電子概論與實(shí)習(xí)doc

1、協(xié)志工商100學(xué)年度第二學(xué)期題庫(kù)(科別:汽車(chē)科 課程:電子概論與實(shí)習(xí))班級(jí):汽二甲乙忠孝出題:楊朝統(tǒng)選擇題()1.烙鐵架上的海綿可去除烙鐵頭上之餘錫，故海綿應(yīng)沾(A)酒精 (B)水 (C)機(jī)油 (D)接點(diǎn)復(fù)活劑()2.有鉛銲錫的主要材料為(A)鉛錫合金 (B)錫鋁合金(C)純錫 (D)錫銅合金()3.電烙鐵應(yīng)放置於(A)防熱橡膠墊上(B)烙鐵架內(nèi)(C)尖嘴鉗上 (D)桌上()4.示波器的垂直靈敏度置於1V/DIV，掃瞄時(shí)間置於10 ms/DIV，當(dāng)測(cè)量某週期信號(hào)時(shí)，顯示波形在水平軸每2格重覆一次，而高度在垂直軸佔(zhàn)4格，假設(shè)測(cè)試棒的衰減比例為10 1,則該信號(hào)之大小為(A) 0.4Vp屮(B)

2、4Vp(C) 40Vp“(D)400Vpq()5.承上題，該信號(hào)頻率為(A) 5 Hz (B) 50 Hz (C) 500 Hz (D) 5k Hz()6.調(diào)整示波器顯示波形高度的控制鈕為(A)垂直靈敏度調(diào)整(VOLTS/DIV)(B)校正電壓(PROBE ADJUST)(C)亮度控制(INTENSITY)(D)掃瞄時(shí)間調(diào)整(SEC/DIV)7.鋸齒波的峰值電壓為10 V,則其有效值電壓為(A) 10 V(B) 20 V(C)(D)10-3(B)平均值 (C)峰值(B)調(diào)整輸出電壓大小)8.示波器測(cè)量的電壓，其所顯示的電壓值為(A)有效值(D)峰對(duì)峰值)9.電源供應(yīng)器的Current ADJ旋

3、鈕功能為(A)過(guò)載時(shí)複歸(C)輸出電壓細(xì)微調(diào)整(D)調(diào)整供應(yīng)電流大小()10.一正弦波電壓，其峰對(duì)峰值為200 V,則該正弦波之有效值電壓為(A) 50 V (B)63.7 V (C) 70.7 V (D) 100 V()11.示波器可以測(cè)量 (A)電壓、頻率、電阻(B)電壓、電容、電阻(C)電壓、頻率、波形 (D)僅能測(cè)波形()12.一週期性的電流，其大小隨時(shí)間而變化，但其極性不隨時(shí)間而變化，則此電流為 (A)交流電流(B)直流電流(C)脈動(dòng)直流(D)以上皆非()13.示波器顯示一信號(hào)，其一週期佔(zhàn)5格，該信號(hào)為方波1 kHz，5Vp_p，則此時(shí)示波器的掃瞄時(shí)基是置於(A) 0.1 ms/DI

4、V (B) 0.2 ms/DIV (C) 0.5 ms/DIV (D) 1 ms/DIV()14.以下有關(guān)二極體的敘述，何者有誤？(A)具有順向?qū)?，逆向截止的特?(B)可使用三用電錶判別二極體好壞(C)外觀尺寸較小的二極體比較能承受較大的電流及功率(D)可用於整流電路()15.二極體不能做以下那一種工作？(A)整流 (B)檢波 (C)截波 (D)放大()16.有關(guān)二極體的敘述，以下何者為非？(A)二極體為單向?qū)ㄔ?B)二極體可作為整流元件(C)理想二極體導(dǎo)通時(shí)，電阻為零(D)二極體逆向偏壓時(shí)，其電阻約為110 kQ()17.有關(guān)鍺與矽半導(dǎo)體特性的敘述，以下何者正確？(A)矽的逆向峰值電

