、高光通量LED芯片制作的關鍵技術問題，采用自支撐同質(zhì)GaN襯底實現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)的條形高效率、大通量LED芯片，解決LED倒裝焊接散熱技術難題，開發(fā)由3W級100lm/W的高效率大功率LED芯片產(chǎn)品。在3W級的LED芯片產(chǎn)品方面，國際上還處于開發(fā)階段，只有少數(shù)幾家剛剛開發(fā)生產(chǎn)品，推向市場的就只有Osram公司，其技術瓶頸就是散熱問題，熱量如不能有效地散發(fā)由去，導致器件無法在大電流條件下工作，就無法實現(xiàn)高光通量LED照明。因此，解

13、決3W級LED芯片的散熱問題，就相當于打開了半導體照明的一扇門，里面就是無限的市場。所以，各國LED大企業(yè)都全力開發(fā)3W或以上級別的芯片，以獲得高額的利潤及廣闊的市場空間?！揪幪枺?8】OLED有機太陽能電池產(chǎn)業(yè)的關鍵材料技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：本項目主要是設計合成并提供各種有機發(fā)光二極管（OLED）材料，有機光伏材料。OLED可廣泛用于平板顯示、白光照明、有機太陽能電池等。據(jù)產(chǎn)業(yè)分析公司NanoMarkets報告顯示，OLED產(chǎn)業(yè)在過去10年總計獲得了數(shù)以10億美元計的投資，OLED材料市場到2015年將達到27億美元。該公司還預測，在實驗室測試中OLED照明的效率已經(jīng)超過熒光燈，

14、有望開創(chuàng)節(jié)能固體照明新時代。全球范圍內(nèi)的節(jié)能趨勢將推動OLED照明產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，并刺激市場對OLED材料的需求，到2015年將有90%的OLED材料被用于照明應用。DisplaySearch公司預測OLED面板市場在2015年將突破60億美元。有機光電子產(chǎn)業(yè)（OLED顯示、OLED白光照明、柔性有機太陽能電池）的興起，為有機光電材料的研究開發(fā)提供了新的機遇。相關圖片：圖8單個相素的OLED發(fā)光樣品圖9各種發(fā)光金屬配合物光致熒光圖【編號：09】新型LED光源-量子點的制備及量產(chǎn)放大技術技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：量子點作為一種新型的半導體納米材料，具有低啟亮電壓、高色純度、發(fā)光顏色可通過控

15、制量子點大小進行調(diào)節(jié)等優(yōu)點，是理想的LED光源。量子點-LED作為一種新型綠色環(huán)保新能源，具有節(jié)能、安全、長壽命等優(yōu)點，將有利于緩解我國的能源和環(huán)境壓力。本項目負責人在最近幾年成功研發(fā)了一種溫和條件下制備高質(zhì)量量子點的技術，所制備得到的量子點熒光發(fā)射光譜窄、量子產(chǎn)率高、穩(wěn)定性好。擬結(jié)合納米所在LED上的優(yōu)勢，通過技術成果轉(zhuǎn)化，系統(tǒng)研究量產(chǎn)放大過程中，不同工藝參數(shù)的影響規(guī)律，成功開發(fā)出高質(zhì)量量子點的量產(chǎn)技術路線并在LED光源和顯示上進行應用。可廣泛應用于LED光源、顯示屏、太陽能、生物成像和標記。擁有1項美國專利?！揪幪枺?0】紫外LED-納米光催化空氣凈化技術與產(chǎn)品開發(fā)技術來源單位：蘇州納米所

