存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)報(bào)告

1、實(shí)驗(yàn)四 存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)報(bào)告電商142班 高恒 2014012750實(shí)驗(yàn)?zāi)康耐ㄟ^(guò)看懂教學(xué)計(jì)算機(jī)中以及經(jīng)使用的幾個(gè)存儲(chǔ)器芯片的邏輯連接關(guān)系和用以完成存儲(chǔ)器容量擴(kuò)展的幾個(gè)存儲(chǔ)芯片的布線(xiàn)安排，在教學(xué)計(jì)算機(jī)上設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)并調(diào)試出存儲(chǔ)器容量擴(kuò)展的實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。其最終要達(dá)到的目的是：1.深入理解計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的功能、組成知識(shí)；2.深入地學(xué)懂靜態(tài)存儲(chǔ)器芯片的讀寫(xiě)原理和用他們組成教學(xué)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法（即字、位擴(kuò)展技術(shù)），控制其運(yùn)行的方式。思考并對(duì)比靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片在特性和使用場(chǎng)合等方面的同異之處。實(shí)驗(yàn)說(shuō)明教學(xué)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)由ROM和RAM兩個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域組成，分別由EPRO芯片（或EEPROM芯片）和RAM芯

2、片構(gòu)成。TEC-XP教學(xué)計(jì)算機(jī)中還安排了另外幾個(gè)存儲(chǔ)器器件插座，可以插上相應(yīng)存儲(chǔ)器芯片以完成存儲(chǔ)器容量擴(kuò)展的教學(xué)實(shí)驗(yàn)，為此必須比較清楚的了解：1. TEC-XP教學(xué)機(jī)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的總體組成及其連接關(guān)系；2. TEC-XP教學(xué)機(jī)的有關(guān)存儲(chǔ)芯片、I/0接口芯片的片選信號(hào)控制和讀寫(xiě)命令的給出和具體使用辦法；3. RAM和EPROM、EEPROM存儲(chǔ)芯片在讀寫(xiě)控制、寫(xiě)入時(shí)間等方面的同異之處，并正確建立連線(xiàn)關(guān)系和在程序中完成正確的讀寫(xiě)過(guò)程；4. 如何在TEC-XP教學(xué)機(jī)中使用擴(kuò)展的存儲(chǔ)器空間并檢查其運(yùn)行的正確性。實(shí)驗(yàn)步驟 1、檢查擴(kuò)展芯片插座的下方的插針要按下列要求短接：標(biāo)有“/MWR”“RD”的插針左

3、邊兩個(gè)短接，標(biāo)有“/MRD”“GND”的插針右邊兩個(gè)短接。2、RAM（6116）支持即時(shí)讀寫(xiě)，可直接用A、E 命令向擴(kuò)展的存儲(chǔ)器輸入程序或改變內(nèi)存單元的值。 (1) 用E命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀(guān)察結(jié)果。 1) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入： E 2020 屏幕將顯示： 2020 內(nèi)存單元原值: 按如下形式鍵入： 2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555 2) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 2020屏幕將顯示從2020內(nèi)存單元開(kāi)始的值，其中2020H2023H的值為：2222 3333 4444 5555實(shí)驗(yàn)情況如下圖：如下圖：斷電后重新啟

4、動(dòng)教學(xué)實(shí)驗(yàn)機(jī)，用D命令觀(guān)察內(nèi)存單位20202023的值。會(huì)發(fā)現(xiàn)原來(lái)置入到這幾個(gè)內(nèi)存單位的值已經(jīng)改變，用戶(hù)在使用RAM時(shí)，必須每次斷電重啟后豆芽平重新輸入程序或修改內(nèi)存單位的值。實(shí)驗(yàn)情況如下圖：（2）用A命令輸入一段程序，執(zhí)行并觀(guān)察結(jié)果。1)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：A2000屏幕將顯示：2000：按如下形式鍵入：2000：MVRDR0，AAAA2002：MVRDR1，55552004：ANDR0，R12005：RET2006：2)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：T2000R0的值變?yōu)锳AAAH，其余寄存器的值不變。TR1的值變?yōu)?555H，其余寄存器的值不變。TR0的值變?yōu)?000H，其余寄存器的值

