南昌大學(xué)論文格式樣板

1、附件7：大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）書(shū)寫(xiě)式樣一、頁(yè)面設(shè)置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,頁(yè)眉1.5cm,頁(yè)腳1.75cm，行間距1.35倍。二、目錄：“目錄”兩字小三號(hào)宋體加粗，目錄容小四號(hào)宋體，頁(yè)碼數(shù)字對(duì)齊。三、頁(yè)眉和頁(yè)碼：頁(yè)眉和頁(yè)碼從中文摘要開(kāi)始，頁(yè)眉為相應(yīng)容的標(biāo)題，頁(yè)碼從中文摘要、Abstract、目錄用羅馬數(shù)字(I，II，III)編排，從正文第一章開(kāi)始按照阿拉伯?dāng)?shù)字（1，2，3）編排。四、摘要1 中文摘要：標(biāo)題小二號(hào)宋體加粗，“專(zhuān)業(yè)、學(xué)號(hào)、指導(dǎo)教師”五號(hào)宋體，“摘要”兩字四號(hào)宋體，摘要容小四號(hào)宋體，“關(guān)鍵詞”三字小四號(hào)宋體加粗，2 英文摘要：標(biāo)題小二號(hào)T

2、imes New Roman 體加粗，“Abstract” 四號(hào)Times New Roman 體；“Abstract” 容小四號(hào)Times New Roman 體，“Keyword”小四號(hào)Times New Roman 體加粗。五、正文：標(biāo)題四號(hào)宋體，正文容小四號(hào)宋體。六、圖表：圖表容五號(hào)宋體。七、參考文獻(xiàn)：“參考文獻(xiàn)”四字四號(hào)宋體，參考文獻(xiàn)容小四號(hào)宋體，其中英文用小四號(hào)Times New Roman 體。八、致：“致”兩字四號(hào)宋體，致容小四號(hào)宋體。具體書(shū)寫(xiě)式樣如下：密級(jí)：校名標(biāo)識(shí)（cm）1.886.59，居中校名外文（大寫(xiě)）Times New Roman，四號(hào)，居中NANCHANGUNIV

3、ERSITYTimes New Roman，四號(hào)，居中宋體，30磅，居中 學(xué) 士 學(xué) 位 論 文 THESIS OF BACHELOR中文：宋體；數(shù)字：Times New Roman四號(hào)，居中（20 20 年）宋體，四號(hào)，居右頁(yè)面設(shè)置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，頁(yè)眉1.5cm,頁(yè)腳1.75cm ,1.35倍行距，應(yīng)用于整篇文檔?；諛?biāo)識(shí)（cm）3.333.33，居中宋體，三號(hào)，居中題 目宋體，四號(hào)，居中注意線條長(zhǎng)度一致學(xué) 院：系專(zhuān)業(yè)班級(jí)： 學(xué)生：學(xué)號(hào)： 指導(dǎo)教師：職稱(chēng)： 起訖日期：- 151 - / 13此頁(yè)可直接下載南 昌 大 學(xué)學(xué)士學(xué)位論文原創(chuàng)性申明本人

4、重申明：所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注引用的容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)的成果。對(duì)本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式表明。本人完全意識(shí)到本申明的法律后果由本人承擔(dān)。作者簽名： 日期：學(xué)位論文使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)大學(xué)可以將本論文的全部或部分容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。，在 年解密后適用本授權(quán)書(shū)。本學(xué)位論文屬于 不。

5、（請(qǐng)?jiān)谝陨舷鄳?yīng)方框打“”）作者簽名： 日期：導(dǎo)師簽名： 日期：頁(yè)眉：中文宋體，五號(hào)，居中宋體，小二號(hào)，居中III-族氮化物與其高亮度藍(lán)光宋體，五號(hào)，對(duì)齊居中LED外延片的MOCVD生長(zhǎng)和性質(zhì)研究專(zhuān) 業(yè)： 學(xué) 號(hào)：學(xué)生： 指導(dǎo)教師： 標(biāo)題：宋體，四號(hào)，兩端對(duì)齊，1.35倍行距內(nèi)容：中文宋體，外文字符Times New Roman，小四，兩端對(duì)齊，1.35倍行距關(guān)鍵詞：“關(guān)鍵詞”三字加粗，關(guān)鍵詞用“；”分隔 摘要寬禁帶III族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長(zhǎng)高亮度發(fā)光器件、短波長(zhǎng)激光器、光探測(cè)器以與高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。自1994年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國(guó)際上突破了GaN基藍(lán)光

6、LED外延材料生長(zhǎng)技術(shù)以來(lái)，美、日等國(guó)十余家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并分別實(shí)現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處于高度狀態(tài)，材料生長(zhǎng)的關(guān)鍵思想與核心技術(shù)仍未公開(kāi)，還無(wú)法從參考文獻(xiàn)與專(zhuān)利公報(bào)中獲取最重要的材料生長(zhǎng)信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長(zhǎng)中的物理與化學(xué)問(wèn)題，為生長(zhǎng)可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓MOCVD和英國(guó)進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)上對(duì)III族氮化物的生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了研究，對(duì)材料的性能進(jìn)行了表征。通過(guò)設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)的藍(lán)光LED外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國(guó)際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)

