全面梳理Micro LED的歷史與現(xiàn)狀

1、全面梳理micro LED的歷史和現(xiàn)狀2018年能量產(chǎn)嗎？2016-08-04 06:38:00來源： LED網(wǎng)2016年以來，micro LED逐漸進入LED行業(yè)圈子，近日聽到了micro LED將于2018年量產(chǎn)的消息。為了更全面的了解micro LED市場與技術(shù)的發(fā)展，對micro LED的歷史、現(xiàn)況、原理、制程及參與企業(yè)等方面做了全面梳理。歷史說起Micro LED，先得從顯示TFT-LCD背光模組應(yīng)用說起。在1990年代TFT-LCD開始蓬勃發(fā)展時，因LED具有高色彩飽和度、省電、輕薄等特點，部分廠商就利用LED做背光源。然因成本過高、散熱不佳、光電效率低等因素，并未大量應(yīng)用于TFT

2、-LCD產(chǎn)品中。直到2000年，藍(lán)光LED芯片刺激熒光粉制成白光LED技術(shù)的制程、效能、成本開始逐漸成熟；當(dāng)進入2008年，白光LED背光模組呈現(xiàn)爆發(fā)性的成長，幾年間幾乎全面取代了CCFL，其應(yīng)用領(lǐng)域由手機、平板電腦、筆電、臺式顯示器乃至電視等等。然而，因TFT-LCD非自發(fā)光的顯示原理所致，其open cell穿透率約在7%以下，造成TFT-LCD的光電效率低落；且白光LED所能提供的色飽和度仍不如三原色LED，大部分TFT-LCD產(chǎn)品約僅72%NTSC；再則，于室外環(huán)境下，TFT-LCD亮度無法提升至1000nits以上，致使影像和色彩辨識度低，為其一大應(yīng)用缺陷。故另一種直接利用三原色LE

3、D做為自發(fā)光顯示點畫素的LED Display或Micro LED Display的技術(shù)也正在發(fā)展中?，F(xiàn)況隨著LED的成熟與演進，Micro LED Display自2010年代起開始有著不一樣的面貌呈現(xiàn)。從其發(fā)展歷程來看，2012年Sony發(fā)表的55寸“Crystal LED Display”就是Micro LED Display技術(shù)類型，其Full HD解析度共使用約622萬(1920x1080x3)顆micro LED做為高解析的顯示畫素，對比度可達(dá)百萬比一，色飽和度可達(dá)140%NTSC，無反應(yīng)時間和使用壽命問題。但是因采單顆Micro LED嵌入方式，在商業(yè)化上，仍有不少的成本與技術(shù)瓶

4、頸存在，以致于迄今未能量產(chǎn)。雖然Micro LED理論上是皆可應(yīng)用各類尺寸產(chǎn)品，但從自身良率及制程來看，目前對解析度高低的需求與良率是成反比，所以對解析度要求不高的穿戴式產(chǎn)品的顯示器因尺寸面積小、制作良率較高、符合節(jié)電需求，而被優(yōu)先導(dǎo)入micro LED。一般LED芯片包含基板和磊晶層其厚度約在100500m，且尺寸介于1001000m。而更進一步正在進行的Micro LED Display研究在于將LED表面厚約45m磊晶層用物理或化學(xué)機制剝離，再移植至電路基板上。其Micro LED Display綜合TFT-LCD和LED兩大技術(shù)特點，在材料、制程、設(shè)備的發(fā)展較為成熟，產(chǎn)品規(guī)格遠(yuǎn)高于目前

5、的TFT-LCD或OLED，應(yīng)用領(lǐng)域更為廣泛包含軟性、透明顯示器，為一可行性高的次世代平面顯示器技術(shù)。自2010年后各廠商積極于Micro LED Display的技術(shù)整合與開發(fā)，然因Micro LED Display尚未有標(biāo)準(zhǔn)的LED結(jié)構(gòu)、量產(chǎn)制程與驅(qū)動電路設(shè)計，各廠商其專利布局更是兵家必爭之地。迄2016年止，已被Apple并購的Luxvue、Mikro Mesa、SONY、leti等公司皆已具數(shù)量規(guī)模的專利申請案，更有為數(shù)眾多的公司與研究機構(gòu)投入相關(guān)的技術(shù)開發(fā)。主要參與開發(fā)的企業(yè)原理Micro LED Display的顯示原理，是將LED結(jié)構(gòu)設(shè)計進行薄膜化、微小化、陣列化，其尺寸僅在11

