常用半導(dǎo)體器1ppt課件

1、第一章第一章 常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件 1.1 半導(dǎo)體根底知識半導(dǎo)體根底知識 1.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 1.3 雙極型晶體管雙極型晶體管 1.4 場效應(yīng)管場效應(yīng)管 1.5 單結(jié)晶體管和晶閘管單結(jié)晶體管和晶閘管 1.6 集成電路中的元件集成電路中的元件1.1 半導(dǎo)體根底知識半導(dǎo)體根底知識導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬普通都是導(dǎo)體。普通都是導(dǎo)體。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣半導(dǎo)體：另

2、有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。例如：不同于其它物質(zhì)的特點。例如： 當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能 力明顯變化。力明顯變化。 往純真的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使往純真的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使 它的導(dǎo)電才干明顯改動。它的導(dǎo)電才干明顯改動。1.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體的構(gòu)造特點一、本征半導(dǎo)體的構(gòu)造特點GeSi經(jīng)過一

3、定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成晶體。經(jīng)過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成晶體?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子價電子都是四個。的最外層電子價電子都是四個。本征半導(dǎo)體：完全純真的、構(gòu)造完好的半導(dǎo)體晶體。本征半導(dǎo)體：完全純真的、構(gòu)造完好的半導(dǎo)體晶體。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相鄰的原子之間構(gòu)成共價鍵，共用一對價與其相鄰的原子

4、之間構(gòu)成共價鍵，共用一對價電子。電子。硅和鍺的晶硅和鍺的晶體構(gòu)造：體構(gòu)造：硅和鍺的共價鍵構(gòu)造硅和鍺的共價鍵構(gòu)造共價鍵共共價鍵共用電子對用電子對+4+4+4+4+4+4表示表示除去價除去價電子后電子后的原子的原子共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自在電子，因此本征半導(dǎo)體中的自在電子很少，所以在電子，因此本征半導(dǎo)體中的自在電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干很弱。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干很弱。構(gòu)成共價鍵后，每個原子的最外層電子是構(gòu)成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八

5、個，構(gòu)成穩(wěn)定構(gòu)造。八個，構(gòu)成穩(wěn)定構(gòu)造。共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)那么陳列，構(gòu)成晶體。那么陳列，構(gòu)成晶體。+4+4+4+4二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理在絕對在絕對0 0度度T=0KT=0K和沒有外界激發(fā)時和沒有外界激發(fā)時, ,價電價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有可子完全被共價鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有可以運動的帶電粒子即載流子，它的導(dǎo)電才以運動的帶電粒子即載流子，它的導(dǎo)電才干為干為 0 0，相當(dāng)于絕緣體。，相當(dāng)于絕緣體。在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價電子獲在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自在得

6、足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自在電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。1.1.載流子、自在電子和空穴載流子、自在電子和空穴+4+4+4+4自在電子自在電子空穴空穴束縛電子束縛電子2.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理+4+4+4+4在其它力的作用下，在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子空穴吸引附近的電子來填補，這樣的結(jié)果來填補，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的挪動，因此正電荷的挪動，因此可以以為空穴是載流可以以為空穴是載流子。子。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即本征半導(dǎo)體

7、中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自在電子和空穴。自在電子和空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干越強，溫度是影響半導(dǎo)體性導(dǎo)體的導(dǎo)電才干越強，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個重要的外部要素，這是半導(dǎo)體的一能的一個重要的外部要素，這是半導(dǎo)體的一大特點。大特點。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 1. 自在電子挪動產(chǎn)生的電流。自在電子挪動產(chǎn)生的電流。 2. 空穴挪動產(chǎn)生的電流?？昭ㄅ矂赢a(chǎn)生的電流。1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入

8、某些微量的雜質(zhì)，就會在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其緣由是摻使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其緣由是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大添加。雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大添加。P 型半導(dǎo)體：空穴濃度大大添加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也型半導(dǎo)體：空穴濃度大大添加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為空穴半導(dǎo)體。稱為空穴半導(dǎo)體。N 型半導(dǎo)體：自在電子濃度大大添加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體：自在電子濃度大大添加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為電子半導(dǎo)體。也稱為電子半導(dǎo)體。一、一、N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷或銻，晶體點陣中的某些半導(dǎo)體原子被或銻，晶體點

