半導(dǎo)體常用詞匯匯總

1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，摻入Si中需要接受電子 3. ACCESS：一個(gè)EDA（Engineering Data Analysis）系統(tǒng) 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非線性，可以對(duì)信號(hào)放大） 6. Align mark(key)：對(duì)位標(biāo)記 7. Alloy：合金 8. Aluminum：鋁 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH

2、4OH 12. Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模擬的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻） 18. Antimony(Sb)銻 19. Argon(Ar)氬 20. Arsenic(As)砷

3、21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去膠機(jī) 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比） 25. Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM測試前） 27. Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程 28. Benchmark：基準(zhǔn) 29. Bipolar：雙極 30. Boat：擴(kuò)散用（石英）舟 31. CD： （Critical Dimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬

4、，例如POLY CD 為多晶條寬。 32. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。 37. Circuit design ：電路設(shè)計(jì)。

5、一種將各種元器件連接起來實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。 38. Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。 39. Compensation doping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。 40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。 41. Computer-aided design（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。 42. Conductivity type：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中

6、多數(shù)載流子是空穴。 43. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。 44. Control chart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。 45. Correlation：相關(guān)性。 46. Cp：工藝能力，詳見process capability。 47. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。 48. Cycle time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。通常用來衡量流通速度的快慢。 49. Damage：損傷。對(duì)于單晶體來說，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。 50. De

7、fect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。 51. Depletion implant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。） 52. Depletion layer：耗盡層?？蓜?dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。 53. Depletion width：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度。 54. Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。 55. Depth of focus（DOF）：焦深。 56. design of exp

8、eriments (DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。 57. develop：顯影（通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程） 58. developer：）顯影設(shè)備； ）顯影液 59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃?xì)怏w，常用來作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源 60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。 61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于

9、硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中。 62. die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。 63. dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料； ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。 64. diffused layer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。 65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。 66.

10、drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。 67. dry etch：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。 68. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。 69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。 70. epitaxial layer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導(dǎo) 體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。 71. equipment

11、 downtime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時(shí)間。 72. etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。 73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。 74. fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。 75. feature size：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。 76. field-effect transistor（FET）：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。 77. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。 78. flat：平邊 79. flatband capac

12、itanse：平帶電容 80. flatband voltage：平帶電壓 81. flow coefficicent：流動(dòng)系數(shù) 82. flow velocity：流速計(jì) 83. flow volume：流量計(jì) 84. flux：單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù) 85. forbidden energy gap：禁帶 86. four-point probe：四點(diǎn)探針臺(tái) 87. functional area：功能區(qū) 88. gate oxide：柵氧 89. glass transition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度 90. gowning：凈化服 91. gray area：

13、灰區(qū) 92. grazing incidence interferometer：切線入射干涉儀 93. hard bake：后烘 94. heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法 95. high-current implanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn) 96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒 97. host：主機(jī) 98. hot carriers：熱載流子 99. hydrophilic：親水性 100. hydrophobic：

14、疏水性 101. impurity：雜質(zhì) 102. inductive coupled plasma(ICP)：感應(yīng)等離子體 103. inert gas：惰性氣體 104. initial oxide：一氧 105. insulator：絕緣 106. isolated line：隔離線 107. implant : 注入 108. impurity n : 摻雜 109. junction : 結(jié) 110. junction spiking n :鋁穿刺 111. kerf :劃片槽 112. landing pad n :PAD 113. lithography n 制版 114. ma

15、intainability, equipment : 設(shè)備產(chǎn)能 115. maintenance n :保養(yǎng) 116. majority carrier n :多數(shù)載流子 117. masks, device series of n : 一成套光刻版 118. material n :原料 119. matrix n 1 :矩陣 120. mean n : 平均值 121. measured leak rate n :測得漏率 122. median n :中間值 123. memory n : 記憶體 124. metal n :金屬 125. nanometer (nm) n ：納米 12

16、6. nanosecond (ns) n ：納秒 127. nitride etch n ：氮化物刻蝕 128. nitrogen (N2 ) n： 氮?dú)?，一種雙原子氣體 129. n-type adj ：n型 130. ohms per square n：歐姆每平方: 方塊電阻 131. orientation n： 晶向，一組晶列所指的方向 132. overlap n ： 交迭區(qū) 133. oxidation n ：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng) 134. phosphorus (P) n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素 135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版

17、 136. photomask, negative n：反刻 137. images：去掉圖形區(qū)域的版 138. photomask, positive n：正刻 139. pilot n ：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子 140. plasma n ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體 141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝 142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝

18、143. pn junction n：pn結(jié) 144. pocked bead n：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠 145. polarization n：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語 146. polycide n：多晶硅 /金屬硅化物， 解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu) 147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導(dǎo)電。 148. polymorphism n：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象 149. prober n :探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓

19、片和檢測設(shè)備。 150. process control n :過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。 151. proximity X-ray n :近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。 152. pure water n : 純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。 153. quantum device n :量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。 154. quartz carrier n :石英舟。 155. random access memory (RAM) n :隨機(jī)存儲(chǔ)器。 156. random logi

20、c device n :隨機(jī)邏輯器件。 157. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。 158. reactive ion etch (RIE) n : 反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。 159. reactor n :反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。 160. recipe n :菜單。生產(chǎn)過程中對(duì)圓片所做的每一步處理規(guī)范。 161. resist n :光刻膠。 162. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。 163. scheduled downtime n : (設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間

21、。 164. Schottky barrier diodes n :肖特基二極管。 165. scribe line n :劃片槽。 166. sacrificial etchback n :犧牲腐蝕。 167. semiconductor n :半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。 168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。 169. side load: 邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。 170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是藍(lán)寶石襯

22、底硅的原片 171. small scale integration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。 172. source code:原代碼，機(jī)器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計(jì)語言里或編碼器的代碼。 173. spectral line: 光譜線，光譜鑷制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。 174. spin webbing: 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。 175. sputter etch: 濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。 176. stacking fault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。 17

23、7. steam bath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其他溫度熱源的暴光。 178. step response time:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛 到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。 179. stepper: 步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來曝光） 180. stress test: 應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。 181. surface profile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。 182. symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識(shí)。 183. tack weld:間斷焊，通常在角

24、落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）。 184. Taylor tray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。 185. temperature cycling:溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。 186. testability:易測性，對(duì)于一個(gè)已給電路來說，哪些測試是適用它的。 187. thermal deposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。 188. thin film:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。 189. titanium(Ti): 鈦。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有

25、毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。 191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。 192. tungsten(W): 鎢。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。 194. tinning: 金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(

26、Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。 196. watt(W): 瓦。能量單位。 197. wafer flat: 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。 198. wafer process chamber(WPC): 對(duì)晶片進(jìn)行工藝的腔體。 199. well: 阱。 200. wet chemical etch: 濕法化學(xué)腐蝕。 201. trench: 深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個(gè)區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲(chǔ)電容器。 202. via: 通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電

27、連接。 203. window: 在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。 204. torr : 托。壓力的單位。 205. vapor pressure: 當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。 206. vacuum: 真空。 207. transition metals: 過渡金屬 ETCH 何謂蝕刻(Etch)? 答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。 蝕刻種類: 答：(1) 干蝕刻(2) 濕蝕刻 蝕刻對(duì)象依薄膜種類可分為: 答：poly,oxide, metal 半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)

28、為何? 答：鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu) 何謂 dielectric 蝕刻(介電質(zhì)蝕刻)? 答：Oxide etch and nitride etch 半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何? 答：氧化硅/氮化硅 何謂濕式蝕刻 答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除 何謂電漿 Plasma? 答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負(fù)離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓. 何謂干式蝕刻? 答：利用plasma將不要的薄膜去除 何謂Under-etching(蝕刻不足)? 答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的

29、薄膜仍有殘留 何謂Over-etching(過蝕刻 ) 答：蝕刻過多造成底層被破壞 何謂Etch rate(蝕刻速率) 答：單位時(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度 何謂Seasoning(陳化處理) 答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真（dummy） 晶圓進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。 Asher的主要用途: 答：光阻去除 Wet bench dryer 功用為何? 答：將晶圓表面的水份去除 列舉目前Wet bench dry方法: 答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 何謂 Spin Dryer 答：利用離心力將

30、晶圓表面的水份去除 何謂 Maragoni Dryer 答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除 何謂 IPA Vapor Dryer 答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除 測Particle時(shí),使用何種測量儀器? 答：Tencor Surfscan 測蝕刻速率時(shí),使用何者量測儀器? 答：膜厚計(jì),測量膜厚差值 何謂 AEI 答：After Etching Inspection 蝕刻后的檢查 AEI目檢Wafer須檢查哪些項(xiàng)目: 答：(1) 正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及Particle (3)刻號(hào)是否正確 金屬蝕刻機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺(tái)時(shí)應(yīng)如何處理? 答：清機(jī)防止金屬

31、污染問題 金屬蝕刻機(jī)臺(tái)asher的功用為何? 答：去光阻及防止腐蝕 金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗? 答：因?yàn)榻饘倬€會(huì)溶于硫酸中 "Hot Plate"機(jī)臺(tái)是什幺用途? 答：烘烤 Hot Plate 烘烤溫度為何? 答：90120 度C 何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體? 答：Cl2, HBr, HCl 用于Al 金屬蝕刻的主要?dú)怏w為 答：Cl2, BCl3 用于W金屬蝕刻的主要?dú)怏w為 答：SF6 何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體? 答：C4F8, C5F8, C4F6 硫酸槽的化學(xué)成份為: 答：H2SO4/H2O2 AM

