濕法清洗及腐蝕工藝

1、濕法清洗及濕法腐蝕目 錄一：簡(jiǎn)介二：基本概念三：濕法清洗四：濕法腐蝕五：濕法去膠六：在線(xiàn)濕法設(shè)備及濕法腐蝕異常簡(jiǎn)介七常見(jiàn)工藝要求和異常一：簡(jiǎn) 介 眾所周知，濕法腐蝕和濕法清洗在很早以前就已在半導(dǎo)體生產(chǎn)上被廣泛接受和使用，許多濕法工藝顯示了其優(yōu)越的性能。伴隨IC集成度的提高,硅片表面的潔凈度對(duì)于獲得IC器件高性能和高成品率至關(guān)重要, 硅片清洗也顯得尤為重要.濕法腐蝕是一種半導(dǎo)體生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的工藝,由于其高產(chǎn)出,低成本,高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應(yīng)用.二 基本概念腐蝕是微電子生產(chǎn)中使用實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的一種工藝，其目標(biāo)是精確的去除不被MASK覆蓋的材料，如圖1：圖 1腐蝕工藝的基本概念

2、：ETCH RATE (E/R) -腐蝕速率：是指所定義的膜被去除的速率或去除率，通常用Um/MIN，A/MIN為單位來(lái)表示。E/R UNIFORMITY- 腐蝕速率均勻性,通常用三種不同方式來(lái)表示: UNIFORMITY ACROSS THE WAFER WAFER TO WAFER LOT TO LOT腐蝕速率均勻性計(jì)算UNIFORMITY=（ERHIGH - ERLOW）/（ERHIGH + ERLOW）*100%SELECTIVITY-選擇比是指兩種膜的腐蝕速率之比,其計(jì)算公式如下:SEL A/B= （E/R A）/（E/R B）選擇比反映腐蝕過(guò)程中對(duì)另一種材料（光刻膠或襯底）的影響，

3、在腐蝕工藝中必須特別注意SEL，這是實(shí)現(xiàn)腐蝕工藝的首要條件。PRPR SIO2SIO2SINSIN Good selectivity Poor selectivity (Undercut)ISOTROPY-各向同性：腐蝕時(shí)在各個(gè)方向上具有相同的腐蝕速率；如濕法腐蝕就是各向同性腐蝕。具體如下圖：PRPRSUB ISOTROPYANISOTROPY-各向異性：腐蝕速率在縱向和橫向上具有不同的腐蝕，一般縱向速率遠(yuǎn)大于橫向速率；如干法腐蝕大多數(shù)是各向異性腐蝕。具體如下圖：PR SUBSIO2 ANISOTROPYCD（CD LOSS）-條寬（條寬損失）：腐蝕對(duì)圖形條寬的影響。CD LOSS= PHOT

4、O CD -FINAL CDLOADING EFFECT- 負(fù)載效應(yīng)：E/R依賴(lài)于暴露的被腐蝕面積總量的一種現(xiàn)象，叫負(fù)載效應(yīng)，一般在干法腐蝕工藝中較常用到。這包括兩個(gè)方面A）E/R取決于在腔體中的硅片數(shù)，在這種情況下，由于腐蝕性粒子的消耗，其總體E/R會(huì)變慢。B）另一種是取決于單一硅片表面被腐蝕的面積。但須注意被腐蝕的面積會(huì)隨工藝的進(jìn)程而有所變化。OVER ETCH- 過(guò)腐蝕：是指在正常腐蝕量的基礎(chǔ)上增加的腐蝕量，一般用來(lái)保證腐蝕結(jié)果，但過(guò)量的過(guò)腐蝕也將造成異常（如CD偏小，OXIDE LOSS 大等）。CONTACT ANGLE-接觸角:是衡量表面張力的一種參數(shù)，表面張力越大，接觸角越大。P

5、ROFILE -剖面形貌：是指在腐蝕后的剖面圖形的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，它主要影響臺(tái)階覆蓋等，為獲得滿(mǎn)意得剖面形貌，須進(jìn)行不同性質(zhì)得處理（如進(jìn)行等離子體處理或進(jìn)行各向同性和各向異性腐蝕的組合）。常見(jiàn)得剖面形貌如下圖：三、濕法清洗伴隨IC集成度的提高,硅片表面的潔凈度對(duì)于獲得IC器件高性能和高成品率至關(guān)重要。那么對(duì)清洗目的與要求就更嚴(yán)格。清洗是為減少沾污,因沾污會(huì)影響器件性能,導(dǎo)致可靠性問(wèn)題,降低成品率，這就要求在每層的下一步工藝前或下一層前須進(jìn)行徹底的清洗。由于有許多可能情形的沾污從而使清洗顯得很復(fù)雜，下面就講一下沾污的種類(lèi)以及各種去除方法。沾污源及其檢測(cè) 兩類(lèi)主要的沾污源為顆粒和膜，隨器件尺寸的縮小，由