9、陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個價電子，雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相鄰的半導(dǎo)體原子構(gòu)成共價鍵，其中四個與相鄰的半導(dǎo)體原子構(gòu)成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自在電子，這樣磷原子很容易被激發(fā)而成為自在電子，這樣磷原子就成了不能挪動的帶正電的離子。每個磷原就成了不能挪動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。子給出一個電子，稱為施主原子。+4+4+5+4多余多余電子電子磷原子磷原子N 型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中的載流子是什的載流子是什么？么？1 1、由施主原子提供的電子，濃度

10、與施主原子一樣。、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子一樣。2 2、本征半導(dǎo)體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。、本征半導(dǎo)體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。摻雜濃度遠大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，摻雜濃度遠大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自在電子濃度遠大于空穴濃度。自在電子稱為多數(shù)自在電子濃度遠大于空穴濃度。自在電子稱為多數(shù)載流子多子，空穴稱為少數(shù)載流子少子。載流子多子，空穴稱為少數(shù)載流子少子。二、二、P P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼或銦，晶體點陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)或銦，晶體點陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個價電

11、子，與相鄰的取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子構(gòu)成共價鍵時，半導(dǎo)體原子構(gòu)成共價鍵時，產(chǎn)生一個空穴。這個空穴產(chǎn)生一個空穴。這個空穴能夠吸引束縛電子來填補，能夠吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能挪動使得硼原子成為不能挪動的帶負電的離子。由于硼的帶負電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為原子接受電子，所以稱為受主原子。受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示表示法三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示表示法P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的挪動都能構(gòu)成電流。雜質(zhì)型半導(dǎo)

12、體多子和少子的挪動都能構(gòu)成電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似以為多子與雜質(zhì)濃度相等。近似以為多子與雜質(zhì)濃度相等。1.1.3 PN結(jié)結(jié)在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P P 型半導(dǎo)型半導(dǎo)體和體和N N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的分散，在它們的型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的分散，在它們的交界面處就構(gòu)成了交界面處就構(gòu)成了PN PN 結(jié)。結(jié)。分散運動：物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度分散運動：物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動，稱為分散運動。低的地方運動，稱為分散運動。漂移運動：在電場力作用下載流子的運動。漂移運動：在電場力

13、作用下載流子的運動。一、一、PN結(jié)的構(gòu)成結(jié)的構(gòu)成P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+分散運動分散運動內(nèi)電場內(nèi)電場E E漂移運動漂移運動分散的結(jié)果是使空間分散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。間電荷區(qū)越寬。內(nèi)電場越強，就使漂移內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。間電荷區(qū)變薄?？臻g電荷區(qū)，空間電荷區(qū)，也稱耗盡層。也稱耗盡層。漂移運動漂移運動P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+分散運動分散運動內(nèi)電場內(nèi)電場E E所以分散和漂移這一對相反的運動最終到達平衡，所以分散和漂移這一對相反的運動最終到達平衡，相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空

14、間電荷區(qū)的相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。厚度固定不變。+空間空間電荷電荷區(qū)區(qū)N型區(qū)型區(qū)P型區(qū)型區(qū)電位電位V VV01 1、空間電荷區(qū)中沒有載流子。、空間電荷區(qū)中沒有載流子。2 2、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場妨礙、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場妨礙P P中的空穴、中的空穴、N N區(qū)區(qū) 中的電子都是多子向?qū)Ψ竭\動分散中的電子都是多子向?qū)Ψ竭\動分散運動。運動。3 3、P P 區(qū)中的電子和區(qū)中的電子和 N N區(qū)中的空穴都是少子，區(qū)中的空穴都是少子，數(shù)量有限，因此由它們構(gòu)成的電流很小。數(shù)量有限，因此由它們構(gòu)成的電流很小。留意留意: : PN 結(jié)加上正向電壓、正向偏置的意思都是：結(jié)加上正向電壓、正向

