太陽(yáng)能電池復(fù)習(xí)題-匯總參考

1、文檔供參考，可復(fù)制、編制，期待您的好評(píng)與關(guān)注！ 2011年太陽(yáng)能光伏電池及其應(yīng)用復(fù)習(xí)資料第一章 總論一、填空題：1、人類文明的進(jìn)步與人類社會(huì)工業(yè)化、近代化的變遷，都稱為 和變遷。2、21世紀(jì)文明的宏偉構(gòu)想時(shí)，被稱為最大課題的 問(wèn)題占據(jù)了重要地位。3、人們生活所需的能源可發(fā)分為維持個(gè)人生命的 和 、 及生產(chǎn)活動(dòng)中使用的生活能源兩部分。4、伴隨著能源工業(yè)化的進(jìn)展，人們選擇更方便、更經(jīng)濟(jì)性的能源形態(tài)，也就是說(shuō)，這一技術(shù)革新也是基于 而產(chǎn)生的。5、不同于化石能源的消費(fèi)的原子能發(fā)電，稱之為 的太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電的應(yīng)用。6、在化學(xué)能源枯竭之前找到 的替代能源。7、3E三重矛盾是在 發(fā)展的過(guò)程中，伴隨著

2、的消費(fèi)，以化石能源為主體的資源需求結(jié)構(gòu)會(huì)造成對(duì) 的破壞。8、到達(dá)地球表面的太陽(yáng)能，是通過(guò)幾乎接近真空的宇宙空間，以 的形式輻射過(guò)來(lái)。9、太陽(yáng)能到達(dá)地球的總輻射能量應(yīng)該是太陽(yáng)常數(shù)與 的乘積。10、太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率幾乎是 的，與其所利用的裝置規(guī)模與 無(wú)關(guān)。11、光發(fā)電是對(duì) 有在效利用。二、選擇題1、人們生活所必需的能源可以分為維持個(gè)人生命的生理能源和（ ）、社會(huì)活動(dòng)及生產(chǎn)活動(dòng)中使用的生活經(jīng)驗(yàn)?zāi)茉磧刹糠?。A、 日常生活 B、社會(huì)生活 C、勞動(dòng)生活 D、物質(zhì)生活2、點(diǎn)然近代產(chǎn)業(yè)革命之火的是發(fā)明蒸汽機(jī)的（ ）A、貝爾 B、詹姆斯。瓦特 C、愛迪生 D、埃特尼。勒努瓦3、生態(tài)發(fā)電的有：太陽(yáng)能發(fā)電和（

3、）。A、火力發(fā)電 B、水力發(fā)電 C、煤炭發(fā)電 D、風(fēng)力發(fā)電4、煤炭在亞洲太平洋可開采( )年。A、43年 B、61年 C、231年 D、73年5、天然氣在亞洲太平洋可開采( )年。 A、43年 B、61年 C、231年 D、73年6、3E指的是：經(jīng)濟(jì)、能源和（ ）。A、地球環(huán)境 B、海洋 C、森林 D、陸地7、世界各國(guó)對(duì)溫室氣體排放量，以1990年為基準(zhǔn)，到2010年日本要消減( ).A 、10% B、8% C、6% D、5%8、采用石油發(fā)電方式引起的有害氣體排放量CO2是（ ）。A 、322.8 B、178 C、258.5 D、7.89、能量通過(guò)約1.5億km的空間到達(dá)地球的大氣層附近時(shí)，其

4、輻射能量密度約為（ ），這個(gè)值叫太陽(yáng)常數(shù)。A 、1.8kw/m2 B、1 kw/m2 C、2 kw/m2 D、1.4kw/m2三、問(wèn)答題：1、 什么是3E矛盾？2、 人們生活所必需的能源的組成有哪幾部分？3、 什么是生態(tài)發(fā)電？生態(tài)發(fā)電的重要意義是什么？4、 什么叫太陽(yáng)常數(shù)？5、 太陽(yáng)能發(fā)電的優(yōu)點(diǎn)？第二章 太陽(yáng)能電池的原理及裝置物性 一、填空題1、光和物質(zhì)的相互作用有 、 、 、 等現(xiàn)象。引起這些現(xiàn)象的本質(zhì)過(guò)程，可以理解為物質(zhì)內(nèi)存在的 和 之間的相互作用。2、光引起的電子躍遷門檻值所需的能量，是由原子規(guī)則排列產(chǎn)生的結(jié)晶結(jié)構(gòu)中的 所決定的。3、遷移前后電子動(dòng)量不發(fā)生變化，垂直移動(dòng)叫 ;而在躍遷前后

