薄膜熱電偶傳感器

1、薄膜熱電偶溫度傳感器綜述摘 要: 隨著低維材料技術(shù)的發(fā)展和對(duì)測(cè)溫要求的提高，薄膜熱電偶溫度傳感器應(yīng)運(yùn)而生，其快速響應(yīng)特性為測(cè)量瞬變溫度提供了可能。著重介紹了薄膜臨界厚度的確定、擴(kuò)散現(xiàn)象的影響、制備工藝、靜態(tài)標(biāo)定方法、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)定等關(guān)鍵技術(shù)，并對(duì)其未來(lái)發(fā)展做出了展望。關(guān)鍵詞: 薄膜熱電偶; 賽貝克效應(yīng); 尺寸效應(yīng); 擴(kuò)散; 動(dòng)態(tài)標(biāo)定引言：在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，各種材料低維化已經(jīng)成為了材料科學(xué)發(fā)展的重要趨勢(shì)之一，大量不同功能的薄膜材料已經(jīng)在工業(yè)生產(chǎn)中得到了越來(lái)越多的應(yīng)用，而薄膜熱電偶溫度傳感器正是隨著薄膜材料技術(shù)發(fā)展而出現(xiàn)的新型傳感器。與普通體塊型熱電偶相比，薄膜熱電偶具有典型的二維特性，其熱

2、結(jié)點(diǎn)厚度為微納米量級(jí)，因此，具有熱容量小、響應(yīng)迅速等1優(yōu)點(diǎn)，能夠準(zhǔn)確測(cè)量瞬態(tài)溫度變化。目前，國(guó)內(nèi)關(guān)于薄膜熱電偶溫度傳感器的研究工作主要集中在制備工藝的研究和傳感器的標(biāo)定上面。隨著薄膜制備技術(shù)日趨多樣化，熱電偶薄膜的制備工藝也越來(lái)越復(fù)雜，工藝的優(yōu)劣將直接關(guān)系到薄膜熱電偶溫度傳感器的各項(xiàng)性能指標(biāo)，因此，研究制備工藝在其研究中占據(jù)非常重要的地位。到目前為止，由于缺乏相關(guān)理論基礎(chǔ)和有效的實(shí)驗(yàn)途徑，動(dòng)態(tài)標(biāo)定依然困擾薄膜熱電偶發(fā)展，同時(shí)也是急需解決的關(guān)鍵問(wèn)題。近來(lái)，國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究人員從材料物理性能角度出發(fā)對(duì)薄膜熱電偶展開研究，并取得了一定的研究成果，這些都推動(dòng)了其進(jìn)一步發(fā)展。在此基礎(chǔ)上，本文綜述了薄膜熱電

3、偶溫度傳感器的國(guó)內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀，著重介紹了其發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，以及對(duì)其未來(lái)發(fā)展的展望。1 薄膜熱電偶溫度傳感器的關(guān)鍵技術(shù)1 1 薄膜熱電偶臨界厚度的確定根據(jù)薄膜的尺寸效應(yīng)理論，在厚度方向上由于表面、界面的存在，使物質(zhì)的連續(xù)性具有不確定性。當(dāng)薄膜的厚度小于某一值時(shí)，薄膜連續(xù)性發(fā)生中斷，從而引起電子輸運(yùn)現(xiàn)象發(fā)生變化，因此，薄膜熱電偶的厚度不是越薄越好，而是存在一個(gè)臨界厚度。當(dāng)薄膜厚度 d 大于臨界厚度時(shí)，金屬薄膜電阻率 f與厚度之間存在一定關(guān)系，即 f× d 值與 d呈線性關(guān)系，可以根據(jù)這一關(guān)系來(lái)確定金屬薄膜的臨界厚度。1967 年，美國(guó)肯尼科特公司的 Ledgemont2實(shí)驗(yàn)室就開始