6、顆粒所導(dǎo)致的缺陷數(shù)就增加，因此對(duì)清洗的要求就越來(lái)越高。有時(shí)膜沾污會(huì)變成顆粒沾污。 1: 顆粒顆粒源主要包括: 硅晶塵埃,石英塵埃,灰塵,從凈化間外帶來(lái)的顆粒,工藝設(shè)備,凈化服中的纖維絲,以及硅片表面掉下來(lái)的膠塊,DI WATER中的細(xì)菌等，隨特征尺寸的縮小，顆粒的大小會(huì)使缺陷上升，從而影響電路的成品率。2: 薄膜型硅片表面的另一種沾污源是膜沾污源，主要有油膜,藥液殘留,顯影液,金屬膜，有時(shí)膜可能會(huì)變成顆粒。無(wú)論是化學(xué)清洗或濕法去膠工藝常被用來(lái)去除膜沾污同樣也能去除顆粒，針對(duì)不同的沾污情況,采用分離的清洗程序各自去除,不僅是化學(xué)試劑的清洗還是顆粒清洗工藝,均是為獲得一個(gè)潔凈的硅片表面。但提醒一下

7、,如能去除沾污源是最有效的，雖然在當(dāng)前工藝步能去除沾污，但必須保證在后續(xù)工藝中不被重新沾污. 清洗的種類(lèi)及其機(jī)理1：擦片（包括超聲擦片及高壓噴淋和機(jī)械擦片相結(jié)合） 超聲擦片是讓硅片浸沒(méi)在帶有超聲或兆聲的藥液中，在超聲的作用下藥液中產(chǎn)生微小的泡，泡破裂產(chǎn)生沖擊波，沖擊硅片表面，使硅片表面的顆粒離去或松動(dòng)，為防止脫離下來(lái)的顆粒再次沾污及重新沉積在硅片表面，脫落下來(lái)的顆粒必須被帶走，常采用溢流和過(guò)濾的方法。高壓噴淋和機(jī)械毛刷擦片常用于拋光工藝后，及金屬化，CVD外延等工藝前，毛刷擦片是利用一轉(zhuǎn)旋的毛刷通過(guò)刷洗硅片表面(實(shí)際不于硅片直接接確),通過(guò)類(lèi)似于溶劑的一種分離動(dòng)作達(dá)到清洗的目的. 2：濺射前自

8、然氧化層的清洗(稀HF清洗) 當(dāng)硅材料暴露在空氣中時(shí)會(huì)產(chǎn)生SIO2膜,被稱(chēng)為自然氧化層,這些物質(zhì)會(huì)對(duì)后續(xù)工藝產(chǎn)生嚴(yán)重的影響,如接確電阻,濺射時(shí)影響接口結(jié)合力,因此在濺射前須對(duì)自然氧化層進(jìn)行清洗(一般用稀HF進(jìn)行漂洗)。一般其濃度為HF：H2O=1：101：100。3:化學(xué)清洗(主要是RCA 清洗及SH清洗和HF LAST 清洗)A: RCA清洗(兩步工藝 SC-1， SC-2)主要是對(duì)SI和SIO2在高溫作業(yè)前的清洗，如氧化，擴(kuò)散，外延或合金工序前。SC-1 組分： DI WATER + H2O2（30%）+ NH4OH（29%）主要去除硅片表面的顆粒，有機(jī)物以及金屬雜質(zhì)SC-2 組分： DI

9、 WATER + H2O2（30%）+ HCL（37%）主要去除硅片表面的原子和離子雜質(zhì)沾污，SC-2不腐蝕SI和SIO2，但重新沉積在硅片表面的顆粒無(wú)法用SC-2去除。典型的組分及工藝條件如下表：Ratio(by Vol.)ConstituentsTempTimePurpose of CleanSC-15:1:15:1:0.25DI water:30%H2O2:29%NH4OH755Min去除硅片表面的顆粒，有機(jī)物以及金屬雜質(zhì)SC-26:1:1DI water:30%H2O2:37%HCL805-10Min去除堿離子，硅片表面的金屬原子和難溶金屬氧化物等清洗步驟： 1：預(yù)清洗: 如有膠,則先