5、壓遠(yuǎn)高於鍺(B)矽工作溫度遠(yuǎn)低於鍺(C)矽二極體的切入電壓低於鍺 (D)矽的逆向飽和電流高於鍺()18.一半波整流輸出波形，其頻率為60Hz,峰值電壓為10 V，如果以三用電錶的 DCV檔測(cè)量其電壓為(A) 3.18 V (B) 5 V (C) 6.36 V (D) 7.07 V)19.關(guān)於稽納二極體的敘述，以下何者為真？(A)它是個(gè)定電壓元件定電流元件 (C)它工作在順向區(qū)(D)它有負(fù)電阻特性1(A) -(B)ji)20半波整流器輸出電壓的平均值為峰值的幾倍?)21.矽質(zhì)二極體在常溫之下，其切入電壓約為(C) 1.1 V1.5 V (D)以上皆非)22.全波整流電路的輸出訊號(hào)頻率為輸入訊號(hào)頻

6、率的(D) 4 倍)23.PN接面二極體之空乏區(qū)內(nèi)(A)有自由電子子 (D)什麼也沒(méi)有(A) 0.2 V 0.3 V(A) 1/2 倍(B)它是個(gè)3(C) -(D)(B) 0.5 V 0.7 V(B) 1 倍(C) 2 倍(B)有自由電洞 (C)有正負(fù)離(B)全波整流之輸出頻率與輸入交流頻率相同(C)半波整流之輸出直流電壓為2VmJI)24.以下敘述何者正確？(A)半波整流之輸出頻率為輸入交流頻率之兩倍(D)全波整流之輸出直流電壓為m()25.稽納二極體做穩(wěn)壓功能時(shí)，需工作於(A)順向飽和區(qū) (B)順向工作區(qū) (C)逆向截止區(qū) (D)逆向崩潰區(qū)()26.當(dāng)P型及N型材料相接觸時(shí)，即會(huì)產(chǎn)生一空乏

7、區(qū)，而靠P側(cè)空乏區(qū)內(nèi)有(A)電洞 (B)電子 (C)正離子 (D)負(fù)離子()27.半波整流電路與全波整流電路比較，以下敘述何者不正確？(A)前者電路簡(jiǎn)單，本錢(qián)低廉(B)前者變壓器的整流效率低(C)前者輸出直流平均值低(D)前者漣波變化較小()28.有關(guān)電晶體結(jié)構(gòu)特性，以下敘述何者錯(cuò)誤？(A)集極接面大於射極接面(B)集極接面的崩潰電壓高於射極接面(C)射極的雜質(zhì)濃度高於集極(D) PNP電晶體的多數(shù)載子為電子()29.電晶體的三種組態(tài)中，何者的輸出阻抗最低？(A) CE組態(tài) (B) CB組態(tài) (C)CC組態(tài) (D)以上均同()30.場(chǎng)效電晶體(FET)工作時(shí)靠以下何者來(lái)控制某電流大?。?A)電

8、阻 (B)電容(C)電壓 (D)電流()31.共基極組態(tài)放大電路的輸出與輸入電壓 ，相位差(A) 0° (B) 90° (C) 180° (D)270°()32.以下有關(guān)場(chǎng)效電晶體敘述，何者錯(cuò)誤？(A)場(chǎng)效電晶體的主要型式有JFET,空乏式MOSFET,增強(qiáng)式MOSFET (B)場(chǎng)效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體(C) 場(chǎng)效電晶體以控制通道之寬度而達(dá)到控制 ID 大小之目的 (D) 對(duì)場(chǎng)效電晶體的 ID 影響最大的是 IG()33.以下敘述，何者不是共集極放大電路的特性？(A) 高輸入阻抗 (B) 低輸出阻抗 (C) 高電流增益 (D) 高電壓增益()