16、技術簡介：紫外LED納米光催化空氣凈化技術是將新型納米功能材料與紫外LED相結(jié)合的低溫深度催化反應技術，能夠?qū)⒂袡C物分解為CO2、H2O及無機物小分子，達到徹底清除有機污染物和細菌的目的。與傳統(tǒng)空氣凈化器相比，LED光催化產(chǎn)品具有小型、節(jié)能、長效、環(huán)保、殺菌除污效率高、集成度高、應用廣泛等優(yōu)點?？蓮V泛應用于LED光催化集成裝置的體積可按照客戶需求設計，也可單獨作為空氣凈化產(chǎn)品使用或者與目前家電、辦公、醫(yī)療、保健等產(chǎn)品配套使用，如空調(diào)、生物安全實驗室、車載凈化器、冰箱等等。已申請專利4項相關圖片：電子空穴射圖10光催化空氣凈化原理【編號：111紫外LED納米光催化污水深度處理技術與裝備開發(fā)技術來

17、源單位：蘇州納米所技術簡介：面向國家環(huán)境保護、節(jié)能減排需求，針對目前現(xiàn)有有機廢水處理裝置的COD指標處理能力不足，殘留或衍生有機物致使由水COD指標很難實現(xiàn)達標。本項目針對原有污水處理工藝設施末端，開發(fā)高效LED紫外催化氧化深度處理技術和專用設備，技術特點主要側(cè)重于難降解有機物和抑制生物反應的有毒有害物質(zhì)的去除，進一步將COD污染指標控制在50mg/L以下，實現(xiàn)水體有機污染物的提標排放，從而確保生態(tài)環(huán)境的安全。半導體紫外納米光催化污水深度處理裝備結(jié)構(gòu)緊湊，體積可隨意設計，使用安全，既可作為目前水處理過程中的前端預處理裝備，也可作為后端的深化處理裝備，可廣泛用于有機化工、石油化工、醫(yī)藥、農(nóng)藥等重

18、點行業(yè)。已申請發(fā)明專利(200810242870.4)一項，LED納米光催化有機廢水深度處理裝置技術特點及優(yōu)勢：本項目在已有工藝基礎上開發(fā)高效深度處理技術與裝備，深入開發(fā)與已有的水質(zhì)凈化產(chǎn)品相配套，能實現(xiàn)廢水深度處理的核心技術及專用設備，解決日益迫切的污水提標排放問題。研發(fā)的重點不僅體現(xiàn)技術的先進性，更要強調(diào)產(chǎn)品的實效性、操作性、靈活性、節(jié)能，能被絕大多數(shù)中小企業(yè)所接受。【編號：12】LED圖形化襯底刻蝕系統(tǒng)技術來源單位：中國科學院微電子研究所技術簡介：圖形化藍寶石襯底技術(PSS)可有效減少氮化鎵外延層的外延缺陷，使外延層晶體質(zhì)量明顯提高，有效提高氮化鎵基LED的光功率。本項目開發(fā)出的高亮度

19、/超高亮度LED圖形化襯底刻蝕系統(tǒng)具有操作界面友好、刻蝕均勻性出色、適合大規(guī)模生產(chǎn)、維護費用低、性能安全可靠等特點，完全滿足藍寶石襯底圖形化刻蝕、Si襯底刻蝕以及GaN基外延層刻蝕等LED領域所有刻蝕應用的需求。本項目已到產(chǎn)業(yè)化階段，適合于LED設備制造商、LED芯片生產(chǎn)企業(yè)開展合作。計劃募集資金2000萬元，主要用于支撐新開發(fā)設備的后期技術改進和測試，團隊建設以及為產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)提供基礎設施保障。同時，以吸收投資為契機，加快引進先進的管理體系，推動公司在營運能力上提升層次。技術特點及優(yōu)勢：(1)刻蝕系統(tǒng)創(chuàng)造性的采用平面式感應線圈結(jié)構(gòu)，有效提高刻蝕均勻性。(2)刻蝕系統(tǒng)的關鍵部件全部采用進口的國際