4、對(duì)薄膜熱電偶的尺寸效應(yīng)進(jìn)行研究，他們通過(guò)對(duì)不同膜厚的 Cu/CuNi 薄膜熱電偶的賽貝克系數(shù)進(jìn)行對(duì)比，發(fā)現(xiàn)當(dāng)薄膜熱電極的厚度小于 120 m 時(shí)，其熱電動(dòng)勢(shì)系數(shù)急劇減小，電阻率急劇增大。反之，不僅其熱電動(dòng)勢(shì)系數(shù)與普通體快型熱電偶相當(dāng)，而且熱電動(dòng)勢(shì)響應(yīng)時(shí)間也會(huì)大大減小，小于 1 s。這表明要研究薄膜熱電偶的熱電動(dòng)勢(shì)系數(shù)和響應(yīng)時(shí)間，首先需要確定薄膜的臨界厚度。1 2 擴(kuò)散現(xiàn)象對(duì)薄膜熱電偶性能的影響薄膜熱電偶溫度傳感器的工作核心是由 2 個(gè)熱電極薄膜相互搭接而成的熱結(jié)點(diǎn)，不同于體塊型熱電偶，由于薄膜材料之間普遍存在相互擴(kuò)散的現(xiàn)象，而這種金屬薄膜之間的相互擴(kuò)散勢(shì)必會(huì)對(duì)薄膜的各項(xiàng)性能產(chǎn)生影響，因此，研究

5、薄膜熱電偶電極材料之間的擴(kuò)散現(xiàn)象對(duì)于研制薄膜熱電偶傳感器具有重要意義。在薄膜熱電偶的熱結(jié)點(diǎn)處，兩層金屬薄膜之間所形成的界面通常既不是完全混亂，也不完全有序，而是一種相當(dāng)復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。在界面中會(huì)產(chǎn)生各種各樣的缺陷，如空位、替位或填隙雜質(zhì)等，而這些缺陷會(huì)通過(guò)擴(kuò)散向金屬薄膜的內(nèi)部轉(zhuǎn)移。金屬薄膜相互擴(kuò)散現(xiàn)象通常可分為可互溶的單晶薄膜擴(kuò)散和多晶薄膜間的擴(kuò)散兩種類型，金屬薄膜之間的擴(kuò)散類型不同所導(dǎo)致的費(fèi)米能級(jí)的變化也不同，進(jìn)而引起不同的電學(xué)特性的改變。如3金屬多晶 AgAu 雙層膜之間，在室溫下會(huì)發(fā)生明顯的相互擴(kuò)散現(xiàn)象。這主要是由于缺陷短路效應(yīng)所引起的，即 Au 沿著 Ag 的晶粒界面擴(kuò)散，進(jìn)而引起薄膜界面

6、之間的勢(shì)壘。此外，為了避免金屬基底與金屬薄膜之間的相互擴(kuò)散，大連理工大學(xué)的賈穎等人4在W18Cr 高速鋼刀頭上鍍制 NiCr / NiSi 薄膜熱電偶之前，先在刀頭上鍍了一層 SiO2薄膜，其作用除了起到絕緣的作用外，同時(shí)也是為了阻擋刀頭的金屬元素?cái)U(kuò)散到熱電偶薄膜當(dāng)中，影響薄膜熱電偶性能。1 3 薄膜熱電偶制備工藝的研究當(dāng)前制備功能薄膜的技術(shù)很多，主要是物理氣相沉積( PVD) 和化學(xué)氣相沉積( CVD) 兩大類方法5。不同的薄膜制備技術(shù)各有其特點(diǎn)，其中，屬于物理氣相法的濺射鍍膜技術(shù)，由于具有高速、低溫、低損傷等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還可以很好地解決熱電極材料在熱結(jié)點(diǎn)處的交叉復(fù)合等問(wèn)題，所以，非常適合用來(lái)

7、制備熱電偶薄膜。同時(shí)，薄膜在制備過(guò)程中不可避免會(huì)產(chǎn)生各種各樣的缺陷，這些缺陷會(huì)影響薄膜熱電偶的電學(xué)性能，而熱處理則可以有效地消除缺陷，改善薄膜的內(nèi)部組織，提高其性能，所以，薄膜的熱處理工藝也是薄膜熱電偶制備工藝重要的研究領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)外在這方面都做了大量的研究工作，如 NIST 的Kreider K G 等人6，7，研究了反應(yīng)濺射方法沉積透明導(dǎo)電的氧化銦錫和氧化銻錫熱電偶薄膜的工藝參數(shù)和相應(yīng)的后續(xù)熱處理工藝對(duì)薄膜熱電偶性能的影響。他們通過(guò)控制工藝參數(shù)制成了薄膜電阻率為0 0010 1·cm 的不同薄膜熱電偶，并對(duì)其進(jìn)行不同工藝的熱處理。經(jīng)過(guò)靜態(tài)標(biāo)定后發(fā)現(xiàn)其賽貝克系數(shù)分布在 12 80 V

