WAT工藝參數(shù)測(cè)試

1、畢業(yè)設(shè)計(jì)論文WAT工藝參數(shù)測(cè)試 系 電子信息工程系 專業(yè) 微電子技術(shù) 姓名 欽 班級(jí) 微電 學(xué)號(hào) 1003320 指導(dǎo)教師 席 職稱 講師 設(shè)計(jì)時(shí)間 201.9.19.1.4 摘要: 。要晶圓的工藝參數(shù)測(cè)試方法。主要介紹以下幾個(gè)方面的內(nèi)容 ：參數(shù)測(cè)試在現(xiàn)在集成電路產(chǎn)業(yè)中的重要性；晶圓可靠性參數(shù)測(cè)試的相關(guān)知識(shí)的介紹；測(cè)試參數(shù)的介紹；以及測(cè)試所需的軟件和硬件的介紹；系統(tǒng)的并詳細(xì)的說(shuō)明了在測(cè)試過(guò)程中會(huì)遇到哪些問(wèn)題，以及在測(cè)試過(guò)程中操作者經(jīng)常會(huì)犯得錯(cuò)誤。錯(cuò)誤的種類等，以及相關(guān)工程師如：工藝工程師；（負(fù)責(zé)相關(guān)產(chǎn)品的測(cè)試程序編寫(xiě)）設(shè)備工程師(負(fù)責(zé)測(cè)試機(jī)臺(tái)的檢測(cè)與維修）相關(guān)問(wèn)題本文將做進(jìn)一步解釋。 關(guān)鍵詞：

2、可靠性； 監(jiān)測(cè)系統(tǒng)；晶圓測(cè)試； 目錄摘要:1第一章 引言31.1課題背景31.2課題意義3第二章 測(cè)試介紹42.1 的作用42.2 測(cè)試參數(shù)介紹4第三章 測(cè)試系統(tǒng)介紹63.1 硬件系統(tǒng)介紹63.2 測(cè)試操作流程73. 2.1 針卡放置73.2.2 產(chǎn)品片的放置73.2.3 測(cè)試窗口的打開(kāi)7 P8測(cè)試程序的介紹73.2.5 主要操作流程73.4 顯微鏡的使用93.5 P-8上產(chǎn)品測(cè)試操作11第四章 測(cè)試問(wèn)題改善方案124.1 常見(jiàn)的測(cè)試問(wèn)題124.2 測(cè)試輸入監(jiān)測(cè)系統(tǒng)124.3測(cè)試輸入檢查系統(tǒng)12總結(jié)14致謝15參考文獻(xiàn)16 第一章 引言1.1課題背景 中國(guó)是世界上增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)體市場(chǎng)，目前中國(guó)

3、市場(chǎng)占全球市場(chǎng)約15%。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，中國(guó)在2008年前將成為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，市場(chǎng)份額約占全球市場(chǎng)。我國(guó)集成電路在20世紀(jì)90年代以前大部分為垂直生產(chǎn)的“準(zhǔn)IBM”模式。那是集成電路剛剛萌芽，國(guó)內(nèi)也沒(méi)有真正意義是的代工企業(yè)，只是有能力的企業(yè)進(jìn)行集成電路，為小部分企業(yè)產(chǎn)能為國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)服務(wù)。進(jìn)入21世紀(jì)，以中芯國(guó)際，上海宏利等公司的建設(shè)為代表，國(guó)內(nèi)才有了真正意義上的代工企業(yè)。這種國(guó)際化的產(chǎn)業(yè)模式在國(guó)內(nèi)的創(chuàng)新迅速縮小了我國(guó)與世界集成電路水平的差異，不僅生產(chǎn)規(guī)模與生產(chǎn)能力的迅速擴(kuò)大，生產(chǎn)技術(shù)也在幾年里達(dá)到65納米90納米，與國(guó)際先進(jìn)水平只差1-2技術(shù)點(diǎn)。 1.2課題意義 晶圓可靠性參數(shù)測(cè)試（

