晶體三極管檢測(cè)方法圖解

1、本文格式為Word版，下載可任意編輯晶體三極管檢測(cè)方法圖解 測(cè)試晶體管的一個(gè)方法是使用晶體管圖示儀。這項(xiàng)技術(shù)是半導(dǎo)體廠家和設(shè)備廠家用來(lái)檢測(cè)選購(gòu)的零件。晶體管圖示儀是用在設(shè)計(jì)試驗(yàn)室，大部分技術(shù)人員并非肯定要用圖示儀。 另外一項(xiàng)在制造和設(shè)計(jì)中心使用的技術(shù)是把晶體管放在一個(gè)特別設(shè)備或測(cè)試電路中。這是一種動(dòng)態(tài)測(cè)試，由于器件是在實(shí)際電壓和信號(hào)條件下工作的。這種測(cè)試方法常常用于反映晶體管放大微弱信號(hào)的力量的VHF和UHF晶體管的噪音指數(shù)測(cè)量。動(dòng)態(tài)測(cè)試揭示了在信號(hào)條件下的功率增益和噪音估量。一些晶體管產(chǎn)生的電子噪音都超過(guò)了微弱信號(hào)，這些晶體管噪音指數(shù)較差。 有些型號(hào)晶體管顯示出功率增益隨時(shí)間漸漸衰減,例如，

2、射頻功率放大器可以使用掩蓋式晶管，這些晶體管有超過(guò)100個(gè)獨(dú)立的放射極，他們可能由于基極-放射極的變化而遭致功率增益逐步衰減。另一個(gè)問(wèn)題是濕氣，他們可以進(jìn)入晶體管外殼，使性能漸漸變差。盡管晶體管性能有可能增加，但不具有典型性。 對(duì)大多數(shù)晶體管都是突然完全失效，一個(gè)或兩個(gè)結(jié)都可能短路，內(nèi)部連結(jié)可能松動(dòng)或由于過(guò)載而燒穿。這種故障很簡(jiǎn)單檢查。大部分壞的晶體管可以通過(guò)用歐姆表檢測(cè)電路或用電壓表檢測(cè)電路來(lái)確定。 一個(gè)好的晶體管有兩個(gè)PN結(jié)。都能通過(guò)歐姆表進(jìn)行檢查，如圖1017所示，一個(gè)PNP晶體管可以看作兩個(gè)具有公共陰極的二極管。基極作為公共陰極。圖1018所示的NPN晶體管可以看作兩個(gè)具有公共陽(yáng)極的二

3、極管。假如用歐姆表能檢測(cè)到兩個(gè)好的二極管，那么這個(gè)晶體管可能是好的。 可以用數(shù)字多用表的測(cè)二極管功能便利地測(cè)試三極管，當(dāng)沒(méi)有相關(guān)數(shù)據(jù)時(shí)這種方法特別有用。下面我們介紹用數(shù)字表的二極管檢測(cè)功能推斷三極管好壞、并區(qū)分NPN與PNP晶體管、鍺管還是硅管、判別E、B、C管腳。 圖1018 PNP三極管的極性 測(cè)量晶體管的第一步是把數(shù)字表開(kāi)關(guān)放置測(cè)二極管檔，兩條表筆連接在晶體管兩個(gè)管腳之間，假如兩條表筆的極性正好使PN結(jié)正向偏置，數(shù)字表顯示的是二極管正向?qū)妷?，如圖1019(a)所示0.67V,是一個(gè)硅PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，假如顯示0.25V表明這是鍺管。將兩條表筆對(duì)調(diào)，如圖1019（b）數(shù)字表顯示1，這表

4、示電壓超量程，這個(gè)PN牢固好的。 假如你恰巧接在一個(gè)好的晶體管的放射極和集電極之間，如圖1020，數(shù)字表在兩種方向上都顯示1。緣由是兩個(gè)PN結(jié)串聯(lián)接在電路中。討論圖1017和圖1018，證明不論集電極和放射極之間是何種極性，都有一個(gè)二極管是反向偏置。 放射極-集電極找到，剩下的一個(gè)引腳就是基極。下面的試驗(yàn)可以判別晶體管是NPN型還是PNP型?，F(xiàn)在把數(shù)字表的負(fù)極連到基極上，把正極依次和其他兩個(gè)管腳接觸，如圖1021所示。兩個(gè)PN結(jié)導(dǎo)通電壓均為0.6V以上，這個(gè)晶體管就是PNP型硅管，且該管是好的。把正極連到基極，把負(fù)極依次和剩下的兩個(gè)管腳接觸，如圖10-21（b）所示，兩個(gè)方向都是0.67V,那