5、動(dòng)量變化時(shí)，所表示的結(jié)晶空穴振動(dòng)能量的移出、移入、稱為 。4、半導(dǎo)體的界面或表面被 產(chǎn)生載流子后，生成的 和 由于載流子的作用向 的方向漂移，引起 極化，從而產(chǎn)生了因光照射引起的 。5、太陽(yáng)能電池由于要接收 ，所以具有很大面積的PN結(jié)二極管，引起光電效應(yīng)必要的 ，就是利用了PN結(jié)的 。6、太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換效率是從太陽(yáng)能電池的端子 的電力能力與 的太陽(yáng)能輻射光能量的比。7、以標(biāo)稱效率為基礎(chǔ)，用于計(jì)算太陽(yáng)能電池的輸出測(cè)定法，可以求得實(shí)用太陽(yáng)能電池的 。8、光電流與 有關(guān)系，與所加的 無(wú)關(guān)，是一個(gè) 值。9、太陽(yáng)能電池的輸入光與 有相關(guān)性。10、太陽(yáng)能電池處于開路狀態(tài)，與輻射光強(qiáng)度相對(duì)應(yīng)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)

6、電壓，此時(shí)的電壓稱為 。11、 是表示太陽(yáng)能電當(dāng)好壞的重要指標(biāo)。12、結(jié)晶硅的理論極限為 ，其研究階段為 ， 大量生產(chǎn)規(guī)模為 。13、存在具有最低禁帶寬度 的H-QVOC的損失，此損失叫做 。13、目前實(shí)用化的太陽(yáng)能電池中98使用的是 。14、為了發(fā)揮太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換因子的作用，將光生成的 有效輸出到 的電極配置的設(shè)計(jì)也是重要的因素，這就是D。15、利用兩種半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)串聯(lián)太陽(yáng)能電池，稱為 。二、選擇題1、光和物質(zhì)的相互作用有吸收、（ ）、折射、偏轉(zhuǎn)、溫射等現(xiàn)象。A 、反射 B、正射 C、直射 D、紅外線2、禁帶寬度為（ ）的硅對(duì)可見光有光響應(yīng)時(shí)，是具有金屬反射性的不透明結(jié)晶。A 、2ev B、1

7、.6ev C、1.1ev D、2.4ev3、磷化鎵是非常好看的（ ）透明結(jié)晶.A 、紅色 B、綠色 C、橙色 D、黃色4、遷移前后電子動(dòng)量不發(fā)生變化，垂直移動(dòng)叫（ ）。A 、間接躍遷 B、直接躍遷 C、垂直躍遷 D、光電傳導(dǎo)效應(yīng)5、半導(dǎo)體被光照射后，由于帶間吸收帶能級(jí)帶吸收，帶內(nèi)被激發(fā)的電子空穴，作為自由載流子而振動(dòng)，因此其導(dǎo)電率就會(huì)增加，這一現(xiàn)象叫（ ）。A 、間接躍遷 B、直接躍遷 C、基礎(chǔ)昅收邊緣 D、光電傳導(dǎo)效應(yīng)6、在半導(dǎo)體被光照射、產(chǎn)生光傳導(dǎo)現(xiàn)象時(shí)，如果由光產(chǎn)生的載流子在不同位置具有不均一性，或者由于pn結(jié)產(chǎn)生了內(nèi)部載流子的話，就會(huì)因擴(kuò)散或者漂移效應(yīng)而引起電子和空穴密度分布不平衡，從