10、去膠,然后用DI WATER進(jìn)行沖洗; 2:去除有機(jī)殘留及某些金屬: 使用SC-1大約75-80C 10-15MIN; 3:去除第2步形成的氧化膜: 在稀HF中漂20-30SEC,直接進(jìn)入4; 4:去除殘留的金屬原子及離子: 使用 SC-2 75-80C,10-15MIN 5:甩干片子,通熱N2保存. 在清洗中，化學(xué)試劑的純度是非常重要的，同時(shí)由于H2O2很容易分解，所以如在腐蝕槽中進(jìn)行清洗時(shí)須經(jīng)常加入新的H2O2。SC-1藥液以很低的速率腐蝕SI，這會(huì)使硅片表面微毛從而更易去除顆粒。當(dāng)前，對(duì)SC-1藥液的組分進(jìn)行了優(yōu)化，降低NH4OH的濃度，會(huì)使去除顆粒的效果提高。B: Piranha Cl

11、ean 是指H2SO4及H2O2的混和液(98%H2SO4:30%H2O2 =10:14:1) ，已被半導(dǎo)體工業(yè)長(zhǎng)時(shí)間廣泛使用，在H2SO4中加入H2O2有去除再次沉積在硅片上的顆粒，實(shí)現(xiàn)更有效的清洗，它主要用于去膠,去除有機(jī)殘留,以及METAL 前的各層清洗,一般清洗時(shí)間為3-5MIN.當(dāng)使用腐蝕槽進(jìn)行清洗時(shí)有幾個(gè)重要的因素需要考慮：a)：在H2SO4中加入H2O2是一個(gè)很強(qiáng)的放熱反應(yīng)，加入H2O2會(huì)使槽溫升至90左右。b):槽子的清洗效率可以在硅片進(jìn)入腐蝕槽時(shí)用肉眼觀察到，由于H2SO4和有機(jī)物反應(yīng)時(shí)在H2O2的強(qiáng)氧化作用下生成H2O和CO2，會(huì)在硅片表面出現(xiàn)霧，如效率好時(shí)在硅片進(jìn)入槽子幾

12、秒內(nèi)出現(xiàn)霧。c):H2O2在高溫下易分解生成H2O和O2，此分解影響H2SO4的濃度和降低槽子的去膠效率，因此定期的加入（補(bǔ)充）H2O2是十分必要的。C: RESIDUE CLEAN 主要用于去除在腐蝕時(shí)產(chǎn)生的付產(chǎn)品的清洗,如AL腐蝕后用ACT-CMI，EKC265等進(jìn)行清洗,在鈍化后進(jìn)行清洗等. 清洗前后的SEM圖片對(duì)比如下： F: SPECIALITY CLEAN具有特殊功效的清洗：如 FRECKLE 藥液用于去除殘留的SI-渣等.常用于清洗的藥液: H2O2, Dilute HF , NH4OH , NH4F， H2SO4 , HCL ,Speciality EtchantEKC265，

13、DMF ，ACT-CMI四、濕法腐蝕 濕法腐蝕工藝由于其低成本,高產(chǎn)出,高可靠性以及其優(yōu)良的選擇比是其優(yōu)點(diǎn)而仍被廣泛接受和使用。基本上是各向同性,因此他們腐蝕后的尺寸要比定義的尺寸小,須在版上加一定量的BIAS.因此主要適用于大尺寸條寬的器件生產(chǎn).同時(shí)現(xiàn)有的濕法腐蝕設(shè)備正朝著以下方向發(fā)展：1）自動(dòng)化，2）在微處理器控制下提高在腐蝕狀態(tài)下的重復(fù)性，以幫助工藝工程師提供更良好的控制，阻止人為因素的影響。3）點(diǎn)控制過(guò)濾控制，以減小腐蝕過(guò)程中缺陷的產(chǎn)生，4）自動(dòng)噴淋設(shè)備的開(kāi)發(fā)。所有這些，都使?jié)穹ǜg有一個(gè)更美好的前景。與此同時(shí)，濕法腐蝕尤其不利的一面。其主要缺點(diǎn)有: A: 腐蝕液及DI WATER的成