20、主流產(chǎn)品，可實現(xiàn)7天24小時不間斷生產(chǎn)。(3)刻蝕系統(tǒng)采用觸摸屏控制，工藝過程全自動，動畫實時顯示工藝過程的狀況和提示。(4)單次刻蝕2寸藍寶石襯底23片，GaN外延片27片。(5)藍寶石襯底刻蝕速率達到70nm/min。相關圖片:圖11【編號：13】高熱導LTCC復合陶瓷基板技術來源單位：上海硅酸鹽研究所技術簡介：為解決大功率LED產(chǎn)品的散熱問題，上海硅酸鹽所自主開發(fā)了高導熱率LTCC復合陶瓷基板。采用該陶瓷基板及優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，并與共晶焊技術結(jié)合，可取代傳統(tǒng)氧化鋁陶瓷封裝基板，具有廣闊的市場。技術特點及優(yōu)勢：（ 1） 高導熱率：導熱率>20W/m.K,是傳統(tǒng)LTCC陶瓷的10倍以上。

21、（ 2） 低燒結(jié)溫度：燒結(jié)溫度950oC以下。（ 3） 金屬層附著力強：采用共燒金屬化工藝，結(jié)合牢固。（ 4） 電路集成：可內(nèi)埋或表面貼裝元件，實現(xiàn)封裝小型化、模塊化和一體化。（5）技術成熟度：正在進行產(chǎn)品小試?！揪幪枺?4】LED高效封裝光學設計技術來源單位：福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所技術簡介：為提高室內(nèi)照明用LED燈具的光效和光學均勻性問題，福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所自主研發(fā)了LED高效封裝光學設計技術，研制出可用于各種室內(nèi)照明用LED燈具的高效低炫光的高技術產(chǎn)品。項目重點解決室內(nèi)照明LED的技術瓶頸，掌握高光效、低炫光、低成本LED封裝關鍵材料與技術，突破國內(nèi)外專利壁壘。該項目為福建省科技重大專項。已實

22、現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，與福建萬邦光電有限公司合作。已申請中國專利4件（201020282167.9，201020282170.0，201010245525.3，201010245552.0）。適合與對LED產(chǎn)業(yè)感興趣的有雄厚資金實力和銷售渠道的上市公司或大型公司合作，或者風投。項目需要投資3000萬元。技術特點及優(yōu)勢：（ 1） 所研發(fā)的LED燈成本與熒光節(jié)能燈相當，是市面LED燈的1/3-1/10,整燈光效達到100lm/w,是日本進口LED燈的1.5-2倍，壽命3萬小時，光衰低于5%，低炫光。（ 2） 利用復合光學薄膜技術，使得LED基板的光學反射率提高5%，結(jié)合芯片三維光學位置設計技術，從而將LED燈

23、具光效提高15%。（ 3） 成本低、環(huán)保：產(chǎn)品成本遠低于普通LED燈具，工作環(huán)境友好，量少無消耗，產(chǎn)品生產(chǎn)過程無毒零排放?！揪幪枺?5】新型LED用紅色熒光粉的制備技術來源單位：長春應用化學研究所技術簡介：本項目涉及一種新型LED用紅色熒光粉的制備。該項目以磷酸鹽為基質(zhì)，以銪為激活劑制備了一種紅光LED熒光粉，該熒光粉的激發(fā)帶和氮化鎵光源的發(fā)射峰重疊較好,能夠有效被氮化鎵光源激發(fā)產(chǎn)生紅光發(fā)射。該項目為“973”資助項目，項目目前處于小試階段，2007年申請專利，2009年授權(quán)，專利名稱：一種發(fā)光二極管用紅光熒光粉制備方法，專利號：ZL200710055669.0。適合與從事熒光粉生產(chǎn)開發(fā)的企業(yè)

