ELA基礎(chǔ)介紹PPT課件

1、2021/3/91ELA基礎(chǔ)知識(shí)介紹Array-MFG2015/09/10Locfe南城2021/3/92Outline1. ELA與LTPS制程2. 準(zhǔn)分子激光退火系統(tǒng)3. ELA工藝技術(shù)4. ELA工藝測(cè)試2021/3/93準(zhǔn)分子就是一種處于激發(fā)態(tài)的復(fù)合粒子，在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，即在基態(tài)時(shí)，它處于分離狀態(tài)，而在激發(fā)態(tài)處于分子狀態(tài)。常見(jiàn)的準(zhǔn)分子有：XeF*、KrF*、ArF*、XeCl*、XeBr* 2021/3/94準(zhǔn)分子激光對(duì)應(yīng)的紫外波段，a-Si薄膜對(duì)紫外光有大的吸收系數(shù)紫外光的注入深度較小，可以減小激光對(duì)玻璃基板的作用2021/3/952021/3/962021/3/972021/3/98

2、 2. 準(zhǔn)分子激光退火系統(tǒng)(2) 準(zhǔn)分子激光原理、結(jié)構(gòu)及參數(shù) (1) 準(zhǔn)分子激光退火系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)(3) 光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成簡(jiǎn)介(4)退火腔結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介2021/3/99ELA系統(tǒng)基本組成2021/3/910TCZ & JSW ELA System overviewELA System overview2021/3/911激光器原理2021/3/912激光器原理2021/3/9132021/3/914Laser tube design2021/3/915LasingIon branchDischarge Xe，F(xiàn)2Xe，Xe* ，Xe+ ，F(xiàn)2 ，F(xiàn)-Xe*，F(xiàn)2 Xe+ ，F(xiàn)-(XeF)*Xe，F(xiàn)

3、Neutral branch351 nme- + XeXe+ + e- + e-e- + XeXe*+ e- e- + F2F- + FXe+ + F-+ M(XeF)*+ MXe*+ F2 (XeF)*+ FPumping:Stimulated:(XeF)* + hXe + F +2h (351nm)Losses:(XeF)*Xe + F+h (351nm)(XeF)* + MXe + F + M(XeF)* + M + XeXe2F + MX + h(351nm)X*2021/3/9162021/3/917Gas lifetime2021/3/918準(zhǔn)分子激光原理、結(jié)構(gòu)及參數(shù)準(zhǔn)分子激光原理

4、、結(jié)構(gòu)及參數(shù)- -參數(shù)參數(shù)2021/3/919準(zhǔn)分子激光原理、結(jié)構(gòu)及參數(shù)準(zhǔn)分子激光原理、結(jié)構(gòu)及參數(shù)- -參數(shù)參數(shù)Peak to Peak Energy Fluctuation2021/3/920準(zhǔn)分子激光原理、結(jié)構(gòu)及參數(shù)準(zhǔn)分子激光原理、結(jié)構(gòu)及參數(shù)- -參數(shù)參數(shù)Pulse duration2021/3/921Pulse duration2021/3/922準(zhǔn)分子光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)介準(zhǔn)分子光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)介光學(xué)系統(tǒng)示意圖2021/3/923準(zhǔn)分子光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)介準(zhǔn)分子光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)介Monitor system示意圖2021/3/924準(zhǔn)分子光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)介準(zhǔn)分子光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)介Beam Short Axis & Lo

5、ng Axis2021/3/925Short Axis Slope準(zhǔn)分子光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)介準(zhǔn)分子光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)介2021/3/926退火腔結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介退火腔結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介退火腔室結(jié)構(gòu)2021/3/927退火腔結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介退火腔結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介Scan Process2021/3/9283. ELA工藝技術(shù)(1)晶化機(jī)制(2)主要參數(shù)2021/3/929薄膜吸收與加熱薄膜吸收與加熱薄膜表層熔融薄膜表層熔融熱能傳導(dǎo)熱能傳導(dǎo)部分熔融部分熔融接近完全熔融接近完全熔融完全熔融完全熔融激光照射激光照射多晶硅晶化過(guò)程2021/3/930晶化機(jī)制2021/3/931主要參數(shù)Energy Density Vs Melt regime2021/

6、3/932主要參數(shù)Overlap Vs PitchOverlap相鄰兩個(gè)shot之間的重合程度Pitch相鄰兩個(gè)shot之間的距離Overlap=(Beam Width-Pitch)/ Beam Width2021/3/933Overlap Vs. Grain Size主要參數(shù)2021/3/934主要參數(shù)CVD Thin Film Concern2021/3/935主要參數(shù)Dehydrogen2021/3/9364. ELA工藝測(cè)試(2) SEM測(cè)試(3) AFM測(cè)試(1) 宏觀(guān)檢查(4) -PCD測(cè)試2021/3/937宏觀(guān)檢查宏觀(guān)檢查-Mura2021/3/938SEM測(cè)試2021/3/939AFM測(cè)試2021/3/940AFM測(cè)試Sur