4、簡(jiǎn)稱WAT測(cè)試）大多以完成制成、待出貨的芯片為測(cè)試對(duì)象。如果wafer在WAT站點(diǎn)由于測(cè)試問(wèn)題造成報(bào)廢對(duì)工廠是很大損失，所以減少由于測(cè)試問(wèn)題影響的wafer片數(shù)可以大大降低由此所產(chǎn)生的成本消耗。也降低工廠的成本，提高獲利。在中芯國(guó)際上海廠原來(lái)的三個(gè)廠由于之前是分別發(fā)展，系統(tǒng)有所區(qū)別，不同的系統(tǒng)會(huì)浪費(fèi)公司的很多資源需要更多的工程師進(jìn)維護(hù)。對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行統(tǒng)一，可降低工程師的維護(hù)成本，提高系統(tǒng)的可靠性，降低新人訓(xùn)練所需時(shí)間。 第二章 測(cè)試介紹2.1 的作用 WAT在代工廠中處于比較特殊地位，位于所有加工工藝之后出貨品質(zhì)檢測(cè)之前，所有wafer必須經(jīng)過(guò)WAT的測(cè)試，并且測(cè)試結(jié)果必須面滿足客戶給出的規(guī)格要求

5、WAT在集成電路芯片測(cè)試過(guò)程中顯得尤為重要. WAT測(cè)試出來(lái)的窗口數(shù)據(jù)，除了作為出貨的判斷依據(jù)外，還有很多方面的用途，包括檢測(cè)工藝窗口，對(duì)工藝進(jìn)行除錯(cuò)，對(duì)可靠性刻畫(huà)，對(duì)電路設(shè)計(jì)進(jìn)行器件建模，開(kāi)發(fā)下一代產(chǎn)品。WAT數(shù)據(jù)使用者包括：工藝整合工程，工藝工程，產(chǎn)品工程，器件工程師。2.2 測(cè)試參數(shù)介紹 一般來(lái)說(shuō)WAT參數(shù)測(cè)試分為兩大類，一類和器件相關(guān)的，包括MOS開(kāi)啟電壓飽和電流，關(guān)閉電流，擊穿電壓等。另一類和工藝相關(guān)的，包括結(jié)膜層接觸電阻柵氧華層電性厚度隔離等。 開(kāi)啟電壓為MOS從關(guān)閉狀態(tài)到開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)，柵極上的電壓，開(kāi)啟電壓分線性區(qū)開(kāi)啟電壓和飽和區(qū)開(kāi)啟電壓，線性開(kāi)啟電壓測(cè)試條件為源和襯底接地，漏極接

6、小電壓通常為0.1伏。NMOS為正，PMOS為負(fù)，柵極從0伏掃到工作電壓，在漏極電流達(dá)到一個(gè)給定值的時(shí)候柵極的電壓就是開(kāi)啟電壓，飽和區(qū)線性開(kāi)其電壓和線性區(qū)開(kāi)啟電壓測(cè)試條件類似，區(qū)別在于漏極電壓為開(kāi)啟電壓，開(kāi)啟電壓如果則再有微小的情況容易打開(kāi)，造成錯(cuò)誤。圖1為MOS擊穿電壓圖。圖 1 MOS擊穿電壓圖 （1）飽和電壓：以硅二極管為例，它的飽和電壓就大概在0.7V左右，當(dāng)二極管兩端加上順向電壓時(shí)(可以用電源供應(yīng)器串接一個(gè)電阻)，就會(huì)產(chǎn)生電流，在二極管的兩端就會(huì)有電壓差，當(dāng)這個(gè)電流由小變大時(shí)，電壓差也會(huì)逐漸變大，但大到接近飽和電壓以后，電壓差就不再明顯的隨電流上升而上升，這時(shí)，這個(gè)電壓差就是二極管的