14、本比干法腐蝕用氣體成本高; B: 在處理化學(xué)藥液時(shí)給人帶來(lái)安全問(wèn)題; C: 光刻膠的黏附性問(wèn)題 D: 有氣體產(chǎn)生以及不徹底的腐蝕及均勻性差等問(wèn)題 E: 排風(fēng)問(wèn)題 濕法腐蝕機(jī)理濕法腐蝕的產(chǎn)生一般可分為3步: 1: 反應(yīng)物(指化學(xué)藥劑)擴(kuò)散到反應(yīng)表面 2: 實(shí)際反應(yīng)(化學(xué)反應(yīng)) 3:反應(yīng)生成物通過(guò)擴(kuò)散脫離反應(yīng)表面在實(shí)際應(yīng)用中，濕法腐蝕通常用來(lái)在SI襯底或簿膜上生成一定的圖形，光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區(qū)域防止被腐蝕液腐蝕掉，而光刻版在腐蝕后常被去掉，因此在線(xiàn)擇濕法腐蝕工藝時(shí)，必須線(xiàn)擇腐蝕液，合適的形成版的材料（光刻膠）必須具有良好的抗腐蝕能力，良好的完整覆蓋特性，光刻膠常被用來(lái)作為版層材

15、料，但有時(shí)邊緣的黏附性差，常采用HMDS以增強(qiáng)其黏附性。濕法腐蝕反應(yīng)時(shí)可能存在多種反應(yīng)機(jī)理,許多反應(yīng)是一種或多種反應(yīng)共同作用的結(jié)果。最簡(jiǎn)單的一種是在溶液中溶解。影響濕法腐蝕的因素濕法腐蝕質(zhì)量的好壞，取決于多種因素，主要的影響因素有：1: 掩膜材料(主要指光刻膠)： 顯影不清和曝光強(qiáng)度不夠，會(huì)使顯影時(shí)留有殘膠，通常會(huì)使腐蝕不凈。2:須腐蝕膜的類(lèi)型(指如SIO2,POLY , SILICON等)3:腐蝕速率：腐蝕速率的變化會(huì)使腐蝕效果發(fā)生改變，經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致腐蝕不凈或嚴(yán)重過(guò)腐蝕，從而造成異常，影響腐蝕速率的因素可見(jiàn)下面的影響因素。4:浸潤(rùn)與否：由于在濕法腐蝕時(shí)由于腐蝕液與膜間存在表面張力，從而使腐蝕液

16、難于到達(dá)或進(jìn)入被腐蝕表面和孔，難于實(shí)現(xiàn)腐蝕的目的。大多數(shù)情況下，為減小表面張力的影響，會(huì)在腐蝕槽中加入一定量的浸潤(rùn)。影響E/R的因素: 1: 腐蝕槽的溫度 2: 膜的類(lèi)型(如SIO2,POLY , SILICON等) 3: 晶向 <111> <100> 4: 膜的形成(是熱生長(zhǎng)形成或摻雜形成) 5: 膜的密度(THERMAL OR LTO) 6: 腐蝕時(shí)的作業(yè)方式(噴淋,浸沒(méi)或是旋轉(zhuǎn)) 7: 藥液成分的變化 8: 腐蝕時(shí)有無(wú)攪動(dòng)或?qū)α鞯人猩鲜鲆蛩鼐遣檎耶惓Ｔ虻囊蛩?同時(shí)膜的摻雜類(lèi)型及含量也影響E/R,因?yàn)橥饧拥膿诫s劑改變了膜的密度,例如摻P的氧化層比熱氧化層E/R

17、快得多,而摻B的氧化層要慢得多.下圖顯示了摻P的CVD SIO2與熱氧化OXIDE 在BOE中的不同的腐蝕速率對(duì)比。濕法腐蝕種類(lèi)及所用藥液1: SIO2腐蝕: 濕法腐蝕SIO2在微電子技術(shù)應(yīng)用中通常是用HF來(lái)實(shí)現(xiàn),其反應(yīng)方程式為: SIO2+6HF-àH2 +SIF6+2H2O 一般HF濃度為49%，此反應(yīng)對(duì)于控制來(lái)說(shuō)太快,因此常采用緩沖HF來(lái)替代(BOE或BHF),加入NH4F,可以減少F-的分解,從而使反應(yīng)更穩(wěn)定,而且非緩沖HF對(duì)膠和接口產(chǎn)生不良影響. 有資料表明，BHF中NH4F的濃度過(guò)大而會(huì)嚴(yán)重影響其E/R 的均勻性及E/R線(xiàn)性。同時(shí)研究表明，在低溫下生成固態(tài)的NH4HF2，

