單端反激DC-DC Matlab仿真

1、計(jì)算機(jī)仿真技術(shù)作業(yè)五題目：?jiǎn)味朔醇C/DC電路仿真§ 利用simpowersystems建立單端反激電路的仿真模型。輸入直流電壓28V，輸出電壓5V，輸出額定功率30W。電路開(kāi)關(guān)頻率10kHz，整流二極管通態(tài)壓降0.7V，計(jì)算功率管的工作占空比，并選擇開(kāi)關(guān)管（選擇MOSFET）及二極管。模型建立:建立單端反激變換器電路模型如下圖：理論計(jì)算:計(jì)算功率管占空比: 仿真過(guò)程: 仿真算法選擇ode23tb，最大步長(zhǎng)設(shè)為1s變壓器仿真設(shè)置§ 1.滿負(fù)載的仿真。DC/DC變換器，R=0.68歐姆，C=4700uf,仿真時(shí)間0.2s。觀察并記錄MOSFET的工作波形（電壓，電流波形），

2、輸出整流二極管的工作波形（電壓，電流波形），輸出電壓波形。MOSFET的工作波形（電壓，電流波形）整流二極管的工作波形（電壓，電流波形）輸出電壓波形Vo由上圖可得輸出電壓穩(wěn)態(tài)值為Vo=4.212V，紋波電壓為Vo= 0.0655V選擇占空比D=53%時(shí)，輸出電壓穩(wěn)態(tài)值為Vo=5.006VMOSFET的工作波形（電壓，電流波形）整流二極管的工作波形（電壓，電流波形）輸出電壓穩(wěn)態(tài)值為Vo=5.006V，紋波電壓為Vo= 0.0828 V§ 2.小負(fù)載的仿真。R=10歐姆, C=4700uf仿真時(shí)間0.5s。選擇合適占空比,使得輸出電壓為5V 。觀察并記錄MOSFET的工作波形（電壓，電流

3、波形），輸出整流二極管的工作波形（電壓，電流波形），輸出電壓波形。當(dāng)占空比為D=35.85%時(shí)，輸出電壓Vo=5.001VMOSFET的工作波形（電壓，電流波形）整流二極管的工作波形（電壓，電流波形）輸出電壓波形由上圖可得輸出電壓穩(wěn)態(tài)值為Vo=5.001V，紋波電壓為Vo= 0.0076V§ 通過(guò)仿真分析，選擇合適的功率管和整流二極管(耐壓，耐流)。二極管的選取要根據(jù)原邊的(交流電壓峰值匝比+輸出電壓）+百分之二十的最高電壓+百分之十到二十的余量二極管最終選取電壓值由滿負(fù)載仿真情況，功率管耐壓值為100V，耐流值為8A二極管耐壓值為20V，耐流值為30A附錄:Script:Flyba

4、ck.msubplot(2,1,1)plot(MOSFET.MOSFET_voltage)axis(0.075,0.0766,-10,70)xlabel('Time/s')ylabel('MOSFET voltage/V')title('MOSFET voltage')subplot(2,1,2)plot(MOSFET.MOSFET_current)axis(0.075,0.0766,-0.5,1)xlabel('Time/s')ylabel('MOSFET current/A')title('MOSFET

5、 current')figure(2)subplot(2,1,1)plot(Diode.Diode_voltage)axis(0.0513,0.0521,-12,2)xlabel('Time/s')ylabel('Diode voltage/V')title('Diode voltage')subplot(2,1,2)plot(Diode.Diode_current)axis(0.0513,0.0521,-1,4)xlabel('Time/s')ylabel('Diode current/A')title('Diode current')figure(3)plot(Vo)axis(0.1796,0.181,4.996,5.006)xlabel