7、飽和電壓。 （2）擊穿電壓：使電介質(zhì)擊穿的電壓。電介質(zhì)在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下將失去其介電性能成為導(dǎo)體,稱為電介質(zhì)擊穿,所對(duì)應(yīng)的電壓稱為擊穿電壓。電介質(zhì)擊穿時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度叫擊穿場(chǎng)強(qiáng)。不同電介質(zhì)在相同溫度下,其擊穿場(chǎng)強(qiáng)不同。當(dāng)電容器介質(zhì)和兩極板的距離d一定后,由U1-U2=Ed知,擊穿場(chǎng)強(qiáng)決定了擊穿電壓。擊穿場(chǎng)強(qiáng)通常又稱為電介質(zhì)的介電強(qiáng)度。提高電容器的耐壓能力起關(guān)鍵作用的是電介質(zhì)的介電強(qiáng)度。附表為各種電介質(zhì)的相對(duì)介電常量r和介電強(qiáng)度。 （3）接觸電阻 ：對(duì)導(dǎo)體件呈現(xiàn)的電阻成為接觸電阻。 一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開(kāi)關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對(duì)接觸電阻的變化很

8、敏感。 應(yīng)該指出， 開(kāi)關(guān)的接觸電阻是在開(kāi)關(guān)在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。第三章 測(cè)試系統(tǒng)介紹3.1 硬件系統(tǒng)介紹 WAT由測(cè)試機(jī)（tester） 探針機(jī) （rober），探針卡（e）組成，如圖2 、3所示。測(cè)試機(jī)主要施加直流信號(hào)，控制探針機(jī)托盤(pán)的移動(dòng)，提供操作界面，探針機(jī)的功能主要將晶圓載入和載出對(duì)晶圓進(jìn)行精確定位，和測(cè)試通信。探針卡主要功能是連接測(cè)試機(jī)和探針機(jī)托盤(pán)上的晶圓。 圖2測(cè)試機(jī)臺(tái)4070圖3 CP測(cè)試機(jī)臺(tái) 測(cè)試機(jī)主要為WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)（4070） 它的內(nèi)部主要具有各種電壓源和電流源。主要功能為為芯片提供直流源信號(hào)，和精密測(cè)量單元。測(cè)量輸出參數(shù)，再與工藝預(yù)設(shè)好的參數(shù)做比較。

9、測(cè)試結(jié)果為合格和不合格兩種，用圖形文件記錄將不合格的芯片打點(diǎn)作標(biāo)記，經(jīng)工藝查看分析過(guò)后，再進(jìn)行復(fù)測(cè)方可流入下一站。 CP測(cè)試機(jī)Correctness Proofs正確性證明。它是軟件工程中軟件測(cè)試的一種方法，該方法采用一種數(shù)學(xué)技術(shù)，也就是一種數(shù)學(xué)證明過(guò)程（即數(shù)字認(rèn)證） 針卡用于不同產(chǎn)品的測(cè)試測(cè)試需求需要不同的針卡， 這里常用的針卡主要有測(cè)試DMOS所用的2根針，測(cè)試GOI所用的8根針以及測(cè)試正常片子所用的16根針和18根針；測(cè)試時(shí)每天都要清針卡，目的是為了保證產(chǎn)品的良率。產(chǎn)品良率越高產(chǎn)品的質(zhì)量也就越好。3.2 測(cè)試操作流程3. 2.1 針卡放置 測(cè)試產(chǎn)品時(shí)首先要看產(chǎn)品片子類型，即決定用哪類針卡

10、 測(cè)試該批片子針卡的真確與否關(guān)系片子的測(cè)試結(jié)果的好壞。測(cè)試之前先將測(cè)試機(jī)臺(tái)的探頭抬起待抬起后將針卡放入探針機(jī)的槽中，拿針卡時(shí)注意雙手千萬(wàn)不要碰到針卡的針尖以免將針頭碰彎或劃傷，針卡放入槽中要將針卡上的箭頭朝自己的方向放置(正確的放置方法）。 3.2.2 產(chǎn)品片的放置 測(cè)試產(chǎn)品片之前首先要將該產(chǎn)品做賬到WAT并通過(guò)主機(jī)臺(tái)查看該批產(chǎn)品相關(guān)信息;產(chǎn)品的的批號(hào)，產(chǎn)品的工藝（這里主要工藝有0.18um，0.35um，0.5um等）片數(shù)及片號(hào)，核實(shí)片號(hào)是否正確，是否有片號(hào)沒(méi)有放入相應(yīng)的槽位順序是否顛倒，片號(hào)是否與槽號(hào)一致。放片時(shí)先將測(cè)試機(jī)臺(tái)的蓋子打開(kāi)用兩只手鉗住casstte將其緩慢的放入蓋內(nèi)并按下綠色按