18、這些固態(tài)物質(zhì)能產(chǎn)生顆粒并導(dǎo)致藥液組分的變化，當(dāng)NH4F含量（重量比）為15%時(shí)，能有效的解決此問(wèn)題。在腐蝕SIO2時(shí)，為了適應(yīng)不同的工藝要求（如去除SIO2的膜厚，為更好的控制E/R），可以選擇不同的HF濃度配比及工藝條件進(jìn)行腐蝕。2：SI 腐蝕： 不管單晶硅和多晶硅，都能被HNO3和HF的混和液腐蝕掉，反應(yīng)最初是由HNO3在表面形成一層SIO2,然后被HF溶解掉,其反應(yīng)方程式為: SI + HNO3 + 6HF-àH2SIO6 + HNO2 + H2 + H2O常把CH3COOH作為緩沖溶劑,因可以減少HNO3的分解以提高HNO3的濃度.3:SIN腐蝕 SIN可被沸騰(160C左右

19、)的85%的H3PO4溶液所腐蝕,然而膠常被去掉,因此有時(shí)采用SIO2作為掩蔽層來(lái)對(duì)SIN進(jìn)行腐蝕,SIO2圖形有光刻膠形成,然后去膠,接下來(lái)進(jìn)行H3PO4對(duì)SIN 腐蝕. 我們一般是在場(chǎng)氧化后進(jìn)行SIN的全剝,由于是在高溫下進(jìn)行了氧化,因此在SIN表面有一層SINO層, 此層不溶于H3PO4而溶于HF,因此在進(jìn)H3PO4槽時(shí)必須先進(jìn)HF槽以去除SINO膜,然后進(jìn)行SIN的全剝.4: AL 腐蝕 濕法AL 及AL 合金腐蝕常在加熱的H3PO4+HNO3+ CH3COOH及水的混合液中進(jìn)行,溫度大約是35C45C,典型的組分為: 80%H3PO4 +5%HNO3+5%CH3COOH+10% H2

20、O,其E/R常受到諸多因素的影響,如溫度,藥液組分,AL膜的純度以及合金組分等. 反應(yīng)式如下: HNO3 + AL + H3PO4 >AL2O3+H2O+ H2在反應(yīng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生H2,當(dāng)H2附在AL 表面時(shí)會(huì)阻礙反應(yīng),因此在腐蝕時(shí)加入鼓泡以減小此問(wèn)題,由于H2及其它問(wèn)題,如濺射時(shí)的沾污及自然氧化層的影響,一般在腐蝕時(shí)假如1050%的過(guò)腐蝕量以確保能完全腐蝕干凈.濕法AL 腐蝕也常單用80%的H3PO4進(jìn)行腐蝕.5: TI 腐蝕 TI腐蝕常在SALICIDE工藝中應(yīng)用,由于TI與SI 形成的TISI不易被H3PO4腐蝕 ,而TI能被H3PO4所腐蝕掉,這樣在源漏處的TI被保留下來(lái),以減小源漏處

21、的方塊電阻.6:TIW腐蝕 在TELCOM工藝中,為增加薄膜電阻的穩(wěn)定性,須在SICR薄膜上長(zhǎng)一層TIW,在TIW腐蝕中采用常溫的H2O2進(jìn)行腐蝕。采用的工藝條件是在室溫下腐蝕30MIN。濕法腐蝕注意事項(xiàng) 由于濕法腐蝕的特性，在對(duì)不同的材料進(jìn)行腐蝕時(shí)必須選擇相應(yīng)的腐蝕藥液和工藝條件，在開(kāi)發(fā)濕法腐蝕和清洗菜單時(shí)必須注意此藥液對(duì)硅片上其它膜層和材料的影響，同時(shí)必須考慮濕法腐蝕特性所帶來(lái)的一些其它問(wèn)題。 1:AL 及AL以后的片子的去膠不能進(jìn)SH槽; 2:濕法氧化物腐蝕前必須進(jìn)行充分的浸潤(rùn); 3: TIW腐蝕流水后不甩干直接去膠; 4:須做先行的片子根據(jù)先行結(jié)果適當(dāng)調(diào)整腐蝕時(shí)間； 5:對(duì)濕法氧化物腐