24、開展合作。技術特點及優(yōu)勢該發(fā)明以磷酸鹽為基質(zhì)，以銪為激活劑制備了一種紅光熒光粉。（ 1） 該熒光粉的激發(fā)帶和氮化鎵光源的發(fā)射峰重疊較好,能夠有效被藍光氮化鎵光源激發(fā)產(chǎn)生紅光發(fā)射。（ 2） 與目前使用的硫化物和氮化物相比，這種紅色熒光粉的制備方法簡單，原料便宜易得,生產(chǎn)成本低廉。（ 3） 產(chǎn)品化學性質(zhì)穩(wěn)定，易研磨，不會對環(huán)境造成危害?！揪幪枺?6】白光LED光固化封裝樹脂技術來源單位：上海有機化學研究所技術簡介：本項目擬研制新型光固化封裝工藝，采用新型光固化膠水在常溫下幾秒鐘快速固化的新工藝，特別實現(xiàn)熒光粉涂層濃度、厚度及均勻度的可控制性，克服傳統(tǒng)工藝存在的不足。研制三種光固化膠，分別用于固晶、

25、調(diào)粉和灌封。光固化導電膠：以環(huán)氧丙烯酸樹脂和聚丙烯酸樹脂為基體、微米級片狀鍍銀銅粉為導電填料制備紫外光固化導電膠,體積電阻率可達1x10-4Qcm光固化調(diào)粉膠：以有機膠體（PVA）為外相，以憎水性粘合劑（硅膠）為內(nèi)相，此種內(nèi)外相結(jié)構(gòu)既保持了硅膠的優(yōu)良特性，又能通過外相曝光顯影使硅膠具有平面保形涂層，得到的白光LED的光通量大幅度提高。光固化灌封膠：以環(huán)氧樹脂，硅樹脂為基體制得的光固化灌封膠，耐溫可達220；相對于傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂，脂環(huán)族環(huán)氧樹脂粘度低，耐熱性高，固化收縮率小，電性能好，耐紫外線和耐候性好等優(yōu)點，特別適合高性能電子封裝，是一種在電子封裝領域具有很好應用前景的功能材料。技術特點及優(yōu)勢：

26、與傳統(tǒng)熱固化工藝相比光固化還具有如下優(yōu)勢：（ 1） 生產(chǎn)速度快，效率高，有利于自動化大規(guī)模的現(xiàn)代化工業(yè)生產(chǎn)，封裝產(chǎn)能預計可達傳統(tǒng)封裝工藝的2倍；（ 2） 低溫固化，節(jié)能環(huán)保，無溶劑揮發(fā)；（ 3） 降低成本，設備投資低。（ 4） 因自動化程度提高，封裝產(chǎn)品的一致性將會提高?！揪幪枺?7】燃燒合成氮化物陶瓷熒光粉技術來源單位：理化技術研究所技術簡介：該成果為國家自然科學基金中俄國際合作項目成果，主要為高壓燃燒合成氮化物熒光粉的設備、以之合成的粉體和燒結(jié)得到的熒光透明陶瓷樣品，高壓燃燒合成設備適于放大規(guī)模，單臺合成工藝參數(shù)可直接移植到放大合成。長期以來，我們開展了大量的高效稀土發(fā)光材料的合成、特性及

27、應用研究，已經(jīng)積累了豐富制備發(fā)光材料的經(jīng)驗。并與企業(yè)合作，開展白光LED用發(fā)光材料的應用特性研究。在氮化物與氮氧化物的制備方面，已經(jīng)初步獲得了相關制備技術。Eu-SiAlON氮化物陶瓷熒光粉已完成小試。技術特點及優(yōu)勢：Eu-SiAlON氮化物陶瓷熒光粉的優(yōu)勢是采用燃燒合成技術。相關圖片:圖12【編號：18】非晶晶化法制備YAG:Ce3+微球熒光粉技術來源單位：理化技術研究所技術簡介：該成果為國家自然科學基金中俄國際合作項目成果，采用非晶晶化法制備了納米結(jié)構(gòu)YAG:Ce3+微球熒光粉。與傳統(tǒng)的制備方法不同，非晶晶化法通過高溫火焰熔融流態(tài)粉末，然后淬水激冷制備由非晶球形粉末，對非晶球形粉末進行晶化