5、么這個(gè)晶體管就是硅NPN型的。 依據(jù)前面的試驗(yàn)，我們已知該管是鍺的還是硅的、是PNP還是NPN并且已經(jīng)知道了基極，但還不知道C或E,幾乎全部的DMM都帶有測(cè)量電流增益的功能，表面上標(biāo)的hFE,管腳插孔上標(biāo)有NPN、PNP、E、B、C等信息。用測(cè)電流增益法可以推斷C、E極，這時(shí)先將已確定的基極插入插孔B,C、E極則用試驗(yàn)確定。如圖圖1022（a）那樣，假如E、C插入正確，將顯示一個(gè)大的值，假如E、C插入不正確，如圖圖1022（b）那樣將顯示一個(gè)很小的值。這樣最多經(jīng)過(guò)兩次測(cè)量就能確定C和E。 通過(guò)這個(gè)試驗(yàn)，你可得到另一條閱歷，原理上三極管的C、E間是相同的兩個(gè)倒接的二極管，但使用時(shí)不行顛倒，否則將

6、失去電流放大力量。 數(shù)字多用表現(xiàn)在特別普遍，在系統(tǒng)調(diào)試和故障排解中用途很廣。通過(guò)簡(jiǎn)潔的試驗(yàn)，把握它的使用技巧是一種很重要基本技能訓(xùn)練。 圖1023顯示用歐姆表檢測(cè)一個(gè)NPN晶體管增益的原理。歐姆表的正極直接連在集電極上。集電極是反向偏置。然而，歐姆表的正極還必需通過(guò)一個(gè)大電阻連到基極使基極正向偏置。雖然大的電阻供應(yīng)很小基極電流，但是假如晶體管有增益，放射極-集電極電流會(huì)很大。電流是由歐姆表供應(yīng)的，歐姆表顯示低電阻。數(shù)字表測(cè)量的原理與圖1023所示的方法相同，只是數(shù)據(jù)顯示方法不同。 晶體管有漏電流。這是由少數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。晶體管中一種漏電流稱(chēng)為ICBO（符號(hào)I代表電流，CB代表集電極基極結(jié)，

7、O告知我們放射極斷開(kāi)），這就是放射極斷開(kāi)時(shí)流過(guò)反向偏置的集-基結(jié)的電流。另一種晶體管漏電流是ICEO（符號(hào)I代表電流，CE代表集電極放射極，O告知我們基極斷開(kāi)）。ICEO是最大的漏電流，是ICBO的放大形式： ICEO=×ICBO 由于基極斷開(kāi)，任何一個(gè)漏過(guò)反向偏置的集-基PN結(jié)的電流的作用都和外部在基極-放射極加電流IB的作用相同?；鶚O斷開(kāi)時(shí)，使基極電流無(wú)法流淌，晶體管會(huì)把它當(dāng)作基極電流加以放大： IC=×IB 硅晶體管具有很小的漏電流。用歐姆表測(cè)試時(shí)，歐姆表顯示的阻值為無(wú)限大。任何較小的值說(shuō)明晶體管可能是壞的。鍺晶體管具有大得多的漏電流，反向電阻值比硅管小得多。當(dāng)檢查放

8、射極到集電極這一點(diǎn)很明顯。這是由于ICEO是ICBO放大倍的結(jié)果。 圖1024顯示了封裝在TO204（以前是TO3）中的達(dá)林頓管。一個(gè)達(dá)林頓管實(shí)際上是為了得到大的電流增益把兩個(gè)晶體管連在一起。MJ3000理論上最小的hFE為1000，但實(shí)際上接近4000。留意圖1024中左邊晶體管的放射極掌握右邊晶體管的基極。從B端到C端的電流增益大約等于兩個(gè)晶體管增益之積。假如每個(gè)晶體管的電流增益為50： hFE（BOTH）=hFE（1）×hFE（2）=50×50=2500 用數(shù)字表測(cè)量圖1024三極管，可能產(chǎn)生誤會(huì)。數(shù)字表在B、E結(jié)的兩個(gè)方向上都將測(cè)得2 k的電阻，但不能說(shuō)PN結(jié)損壞。另外，留意集電極和放射極通常不能區(qū)分，由于內(nèi)部有附加的二極管。假如你了解這些狀況，那么數(shù)字表測(cè)試還是能推斷達(dá)林頓管的好壞。 通過(guò)數(shù)字表測(cè)量可以得到許多信息。不便利的是，常常要將晶體管從電路取出。有時(shí)技術(shù)人員需要檢測(cè)電路中的晶體管，在線(xiàn)檢測(cè)常常用其他方法完成。當(dāng)電路中的晶體管壞了時(shí)，晶體管管腳電壓常常會(huì)有變化，這時(shí)可以用電壓測(cè)量發(fā)覺(jué)，這叫做電壓分析。另外一種在線(xiàn)檢測(cè)是用示波器檢查晶體管輸入輸出信號(hào)（信號(hào)跟蹤）。一個(gè)壞的晶體管可能會(huì)有輸入信號(hào)，但沒(méi)有輸出信號(hào)。 總之，在線(xiàn)路中檢測(cè)晶體管可以通過(guò)四種方法實(shí)現(xiàn)（還有其他方法）：