9、34.以下敘述何者不正確？(A) BJT電晶體為雙極性(bipolar)電晶體 (B) MOSFET電晶體為一種電流控制元件(C) 一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小(D) MOSFET電晶體為單極性(unipolar)電晶體()35.共集極組態(tài)放大器常被使用於作(A) 功率放大 (B) 阻抗匹配 (C) 電壓放大(D) 高頻振盪()36P通道場(chǎng)效電晶體(FET)之電荷載子為？(A)主載子為電子、副載子為電洞 (B)主載子為電洞、副載子為電子 (C) 電子 (D) 電洞()37.電晶體三種組態(tài)放大電路其特性之?dāng)⑹觯韵潞握邽榉牵?A) 輸入阻抗，共集極組態(tài)最高

10、(B) 輸出阻抗，共集極組態(tài)最低 (C) 功率增益，共基極組態(tài)最高 (D) 電流增益，共集極組態(tài)最高()38.有關(guān)場(chǎng)效應(yīng)電晶體(FET)之?dāng)⑹觯韵潞握咤e(cuò)誤？(A) MOSFET又分成空乏型及增強(qiáng)型二種(B) 般可分成JFET及MOSFET二類(lèi) (C)可分成N通道及P通道二種 (D) 輸入阻抗較雙極性電晶體為低()39.電晶體操作於截止及飽和區(qū)時(shí)，可做為(A) 線性放大器 (B) 開(kāi)關(guān) (C) 可變電阻器 (D) 可變電容器()40.電晶體工作於作用區(qū)，其供給的偏壓為(A) 基、射極間施以逆向偏壓；基、集極間施以順向偏壓 (B) 基、射極間施以逆向偏壓；基、集極間施以逆向偏壓 (C) 基、射極

11、間施以順向偏壓；基、集極間施以逆向偏壓 (D) 基、射極間施以順向偏 壓；基、集極間施以順向偏壓()41.共基極組態(tài)的電流增益為(A) 極小 (B) 極大 (C) 趨近於 1(D) 以上皆非()42.電晶體放大電路中，那種接法的電流增益最小？(A) CB (B) CE (C) CC(D) 不一定()43.在電晶體的射極接面接順向偏壓、集極接面接逆向偏壓時(shí)，它將工作於(A) 作用區(qū) (B) 飽和區(qū) (C) 截止區(qū) (D) 反模態(tài)()44.共射極組態(tài)放大器的用途為(A) 作電壓或功率放大 (B) 作同相放大 (C) 作阻抗匹配 (D) 作高頻放大()45.共基極組態(tài)放大電路常被應(yīng)用以(A) 作功率

12、放大 (B) 用於高頻放大和振盪電路 (C) 做阻抗匹配 (D) 反相放大電路()46.以下敘述何者有誤？(A) FET輸入阻抗低，BJT輸入阻抗高 (B) FET為電壓控制， BJT 為電流控制 (C) FET 為單極性， BJT 為雙極性 (D) 當(dāng)作開(kāi)關(guān)時(shí)， FET 無(wú)偏移(offset)電壓，BJT則有0.2V()47.使用指針式三用電錶，轉(zhuǎn)至低Q檔(如X 100Q),將紅色棒接觸電晶體的某一腳，再以黑色棒接觸其它兩腳，此時(shí)電錶的指針都會(huì)產(chǎn)生很大的偏移，而其他兩腳之間皆不 偏轉(zhuǎn)，則此電晶體的型態(tài)為A NPN B PNP C條件缺乏，無(wú)法判別D以上皆非48.以下有關(guān)半導(dǎo)體元件之結(jié)構(gòu)何者錯(cuò)

13、誤？A N型半導(dǎo)體是4價(jià)原子材料摻雜3價(jià)原子材料B NPN型與PNP型電晶體都屬於雙極性電晶體C MOSFET可分成增強(qiáng)型enhancemen與空乏型depletion兩大類(lèi) D JFET可分成N通道與P 通道兩大類(lèi)49.有關(guān)MOSFET之?dāng)⑹觯韵潞握咤e(cuò)誤？ Vgs為閘極至源極之電壓A空乏型MOSFET本身結(jié)構(gòu)中並無(wú)通道存在B空乏型N通道MOSFET其Vgs可接負(fù)電壓或正電壓C增強(qiáng)型N通道MOSFET之臨限電壓Vt值為正 D增強(qiáng)型P通道MOSFET其Vgs假設(shè)接正電壓，則無(wú)法建立通道50失真度最低的功率放大器為那一類(lèi)放大器？A A類(lèi) B B類(lèi) C C類(lèi) DAB類(lèi)51.功率電晶體的集極與外殼通