7、新和有意義的研究結(jié)果：1首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長(zhǎng)單晶膜的思想，并在GaN外延生長(zhǎng)上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國(guó)家863計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金以與教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項(xiàng)目的資助。關(guān)鍵詞：氮化物； MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜 頁(yè)眉：外文Times New Roman，五號(hào)，居中Times New Roman，小二號(hào)，居中Study on MOCVD gr

8、owth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafersAbstract標(biāo)題：Times New Roman，四號(hào)，兩端對(duì)齊，1.35倍行距內(nèi)容：Times New Roman，小四，兩端對(duì)齊，1.35倍行距關(guān)鍵詞：“Keyword”三字加粗，關(guān)鍵詞用“；”分隔 GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, hig

9、h temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized th

10、e commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology

11、and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was impr

12、oved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and

13、 lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption宋體，小三號(hào)，居中目錄摘要Abstract第一章 GaN基半導(dǎo)體材料與器件進(jìn)展（多數(shù)文章為“緒論”）11 .1III族氮化物材料與其器件的進(jìn)展與應(yīng)用11. 2III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)41

14、. 3摻雜和雜質(zhì)特性121. 4 氮化物材料的制備131. 5 氮化物器件191. 6 GaN基材料與其它材料的比較221. 7 本論文工作的容與安排24第二章 氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝312. 1 MOCVD材料生長(zhǎng)機(jī)理31 2. 2本論文氮化物生長(zhǎng)所用的MOCVD設(shè)備32目錄內(nèi)容：中文宋體，英文和數(shù)字Times New Roman，小四頁(yè)碼編號(hào)：摘要,Abstract使用頁(yè)碼“I,II,”；正文開(kāi)始使用頁(yè)碼“1,2,3,”；小節(jié)標(biāo)題左側(cè)縮進(jìn)1字符；頁(yè)碼數(shù)字居中對(duì)齊 結(jié)論136參考文獻(xiàn)（References）138致150節(jié)標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號(hào)居

15、左章標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號(hào)居中第一章 GaN基半導(dǎo)體材料與器件進(jìn)展1 .1III族氮化物材料與其器件的進(jìn)展與應(yīng)用正文文字：中文宋體，英文Times New Roman，小四，兩端對(duì)齊，段落首行左縮進(jìn)2個(gè)漢字符，行距1.35倍（段落中有數(shù)學(xué)公式時(shí)，可根據(jù)表達(dá)需要設(shè)置該段的行距），段前0行，段后0行。在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬(wàn)種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計(jì)算機(jī)的發(fā)明。以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)60年代，它們成

16、為制作光電子器件的基礎(chǔ)。III族氮化物半導(dǎo)體材料與器件研究歷時(shí)30余年，前20年進(jìn)展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于III族氮化物特有的帶隙圍，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得它在短波長(zhǎng)光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。III族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國(guó)外眾多研究者的興趣。表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號(hào)加粗居中，表序與表名文字之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，五號(hào)，行距1.35。12III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)表1-1用不同技術(shù)得到的帶隙溫

17、度系數(shù)、Eg0、ac和T0的值樣品類(lèi)型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻(xiàn)GaN/Al2O3光致發(fā)光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al2O3光致發(fā)光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致發(fā)光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-43.471-9.310-477263圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號(hào)加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roma

18、n，五號(hào)，行距1.35。加熱電阻氣流測(cè)溫元件測(cè)溫元件圖1-1 熱風(fēng)速計(jì)原理第二章 氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝2.1 MOCVD材料生長(zhǎng)機(jī)理轉(zhuǎn)換控制頻率信 號(hào) 源頻率控 制 器地址發(fā)生 器波形存儲(chǔ) 器轉(zhuǎn)換器濾波器頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖2-1 DDS方式AWG的工作流程標(biāo)題：中文宋體，四號(hào)，居中參考文獻(xiàn)1 WellMultiple-modulator fraction-n dividerPUS Patent，50381171986-02-02參考文獻(xiàn)內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，四號(hào)，1.35倍行距，參考文獻(xiàn)應(yīng)在文中相應(yīng)地方按出現(xiàn)順序標(biāo)引。2 Brian Miller

19、A multiple modulator fractionl dividerJIEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-5833 萬(wàn)心平，厥盛集成鎖相環(huán)路原理、特性、應(yīng)用M：人民郵電，1990302-3074 MilerFrequency synthesizersPUS Patent，46098811991-08-065 Candy J CA use of double-integretion in sigma-delta modulationJIEEE Trans Commun，1985，33(COM