15、偏置的意思都是： P 區(qū)區(qū)加正、加正、N 區(qū)加負電壓。區(qū)加負電壓。 PN 結(jié)加上反向電壓、反向偏置的意思都是：結(jié)加上反向電壓、反向偏置的意思都是： P區(qū)區(qū)加負、加負、N 區(qū)加正電壓。區(qū)加正電壓。二、二、PN結(jié)的單導(dǎo)游電性結(jié)的單導(dǎo)游電性+RE1. PN 結(jié)正向偏置結(jié)正向偏置內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變薄變薄PN+_內(nèi)電場被減弱，多內(nèi)電場被減弱，多子的分散加強可以子的分散加強可以構(gòu)成較大的分散電構(gòu)成較大的分散電流。此時流。此時PN結(jié)導(dǎo)通。結(jié)導(dǎo)通。2. PN 結(jié)反向偏置結(jié)反向偏置+內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變厚變厚NP+_內(nèi)電場被被加強，內(nèi)電場被被加強，多子的分散受抑制。多子的分散受抑制。少子漂移加強，

16、但少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只少子數(shù)量有限，只能構(gòu)成較小的反向能構(gòu)成較小的反向電流。此時電流。此時PN結(jié)截結(jié)截止。止。RE三、三、PN結(jié)的電流方程結(jié)的電流方程電流方程：電流方程：)1(TUuseIiIS為反向飽和電流。為反向飽和電流。T=300K時，時，UT=26mV 四、四、PNPN結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性UI反向擊穿反向擊穿電壓電壓UBR電流方程：電流方程：)1(TUuseIiu0部分稱為正向特性部分稱為正向特性uIC，UCE0.3V稱為稱為飽和區(qū)。飽和區(qū)。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO

17、,UBE 死區(qū)電壓，死區(qū)電壓，稱為截止稱為截止區(qū)。區(qū)。1.3.4 晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)前面的電路中，晶體管的發(fā)射極是輸入輸出的前面的電路中，晶體管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。集接法。共射直流電流放大倍數(shù)：共射直流電流放大倍數(shù)：BCII_任務(wù)于動態(tài)的晶體管，真正的信號是疊加在任務(wù)于動態(tài)的晶體管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。基極電流的變化量為直流上的交流信號?；鶚O電流的變化量為 IBIB，相應(yīng)的集電極電流變化為相應(yīng)的集電極電流變化為 ICIC，那么交流電流，那么交流電流放大倍數(shù)為：放大倍數(shù)為：BII

18、C1. 電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)和和 _例：例：UCE=6V時：時：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006. 05 . 13 . 2BCII在以后的計算中，普通作近似處置：在以后的計算中，普通作近似處置： =2.集集-基極反向截止電流基極反向截止電流ICBO AICBOICBO是是集電結(jié)集電結(jié)反偏由反偏由少子的少子的漂移構(gòu)漂移構(gòu)成的反成的反向電流，向電流，受溫度受溫度的變化的變化影響。影響。BECNNPICBOICEO= IBE+ICBO IBE IBEICBO進入進入N區(qū)，構(gòu)區(qū)，構(gòu)成成

19、IBE。根據(jù)放大關(guān)系，根據(jù)放大關(guān)系，由于由于IBEIBE的存的存在，必有電流在，必有電流IBEIBE。集電結(jié)反集電結(jié)反偏有偏有ICBO3. 集集-射極反向截止電流射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影受溫度影響很大，當(dāng)溫響很大，當(dāng)溫度上升時，度上升時，ICEO添加很快，添加很快，所以所以IC也相應(yīng)也相應(yīng)添加。晶體管添加。晶體管的溫度特性較的溫度特性較差。差。4.集電極最大電流集電極最大電流ICM集電極電流集電極電流ICIC上升會導(dǎo)致晶體管的上升會導(dǎo)致晶體管的值的下值的下降，當(dāng)降，當(dāng)值下降到正常值的三分之二時的集值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為電極電流即為ICMICM。5.集集-射極

20、反向擊穿電壓射極反向擊穿電壓當(dāng)集當(dāng)集-射極之間的電壓射極之間的電壓UCEUCE超越一定的數(shù)值超越一定的數(shù)值時，晶體管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值是時，晶體管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值是2525C C、基極開路時的擊穿電壓、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEOU(BR)CEO。6. 集電極最大允許功耗集電極最大允許功耗PCM 集電極電流集電極電流IC 流過晶體管，流過晶體管， 所發(fā)出的焦耳所發(fā)出的焦耳 熱為：熱為：PC =ICUCE 必定導(dǎo)致結(jié)溫必定導(dǎo)致結(jié)溫 上升，所以上升，所以PC 有限制。有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO平安任務(wù)區(qū)平安任務(wù)區(qū)溫度對溫度對U