11、鈕將其固定，再將蓋子蓋上。 3.2.3 測(cè)試窗口的打開(kāi) 測(cè)試窗口主要反映測(cè)試產(chǎn)品的各項(xiàng)性能指標(biāo)。如測(cè)試電壓，測(cè)試電流，方塊電阻等近二十項(xiàng)參數(shù)。若測(cè)試窗口不小心被關(guān)掉了，可以從新將其打。 主要操作如下；先輸入rmb再按回車(chē)， 過(guò)后在輸入大寫(xiě)START后回車(chē)counitue方可打開(kāi)測(cè)試菜單窗口。 P8測(cè)試程序的介紹 規(guī)范P-8探針臺(tái)（Prober）新品編程操作流程，統(tǒng)一PCM測(cè)試人員操作流程，保證產(chǎn)品在探針臺(tái)上的正常測(cè)試。測(cè)試范圍僅適用于在P-8探針臺(tái)上測(cè)試的所有工藝圓片。 PCM編程人員: 指PID測(cè)試工程師、技術(shù)員 PCM測(cè)試人員：PCM課作業(yè)員以及PCM編程人員。 Chuck：指探針臺(tái)盤(pán)；

12、Stage：位于P-8探針臺(tái)的右側(cè)，是控制整個(gè)探針臺(tái)操作的微處理系統(tǒng)Cassette: 位于P-8探針臺(tái)顯示屏的下方，用來(lái)放待測(cè)試/編程WAFER的片盒的架。： P-8新品WAFER FILE程序以及完成相關(guān)產(chǎn)品測(cè)試需求。PCM區(qū)域編程人員負(fù)責(zé)所編制的WAFER文件準(zhǔn)確無(wú)誤；編制WAFER文件的過(guò)程中如果遇到異常情況，需及時(shí)通知相關(guān)工藝工程師；新品文件編制完成后，PCM編程人員必須測(cè)試一片圓片驗(yàn)證程序的正確性；編程完成后必須由確認(rèn)人員確認(rèn)程序的正確性。PCM課作業(yè)員按操作流程完成P-8上產(chǎn)品的測(cè)試。 3.2.5 主要操作流程 當(dāng)p8選完之后按操作界面上的開(kāi)始按鈕即開(kāi)始測(cè)試此時(shí)操作者開(kāi)始將測(cè)試相

13、關(guān)的信息輸入測(cè)試窗口主要信息有測(cè)試項(xiàng)，測(cè)試名，片子的的批號(hào)，以及工藝。當(dāng)輸入片號(hào)時(shí)一定要檢查片號(hào)輸入是否正確若輸入有誤將會(huì)帶來(lái)不可預(yù)見(jiàn)的的損失。輕則產(chǎn)品結(jié)構(gòu)異常重則整批全部報(bào)廢。則將給公司以及個(gè)人帶來(lái)巨大損失。所以輸入片號(hào)時(shí)一定要細(xì)心認(rèn)真。測(cè)試操作如表1）所示。表1 P8操作流程3.3 P-8 WAFER 文件編程操作步驟 編程P-8 WAFER 文件時(shí)，首先找到與所編產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)文件，并在顯微鏡下確定平邊朝向，在顯微鏡下觀察PCM測(cè)試圖形，測(cè)試模塊應(yīng)與人成垂直角度，測(cè)試模塊名在測(cè)試圖形的下方；此時(shí)圓片平邊的方向即為編程時(shí)圓片平邊的方向。確保P-8處于正常狀態(tài)時(shí)，點(diǎn)擊Main Menu上的S