6、0m等級左右；后將MicroLED批量式轉(zhuǎn)移至電路基板上，其基板可為硬性、軟性之透明、不透明基板上；再利用物理沉積制程完成保護層與上電極，即可進行上基板的封裝，完成一結(jié)構(gòu)簡單的MicroLED顯示。而要制成顯示器，其晶片表面必須制作成如同LED顯示器般之陣列結(jié)構(gòu)，且每一個點畫素必須可定址控制、單獨驅(qū)動點亮。若透過互補式金屬氧化物半導(dǎo)體電路驅(qū)動則為主動定址驅(qū)動架構(gòu)，Micro LED陣列晶片與CMOS間可透過封裝技術(shù)。黏貼完成后Micro LED能藉由整合微透鏡陣列，提高亮度及對比度。Micro LED陣列經(jīng)由垂直交錯的正、負(fù)柵狀電極連結(jié)每一顆Micro LED的正、負(fù)極，透過電極線的依序通電，

7、透過掃描方式點亮Micro LED以顯示影像。Micro LED結(jié)構(gòu)圖Micro LED典型結(jié)構(gòu)是一PN接面二極管，由直接能隙半導(dǎo)體材料構(gòu)成。當(dāng)對MicroLED上下電極施加一正向偏壓，致使電流通過時，電子、空穴對于主動區(qū)復(fù)合，發(fā)射出單一色光。Micro LED光譜主波長的FWHM約20nm，可提供極高的色飽和度，通?？?gt；120%NTSC。而且自2008年以后，LED光電轉(zhuǎn)換效率得到了大幅提高，100 lm/W以上已成量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。因此對于Micro LED顯示的應(yīng)用，因其自發(fā)光的顯示特性，搭配幾乎無光耗元件的簡易結(jié)構(gòu)，就可輕易實現(xiàn)低能耗或高亮度的顯示器設(shè)計。這樣可以可解決目前顯示器應(yīng)用的兩

8、大問題，一是穿戴型裝置、手機、平板等設(shè)備的80%以上的能耗在于顯示器上，低能耗的顯示器技術(shù)可提供更長的電池續(xù)航力；一是環(huán)境光較強致使顯示器上的影像泛白、辨識度變差的問題，高亮度的顯示技術(shù)可使其應(yīng)用的范疇更加寬廣。制程種類及技術(shù)發(fā)展對于半導(dǎo)體與芯片的制程微縮目前已到極限，而在制造上的微縮卻還存在相當(dāng)大的成長空間，對于Micro LED制程上，目前主要呈現(xiàn)分為三大種類：Chip bonding、Wafer bonding和Thin film transfer。三大制程的各自優(yōu)劣勢及廠商Chip bonding（芯片級焊接）：是將LED直接進行切割成微米等級的Micro LED chip(含磊晶薄膜

9、和基板)，利用SMT技術(shù)或COB技術(shù)，將微米等級的Micro LED chip一顆一顆鍵接于顯示基板上。Wafer bonding（外延級焊接）：是在LED的磊晶薄膜層上用感應(yīng)耦合等離子離子蝕刻(ICP)，直接形成微米等級的Micro LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)之固定間距即為顯示畫素所需的間距，再將LED晶圓(含磊晶層和基板)直接鍵接于驅(qū)動電路基板上，最后使用物理或化學(xué)機制剝離基板，僅剩45m的Micro LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)于驅(qū)動電路基板上形成顯示畫素。Thin film transfer（薄膜轉(zhuǎn)移）：是使用物理或化學(xué)機制剝離LED基板，以一暫時基板承載LED磊晶薄膜層，再利用感應(yīng)耦合等離子離

10、子蝕刻，形成微米等級的Micro LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)；或者，先利用感應(yīng)耦合等離子離子蝕刻，形成微米等級的Micro LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)，再使用物理或化學(xué)機制剝離LED基板，以一暫時基板承載LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)。最后，根據(jù)驅(qū)動電路基板上所需的顯示畫素點間距，利用具有選擇性的轉(zhuǎn)移治具，將Micro LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)進行批量轉(zhuǎn)移，鍵接于驅(qū)動電路基板上形成顯示畫素?？偨Y(jié)盡管MicroLED顯示已經(jīng)備受企業(yè)關(guān)注和加大研發(fā)，在規(guī)格上也較LCD具有多重好處，甚至畫質(zhì)上可與OLED相媲美，但是現(xiàn)階段該顯示器發(fā)展并未普及，主要困難點有三，第一在于LED固晶上；以目前已成熟的LED燈條制程為例，在制作一LED燈條尚有壞點等失敗問題發(fā)生，何況是一片顯示器上要嵌入數(shù)百萬顆微型LED。而LCD與OLED已采批次作業(yè)，良率表現(xiàn)相對較佳。第二、LED組件上；覆晶LED適合于Micro LED顯示，因其體積小、易制作成微型化，不需金屬導(dǎo)線、可縮減LED彼此間的間隙等，雖然F