存儲器實驗報告

1、實驗四 存儲器實驗 實驗報告電商142班 高恒 2014012750實驗目的通過看懂教學計算機中以及經使用的幾個存儲器芯片的邏輯連接關系和用以完成存儲器容量擴展的幾個存儲芯片的布線安排，在教學計算機上設計、實現并調試出存儲器容量擴展的實驗內容。其最終要達到的目的是：1.深入理解計算機內存儲器的功能、組成知識；2.深入地學懂靜態(tài)存儲器芯片的讀寫原理和用他們組成教學計算機存儲系統(tǒng)的方法（即字、位擴展技術），控制其運行的方式。思考并對比靜態(tài)和動態(tài)存儲器芯片在特性和使用場合等方面的同異之處。實驗說明教學計算機存儲器系統(tǒng)由ROM和RAM兩個存儲區(qū)域組成，分別由EPRO芯片（或EEPROM芯片）和RAM芯

2、片構成。TEC-XP教學計算機中還安排了另外幾個存儲器器件插座，可以插上相應存儲器芯片以完成存儲器容量擴展的教學實驗，為此必須比較清楚的了解：1. TEC-XP教學機的存儲器系統(tǒng)的總體組成及其連接關系；2. TEC-XP教學機的有關存儲芯片、I/0接口芯片的片選信號控制和讀寫命令的給出和具體使用辦法；3. RAM和EPROM、EEPROM存儲芯片在讀寫控制、寫入時間等方面的同異之處，并正確建立連線關系和在程序中完成正確的讀寫過程；4. 如何在TEC-XP教學機中使用擴展的存儲器空間并檢查其運行的正確性。實驗步驟 1、檢查擴展芯片插座的下方的插針要按下列要求短接：標有“/MWR”“RD”的插針左

3、邊兩個短接，標有“/MRD”“GND”的插針右邊兩個短接。2、RAM（6116）支持即時讀寫，可直接用A、E 命令向擴展的存儲器輸入程序或改變內存單元的值。 (1) 用E命令改變內存單元的值并用D命令觀察結果。 1) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入： E 2020 屏幕將顯示： 2020 內存單元原值: 按如下形式鍵入： 2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555 2) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 2020屏幕將顯示從2020內存單元開始的值，其中2020H2023H的值為：2222 3333 4444 5555實驗情況如下圖：如下圖：斷電后重新啟

4、動教學實驗機，用D命令觀察內存單位20202023的值。會發(fā)現原來置入到這幾個內存單位的值已經改變，用戶在使用RAM時，必須每次斷電重啟后豆芽平重新輸入程序或修改內存單位的值。實驗情況如下圖：（2）用A命令輸入一段程序，執(zhí)行并觀察結果。1)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：A2000屏幕將顯示：2000：按如下形式鍵入：2000：MVRDR0，AAAA2002：MVRDR1，55552004：ANDR0，R12005：RET2006：2)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：T2000R0的值變?yōu)锳AAAH，其余寄存器的值不變。TR1的值變?yōu)?555H，其余寄存器的值不變。TR0的值變?yōu)?000H，其余寄存器的值

5、不變。實驗情況如下圖：3)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：G2000運行輸入的程序。4)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：R屏幕顯示：R0=0000R1=5555R2=實驗情況如下圖：3、將擴展的ROM芯片（27或28系列或28的替代產品58C65芯片）插入標有“EXTROMH”和“EXTROML”的自鎖緊插座，要注意芯片插入的方向，帶有半圓形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不對，會導致芯片燒毀。然后鎖緊插座。4、將擴展芯片下方的插針按下列方式短接：將標有“/MWR”“PGM”和“RD”的三個插針左面兩個短接，將標有“/MWR”“/OE”“GND”的三個插針左邊兩個短接。5、將擴展芯片上方標有EXTRO

6、MH和EXTROML的“/CS”信號用自鎖緊線短接，然后短接到MEMDC138芯片的上方的標有“40005fff”地址單元。注意：標有/CS的圓孔針與標有MEM/CS的一排圓孔針中的任意一個都可以用導線相連；連接的地址范圍是多少，用戶可用的地址空間就是多少。8、AT28C64B的讀操作和一般的RAM一樣，而其寫操作，需要一定的時間，大約為1 毫秒。因此，需要編寫一延遲子程序，在對EEPROM進行寫操作時，調用該子程序，以完成正確的讀寫。(1) 用E 命令改變內存單元的值并用D命令觀察結果。1) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：E 5000屏幕將顯示： 5000 內存單元原值：按如下形式鍵入：5000

7、 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值：50502) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 5000屏幕將顯示5000H507FH 內存單元的值，從5000 開始的連續(xù)四個內存單元的值依次 為2424 3636 4848 5050。實驗情況如下圖：3) 斷電后重新啟動，用D命令察看內存單元50005003的值，會發(fā)現這幾個單元的值沒有發(fā)生改變，說明EEPROM的內容斷電后可保存。實驗情況如下圖：(2) AT28C64B存儲器不能直接用A 命令輸入程序，單字節(jié)的指令可能會寫進去，雙字節(jié)指令的低位會出錯（建議試一試），可將編寫好的程序用編程器寫入片內；也可將程序放到

8、RAM（6116）中，調用延時子程序，訪問AT28C64B 中的內存地址。下面給出的程序，在5000H500FH 單元中依次寫入數據0000H、0001H、.000FH。 從2000H單元開始輸入主程序：（2000）MVRD R0，0000 MVRD R2，0010 ；R2記錄循環(huán)次數 MVRD R3，5000 ；R3的內容為16 位內存地址（2006）STRR R3，R0 ；將R0寄存器的內容放到R3 給出的內存單元中 CALA 2200 ；調用程序地址為2200的延時子程序 INC R0 ；R0加1 INC R3 ；R3加1 DEC R2 ；R2減1 JRNZ 2006 ；R2不為0跳轉到2006H RET從2200H 單元開始輸入延時子程序：（2200）PUSH R3 MVRD R3，FFFF（2203）DEC R3 JRNZ 2203 POP R3 RET實驗情況如下圖：運行主程序，在命令提示符下輸入：G 2000。輸出結果：程序執(zhí)行結束后，在命令提示符下輸入：D 5000；可看到從5000H開始的內存單元的值變?yōu)?000：0000 0001 0002 0003 0004 0005 0006 00075008：0008 0009 00