28、處理后，可獲納米結(jié)構(gòu)的YAG:Ce3+微球熒光粉。非晶晶化法制備的YAG:Ce3+熒光粉可通過熱處理獲得納米晶結(jié)構(gòu)獲逐步提升發(fā)射強度。該方法制備的熒光粉的微觀形貌為正球形，粒徑約為10Rm,無需通過球磨減小粒徑即可滿足制作LED器件的涂敷要求。該產(chǎn)品的制備新技術已經(jīng)申報兩項國家發(fā)明專利：一種納米結(jié)構(gòu)球形熒光粉的制備方法（申請?zhí)枺?01010570314.7）;稀土鋁酸鹽單相或復相納米晶透明陶瓷材料及其制備方法（申請?zhí)枺?01010248057.5）。Ce:YAG球形氧化物黃色熒光粉已完成中試，需和LED燈具制造商合作，完成燈具的性能測試，獲得對比評價數(shù)據(jù)，從而推向應用，項目需要投入300萬元，

29、主要用于兩臺關鍵設備的購置。技術特點及優(yōu)勢：Ce:YAG球形氧化物黃色熒光粉的優(yōu)勢在于其完美的球形度，以及很窄的粒度分布；這是國內(nèi)其他技術難以實現(xiàn)的。相關圖片：精品文檔精品文檔圖13YAG:Ce3+熒光粉的SEM圖精品文檔【編號：19】異型微熱管散熱技術技術來源單位：理化技術研究所技術簡介：為解決大功率LED產(chǎn)品的散熱問題，中國科學院理化技術研究所提出異形微熱管散熱技術并開發(fā)出LED燈具散熱用異形微熱管，具有散熱能力強、散熱件體積重量小、易與LED燈結(jié)合等技術優(yōu)勢。目前該項技術正處于小試階段，為下一步的規(guī)?；a(chǎn)積累經(jīng)驗。相關技術已經(jīng)申報國家發(fā)明專利（專利名稱：一種LED燈具用散熱裝置，申請?zhí)?/p>

30、:201010583815.9）。該項目適合與大功率LED燈具廠家開展合作。前期需要投入經(jīng)費150萬左右，以建立起完善的散熱裝置產(chǎn)品生產(chǎn)線和性能檢測平臺。技術特點及優(yōu)勢（1）散熱溫差25：（現(xiàn)有熱管散熱技術溫差需要30c以上）。（ 2） 產(chǎn)品體積為現(xiàn)有產(chǎn)品的70%。（ 3） 產(chǎn)品重量降低為現(xiàn)有產(chǎn)品平均重量的75%。相關圖片：圖14熱管工作原理圖圖15異形微熱管【編號：20】大功率LED液態(tài)金屬散熱技術技術來源單位：理化技術研究所技術簡介：為解決大功率LED產(chǎn)品的散熱問題，理化技術研究所自主研發(fā)了液態(tài)金屬散熱技術，研制由可用于各種大功率LED燈的液態(tài)金屬散熱裝置樣機。該技術利用在室溫下呈液態(tài)的低

31、熔點合金，實現(xiàn)快速高效的熱量輸運，從而很好的解決了高密度能流的散熱難題。技術特點及優(yōu)勢(1)冷卻能力強：散熱熱流密度已達600W/cm2,其能力比水冷高10倍，比熱管高約5倍。(2)LED芯片溫度低：可以把大功率LED燈具(200W左右)的芯片溫度穩(wěn)定控制在65oC以下，適用于超高功率密度或大功率LED。(3)重量輕、體積?。褐亓坎坏浆F(xiàn)有散熱器的40%,體積可小到30%以下。(4)噪音低甚至可完全消除，無運動部件。相關圖片：圖16用于大功率高集成度LED燈具的液態(tài)金屬散熱裝置原型【編號：211大功率LED燈具體式熱管散熱技術技術來源單位：廣州能源研究所技術簡介：為解決大功率LED產(chǎn)品的散熱問題

