選修三第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)測(cè)試

1、一、選擇題1. 在單質(zhì)的晶體中一定不存在的微粒是（ ）A原子 B分子 C陰離子 D陽離子2. 下列關(guān)于晶體的說法正確的是（ ）A在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子B在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子C原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高D分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低3. 下列物質(zhì)在固態(tài)時(shí)是原子晶體的是（ ）A二氧化硅 B硝酸銨 C磷酸 D蔗糖 4. 下列各組物質(zhì)熔化或氣化時(shí)所克服的微粒間的作用力屬同種類型的是（ ）A石英和干冰的熔化 B晶體硅和晶體硫的熔化C鈉和鐵的熔化 D碘和氯化銨的氣化5. 四氯化硅的結(jié)構(gòu)與四氯化碳類似，對(duì)其性質(zhì)的推斷如下：四氯化硅晶體是分子晶體；通常情況下為液態(tài)，熔點(diǎn)高于

2、四氯化碳；屬于正四面體的分子構(gòu)型。其中正確的是（ ）A僅有 B僅有 C僅有 D6. 下列有關(guān)晶體的敘述中，不正確的是（ ）A金剛石網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，則共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中，最小的環(huán)上有6個(gè)碳原子B氯化鈉晶體中，每個(gè)Na周圍距離相等的Na共有12個(gè)C氯化銫晶體中，每個(gè)Cs周圍緊鄰8個(gè)ClD干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周圍緊鄰10個(gè)CO2分子7. 下列性質(zhì)中，可以較充分說明某晶體是離子晶體的是（ ）A具有較高的熔點(diǎn)B固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電C可溶于水 D固態(tài)不導(dǎo)電，熔融狀態(tài)能導(dǎo)電8. 下列晶體均是進(jìn)行最密堆積的是（ ）A干冰、NaCl、金屬Cu BZnS、金屬鎂、氮化硼C水晶、金剛石、晶體硅 DZnS、

3、NaCl、鎂9. 下列微粒的個(gè)數(shù)比不是11的是（ ）ANaHCO3晶體中陰、陽離子BNH3分子中的質(zhì)子和電子CNa2O2固體中陰、陽離子D12H原子中的質(zhì)子和中子10. 金屬晶體具有延展性的原因是（ ）A金屬鍵很微弱 B金屬鍵沒有飽和性C密堆積層的陽離子容易發(fā)生滑動(dòng)，但不會(huì)破壞密堆積的排列方式，也不會(huì)破壞金屬鍵 D金屬陽離子之間存在斥力11. 下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是（ ）A金剛石晶體硅二氧化硅碳化硅BCI4CBr4CCl4CF4CMgOH2ON2O2D金剛石生鐵鈉純鐵 12. 干冰晶體是一種面心立方結(jié)構(gòu)，即每8個(gè)CO2構(gòu)成立方體，且在6個(gè)面的中心又各被一個(gè)CO2分子占據(jù)，在每個(gè)CO

4、2周圍最近且等距離的CO2有多少個(gè)（ ）A. 4個(gè) B. 8個(gè) C. 12個(gè) D. 6個(gè)13. 幾種離子的半徑如下表所示離子Be2Mg2La3KF離子半徑/pm3165104133136下列各離子晶體中陽離子配位數(shù)與氯化鈉中鈉離子配位數(shù)相同的是（ ）ALaF3 BMgF2 CBeF2 DKF14. 金屬晶體和離子晶體是重要晶體類型，下列關(guān)于它們的說法中，正確的是（ ）A金屬晶體和離子晶體都能導(dǎo)電B在鎂晶體中，1個(gè)Mg2只與2個(gè)價(jià)電子存在強(qiáng)烈的相互作用C金屬晶體和離子晶體都可采取“緊密堆積”方式D金屬晶體和離子晶體中分別存在金屬鍵和離子鍵等強(qiáng)烈的相互作用，很難斷裂，因而都具有延展性15. 氧化鈣

5、在2973K時(shí)熔化，二氧化鈉在1074K時(shí)熔化，兩者的離子間距離和晶體結(jié)構(gòu)都類似，下列有關(guān)它們的熔點(diǎn)差別比較大的原因的敘述不正確的是（ ）A. 氯化鈉晶體中陰、陽離子所帶的電荷數(shù)少B. 氧化鈣的晶格能比氯化鈉的晶格能大C. 氧化鈣與氯化鈉的密度不同D. 在氧化鈣與氯化鈉的離子間距離類似的情況下，晶格能主要由陰、陽離子所帶電荷決定16. X是核外電子數(shù)最少的元素，Y是地殼中含量最豐富的元素，Z在地殼中的含量?jī)H次于Y，W可以形成自然界最硬的原子晶體。下列敘述錯(cuò)誤的是（ ）AWX4是沼氣的主要成分B固態(tài)X2Y是分子晶體CZW是原子晶體DZY2的水溶液俗稱“水玻璃”17. 右圖示意的是硼和鎂形成的化合