8、/ 之間。這表明，基片溫度、濺射氣氛、濺射速率、沉積均勻性等鍍膜工藝參數(shù)和后續(xù)熱處理工藝對(duì)控制薄膜的電阻率與熱電勢(shì)系數(shù)都是非常重要的。82 薄膜傳感器的靜態(tài)標(biāo)定2.1 熱電偶的靜態(tài)標(biāo)定方法靜態(tài)標(biāo)定又稱為分度，是確定熱電動(dòng)勢(shì)與溫度對(duì)應(yīng)關(guān)系的方法，一般有純金屬定點(diǎn)法、比較法、黑體空腔法等幾種。純金屬定點(diǎn)法是利用純金屬相變過(guò)程中的平衡點(diǎn)進(jìn)行分度的方法，這些平衡點(diǎn)在國(guó)際溫標(biāo)中規(guī)定了統(tǒng)一的溫度數(shù)值。比較法是將高級(jí)別標(biāo)準(zhǔn)熱電偶和待檢熱電偶一起放置于均勻溫度場(chǎng)中并進(jìn)行比較的分度方法。該方法具有設(shè)備簡(jiǎn)單易操作，測(cè)量電勢(shì)值，計(jì)算簡(jiǎn)單、結(jié)果直觀，一次可分度多只傳感器，標(biāo)準(zhǔn)器和被檢傳感器種類可以不同等優(yōu)點(diǎn)9。比較法

9、是目前最常用的標(biāo)定方法。黑體空腔法，是在臥式電阻爐最高溫區(qū)的均勻溫場(chǎng)內(nèi)放置一個(gè)黑體空腔，空腔一端安放被檢熱電偶，另一端為標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)高溫計(jì)的測(cè)量窗口，使電阻爐恒定某一溫度點(diǎn)，用標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)高溫計(jì)測(cè)量黑體空腔底部的高亮溫度，同時(shí)測(cè)出被檢熱電偶的熱電動(dòng)勢(shì)，黑體空腔法常用于高溫?zé)犭娕嫉姆侄?，分度時(shí)可以采取任意分度點(diǎn)，但是分度的準(zhǔn)確度受黑體空腔的發(fā)射率和標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)高溫計(jì)準(zhǔn)確度的影響，計(jì)算方法比較復(fù)雜10。恒溫槽中分度屬于比較法的一種，不同的是該方法可將待檢熱電偶放在恒溫槽中與標(biāo)準(zhǔn)儀器比較。例如，0300時(shí)，一般用標(biāo)準(zhǔn)水銀溫度計(jì)進(jìn)行比較。成套分度是將被檢熱電偶與顯示儀表配套連接，作為一個(gè)整體進(jìn)行分度，該方法可以確

10、定熱電偶測(cè)量系統(tǒng)的綜合誤差。本課題采用比較法對(duì)所研制的傳感器進(jìn)行靜態(tài)標(biāo)定，測(cè)試并比較標(biāo)準(zhǔn)器與被檢熱電偶在不同溫度點(diǎn)的電勢(shì)值。2.1.1 標(biāo)定注意事項(xiàng)如果精度不高的熱電偶，標(biāo)定過(guò)程相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單；對(duì)于高精度的熱電偶傳感器，標(biāo)定時(shí)應(yīng)該注意以下幾個(gè)難點(diǎn)：（1）標(biāo)準(zhǔn)器的精度和穩(wěn)定性。應(yīng)該盡選擇高精度，高穩(wěn)定性的標(biāo)準(zhǔn)器；（2）熱源的精度、穩(wěn)定性及波動(dòng)標(biāo)定過(guò)程中，熱源要分梯度提供一系列的溫度點(diǎn)，常用的標(biāo)定設(shè)備有酒精槽、水浴槽、油浴槽和檢定爐。溫控儀的顯示速度一般很慢，而薄膜熱電偶傳感器能檢測(cè)到微弱的信號(hào)變化，容易受到干擾發(fā)生波動(dòng)。因此應(yīng)該選用穩(wěn)定性好、波動(dòng)小、誤差小的熱源，并且等待熱源設(shè)備的顯示溫度完全