32、，中科院廣州能源研究所自主研發(fā)了體式熱管散熱技術，研制出可用于各種大功率LED燈高效散熱的高技術產(chǎn)品。該研究成果已申請發(fā)明專利“LED丁具體式熱管散熱系統(tǒng)”（申請?zhí)枺?01010113499.9）。目前項目成熟度處于小試狀態(tài)，希望能與大功率LED燈具公司開展合作，將該項技術推向產(chǎn)業(yè)化。技術特點及優(yōu)勢：（ 1） 體式熱管可制成任意大小，能夠為燈具布置足夠的散熱面積，體式熱管還具有使整個燈具迅速均溫的作用，散熱能力強。（ 2） 可在豎直方向布置翅片起到強化自然對流的散熱效果，而且雨水可以保證其清潔性，不會出現(xiàn)積塵現(xiàn)象。（ 3） 無需過于復雜的吸液芯結(jié)構(gòu)，成本相對較低。（ 4） LED芯片溫度低：L

33、ED芯片工作溫度可低于50oC以下。（ 5） 重量輕：重量不到現(xiàn)有散熱器的30%【編號：22】蒸發(fā)冷卻散熱技術技術來源單位：電工研究所技術簡介：蒸發(fā)冷卻技術由電工研究所自主研發(fā)，理論研究和工業(yè)應用的技術水平在國內(nèi)外處于領先地位、該技術曾獲得兩項國家科技進步二等獎，并擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。電工所自1958年開創(chuàng)蒸發(fā)冷卻技術的研究和應用，已與多家單位合作，相繼將該技術應用到了各種發(fā)電機、電力驅(qū)動裝備、低壓電器和磁選設備等領域。蒸發(fā)冷卻技術曾成功應用于特種裝備和電廠用變頻器的IGBT和整流二極管等功率器件，很好的解決了其散熱冷卻問題，減小體積，提高效率。大功率LED燈是多個發(fā)光二極管的組合陣列，其發(fā)

34、熱機理與IGBT和整流二極管相似，熱流密度不存在數(shù)量級差別，蒸發(fā)冷卻技術在大功率LED燈的冷卻散熱方面應該是可行的。蒸發(fā)冷卻技術應用在大功率LED燈具上可采用貼壁式結(jié)構(gòu)，冷卻介質(zhì)間接與LED芯片接觸，LED芯片平置或斜置均可。通過蒸發(fā)冷卻介質(zhì)汽化帶走LED芯片產(chǎn)生的熱量，然后依靠自然對流冷凝把熱量傳遞給環(huán)境。蒸發(fā)冷卻介質(zhì)的沸點一般在40-50oC，散熱器基本可工作在常壓或微負壓。預計散熱強度在20W/cm2，經(jīng)過表明強化后可達50-100W/cm2，足以滿足要求。目前蒸發(fā)冷卻散熱器模型已經(jīng)完成，正準備進行試驗考核，處于小試階段。該技術適宜于燈具總裝企業(yè)，在燈具設計時考慮散熱及整體結(jié)構(gòu)。投資很低

35、，加工難度小。技術優(yōu)勢：采用基于蒸發(fā)冷卻技術的主動式散熱方式，具有系統(tǒng)簡單，布置靈活，能實現(xiàn)自循環(huán)，無能量消耗，成本低廉的優(yōu)點?！揪幪枺?3】大功率LED驅(qū)動技術技術來源單位：微電子研究所技術簡介：大功率LED產(chǎn)品在應用過程中常常因為電流不穩(wěn)定而產(chǎn)生亮度的變化、溫度過高而引起壽命的縮短等問題，尤其在市電供電的照明應用中，安全可靠、高效長壽尤為重要。為解決以上問題，微電子研究所自主研發(fā)了大功率LED驅(qū)動技術，研制出可用于家庭照明、道路照明、汽車輔助照明等場合的大功率LED驅(qū)動芯片。該項LED驅(qū)動技術主要包括DC/DC恒流源驅(qū)動方案和隔離型AC-DC恒流源驅(qū)動方案。其中隔離型AC-DC恒流源驅(qū)動方