6、物的晶體結(jié)構(gòu)單元；鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有一個(gè)鎂原子，6個(gè)硼原子位于棱柱內(nèi)。則該化合物的化學(xué)式可表示為（ ）AMgB BMgB2CMg2B DMg3B218. 下列關(guān)于晶體的說法一定正確的是（ ）CaTiO3的晶體結(jié)構(gòu)模型(Ca2、O2、Ti4分別位于立方體的體心、面心和頂點(diǎn))A分子晶體中都存在共價(jià)鍵BCaTiO3晶體中每個(gè)Ti4與12個(gè)O2相緊鄰CSiO2晶體中每個(gè)硅原子與兩個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合D金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高19. 已知C3N4晶體具有比金剛石還大的硬度，且構(gòu)成該晶體的微粒間只以單間結(jié)合，下列關(guān)于晶體的說法錯(cuò)誤的是（ ）A. 該晶體屬于原子晶體，其

7、化學(xué)鍵比金剛石更牢固B. 該晶體中每個(gè)碳原子連接4個(gè)氮原子，每個(gè)氮原子連接3個(gè)碳原子C. 該晶體中碳原子和氮原子的最外層都滿足8電子結(jié)構(gòu)D. 該晶體與金剛石相似，都是原子間以非極性鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)20. 下列推論正確的是（ ）ASiH4的沸點(diǎn)高于CH4，可推測(cè)PH3的沸點(diǎn)高于NH3BNH4為正四面體結(jié)構(gòu)，可推測(cè)PH4也為正四面體結(jié)構(gòu)CCO2晶體是分子晶體，可推測(cè)SiO2晶體也是分子晶體DC2H6是碳鏈為直線型的非極性分子，可推測(cè)C3H8也是碳鏈為直線型的非極性分子二、非選擇題1. 下列7種物質(zhì)：白磷(P4)；水晶；氯化銨；氫氧化鈣；氟化鈉；過氧化鈉；石墨，固態(tài)下都為晶體，回答下列問題(填寫序

8、號(hào))：（1）不含金屬離子的離子晶體是_，只含離子鍵的離子晶體是_，既有離子鍵又有非極性鍵的離子晶體是_，既有離子鍵又有極性鍵的離子晶體是_。（2）既含范德華力，又有非極性鍵的晶體是_，熔化時(shí)既要克服范德華力，又要破壞化學(xué)鍵的是_，熔化時(shí)只破壞共價(jià)鍵的是_。2. （1）氯酸鉀熔化，粒子間克服了_的作用力；二氧化硅熔化，粒子間克服了 _的作用力；碘的升華，粒子間克服了_的作用力。三種晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序是_。（2）下圖中AD是中學(xué)化學(xué)教科書上常見的幾種晶體結(jié)構(gòu)模型，請(qǐng)?zhí)顚懴鄳?yīng)物質(zhì)的名稱：A_；B._；C._；D._。3. 單質(zhì)硼有無定形和晶體兩種，參考下表數(shù)據(jù)，回答問題。金剛石晶體硅晶體硼熔點(diǎn)

9、/K3 8231 6832 573沸點(diǎn)/K5 1002 6282 823硬度/Moh107.09.5（1）晶體硼的晶體類型是_，理由是_ _。（2）已知晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體，其中含20個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目的頂角，每個(gè)頂角上各有一個(gè)原子，試觀察右圖，回答：這個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元由_個(gè)硼原子組成，其中BB鍵的鍵角是_，共含有_個(gè)BB鍵。（3）若將晶體硼結(jié)構(gòu)單元中的每一個(gè)頂角削去，余下部分結(jié)構(gòu)就與C60的結(jié)構(gòu)相同，則有_個(gè)正六邊形和_個(gè)正五邊形。4. 請(qǐng)完成下列各題：（1）前四周期元素中，基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)與其所在周期數(shù)相同的元素有_種。（2）第A、A族元素組成的化合物G

10、aN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為_。在GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與_個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為_。在四大晶體類型中，GaN屬于_晶體。（3）在極性分子NCl3中，N原子的化合價(jià)為3，Cl原子的化合價(jià)為1，請(qǐng)推測(cè)NCl3水解的主要產(chǎn)物是_(填化學(xué)式)。5. X、Y、Z三種常見的短周期元素，可形成XY2、Z2Y、XY3、Z2Y2、Z2X等化合物，已知Y的離子和Z的離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，X離子比Y離子多一個(gè)電子層，試回答：（1）X、Y、Z的單質(zhì)的晶體分別屬于_晶體、_晶體、_晶體。（2）Z2Y2的電

11、子式為_，Z2Y2溶于水的化學(xué)方程式為_ _。（3）XY3在標(biāo)準(zhǔn)狀況下是針狀晶體，它屬于_晶體，XY3的水溶液與Z2Y2反應(yīng)可生成一種具有漂白性的氧化劑H2Y2，其化學(xué)方程式為_。6. A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1，B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2，C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，D元素原子的M電子層的p亞層中有1個(gè)電子。（1）C原子的電子排布式為_，若A元素的原子最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重疊方式，A與C形成的化合物中的共價(jià)鍵屬于_鍵。（2）當(dāng)n2時(shí)，B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_，B與C形成的晶體屬于_晶體。當(dāng)n3時(shí)，B與C