14、etup按鈕，出現(xiàn)操作界面。在操作界面上，要進(jìn)行圓片尺寸、圓片厚度等參數(shù)和探針卡的設(shè)置。（1）圓片尺寸設(shè)置6寸片點(diǎn)擊數(shù)字6；8寸片點(diǎn)擊數(shù)字8；Flat Orientation：圓向設(shè)置，平邊朝上選擇0°；平邊朝右選擇90°；平邊朝下選擇180°；平邊朝左選擇270°；Die Size X和Die Size Y：輸入產(chǎn)品BLOCK的橫坐標(biāo)X與縱坐標(biāo)Y的尺寸大小 （當(dāng)平邊朝上或朝下時(shí)，X，Y尺寸與坐標(biāo)文件上的值相同；當(dāng)平邊朝左或朝右時(shí)，X，Y尺寸與坐標(biāo)文件上的值相反）（2）圓片厚度設(shè)置輸入圓片厚度（不需要很精確，普通圓片輸入700左右即可）Alignment

15、Axis：選擇BLOCK尺寸中值較小的X或Y坐標(biāo)Edge Collection：圓片邊緣不完整BLOCK是否設(shè)定。（70%即可）Preset Address X和PresetAddress Y：輸入?yún)⒖键c(diǎn)的坐標(biāo)，直接使用默認(rèn)值。Overdriver：針壓的深度（為了避免誤操作，此時(shí)輸入-20um）點(diǎn)擊右下方的“Wafer Parameters”,界面出現(xiàn)下級(jí)項(xiàng)目選擇菜單，需要確認(rèn)修改以擇FLAT；8寸片選擇NOTCH；然后選擇OKProbe Area Select（Page2）: 選擇NO；然后選擇OK Reference Die Setting（Page2）：選擇Yes；然后選擇OKBump

16、 Alignment（Page3）：選擇No；然后選擇OK完成上述以上“Wafer Parameters”設(shè)置后按提示點(diǎn)擊兩次OK，界面直接轉(zhuǎn)入“Sepup Prober” 子菜單界面。（3）探針卡的設(shè)置探針卡的設(shè)置主要包括：設(shè)置探針卡參數(shù)設(shè)置、針尖定位和檢查卡的對(duì)位信息三個(gè)步驟。 探針卡參數(shù)設(shè)置是在操作界面內(nèi)逐項(xiàng)輸入探針卡各項(xiàng)參數(shù)（Probe Type：WPC；其他各項(xiàng)使用系統(tǒng)默認(rèn)值）針尖定位：點(diǎn)擊右下方的“Teach Card”按鈕，臺(tái)盤(pán)顯微鏡將自動(dòng)移至探針卡中心區(qū)，同時(shí)STATE出現(xiàn)如下的控制菜單界面，并顯示出針尖的模糊圖像（顯微鏡為低倍狀態(tài)Macro）。3.4 顯微鏡的使用 可以使用控

17、制界面上的“Change Fields”來(lái)調(diào)節(jié)顯微鏡是低倍還是高倍的；使用“Change Lighting”來(lái)調(diào)節(jié)圖形的明暗場(chǎng)；使用Light Up和Light Down來(lái)調(diào)節(jié)可視區(qū)的光亮度，使用Automatic Light Adjustment來(lái)自動(dòng)調(diào)節(jié)視區(qū)的光亮度；INDEX：步長(zhǎng)（STEP）按Block的X，Y值移動(dòng)；JOG：步長(zhǎng)（STEP）按最小值（1um）移動(dòng)；SCAN：步長(zhǎng)（STEP）按中間值（如100um）移動(dòng)；Cont Mode可設(shè)定步長(zhǎng)是否為連續(xù)的方式移動(dòng)。 使用Z Pos下方的“”箭頭調(diào)節(jié)圖象的焦距，到能看到針尖的大致圖象時(shí)按控制面板上的“Auto Focus”按鈕，直至