11、穩(wěn)定后再讀數(shù)。（3）信號(hào)采集速度及采集精度絲狀熱電偶靈敏度較差，輸出熱電勢(shì)相對(duì)穩(wěn)定，可以直接讀數(shù)。對(duì)于響應(yīng)速度快、靈敏度高的薄膜熱電偶傳感器來(lái)說(shuō)，其輸出熱電勢(shì)隨熱源波動(dòng)較大，直接讀數(shù)存在很大的困難。因此，薄膜熱電傳感器進(jìn)行靜態(tài)標(biāo)定時(shí)，應(yīng)該采用采集速度較快的數(shù)據(jù)采集卡進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄，并對(duì)采集數(shù)據(jù)進(jìn)行剔除粗大誤差及求均值等處理。2.2 標(biāo)定過(guò)程及裝置為了更好地評(píng)價(jià)所制備的金-鉑薄膜熱電偶傳感器的靜態(tài)性能指標(biāo)，按照J(rèn)JG 542-1997 金-鉑熱電偶檢定規(guī)程的要求，對(duì)金-鉑薄膜熱電偶進(jìn)行靜態(tài)標(biāo)定。由于加熱過(guò)程所限，分別使用水槽、油槽和恒溫槽對(duì)傳感器進(jìn)行分區(qū)間的靜態(tài)標(biāo)定，即 0100采用水槽標(biāo)定，10

12、0300采用油槽標(biāo)定，300500采用檢定爐標(biāo)定。標(biāo)定裝置參數(shù)如下：（1）Pt100 標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻一支；（2）金-鉑熱電偶一支；（3）WS-I 水槽（波動(dòng)度：0.01/5min）；（4）HWY-I 油槽（波動(dòng)度：0.01/5min）；（5）YG-3 檢定爐（使用溫度：3001300）；（6）恒溫冰點(diǎn)器一臺(tái)；（7）HP34970A 高精度采集卡（位數(shù)：6 位半，測(cè)量范圍：100mV1000V，最小分辨率：0.1V）。按照不同的設(shè)定溫度，把待檢傳感器和標(biāo)準(zhǔn)器的測(cè)量端依次放入標(biāo)準(zhǔn)恒溫水槽、標(biāo)準(zhǔn)恒溫油槽和檢定爐中，將參考端放入冰點(diǎn)器中。設(shè)定熱源溫度，待溫度達(dá)到設(shè)定值，并且誤差恒定在±1內(nèi)，溫度

13、波動(dòng)不大于 0.05時(shí)，用 6 位半數(shù)據(jù)采集卡記錄被測(cè)薄膜熱電偶傳感器的熱電勢(shì)值。2.3 標(biāo)定結(jié)果及精度分析靜特性表示傳感器處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)的輸入輸出關(guān)系，由于存在遲滯、蠕變、摩擦以及外界環(huán)境的影響，一般不會(huì)符合線性關(guān)系。本課題針對(duì)傳感器的準(zhǔn)確度、不確定度、重復(fù)性及工藝的一致性等指標(biāo)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)和評(píng)價(jià)。2.3.1 準(zhǔn)確度實(shí)驗(yàn)及結(jié)果試驗(yàn)溫度為室溫500，將待檢金-鉑薄膜熱電偶（標(biāo)記為 1#）與標(biāo)準(zhǔn)熱電偶，依次放入水槽、油槽和檢定爐中，每隔 10調(diào)節(jié)熱源并設(shè)定溫度，等待30min，待溫度穩(wěn)定后讀取數(shù)據(jù)采集卡中的記錄，數(shù)據(jù)記錄于表 3.1 中。表 3.1 1#熱電偶靜態(tài)標(biāo)定結(jié)果按照不同的溫度區(qū)間，將 1#