14、常接在一起，其最主要目的是A美觀大方 B製造上較方便C易於辨認(rèn) D散熱較優(yōu)52.就達(dá)靈頓結(jié)構(gòu)而言？A輸出阻抗高，電流增益亦甚高B輸出阻抗低，電流增益甚高C輸出阻抗低，電流增益等於1D輸出阻抗高，電流增益小於153.共射極放大電路，在射極電阻器 Re並聯(lián)一電容器CE之功能如何？A濾去電源漣波 B提高電壓增益 C防止短路 D阻隔直流通過(guò)54.串級(jí)放大器的頻寬將隨級(jí)數(shù)增加而A變寬 B變窄 C不變 D不一疋55.以下敘述何者為真？易匹配 C達(dá)靈頓電路用於提高電壓增益56.以下敘述何者正確？C B類(lèi)放大器效率最差57.達(dá)靈頓放大電路，具有A直接耦合適用於多級(jí)放大 B變壓器耦合的阻抗容D直接耦合的偏壓穩(wěn)定

15、性良好A A類(lèi)放大器失真最大B AB類(lèi)放大器有交叉失真D C類(lèi)放大器效率最高，失真也最大C極咼A極高的電壓增益 B極高的電流增益A穩(wěn)定所示之電路中，C3的主要功能是?電路增益B提高交流增益C提高輸入阻抗D穩(wěn)定偏壓59.某一功率放大器，其輸入信號(hào)與輸出信號(hào)的波形如圖所示,則此功率放大器是屬於(A) A(B) B (C) AB (D) C 類(lèi)放大器()60. 個(gè)串級(jí)放大器，分別由電壓增益為的電壓增益為(A) 80(B) 100050、20及10三級(jí)所串接，試求該串級(jí)放大器(C) 10000(D) 100000(假設(shè)矽電晶體之B為50,則Vo大約為?(A) 3V (B) 0V (C) 9V (D)(

16、)62.以下放大器何者可工作於較高頻率?(C)共基極放大器 (D)以上皆是D)6V()63.場(chǎng)效電晶體中之Idss，係指下述何種狀況之汲極電流(A) Vdg =0(B) Vds = 0(C) Vgs 二0(D) Vdd =0()64.在電晶體放大器中，具有較低輸出阻抗的是？(A)共基極放大器(B)共集極放大器 (C)共射極放大器(D)以上皆是()65.所謂OTL放大器表示(A)沒(méi)有輸出變壓器(B)沒(méi)有輸出電容(C)有輸出變(A)共射極放大器(B)共集極放大器壓器 (D)需雙電源供應(yīng)()66. RC耦合電路中，C值必須甚大，其原因?yàn)?A)級(jí)與級(jí)間之直流可順利通過(guò)(B)增加高頻響應(yīng)(C)產(chǎn)生較佳之

17、偏壓穩(wěn)定(D)防止低頻衰減()67.何類(lèi)放大器之轉(zhuǎn)換效率為最高？(A) A類(lèi) (B) B類(lèi) (C) C類(lèi) (D) AB類(lèi)放大器()68.理想運(yùn)算放大器之頻寬為(A)(B) 10kHz (C) 100kHz (D) 0()69.如圖N *為定電流源電路，其I電流為 (A)6mA)70.如圖(B) 5mA (C) 18mA (D) 30mA所示電路,測(cè)試端電壓為25mV，其 Io 電流為 (A) 8mA (B) 9mA (C) 12.5mA(D) 10mA()71.運(yùn)算放大器正輸入端之信號(hào)與輸出信號(hào)之相位(A)反相 (B)同相 (C)相差(B) 11(C) -20(D) 21(B)根本非反相器 (