21、BE的影的影響響iBuBE25 C50CTUBEIBICBBECBRUEI 1.3.5 溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響溫度對溫度對值及值及ICEO的影響的影響T 、 ICEOICiCuCEQQ總的效果是：總的效果是：溫度上升溫度上升時，輸出時，輸出特性曲線特性曲線上移，呵上移，呵斥斥IC上移。上移。五、光電晶體管五、光電晶體管ce光電晶體管根據(jù)光照的強度來控制集電極電流的大小，功能可等效為一只光電二極管與一只晶體管相連。1.4 場效應(yīng)管場效應(yīng)管場效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子場效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度

22、穩(wěn)定性好。結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管JFET絕緣柵型場效應(yīng)管絕緣柵型場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管有兩種場效應(yīng)管有兩種:N基底基底 ：N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體PP兩邊是兩邊是P區(qū)區(qū)G(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極一、構(gòu)造一、構(gòu)造1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管:導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道NPPG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極N溝道結(jié)型場效應(yīng)管溝道結(jié)型場效應(yīng)管DGSDGSPNNG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極P溝道結(jié)型場效應(yīng)管溝道結(jié)型場效應(yīng)管DGSDGS二、任務(wù)原理以二、任務(wù)原理以P溝道為例溝道為例UDS=0V時時PGSDUDSUGSNNNNIDPN結(jié)反偏，結(jié)反偏，UGS越大那么耗越大那么耗盡區(qū)越寬，導(dǎo)電盡區(qū)越

23、寬，導(dǎo)電溝道越窄。溝道越窄。PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V時時NNUGS越大耗盡區(qū)越寬，越大耗盡區(qū)越寬，溝道越窄，電阻越大。溝道越窄，電阻越大。但當(dāng)?shù)?dāng)UGS較小時，耗較小時，耗盡區(qū)寬度有限，存在盡區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)電溝道。導(dǎo)電溝道。DS間相當(dāng)間相當(dāng)于線性電阻。于線性電阻。PGSDUDSUGSNNUDS=0時時UGS到達一定值時到達一定值時夾斷電壓夾斷電壓UGS(off),耗盡區(qū)耗盡區(qū)碰到一同，碰到一同，DS間被間被夾斷，這時，即使夾斷，這時，即使UDS 0V，漏極電，漏極電流流ID=0A。IDPGSDUDSUGSUGS0、UGD UGS(off)時耗盡區(qū)的時耗盡區(qū)的外形外形NN越接

24、近漏端，越接近漏端，PN結(jié)反壓越大結(jié)反壓越大IDPGSDUDSUGSUGS UGS(off)且且UDS較大較大時時UGD UGS(off)時耗盡區(qū)時耗盡區(qū)的外形的外形NN溝道中仍是電阻溝道中仍是電阻特性，但是是非特性，但是是非線性電阻。線性電阻。IDGSDUDSUGSUGS UGS(off) UGD= UGS(off)時時NN漏端的溝道被夾斷，漏端的溝道被夾斷，稱為預(yù)夾斷。稱為預(yù)夾斷。UDS增大那么被夾增大那么被夾斷區(qū)向下延伸。斷區(qū)向下延伸。IDGSDUDSUGSUGS0時時UGS足夠大時足夠大時UGSUGS(th)感應(yīng)出足夠多電感應(yīng)出足夠多電子，這里出現(xiàn)以子，這里出現(xiàn)以電子導(dǎo)電為主的電子導(dǎo)電為主的N型導(dǎo)電溝道。型導(dǎo)電溝道。感應(yīng)出電子感應(yīng)出電子UGS(th)稱為開啟電壓稱為開啟電壓UGS較小時，導(dǎo)較小時，導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電電溝道相當(dāng)于電阻將阻將D-S銜接起銜接起來，來，UGS越大此越大此電阻越小。電阻越小。PNNGSDUDSUGSPNNGSDUDSUGS當(dāng)當(dāng)UDS不太不太大時，導(dǎo)電大時，導(dǎo)電溝道在兩個溝道在兩個N區(qū)間是均區(qū)間是均勻的。勻的。當(dāng)當(dāng)UD