14、待檢熱電偶的輸出熱電勢(shì)與標(biāo)準(zhǔn)熱電勢(shì)值直接擬合于圖 3.1 中。從圖中可以看出，被檢與標(biāo)準(zhǔn)的輸出熱電勢(shì)接近，其中中溫段的誤差較小。圖 3.1 1#金-鉑薄膜熱電偶靜態(tài)標(biāo)定擬合曲線圖 3.1 1#金-鉑薄膜熱電偶靜態(tài)標(biāo)定擬合曲線2.3.2 準(zhǔn)確度分析工業(yè)上常用最大引用誤差作為判斷準(zhǔn)確度等級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)，用最大引用誤差百分?jǐn)?shù)的分子作為系統(tǒng)（或檢測(cè)儀器）精度等級(jí)的標(biāo)志11。本課題采用最大引用誤差來(lái)評(píng)價(jià)傳感器的精度，其計(jì)算公式如下：根據(jù)上述公式，可以計(jì)算出被檢金-鉑薄膜熱電的最大誤差為 0.88% 。2.3.3 不確定度分析靜態(tài)測(cè)量的不確定度是指?jìng)鞲衅髟谄淙砍虄?nèi)任一點(diǎn)的輸出值與理論值的可能偏離程度，求取方法

15、為把輸出數(shù)據(jù)與擬合直線上的對(duì)應(yīng)值的殘差看成是隨機(jī)分布，求其標(biāo)準(zhǔn)偏差 。不確定的 A 類評(píng)定是用對(duì)觀測(cè)列進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析的方法來(lái)評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)不確定度的方法，A 類標(biāo)準(zhǔn)不確定度用實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)差表征，評(píng)定方法主要有貝塞爾法、極差法、最小二乘法等。其中，貝塞爾法最為常見，該方法的特點(diǎn)就是利用殘余誤差平方和來(lái)對(duì)方差2 作出估計(jì)。表征測(cè)量結(jié)果分散性的量，稱為實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)偏差，簡(jiǎn)稱標(biāo)準(zhǔn)誤差或標(biāo)準(zhǔn)差，貝塞爾公式計(jì)算下的標(biāo)準(zhǔn)差（或 S）如下：其中，y i為各測(cè)試點(diǎn)的殘差； 為被測(cè)量的算術(shù)平均值；n 為測(cè)試次數(shù)。算術(shù)平均值的實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)差如下：靜態(tài)不確定度表示如下：根據(jù)上式可以計(jì)算得出，所研制薄膜熱電偶傳感器的標(biāo)準(zhǔn)偏差為 4.393

16、，其靜態(tài)測(cè)量的不確定度為±0.208% 。2.3.4 重復(fù)性分析重復(fù)性是評(píng)價(jià)傳感器是否能夠長(zhǎng)期保持穩(wěn)定工作的一個(gè)重要指標(biāo)，一般是考察傳感器按同一方向做全量程連續(xù)多次輸入時(shí)輸出的不一致程度。為了測(cè)試所研制薄膜熱電偶傳感器的重復(fù)性，將 1#傳感器在 0500重復(fù)進(jìn)行 8 次測(cè)試，按照不同的溫度段依次放入不同的加熱裝置中，每隔 50設(shè)置加熱溫度，讀數(shù)記錄于表 3.3 中。表 3.3 重復(fù)性實(shí)驗(yàn)結(jié)果將 8 次重復(fù)性實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)直接擬合于圖 3.3 中，通過(guò)擬合曲線可以看出，所研制的金-鉑薄膜熱電偶傳感器在 8 次實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)了較好的重復(fù)性和穩(wěn)定性。圖 3.3 重復(fù)性實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合重復(fù)性誤差屬于隨機(jī)

17、誤差，其計(jì)算公式如下：其中，R 為重復(fù)性誤差；max 為最大標(biāo)準(zhǔn)差； YFS 為滿量程值。標(biāo)準(zhǔn)差可按貝塞爾公式計(jì)算，如下式所示：式中， yi 與yj 分別表示各個(gè)校準(zhǔn)級(jí)別上的第 i 次和第 j 次測(cè)量。但是，比較常見的計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)偏差的方法是極差法。本課題采用極差法計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)偏差，計(jì)算得出輸出熱電勢(shì)的最大標(biāo)準(zhǔn)差為 29.5；根據(jù)上式計(jì)算得出，所研制薄膜熱電偶傳感器的最大重復(fù)性誤差為 0.492%，即傳感器的重復(fù)性約為99.51% 。2.3.5 一致性測(cè)定取同一批次生產(chǎn)的三支金-鉑薄膜熱電偶（標(biāo)號(hào)為 1#、2#和 3#）進(jìn)行比較，實(shí)驗(yàn)所用儀器設(shè)備同上，實(shí)驗(yàn)溫度為 0500，每隔 50設(shè)置溫度點(diǎn)并讀數(shù)。