18、C)積分器(D)微()74.如圖所示，使用理想運(yùn)算放大器，假設(shè) U=2伏特,45o(D)相差 90oI1()72.如圖亠所示，假設(shè)Rj =10k0，Rff =100k，則之值為 (A) -10 V i)73.同上題，此電路為(A)根本反相器分器電路V2=-4伏特，則輸出電壓為多少伏特？(A) +6V(B) +2V(C) 0V (D) -6V()75.以下元件，那一種具有負(fù)電阻特性？(A)稽納二極體 (B) UJT (C)電晶體(D) OPA()76.單接合電晶體，其等效電路中，E-Bj間如同(A)二極體 (B)可變電阻(C)可變電容(D)電阻()77.由光耦合器、觸發(fā)電路及交流矽控閘流體所組成

19、之裝置元件，稱(chēng)為(A)固態(tài)繼電器 (B)光電晶體(C)光矽控整流器 (D)以上皆非()78.雙向三極閘流體(TRIAC)，相當(dāng)於兩個(gè)何種元件反向並聯(lián)？(A) SCR (B)TRIAC (C) UJT (D) DIAC()79.霍爾效應(yīng)(Hall effect)最常用來(lái)判斷半導(dǎo)體的那種特性？(A) P型或N型 (B)本質(zhì)或外質(zhì) (C)線性或非線性(D)好或壞()80.以下何者為光感測(cè)元件？(A)稽納二極體(B)光電二極體(Photodiode)(C)熱電耦 (D) TRIAC()81.SCR導(dǎo)通後，以下何種方法不能使其截止？(A)將閘極觸發(fā)電流移去(B)在陽(yáng)極與陰極間加逆向偏壓(C)將陽(yáng)極與陰極

20、間的電流降至保持電流(holdi ngcurrent)以下 (D)以上方法皆可使其截止()82.能將光能轉(zhuǎn)變成電流之元件為(A)液晶顯示器(LCD)(B)發(fā)光二極體(LED)(C)日光燈 (D)光二極體()83.以下哪個(gè)元件只有單向?qū)ㄗ饔茫?A)雙向矽控整流(TRIAC) (B)達(dá)卡 (C)矽控整流器(D)金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)的閘-源極陽(yáng)極()84.如圖所示之符號(hào)為以下何種元件？(A)光耦合器 (B)光電二極體 (C)光矽控整流器 (D)光遮斷器()85.發(fā)光二極體所發(fā)出光的顏色與(A)外加電壓有關(guān)(B)外加電壓的頻率有關(guān)(C)二極體的材料合成成份有關(guān)(D)通過(guò)電流之大小有關(guān)()

21、86.如圖卅d丿 所示，相當(dāng)於何種邏輯電路(A) OR (B) NAND (C)AND (D) NOR ()87.二個(gè)輸入全為0或全為1,則輸出為1的邏輯閘是(A)反互斥或閘 (B)及閘 (C)反或閘 (D)互斥或閘()88.在根本邏輯閘中何種閘為當(dāng)所有輸入均為0時(shí)，輸出才是0？(A)二(B)二O(C)(D) D)89.在邏輯電路中輸入至少有一個(gè)為“ 1，則其輸出即為“(A)反及閘 (B)或閘 (C)及閘 (D)互斥或閘 )90.以下4個(gè)邏輯閘表示圖中，何者為正確？1 II0(A) ° 一廠(B)91.以下何者與反閘功能不同？1，是為以下何種邏輯閘?(C)(D)+ 5VL(A)廠(B)92.單一邏輯閘，假設(shè)輸入全為(A)非閘 (B)或閘(C)三“ 1，輸出才是“ 0的邏輯閘是(C)反及閘 (D)反或閘(D)宀)93.A、B兩輸入之邏輯閘，以下何者之輸出函數(shù)為A0 B?(A) XNOR(C) XOR (D) NANDA)94.如圖F所示，則 F= (