36、案可直接由市電供電。大功率DC/DC直流型驅(qū)動芯片已經(jīng)過兩次流片驗證；AC/DC交流直驅(qū)型芯片已經(jīng)通過工程批驗證，可以量產(chǎn)。該項目希望與LED照明企業(yè)或LED驅(qū)動電源模塊企業(yè)展開合作。為LED照明企業(yè)提供電源芯片及系統(tǒng)解決方案，為LED驅(qū)動電源模塊企業(yè)提供電源芯片。技術特點及優(yōu)勢：（ 1） DC-DC恒流源驅(qū)動LED芯片a. 節(jié)能環(huán)保：LED燈芯比高壓鈉燈節(jié)電80%以上。不含鉛、汞等污染元素，對環(huán)境沒有任何污染。b. LED驅(qū)動芯片溫度范圍寬：LED芯片可在-40oC85oC的溫度范圍內(nèi)工作。c. 輸入電壓范圍寬：支持6V-42V的輸入電壓，最大輸出功率高達40W。d. 效率高：最大效率可達9

37、5%。e. 恒流驅(qū)動：LED的直流電流可調(diào)。具有模擬和數(shù)字調(diào)光。f.應用靈活：支持boost,buck等拓撲結(jié)構(gòu)。g. 使用更安全：具有LED開路、短路檢測與保護，過壓，過溫等保護功能，有效保護LED管芯。h. 內(nèi)置溫度補償電路，有效抑制LED的光衰。i. 2）隔離型AC-DC恒流源LED驅(qū)動芯片a. 節(jié)能環(huán)保：LED燈芯比高壓鈉燈節(jié)電80%以上。不含鉛、汞等污染元素，對環(huán)境沒有任何污染。b. LED驅(qū)動芯片溫度范圍寬：LED芯片可在-40oC85oC的溫度范圍內(nèi)工作。c. 支持市電：隔離型AC-DC恒流源驅(qū)動芯片輸入電壓范圍為AC90V-265V；驅(qū)動芯片為恒流源驅(qū)動，能驅(qū)動多顆串聯(lián)的1-3

38、W功率LED。d.應用范圍廣：具有PFC及可控硅調(diào)光功能，LED電流可以在規(guī)定范圍內(nèi)靈活調(diào)節(jié)，可直接取代傳統(tǒng)白熾燈。e. 具有多種保護：欠壓、過壓、過流及過功率補償。f. 使用更安全：該驅(qū)動方案為隔離型設計，通過隔離線圈及光耦合器把LED燈芯與交流市電隔離，為LED應用提供了更可靠的安全保障?！揪幪枺?4】高亮度、低功耗LED平板燈技術技術來源單位：深圳先進技術研究院技術簡介：為解決LED平板燈室內(nèi)照明的光利用率低、能耗高、光線不均勻、成本較高、體積笨重、適用性差的問題。深圳先進技術研究院自主研發(fā)高亮度、低功耗、體積輕、可拼接的LED平板照明燈，可用于辦公室、地鐵、賓館等各種場合。該項目采用背

39、光式原理，將LED點光源轉(zhuǎn)換成面光源，利用計算機仿真模擬技術，通過網(wǎng)點設計，提升二次光的利用率，通過散熱分析優(yōu)化，使LED燈在滿足照明亮度時，同時滿足散熱要求。在第一代平板燈的基礎上，目前正在設計第二代可拼接的（制作樣品階段）LED平板燈，同第一代相比，光利用率提高，功耗更低，同時無縫拼接可實現(xiàn)不同大小要求。技術特點及優(yōu)勢：(1)功耗：28W。(2)照度：200lux(1.8m),滿足照明要求。(3)均勻性：達到90%以上。(4)發(fā)光角度120度。(5)LED燈芯片溫度不超過75度，系統(tǒng)穩(wěn)定(6)平板燈厚度僅10MMo相關圖片：圖17第一代LED室內(nèi)平板照明燈樣品圖【編號：251LED照明產(chǎn)品