18、圖像窗口出現(xiàn)清晰的針尖圖像。 使用各方向箭頭將十字對(duì)位標(biāo)記移到第一個(gè)定位針尖的中心后按OK，接著繼續(xù)按界面提示設(shè)置第2，3，4個(gè)定位針尖位置（最多可設(shè)置4個(gè)）。之后臺(tái)盤(pán)顯微鏡自動(dòng)轉(zhuǎn)為高倍狀態(tài)，視窗上陸續(xù)出現(xiàn)剛才定位的4個(gè)針尖高倍圖像，將十字對(duì)位標(biāo)記依次對(duì)到這些高倍定位針尖中心點(diǎn)按OK。 （1）輸入方式指定直接點(diǎn)擊Manual Teaching，臺(tái)盤(pán)上的WAFER傳至PROBER中心。圓片邊緣定位：Stage控制菜單的圖形窗依次顯示出WAFER邊緣左上角、右上角以及右下角3個(gè)位置，確保十字對(duì)位標(biāo)志停在與圓片邊緣的交角位置后，分別按OK。3個(gè)邊緣定位點(diǎn)都確認(rèn)后，十字對(duì)位標(biāo)志停在圓片的中心位置。 低

19、倍圖形輸入：將十字對(duì)位標(biāo)志移至中心區(qū)域上、下、左、右四個(gè)DIE十字劃片槽的中心位置，按OK，圖形窗依次顯示出X軸的相同十字劃片槽位置的3個(gè)圖形，分別按OK；（2）高倍圖形輸入將十字對(duì)位標(biāo)記移至十字劃片槽的左上角，按1st Point Desig.；再將十字對(duì)位標(biāo)記移至十字劃片槽的右下角，按2nd Point Desig.后，十字對(duì)位標(biāo)記自動(dòng)停在了圓片原點(diǎn)。找目標(biāo)：將十字對(duì)位標(biāo)記移至待測(cè)試模塊附近，使用控制箭頭找到一個(gè)黑白分明的圖形（最好離我們要設(shè)的測(cè)試模塊盡可能近些）按OK，圖形窗依次找出X軸和Y軸上共5處相似圖形，分別按OK。第5個(gè)精對(duì)位圖形找到后，界面提示：Designate 2nd mi

20、cro pattern? 選擇NO；（3）PAD定位首先，使用控制箭頭將十字對(duì)位標(biāo)志移到測(cè)試的（0，0）模塊（如NXSTRW）的第一個(gè)PAD位置，確保十字對(duì)位標(biāo)志的外框大小與PAD大小一致（可以用右側(cè)的X和Y“Increase” “Decrease”按鈕來(lái)修正外框的大?。?；第一個(gè)參考PAD位置對(duì)好后，接著會(huì)陸續(xù)出現(xiàn)其他幾個(gè)PAD參考點(diǎn)（與剛才定位的針尖相對(duì)應(yīng)的PAD），移動(dòng)十字框確保十字中心點(diǎn)在PAD中心位置。在4個(gè)參考PAD位置定義后，界面顯示PAD檢查選項(xiàng)選擇Dont input。圓片對(duì)位信息核對(duì)：完成PAD定位后，在設(shè)置界面中選擇Align Wafer，出現(xiàn)具體的Align Wafer參

21、數(shù)后直接按OK即可。（4）接觸參數(shù)設(shè)置檢查上述界面的參數(shù)設(shè)置（通常使用默認(rèn)值）；檢查接觸位置：點(diǎn)擊右側(cè)的“Check Contact”按鈕，進(jìn)入移動(dòng)箭頭選擇接觸測(cè)試DIE的位置，按一下“Z SW”（扎針），再按一下“Z SW”（扎針）將針抬起（可檢查屏幕下方Z at stop的狀態(tài)：Down：扎針；Separate抬起以確保正確操作），按“Check Registered Pad”，待控制屏出現(xiàn)下級(jí)提示菜單時(shí)，點(diǎn)擊下方的“Check Registered Pads”，圖形窗立即出現(xiàn)指定的首個(gè)PAD針跡，按界面的“Next Pad”可依次檢查其他指定的PAD針跡，可重復(fù)該步驟直到調(diào)準(zhǔn)Overdr