22、蝕檢查,原則上檢查膜厚最厚且小圖形處和大塊 被腐蝕區(qū)域應(yīng)保證干凈; 6:對(duì)濕法AL腐蝕檢查,主要檢查小圖形及橫跨臺(tái)階的AL條是否有 殘AL 及AL 條缺口嚴(yán)重和斷AL 現(xiàn)象; 7: 對(duì)TIW腐蝕主要檢查T(mén)IW邊緣是否有殘留; 8: 所有腐蝕時(shí)間加參考的均僅供參考, E/R及膜厚正常的情況下,可 按參考時(shí)間作業(yè),在E/R和膜厚變化較大時(shí),可適當(dāng)調(diào)整腐蝕時(shí)間; 五、濕法去膠種類(lèi) 在許多步工藝后有去膠工藝,包括干濕法腐蝕和離子注入后或光刻有誤須返工的圓片.去膠的目的是快速有效的去膠而不影響下面的各層材料,在生產(chǎn)及技術(shù)上去膠工藝并不單一.去膠工藝主要分為干法和濕法去膠.本次主要講述濕法去膠.濕法去膠又

23、可分為:1: 有機(jī)去膠 有機(jī)去膠是通過(guò)拆散膠層結(jié)構(gòu)而達(dá)到去膠的目的.但其限制性較大,象常用的藥液有DMF,ACT,EKC等.2: 非有機(jī)去膠 目前常用的是H2SO4與H2O2加熱到120-140C左右,其強(qiáng)氧化性使膠中的C氧化成CO2,并生產(chǎn)H2O.值得一提的是,此類(lèi)去膠常用在無(wú)金屬層上,也就是說(shuō)在AL及AL 以后層次的去膠不能用此類(lèi)去膠,此類(lèi)去膠也常用在干法去膠后加一步濕法去膠(主要是大劑量注入和較差的干法去膠后. 3: 干法去膠 干法去膠是利用O2等離子體進(jìn)行去膠,具體在干法腐蝕中講述.4: 去膠未凈后的處理方法: 如檢查去膠未凈,常用的方法是繼續(xù)去膠或用以下兩中方法去膠 A: 使用稀HF

24、進(jìn)行漂洗,然后流水甩干; B: 使用H2O:H2O2:NH4OH=7:3:3清洗10-20NIN,然后流水甩干.在線(xiàn)的一般的去膠工藝組合有：6”去膠工藝模塊常規(guī)工藝流程的去膠工藝模塊注入劑量去膠工藝去膠菜單備注E13及E13以下劑量 濕法去膠SCP-2 S/P10minE14劑量干法去膠+濕法去膠A1000 “A” +SCP-2 S/P10min部分產(chǎn)品的場(chǎng)注入可只用濕法去膠；E15劑量干法去膠+濕法去膠+濕法漂洗A1000 “A” +SCP-2 S/P10min + WE99E16劑量干法去膠+濕法去膠+濕法漂洗A1000 “BA” +SCP-2 S/P10min + WE99WET ETC

25、H 濕法去膠SCP-2 S/P10MINPLASMA ETCH干法去膠+濕法去膠A1000 “A” +SCP-2 S/P10min六、在線(xiàn)濕法設(shè)備與常見(jiàn)工藝異常 設(shè)備所用藥液適用工藝5”濕法設(shè)備T-11BHF 7:1P-WELL ,N+ BACK ETCH T-14BHF 7:1GW W1 ETCHT-16AL ETCHANTTELCOM AL ETCHT-18H2O2TIW ETCHS12DMFAL & CAPS 后清洗S13DMF+ISO有機(jī)濕法去膠SH(有)H2SO4+H2O2濕法去膠SH(無(wú))H2SO4+H2O2濕法去膠,濕法清洗5” SCRUBH2O鈍化前擦片6”濕法設(shè)備SCP-1HF+H3PO4場(chǎng)氧后SIN全剝SCP-2H2SO4+H2O2濕法去膠SCP-3DILUTE HF濕法SIO2腐蝕及清洗SCP-4BHF ，EG+BHFMG 產(chǎn)品W1腐蝕及AL前后清洗SCP-5H3PO4SALICIDE 工藝TI腐蝕MEGANH4OH+ H2O2濕法清洗(擦片后及假片清洗)SCRUBH2O擦片F(xiàn)SINH4OH，HCL，H2O2，H2SO4 ETC。進(jìn)爐管前濕法清洗SSTACT-CMI， EKC270AL 及PAD后濕法清洗及去POLYMER七常見(jiàn)工藝要求和異常SIO2 ETCH PROCESS 工藝要求：腐蝕干凈，無(wú)氧化層殘余； 侵蝕正常，無(wú)過(guò)侵蝕； 無(wú)