32、P槽的化學(xué)成份為: 答：NH4OH/H2O2/H2O UV curing 是什幺用途? 答：利用UV光對(duì)光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度 "UV curing"用于何種層次? 答：金屬層 何謂EMO? 答：機(jī)臺(tái)緊急開關(guān) EMO作用為何? 答：當(dāng)機(jī)臺(tái)有危險(xiǎn)發(fā)生之顧慮或已不可控制,可緊急按下 濕式蝕刻門上貼有那些警示標(biāo)示? 答：(1) 警告.內(nèi)部有嚴(yán)重危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開此門 (2) 機(jī)械手臂危險(xiǎn). 嚴(yán)禁打開此門 (3) 化學(xué)藥劑危險(xiǎn). 嚴(yán)禁打開此門 遇化學(xué)溶液泄漏時(shí)應(yīng)如何處置? 答：嚴(yán)禁以手去測試漏出之液體. 應(yīng)以酸堿試紙測試. 并尋找泄漏管路. 遇 IPA 槽著火時(shí)應(yīng)如何處置? 答

33、：立即關(guān)閉IPA 輸送管路并以機(jī)臺(tái)之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組 BOE槽之主成份為何? 答：HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨). BOE為那三個(gè)英文字縮寫 ? 答：Buffered Oxide Etcher 。 有毒氣體之閥柜(VMB)功用為何? 答：當(dāng)有毒氣體外泄時(shí)可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出 電漿的頻率一般13.56 MHz,為何不用其它頻率? 答：為避免影響通訊品質(zhì),目前只開放特定頻率,作為產(chǎn)生電漿之用,如380420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等 何謂ESC(electrical static chuck) 答：利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板

34、 (Substrate) 上 Asher主要?dú)怏w為 答：O2 Asher機(jī)臺(tái)進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何? 答：溫度 簡述TURBO PUMP 原理 答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR 熱交換器(HEAT EXCHANGER)之功用為何？ 答：將熱能經(jīng)由介媒傳輸,以達(dá)到溫度控制之目地 簡述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理？ 答：藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性,能將芯片上之溫度均勻化 ORIENTER 之用途為何？ 答：搜尋notch邊,使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定,可追蹤問題 簡述EPD之功用 答：偵測蝕刻終點(diǎn);End point detector利用波長偵測蝕刻終點(diǎn) 何

35、謂MFC？ 答：mass flow controler氣體流量控制器;用于控制 反應(yīng)氣體的流量 GDP 為何? 答：氣體分配盤(gas distribution plate) GDP 有何作用？ 答：均勻地將氣體分布于芯片上方 何謂 isotropic etch? 答：等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等 何謂 anisotropic etch? 答：非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少 何謂 etch 選擇比? 答：不同材質(zhì)之蝕刻率比值 何謂AEI CD? 答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension) 何謂CD bias? 答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD 簡述何謂

36、田口式實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法? 答：利用混合變因安排輔以統(tǒng)計(jì)歸納分析 何謂反射功率? 答：蝕刻過程中,所施予之功率并不會(huì)完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受,會(huì)有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率 Load Lock 之功能為何? 答：Wafers經(jīng)由loadlock后再進(jìn)出反應(yīng)腔,確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響. 廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Bulk Gas ? 答：Bulk Gas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar 等. 廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Inert Gas? 答：Inert Gas 為一些特殊無強(qiáng)烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等. 廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何

37、謂Toxic Gas ? 答：Toxic Gas 為具有強(qiáng)烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. 機(jī)臺(tái)維修時(shí),異常告示排及機(jī)臺(tái)控制權(quán)應(yīng)如何處理? 答：將告示牌切至異常且將機(jī)臺(tái)控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動(dòng)作 冷卻器的冷卻液為何功用 ? 答：傳導(dǎo)熱 Etch之廢氣有經(jīng)何種方式處理 ? 答：利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽 何謂RPM? 答：即Remote Power Module,系統(tǒng)總電源箱. 火災(zāi)異常處理程序 答：(1) 立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下EMO停止機(jī)臺(tái). (4) 關(guān)閉 VMB Valve 并通知廠務(wù). (5) 撤離. 一氧化碳(CO)偵測器警報(bào)異常處理程序 答：(1) 警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關(guān)閉 VMB 閥,并通知廠務(wù). (4) 進(jìn)行測漏. 高壓電擊異常處理程序 答：(1) 確認(rèn)安全無慮下,按 EMO鍵(2) 確認(rèn)受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員 T/C (傳送Transfer Chamber) 之功能為何 ? 答：提供一個(gè)真空環(huán)境, 以利機(jī)器手臂在反應(yīng)腔與晶舟間傳送 Wafer,節(jié)省時(shí)間. 機(jī)臺(tái)PM時(shí)需佩帶面具否 答：是,防