22、iver的深度（參考值：2550um）。檢查完所有針跡，確認(rèn)無(wú)誤后按OK回到設(shè)置菜單界面。 完成設(shè)置后，在設(shè)置菜單界面繼續(xù)按OK，出現(xiàn)提示：Do you want to end set up? 按Yes后出現(xiàn)Reference Die設(shè)置的菜單，點(diǎn)擊右側(cè)的“Wafer Map”，出現(xiàn)如下圖9-12的子級(jí)菜單界面；移動(dòng)光標(biāo)將Ref Die移動(dòng)與AG4070測(cè)試儀對(duì)位第一點(diǎn)（0，0點(diǎn)）相同的Die后，按界面右上方的“Reference Die Input”按鈕，Reference Die中間出現(xiàn)紅色的X后，點(diǎn)擊下方的OK，出現(xiàn)提示：“Reference Die is resisted”, 按OK完

23、成Reference Die的設(shè)置，回到設(shè)置菜單界面再按一次OK。上述設(shè)置都完成后，界面出現(xiàn)提示：Do you want to end input? 按Yes后出現(xiàn)設(shè)置結(jié)束界面，點(diǎn)擊“End AfterWafer Unload”按鈕。至此完成了在P-8上新品WAFER文件的編程過(guò)程，P-8將自動(dòng)保存剛才設(shè)置的WAFER FILE所有參數(shù)。3.5 P-8上產(chǎn)品測(cè)試操作 將待測(cè)試的圓片放入P-8 的Cassette中，按“Set”鍵后關(guān)閉Cassette門(mén)；按常規(guī)操作流程在AG4070測(cè)試儀上依次輸入待測(cè)試產(chǎn)品的工藝、產(chǎn)品名、批號(hào)、測(cè)試者、圓片號(hào)等信息，直至出現(xiàn)測(cè)試的WAFER SHOT圖，輸入C

24、ONT 接著出現(xiàn)的下級(jí)菜單的操作界面，直接調(diào)用左邊適用的已編程WAFER FILE；然后選擇的“Start”按鈕；P-8開(kāi)始自動(dòng)完成上片，對(duì)針尖，找目標(biāo)等動(dòng)作；完成上述工作后，Stage控制屏出現(xiàn)提示：M5200 stopped at first Chip/Die? 按OK后接著出現(xiàn)Testing Stopped界面，直接點(diǎn)擊右下方的Start Testing，于是探針臺(tái)繼續(xù)按WAFER文件運(yùn)行（圖形窗顯示出WAFER SHOT圖），最后停在Reference Die的位置上；回到AG4070測(cè)試儀，在CONT之后輸入回車(chē)，P-8探針臺(tái)在接受測(cè)試儀的指令后開(kāi)始自動(dòng)測(cè)試。該批所有圓片都自動(dòng)測(cè)完后

25、，P-8 STAGE控制屏出現(xiàn)提示：M5010 Lot Testing Completed？ 按OK后，等待測(cè)試下一批圓片?；氐紸G4070測(cè)試儀，按常規(guī)操作完成打印數(shù)據(jù)報(bào)告，檢查參數(shù)等步驟。第四章 測(cè)試問(wèn)題改善方案4.1 常見(jiàn)的測(cè)試問(wèn)題 因測(cè)試相關(guān)信息沒(méi)有確定下來(lái)即沒(méi)有搞明白能清楚就去測(cè)試造成產(chǎn)品批號(hào)混蹺，片號(hào)不對(duì)，工藝有誤，測(cè)試菜單選錯(cuò)，針卡用錯(cuò) ，測(cè)試機(jī)臺(tái)的限制，生成產(chǎn)品報(bào)告時(shí)產(chǎn)品類型選錯(cuò)，再有將產(chǎn)品的盒子拿錯(cuò)等。一系列人為造成的的原因都會(huì)給公司帶來(lái)不必要的經(jīng)濟(jì)損失。也給人的發(fā)展帶來(lái)一定的負(fù)面影響。工藝方面常見(jiàn)的測(cè)試問(wèn)題主要有測(cè)試參數(shù)與測(cè)試所期望的的，所預(yù)期的相差甚遠(yuǎn)主要原因有測(cè)試菜單p

