形狀記憶合金的透射電鏡結(jié)構(gòu)分析

1、形狀記憶合金的透射電鏡結(jié)構(gòu)形狀記憶合金的透射電鏡結(jié)構(gòu)分析分析 一實(shí)驗(yàn)?zāi)康囊粚?shí)驗(yàn)?zāi)康亩饘俦∧ぱ芤r成象原理二金屬薄膜衍襯成象原理 三銅基形狀記憶合金典型組織的薄膜觀察三銅基形狀記憶合金典型組織的薄膜觀察 四實(shí)驗(yàn)報(bào)告內(nèi)容及要求四實(shí)驗(yàn)報(bào)告內(nèi)容及要求 五思考題五思考題一實(shí)驗(yàn)?zāi)康囊粚?shí)驗(yàn)?zāi)康?掌握金屬薄膜衍襯成象原理。2學(xué)會(huì)分析形狀記憶合金的組織圖象。二二金屬薄膜衍襯成象原理金屬薄膜衍襯成象原理 復(fù)型的方法僅能復(fù)制樣品表面外貌，不能揭示晶體內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)。由于受復(fù)型材料粒子尺寸的限制電鏡的高分辨本領(lǐng)不能充分發(fā)揮。萃取復(fù)型雖然能對(duì)萃取物做結(jié)構(gòu)分析，但對(duì)基體組織仍然是表面形貌的復(fù)制。由于金屬材料本身制成的金屬薄

2、膜樣品具有很多優(yōu)點(diǎn)：1可以最有效地發(fā)揮電鏡的極限分辨能力。2能夠觀察和研究金屬與合金的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和晶體缺陷，并對(duì)同一微區(qū)進(jìn)行電子衍射的研究，把相變與晶體缺陷聯(lián)系起來。3能夠進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀察，在變溫情況下相變的生核長大過程，以及位錯(cuò)等晶體缺陷在應(yīng)力下的運(yùn)動(dòng)與交互作用。因而在透射電鏡下直接觀察金屬薄膜樣品的方法得到了廣泛應(yīng)用和發(fā)展。 金屬薄膜的衍襯成象是由晶體樣品上不同部位的結(jié)構(gòu)或位向不同引起衍射強(qiáng)度的差異而形成的圖象。影響電子衍射的因素都會(huì)引起襯度的差別。當(dāng)電子束穿過金屬薄膜時(shí)，若某一(hkl)晶面處于或接近布拉格條件，則會(huì)產(chǎn)生(hkl) 衍射，在物鏡的背焦面上將得到衍射花樣。如果入射束強(qiáng)度為I，衍射

3、束強(qiáng)度為ID,在忽略吸收的情況下，透射束強(qiáng)度為（I-ID），比不產(chǎn)生衍射時(shí)弱。晶體取向愈接近布拉格的位置，衍射束愈強(qiáng)，透射束愈弱。如果只讓透射束通過光闌成象（明場象），由于試樣各處衍射強(qiáng)度不同，就會(huì)在熒光屏上產(chǎn)生襯度，即滿足布拉格條件區(qū)域呈暗象。如果只讓衍射束穿過光闌成象（暗場象）則滿足布拉格條件區(qū)域呈明亮的象，其它區(qū)域呈暗象。顯然，明場象與暗場象襯度正好相反。 現(xiàn)以單相的多晶體金屬薄膜樣品為例，說明如何利用衍襯成象原理獲得圖象的襯度。參看圖1，設(shè)想薄膜內(nèi)有兩顆晶體學(xué)位向不同的晶粒A和B。在強(qiáng)度為I0的入射電子束照射下，B晶粒的位向滿足“雙光束條件”，即晶粒的某一 (hkl) 晶面組與入射方向

4、構(gòu)成精確的布拉格角B，而其余的晶面組均與衍射條件存在較大的偏差。那么，強(qiáng)度為Io 的入射電子束在B晶粒區(qū)域經(jīng)過散射之后，將成為強(qiáng)度為Ihkl的衍射束和強(qiáng)度為（I0-Ihkl）的透射束兩個(gè)部分。A晶粒內(nèi)所有的晶面組與布拉格條件存在較大的偏差，所有衍射束的強(qiáng)度可視為零。 圖1 衍襯成象示意圖 于是，A 晶粒區(qū)域透射束強(qiáng)度仍近似等于入射束強(qiáng)度Io 。 若在物鏡的背焦面上加進(jìn)尺寸足夠小的物鏡光闌，把B晶粒的(hkl) 衍射束擋住，而只讓透射束通過光闌孔成象，則兩顆晶粒的亮度不同，因?yàn)镮AIB, IBI0-Ihkl,于是形成不同的襯度。 若晶體中存在缺陷，例如晶界、位錯(cuò)、層錯(cuò)第二相顆粒等，由于這些微觀缺

5、陷造成小區(qū)域晶面取向不同，所以衍射強(qiáng)度也不同，因此， 能夠利用衍襯效應(yīng)觀察到這些缺陷。 三三銅基形狀記憶合金典型組織銅基形狀記憶合金典型組織的薄膜觀察的薄膜觀察 1. 馬氏體馬氏體材質(zhì)：Cu-21.04Zn-5.59Al。工藝：84010min加熱后淬入100沸水停留30min，然 后空冷。組織：馬氏體條內(nèi)存在大量層錯(cuò)亞結(jié)構(gòu)或位錯(cuò)亞結(jié)構(gòu)，見圖2和圖3。 圖2 馬氏體內(nèi)存在層錯(cuò)亞結(jié)構(gòu) 圖3 馬氏體內(nèi)存在位錯(cuò)亞結(jié)構(gòu) 2貝氏體貝氏體材質(zhì)：Cu-21.04Zn-5.59Al。工藝：淬火后經(jīng)20048h時(shí)效處理。 組織：貝氏體條內(nèi)存在層錯(cuò)亞結(jié)構(gòu)或臺(tái)階狀組織，見圖4和圖5。 圖4 貝氏體條內(nèi)存在層錯(cuò)亞結(jié)構(gòu) 圖5 貝氏體條內(nèi)存在臺(tái)階狀組織 四四實(shí)驗(yàn)報(bào)告內(nèi)容及要求實(shí)驗(yàn)報(bào)告內(nèi)容及要求 1簡述衍襯成象的原理。 五思考題五思考題 1與復(fù)型