18、將三支熱電偶的輸出熱電勢(shì)記錄于表 3.4 中。表 3.4 一致性實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)將一致性實(shí)驗(yàn)結(jié)果擬合于圖 3.4 中，通過(guò)擬合曲線可以看出，所測(cè)試的三支金-鉑熱電傳感器在實(shí)驗(yàn)中保持了較好的一致性；通過(guò)誤差的計(jì)算公式可知，三次實(shí)驗(yàn)的一致性誤為 0.617%，即工藝的一致性約為 99.38%，制備工藝具備良好重復(fù)性和可移植性。圖 3.4 一致性結(jié)果擬合曲線2.4 傳感器的誤差分析及補(bǔ)償2.4.1 誤差來(lái)源分析（1）已定系統(tǒng)誤差：薄膜熱電偶材料不均引起的測(cè)溫誤差；（2）傳遞誤差：用比較法標(biāo)定熱電偶時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)器也會(huì)存在一定的誤差；（3）熱電偶分度引起的溫度誤差：曲線擬合產(chǎn)生的非線性誤差；（4）補(bǔ)償導(dǎo)線引起的測(cè)溫

19、誤差：中間溫度或中間導(dǎo)體帶來(lái)的誤差；包括兩個(gè)部分：一是由于補(bǔ)償導(dǎo)線與熱電偶冷端溫度不一致引起的；二是由于補(bǔ)償導(dǎo)線與熱電偶熱電特性不同引起的。由于尺寸效應(yīng)，第二部分比較大。根據(jù)誤差分析與處理理論，系統(tǒng)誤差按照代數(shù)和法合成，未定系統(tǒng)誤差及隨機(jī)誤差均按方根法合成。2.4.2 補(bǔ)償方法研究熱電偶電勢(shì)與電極材料及接點(diǎn)溫度有關(guān)。分度時(shí)一般都以 0為參考溫度。實(shí)際測(cè)溫很難長(zhǎng)時(shí)間保持該參考溫度，必須采取修正或補(bǔ)償措施。主要方法有：（1）冰點(diǎn)器法。用清潔的水制成的冰屑和清潔的水相混合放在保溫瓶中，使水面略低于冰屑面，實(shí)現(xiàn)的冰點(diǎn)平衡溫度可以認(rèn)為是 0。（2）熱電動(dòng)勢(shì)補(bǔ)正法。根據(jù)中間溫度定律，測(cè)得熱電動(dòng)勢(shì)EAB （

20、T , T n T0）加上E AB （T n , T0）就可得所需的電勢(shì)EAB（T, T n , T0）。EAB（T n , T0）的值可在分度表直接查出，或由實(shí)驗(yàn)獲得。此方法應(yīng)用于測(cè)量熱電偶輸出為熱電勢(shì)的場(chǎng)合。（3）溫度修正法。該方法針對(duì)于直讀式溫度儀表。采用溫度補(bǔ)正法所帶來(lái)的誤差大于熱電勢(shì)修正法。4）調(diào)儀表起始點(diǎn)法。在儀表開路的情況下，先將儀表起始溫度調(diào)至 Tn，相當(dāng)于實(shí)現(xiàn)給儀表EAB（T n , T0）。測(cè)溫時(shí)，根據(jù)中間溫度定律進(jìn)行折算。123.結(jié)束語(yǔ)薄膜熱電偶溫度傳感器以其快速響應(yīng)特性和較高的測(cè)溫精度，非常適合對(duì)物體表面、小間隙等瞬變溫度測(cè)量，具有廣闊的應(yīng)用前景，但薄膜熱電偶溫度傳感器技術(shù)還有待進(jìn)一步的發(fā)展。參考文獻(xiàn)：1 Liu Yang，Wu Shuang，Zhao YonggangResearch and developing status on temperature senor of thermocoupleJChina Instrumentation，2003，11: 132 陸捷榮基于流形學(xué)習(xí)與 D-S 證據(jù)理論的語(yǔ)音情感識(shí)別研究D鎮(zhèn)江: 江蘇大學(xué)，20103 薛增泉，吳全德，李浩，等薄膜物理M北京: 電子工業(yè)出版社，1991: 1952284 賈 穎，孫寶元，曾其勇，等磁控濺射法制