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1、第3章 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路3-1判斷下列說(shuō)法是否正確,用“”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點(diǎn)。( )(2)若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零,則其輸入電阻會(huì)明顯變小。( ) 3-2選擇正確答案填入空內(nèi)。(1)UGS0V時(shí),不能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有 B 。 A. 結(jié)型管 B. 增強(qiáng)型MOS管 C. 耗盡型MOS管(2)當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí),它的低頻跨導(dǎo)gm將 A 。 A.增大 B.不變 C.減小3-3改正圖P3-3所示各電路中的錯(cuò)誤,使它們有可能放大正弦波電壓。要
2、求保留電路的共源接法。圖P3-3解:(a)源極加電阻RS。 (b)漏極加電阻RD。 (c)輸入端加耦合電容。 (d)在Rg支路加VGG,VDD改為VDD改正電路如解圖P3-3所示。解圖P3-33-4已知圖P3-4(a)所示電路中場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖(b)(c)所示。 (1)利用圖解法求解Q點(diǎn);(2)利用等效電路法求解、Ri和Ro 。圖P3-4解:(1)在轉(zhuǎn)移特性中作直線uGSiDRS,與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn);讀出坐標(biāo)值,得出IDQ1mA,UGSQ2V。如解圖P3-4(a)所示。解圖P3-4在輸出特性中作直流負(fù)載線uDSVDDiD(RDRS),與UGSQ2V的那條輸出特性曲線的
3、交點(diǎn)為Q點(diǎn),UDSQ3V。如解圖P3-4(b)所示。(2)首先畫出交流等效電路(圖略),然后進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。 3-5 已知圖P3-5(a)所示電路中場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖(b)所示。求解電路的Q點(diǎn)和。圖P3-5解:(1)求Q點(diǎn):根據(jù)電路圖可知, UGSQVGG3V。從轉(zhuǎn)移特性查得,當(dāng)UGSQ3V時(shí)的漏極電流 IDQ1mA 因此管壓降 UDSQVDDIDQRD5V。 (2)求電壓放大倍數(shù): 3-6電路如圖3-6所示,已知場(chǎng)效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm,試寫出、Ri和Ro的表達(dá)式。 圖P3-6解:、Ri和Ro的表達(dá)式分別為 3-7 電路如圖3-7所示。已知VDD=12V,=2V,RG=100k,RD=1k
4、, 場(chǎng)效應(yīng)管T的 IDSS=8mA、UGS(off)=4V。求該管子的IDQ及靜態(tài)工作點(diǎn)處的gm值。 圖P3-7解:=2 =3-8已知某種場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)為UGS(th)=2V,U(BR)GS=30V, U(BR)DS=15V,當(dāng)UGS=4V、 UDS=5V時(shí),管子的IDQ=9mA?,F(xiàn)用這種管子接成如圖p3-8所示的四種電 路,電路中的RG=100k, RD1=5.1K,RD2=3.3k,RD3=2.2k,RS=1k。試問(wèn)各電路中的管子各工作于:放大、截止、可變電阻、擊穿四種狀態(tài)中的哪一種? 圖P3-8解:先求場(chǎng)效應(yīng)管的x值。由已知的4v時(shí)9mA及2v,代人公式,可求得K2.25mA
5、.圖(a)管子擊穿.圖(b)管子擊穿 圖(c)可變電阻區(qū) 圖(d)放大區(qū)3-9在圖p3-9所示的四種電路中,RG均為100 k,RD均為3.3k,VDD=10V,=2V。又已知:T1的IDSS=3mA、UGS(off)=5V;T2的UGS(th)=3V;T3的IDSS=6mA、UGS(off)=4V;T4的IDSS=2mA、UGS(off)=2V。試分析各電路中的場(chǎng)效應(yīng)管工作于放大區(qū)、截止區(qū)、可變電阻區(qū)中的哪一個(gè)工作區(qū)? 圖P3-9解:圖a T1為N溝道JFET,由圖可知T1工作于放大區(qū) 圖b T2工作于截止?fàn)顟B(tài) 圖c工作于可變電阻區(qū) 圖d 工作于放大區(qū)3-10 試判斷圖p3-10所示的四種電
6、路中,哪個(gè)(或哪幾個(gè))電路具有電壓放大作用。 圖P3-10解d3-11 電路如圖3-11所示。其中VDD=20V,RG=1M, RD=10k, UGSQ=2V,管子的IDSS=2mA、UGS(off)=4V,各電容器的電容量均足夠大。試求:(a) IDQ及RS1的數(shù)值;(b) 為使管子能工作于恒流區(qū),RS2不能超過(guò)什么值。解:(a) =-0.5 (b) 3-12 電路如圖3-12所示。已知VDD=30V,RG1=RG2=1M, RD=10k,管子的UGS(th)=3V,且當(dāng)UGS=5V時(shí)ID為0.8mA。試求管子的UGSQ、IDQ、UDSQ。解: =6V3-13電路如圖3-13所示
7、。已知VDD=40V,RG=1M,RD=12k,RS=1k,場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS=6mA、UGS(off)=6V、rds>>RD,各電容器的電容量均足夠大。試求:(a) 電路靜態(tài)時(shí)的IDQ、UGSQ、UDQ值;(b) 電路的Au、Ri、Ro值。解(a) (b)
8、60; 3-14電路如圖3-14所示。其中RG=1.1M,RS=10k,場(chǎng)效應(yīng)管的gm=0.9mS、 rds可以忽略,各電容器的電容量均足夠大,電源電壓VDD的大小已足以保證管子能工作于恒流區(qū)。試求Au、Ri和Ro的值。解: 圖P3-11 圖P3-12 圖P3-13 圖P3-143-15 在圖3-15所示的電路中,RD= RS=5.1k,RG2=1M, VDD=24V,場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS=2.4mA、UGS(off)=6V,各電容器的電容量均足夠大。若要求管子的UGSQ=1.8V ,求:(a) 的數(shù)值;(b) 的值;(c) 及 的值。 解: (a) (b) (c) =0.74 =-0.74 圖P3-15 圖P3-163-16 電路如圖3-16所示。設(shè)場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)為gm,rds的影響必須考慮,各電容器的電容量均足夠大。試求該電路輸出
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