40、的設計技術集成技術來源單位：深圳先進技術研究院技術簡介：為解決大功率LED產(chǎn)品的散熱以及光學設計問題，深圳先進技術研究院CAE實驗室自主研發(fā)了LED照明設計過程中散熱和光學模擬的關鍵算法，研制由可用于各種大功率LED燈光學和散熱設計的方法。本項目針對LED照明及燈具設計行業(yè)特有的亮度不均、暗紋、光源利用效率不高、散熱問題等現(xiàn)象，研發(fā)針對LED照明產(chǎn)品的專業(yè)設計技術，主要包括：(1)模型設計。可以快速完成LED燈具中光源、透鏡、導光板，散熱片等幾何模型的創(chuàng)建。(2)光學模擬。可以完成燈具的照度、亮度或光強度等仿真分析。(3)傳熱分析?？梢酝瓿蒐ED燈具溫升、溫度場分布、散熱特性等仿真分析。(4)

41、電磁兼容和電磁屏蔽仿真和優(yōu)化。(5)評估優(yōu)化。結(jié)合LED燈具行業(yè)標準，綜合考慮光熱性能對其進行評估，為設計人員提供優(yōu)化和改進的參考數(shù)據(jù)。該方法為LED行業(yè)的產(chǎn)品設計提供快速的指導依據(jù)和優(yōu)化，提升LED產(chǎn)品的性能，降低研發(fā)設計成本。該項目適宜與LED照明和顯示等應用類企業(yè)合作，目前已經(jīng)與多家企業(yè)進行過合作，成果顯著?！揪幪枺?6】高熱導氮化鋁陶瓷散熱基板技術來源單位：上海硅酸鹽研究所技術簡介：為解決大功率LED產(chǎn)品的散熱問題，上海硅酸鹽所自主研發(fā)了高熱導氮化鋁陶瓷散熱基板技術，研制出可用于各種大功率LED燈封裝的高技術產(chǎn)品。技術特點及優(yōu)勢(1)高導熱能力：熱導率達到180W/m.K,比氧化鋁陶瓷

42、基板高近十倍。(2)熱匹配性好：熱膨脹系數(shù)(V4.5X0-6/oC)與LED芯片材料接近，具有很好的熱匹配性能。(3)高集成度、小型化：可以封裝更高功率的LED芯片，實現(xiàn)器件小型化。(4)技術成熟度高：小試技術成熟，可用于各種大功率LED燈封裝。相關圖片:圖18氮化鋁散熱基板【編號：27】高熱導LTCC復合陶瓷基板技術來源單位：上海硅酸鹽研究所技術簡介：為解決大功率LED產(chǎn)品的散熱問題，上海硅酸鹽所自主開發(fā)了高導熱率LTCC復合陶瓷基板。采用該陶瓷基板及優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，并與共晶焊技術結(jié)合，可取代傳統(tǒng)氧化鋁陶瓷封裝基板，具有廣闊的市場。技術特點及優(yōu)勢（ 1） 高導熱率：導熱率>20W/m.K,是傳統(tǒng)LTCC陶瓷的10倍以上。（ 2） 低燒結(jié)溫度：燒結(jié)溫度950oC以下。（ 3） 金屬層附著力強：采用共燒金屬化工藝，結(jié)合牢固。（ 4） 電路集成：可內(nèi)埋或表面貼裝元件，實現(xiàn)封裝小型化、模塊化和一體化。（ 5） 技術成熟度：正在進行產(chǎn)品小試。【編號：28】LED陶瓷散熱技術技術來源單位：福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所技術簡介：為解決大功率LE