5、不變。實(shí)驗(yàn)情況如下圖：3)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：G2000運(yùn)行輸入的程序。4)在命令行提示符狀態(tài)下輸入：R屏幕顯示：R0=0000R1=5555R2=實(shí)驗(yàn)情況如下圖：3、將擴(kuò)展的ROM芯片（27或28系列或28的替代產(chǎn)品58C65芯片）插入標(biāo)有“EXTROMH”和“EXTROML”的自鎖緊插座，要注意芯片插入的方向，帶有半圓形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不對(duì)，會(huì)導(dǎo)致芯片燒毀。然后鎖緊插座。4、將擴(kuò)展芯片下方的插針按下列方式短接：將標(biāo)有“/MWR”“PGM”和“RD”的三個(gè)插針左面兩個(gè)短接，將標(biāo)有“/MWR”“/OE”“GND”的三個(gè)插針左邊兩個(gè)短接。5、將擴(kuò)展芯片上方標(biāo)有EXTRO

6、MH和EXTROML的“/CS”信號(hào)用自鎖緊線(xiàn)短接，然后短接到MEMDC138芯片的上方的標(biāo)有“40005fff”地址單元。注意：標(biāo)有/CS的圓孔針與標(biāo)有MEM/CS的一排圓孔針中的任意一個(gè)都可以用導(dǎo)線(xiàn)相連；連接的地址范圍是多少，用戶(hù)可用的地址空間就是多少。8、AT28C64B的讀操作和一般的RAM一樣，而其寫(xiě)操作，需要一定的時(shí)間，大約為1 毫秒。因此，需要編寫(xiě)一延遲子程序，在對(duì)EEPROM進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，調(diào)用該子程序，以完成正確的讀寫(xiě)。(1) 用E 命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀(guān)察結(jié)果。1) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：E 5000屏幕將顯示： 5000 內(nèi)存單元原值：按如下形式鍵入：5000

7、 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值：50502) 在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D 5000屏幕將顯示5000H507FH 內(nèi)存單元的值，從5000 開(kāi)始的連續(xù)四個(gè)內(nèi)存單元的值依次 為2424 3636 4848 5050。實(shí)驗(yàn)情況如下圖：3) 斷電后重新啟動(dòng)，用D命令察看內(nèi)存單元50005003的值，會(huì)發(fā)現(xiàn)這幾個(gè)單元的值沒(méi)有發(fā)生改變，說(shuō)明EEPROM的內(nèi)容斷電后可保存。實(shí)驗(yàn)情況如下圖：(2) AT28C64B存儲(chǔ)器不能直接用A 命令輸入程序，單字節(jié)的指令可能會(huì)寫(xiě)進(jìn)去，雙字節(jié)指令的低位會(huì)出錯(cuò)（建議試一試），可將編寫(xiě)好的程序用編程器寫(xiě)入片內(nèi)；也可將程序放到

8、RAM（6116）中，調(diào)用延時(shí)子程序，訪(fǎng)問(wèn)AT28C64B 中的內(nèi)存地址。下面給出的程序，在5000H500FH 單元中依次寫(xiě)入數(shù)據(jù)0000H、0001H、.000FH。 從2000H單元開(kāi)始輸入主程序：（2000）MVRD R0，0000 MVRD R2，0010 ；R2記錄循環(huán)次數(shù) MVRD R3，5000 ；R3的內(nèi)容為16 位內(nèi)存地址（2006）STRR R3，R0 ；將R0寄存器的內(nèi)容放到R3 給出的內(nèi)存單元中 CALA 2200 ；調(diào)用程序地址為2200的延時(shí)子程序 INC R0 ；R0加1 INC R3 ；R3加1 DEC R2 ；R2減1 JRNZ 2006 ；R2不為0跳轉(zhuǎn)到2006H RET從2200H 單元開(kāi)始輸入延時(shí)子程序：（2200）PUSH R3 MVRD R3，F(xiàn)FFF（2203）DEC R3 JRNZ 2203 POP R3 RET實(shí)驗(yàn)情況如下圖：運(yùn)行主程序，在命令提示符下輸入：G 2000。輸出結(jié)果：程序執(zhí)行結(jié)束后，在命令提示符下輸入：D 5000；可看到從5000H開(kāi)始的內(nèi)存單元的值變?yōu)?000：0000 0001 0002 0003 0004 0005 0006 00075008：0008 0009 00