半導(dǎo)體物理學(xué)期末復(fù)習(xí)試題及答案二(共6頁)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上一、 選擇題1. 如果半導(dǎo)體中電子濃度等于空穴濃度，則該半導(dǎo)體以（ A ）導(dǎo)電為主；如果半導(dǎo)體中電子濃度大于空穴濃度，則該半導(dǎo)體以（ E ）導(dǎo)電為主；如果半導(dǎo)體中電子濃度小于空穴濃度，則該半導(dǎo)體以（ C ）導(dǎo)電為主。A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、電子 2. 受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（ B ），施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（ C ），本征激發(fā)向半導(dǎo)體提供（ A ）。A. 電子和空穴 B. 空穴 C. 電子 3. 電子是帶（ B ）電的（ E ）；空穴是帶（ A ）電的（ D ）粒子。A、正 B、負(fù) C、零 D、準(zhǔn)粒子 E、粒子4. 當(dāng)Au摻入Si中時，它是

2、（ B ）能級，在半導(dǎo)體中起的是（ D ）的作用；當(dāng)B摻入Si中時，它是（ C ）能級，在半導(dǎo)體中起的是（ A ）的作用。A、受主 B、深 C、淺 D、復(fù)合中心 E、陷阱5. MIS結(jié)構(gòu)發(fā)生多子積累時，表面的導(dǎo)電類型與體材料的類型（ A ）。A. 相同 B. 不同 C. 無關(guān)6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（ B ）。 A.變大，變小 ；B.變小，變大；C.變小，變?。?D.變大，變大。7. 砷有效的陷阱中心位置（B ）A. 靠近禁帶中央 B. 靠近費(fèi)米能級 8. 在熱力學(xué)溫度零度時，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)

3、的概率為（ D ），當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（ A ）。A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于09. 如圖所示的P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性圖中，AB段代表（ A），CD段代表（ B ）。A. 多子積累 B. 多子耗盡 C. 少子反型 D. 平帶狀態(tài)10. 金屬和半導(dǎo)體接觸分為：（ B ）。A. 整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸 B. 整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸 C. 非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸 D. 非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸11. 一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，若光

4、照忽然停止后，其中非平衡載流子將衰減為原來的（ A ）。A. 1/e B. 1/2 C. 0 D. 2/e 12. 載流子在電場作用下的運(yùn)動為（ A ），由于濃度差引起的運(yùn)動為（ B ）。A. 漂移運(yùn)動 B. 擴(kuò)散運(yùn)動 C. 熱運(yùn)動13鍺的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（ C ）。A. 金剛石型和直接禁帶型 B. 閃鋅礦型和直接禁帶型C. 金剛石型和間接禁帶型 D. 閃鋅礦型和間接禁帶型14非簡并半導(dǎo)體是指（ A ）的半導(dǎo)體。A.能使用玻耳茲曼近似計算載流子濃度B.用費(fèi)米分布計算載流子濃度15 當(dāng)半導(dǎo)體材料處于熱平衡時，其電子濃度與空穴濃度的乘積為（ B），并且該乘積和（D）有關(guān)，而與（ C ）無關(guān)

5、。A、變化量； B、常數(shù)； C、雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)類型； D、禁帶寬度和溫度二、證明題 1、 對于某n型半導(dǎo)體，其雜質(zhì)濃度為,試證明2、 對于某半導(dǎo)體，其能帶如圖所示，試證明其為P型半導(dǎo)體，即證明p0n0三、計算畫圖題1. 計算（1）摻入ND為11015個/cm3的施主硅，在室溫（300K）時的電子n0和空穴濃度p0，其中本征載流子濃度nI =1010個/cm3。（2）如果在（1）中摻入NA=51014個/cm3的受主，那么電子n0和空穴濃度p0分別為多少？ 1.解：（1） 300K時可認(rèn)為施主雜質(zhì)全部電離。 （2）摻入了NA=51014個/cm3的受主，那么同等數(shù)量的施主得到了補(bǔ)償。2室溫下，硅

6、本征載流子濃度nI=1010個/cm3，（1）計算本征電導(dǎo)率，（2）若硅原子的濃度為，摻入施主雜質(zhì)，使每個硅原子中有一個雜質(zhì)原子，計算室溫下電子濃度和空穴濃度(設(shè)雜質(zhì)全部電離)，試求該摻雜硅材料的電阻率。解：（1）（2）雜質(zhì)全部電離，（3）3、施主濃度的N型硅En=0.12eV，其親和勢為，與功函數(shù)為4.3 eV的金屬Al緊密接觸，（1）接觸后形成阻擋層還是反阻擋層，（2）求半導(dǎo)體端和金屬端的勢壘高度。解：（1）當(dāng)金屬功函數(shù)大于半導(dǎo)體功函數(shù)時，電子由半導(dǎo)體流向金屬端，形成阻擋層 （2）w s=4.05+0.12=4.17eV 4MIS結(jié)構(gòu)中，以金屬絕緣體P型半導(dǎo)體為例，當(dāng)VG0但不是很大時，半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)為什么狀態(tài)，并畫出此時的能帶圖和電荷密度分布圖。 解：當(dāng)金屬與半導(dǎo)體之間加正電壓，表面勢為正值，表面處能帶向下彎曲，表面處的空穴濃度較體內(nèi)的低得多，