26、8選有，測(cè)試編程有誤針卡不適用等。設(shè)備方面的問(wèn)題主要有4070機(jī)臺(tái)硬件老化。無(wú)法面滿足新產(chǎn)品的測(cè)試需求，再者機(jī)臺(tái)的清潔與否也會(huì)產(chǎn)品的性能指標(biāo)。 解決方法：測(cè)試人員測(cè)片子時(shí)一定要雙人檢查，以確保萬(wàn)無(wú)一失。工藝人員測(cè)試編程及時(shí)更新。設(shè)備人員經(jīng)常對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行保養(yǎng)維護(hù)和檢查確保機(jī)臺(tái)能夠正常使用。 4.2 測(cè)試輸入監(jiān)測(cè)系統(tǒng) 在WAT測(cè)試中有很多因素造成測(cè)試結(jié)果的偏差，這些因素有可能造成比較嚴(yán)重的后果。比如程序里坐標(biāo)由于手輸入錯(cuò)誤，造成測(cè)試時(shí)下針的位置不是切割導(dǎo)上的，而是扎到了要作為產(chǎn)品片的區(qū)域，客戶就不會(huì)收這樣的片子，只能有代工廠自己報(bào)廢，但此時(shí)晶圓已完成了數(shù)百道工藝系統(tǒng)在測(cè)試中會(huì)出現(xiàn)各種各樣隨機(jī)的錯(cuò)誤，

27、如電路板接觸不良，電路內(nèi)部元件臨時(shí)失效，工廠供電發(fā)生跳點(diǎn)。在晶圓地時(shí)候發(fā)生內(nèi)部對(duì)位偏差，由于測(cè)試開(kāi)始后都是機(jī)器自動(dòng)處理，所以隨機(jī)出現(xiàn)的錯(cuò)誤如果不及時(shí)處理，停止測(cè)試，后面模擬的測(cè)試等于白白浪費(fèi)時(shí)間如果測(cè)試是很重的，再如果是新客戶的第一批貨，一二延誤了新客戶的項(xiàng)目進(jìn)度，會(huì)給工廠造成嚴(yán)重的損失。另一種嚴(yán)重的情況會(huì)造成多個(gè)晶圓報(bào)廢，測(cè)的越多報(bào)廢的越多。此時(shí)及時(shí)發(fā)現(xiàn)異常停止測(cè)試就顯得尤為太重要。解決問(wèn)題得最好辦法測(cè)試系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)知道軟硬件狀態(tài)從發(fā)生問(wèn)題扥那一刻就停止測(cè)試。然而這樣做會(huì)有很大的困難，不論是測(cè)試機(jī)還是探針卡的設(shè)計(jì)中都沒(méi)有實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)，也沒(méi)有實(shí)時(shí)搜集狀態(tài)系統(tǒng)。對(duì)象在入晶圓是發(fā)生的對(duì)準(zhǔn)出現(xiàn)偏差這種錯(cuò)誤，只有認(rèn)為判斷是錯(cuò)誤機(jī)器根本不會(huì)有錯(cuò)誤。測(cè)試機(jī)和探針機(jī)屬于不同的廠商，彼此的系統(tǒng)完全不同，除了用連接通訊外對(duì)彼此的部不結(jié)果完全不清楚，因此必須從其他的地方找解決的方法。4.3測(cè)試輸入檢查系統(tǒng) 目前遇到的情況有特定的產(chǎn)品不能在特定的機(jī)器上進(jìn)行測(cè)試，產(chǎn)品的測(cè)試和探針機(jī)的程序，探針卡的類型必須匹配。忒定的探針暫時(shí)不能使用，特定的程序測(cè)試的結(jié)果對(duì)測(cè)試所存的數(shù)據(jù)名稱也有限制，特定的產(chǎn)品在特定機(jī)器上測(cè)試時(shí)所用的Overdrive也有要求。如果單獨(dú)編寫(xiě)程序，對(duì)這些情況進(jìn)行一一限定，會(huì)使測(cè)試系統(tǒng)變得特別復(fù)雜，而且有些限定是臨時(shí)的，需