12、形成的晶體中微粒間的作用力是_；晶體的化學(xué)式是_。（3）若D元素與Fe形成某種晶體，該晶體的晶胞如下圖所示。則晶體的化學(xué)式是_(用元素符號(hào)表示)；若晶胞的邊長(zhǎng)為a nm，則合金的密度為_g/cm3。7. 如下圖所示為PIC元件(熱敏電阻)的主要成分鋇鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是具有代表性的最小重復(fù)單位，該晶體經(jīng)X射線分析鑒定，重復(fù)單位為立方體，邊長(zhǎng)a403.1 pm。頂點(diǎn)位置被Ti4所占據(jù)，體心位置被Ba2所占據(jù)，所有棱心位置被O2所占據(jù)。（1）寫出該晶體的化學(xué)式_。（2）若將Ti4置于晶胞的體心，Ba2置于晶胞頂點(diǎn)，則O2處于立方體的_位置。（3）在該物質(zhì)的晶體中，每個(gè)Ti4周圍與它最鄰近的且距離

13、相等的Ti4有_個(gè)；它們的空間構(gòu)型為_。（4）指出Ti4的氧配位數(shù)和Ba2的氧配位數(shù)_。8. 原子序數(shù)小于36的X、Y、Z、W四種元素，其中X是形成化合物種類最多的元素，Y原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的2倍，Z原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子，W的原子序數(shù)為29?；卮鹣铝袉栴}：（1）Y2X2分子中Y原子軌道的雜化類型為_，1 mol Y2X2含有鍵的數(shù)目為_。（2）化合物ZX3的沸點(diǎn)比化合物YX4的高，其主要原因是_。（3）元素Y的一種氧化物與元素Z的一種氧化物互為等電子體，元素Z的這種氧化物的分子式是_。（4）元素W的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該氯化物的化學(xué)式是_

14、，它可與濃鹽酸發(fā)生非氧化還原反應(yīng)，生成配合物HnWCl3，反應(yīng)的化學(xué)方程式為_。9. 銅在我國(guó)有色金屬材料的消費(fèi)中僅次于鋁，廣泛地應(yīng)用于電氣、機(jī)械制造、國(guó)防等領(lǐng)域?；卮鹣铝袉栴}：（1）銅原子基態(tài)電子排布式為 ；（2）用晶體的x射線衍射法可以測(cè)得阿伏加德羅常數(shù)。對(duì)金屬銅的測(cè)定得到以下結(jié)果：晶胞為面心立方最密堆積，邊長(zhǎng)為361pm。又知銅的密度為9.00gcm-3，則鎘晶胞的體積是 cm3、晶胞的質(zhì)量是 g，阿伏加德羅常數(shù)為 (列式計(jì)算，己知Ar(Cu)=63.6)；（3）氯和鉀與不同價(jià)態(tài)的銅可生成兩種化合物，這兩種化合物都可用于催化乙炔聚合，其陰離子均為無限長(zhǎng)鏈結(jié)構(gòu)(如下圖)，a位置上Cl原子的

15、雜化軌道類型為 。已知其中一種化合物的化學(xué)式為KCuCl3，另一種的化學(xué)式為 ；（4）金屬銅單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過氧化氫都不能反應(yīng)，但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng)，其原因是 ，反應(yīng)的化學(xué)方應(yīng)程式為 。10. A族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含A族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題：（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 ；（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?；（3）Se的原子序數(shù)為 ，其核

16、外M層電子的排布式為 ；（4）H2Se的酸性比H2S (填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為 ，SO32-離子的立體構(gòu)型為 ；（5） H2SeO3的K1和K2分別為2.710-3和2.510-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.210-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因： 。H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因： 。（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm，其密度為 (列式并計(jì)算)，a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm

17、(列式表示)。答案一、選擇題題號(hào)12345678910答案CAACDDDACC題號(hào)11121314151617181920答案BCDCCDBBDB二、填空題1. （1）和（2）2. （1）離子鍵共價(jià)鍵分子間SiO2KClO3I2（2）CsClNaClSiO2金剛石3. （1）原子晶體熔、沸點(diǎn)很高、硬度很大（2）126030（3）2014. （1）5（2）1s22s22p63s23p63d104s24p1(或Ar3d104s24p1)4正四面體原子（3）HClO、NH3H2O5. （1）分子分子金屬（2）Na 2Na2Na2O22H2O=4NaOHO2（3）分子H2SO4Na2O2=Na2SO4H2O26. （1）1s22s22p4（2）分子共價(jià)鍵或極性共價(jià)鍵SiO2（3）Fe2Al5.561023/a3NA7. （1）BaTiO3（2）面心（3）6正八面體（4）6、128. （1）sp雜化；3 mol或36.021023個(gè)（2）NH3分子間存在氫鍵（3）N2O（4）CuClCuCl2HCl=H2CuCl3(或CuCl2HCl=H2CuCl3)9. （1）1s22s22p63s23p63d104s1（2）4.710-23cm3 4.2310-22g Ar(Cu)=63.6g/mol=NA，得NA=6.0