碳化硅表面外延生長(zhǎng)法制備石墨烯_第1頁(yè)
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tt 碳化硅表面外延生長(zhǎng)主講人：關(guān)麗濤tttl 1234背景原理制備目錄存在的缺陷1背景外延法是最有可能獲得大面積、高質(zhì)量石墨烯的制備方法，所獲得的石墨烯具有較好的均一性，且與當(dāng)前的集成電路技術(shù)有很好的兼容性，因此成為石墨烯制備科學(xué)的研究前沿與熱點(diǎn)。Si C 的表面形貌，有規(guī)則的臺(tái)階紋。2原理碳化硅表面會(huì)在高溫下碳化，從而形成多層，甚至單層石墨，該法通過(guò)加熱單晶碳化硅脫除硅，在單晶（001）面上分解出石墨烯片層。當(dāng)碳化硅被加熱到1100以上，表面的硅原子就會(huì)蒸發(fā)逃逸，剩下的碳原子在表面重構(gòu)，形成石墨烯。3制備具體過(guò)程是：1.將經(jīng)氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過(guò)電子轟擊、高溫加熱，除去氧化物。2.用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后，將樣品加熱使之溫度升高至12501450后恒溫1min20min，從而形成極薄的石墨層.目前 Si C 外延法有在低壓惰性氣體氛圍和高真空下惰性氣體氛圍下加熱等多種方式。外延生長(zhǎng)系統(tǒng)4存在的缺陷經(jīng)過(guò)幾年的探索，克萊爾伯格（Claire Berger）等人已經(jīng)能可控地制備出單層或是多層石墨烯。在C-terminated表面比較容易得到高達(dá)100層的多層石墨烯。其厚度由加熱溫度決定，

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