8、而產(chǎn)生電力，這一現(xiàn)象叫( ).A 、丹倍效應(yīng) B、光電效應(yīng) C、PEM效應(yīng) D、光電傳導(dǎo)效應(yīng)7、在引起丹倍效應(yīng)的試驗(yàn)材料與光垂直的方向上加一個(gè)磁場(chǎng)，因?yàn)榈け缎?yīng)產(chǎn)生的擴(kuò)散電流受到勞倫斯力的影響，就會(huì)產(chǎn)生空穴電力，這一效應(yīng)稱（ ）A 、丹倍效應(yīng) B、光電效應(yīng) C、PEM效應(yīng) D、光電傳導(dǎo)效應(yīng)8、太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換率是（ ），百分?jǐn)?shù)表示。A 、太陽(yáng)能電池的輸出功率與輸入功率之比 B、太陽(yáng)能電池的端子輸出的電力能量與輸入的太陽(yáng)能輻射光能量之比 C、太陽(yáng)能電池的輸入功率與太陽(yáng)能電池的輸出電力能量之比 D、太陽(yáng)能電池的輸入功率與輸出功率之比9、空氣質(zhì)量條件為AM，輸入光的功率為（ ）在負(fù)荷變化時(shí)最大電

9、力輸出與其比值，稱為標(biāo)稱效率。A 、200mw/cm2 B、1000mw/cm2 C、100mw/cm2 D、500mw/cm210、光電流與照射時(shí)的光強(qiáng)度( )，與所加電壓無(wú)關(guān)，是一固定值。A 、有關(guān) B、無(wú)關(guān) C、相關(guān) D、相等11、對(duì)于硅半導(dǎo)體，理論極限效率為（ ）,實(shí)際得到的效率為18%-24%。A 、25% B、55% C、28% D、100%12、由于光譜響應(yīng)本來(lái)應(yīng)該為有效光，卻應(yīng)表面反射而損失的（ ）。A 、復(fù)合損失 B、反射損失 C、串聯(lián)電阻損失 D、體面復(fù)合損失13、由光吸收的載流子中，太陽(yáng)能電池的表面或者背面電極由于與環(huán)境復(fù)合造成的表面（ ）。A 、復(fù)合損失 B、反射損失

10、C、串聯(lián)電阻損失 D、體面復(fù)合損失14、太陽(yáng)能電池供給負(fù)荷的電力在電流流動(dòng)時(shí)從電極到半導(dǎo)體容體內(nèi)的電阻焦耳熱的（ ）。A 、復(fù)合損失 B、反射損失 C、串聯(lián)電阻損失 D、體面復(fù)合損失15、目前已被實(shí)用化的太陽(yáng)能電池中98%使用的是（ ）材料。A 、硅 B、鍺 C、鎵 D、銦三、問(wèn)答題：1、什么是禁帶寬度？2、什么叫半導(dǎo)體的基礎(chǔ)吸收邊緣？3、什么叫光傳導(dǎo)效應(yīng)？由幾種類型組成的？4、什么叫光生伏特效應(yīng)？什么是丹倍效應(yīng)？什么是PEN效應(yīng)？5、太陽(yáng)能電池的工作原理是什么？能量轉(zhuǎn)換效率的表達(dá)式是怎樣？什么是標(biāo)稱效率？6、什么叫短路光電流密度？7、什么叫開路電壓？開路電壓的表達(dá)式8、太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率的

11、表達(dá)式？9、什么叫太陽(yáng)能理論極限效率？10、太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換率低下，產(chǎn)生損失的主要原因是什么?11、請(qǐng)畫出太陽(yáng)能電池作用的四個(gè)基本功能圖？其中ABCD的作用各是什么？12、入射到材料的光能的有效封閉的技術(shù)有幾種方法？13、光生載泫子的有效收集和光電效果的增大技術(shù)有幾種？14、光生成載流子的復(fù)合損失的減少技術(shù)有幾種？15、直接電阻損失的減少技術(shù)有幾種？16、電壓因子損失的有幾種？17、更寬光譜的光能的收集技術(shù)有幾種？18、什么是BSF？第三章 單晶硅太陽(yáng)能電池和太陽(yáng)能電池模板一、填空題1、單晶硅太陽(yáng)能和多晶硅太陽(yáng)能電池的產(chǎn)量合計(jì)約占世界太陽(yáng)能產(chǎn)量的 左右。2、單晶硅棒和PN結(jié)的制造技術(shù)等，與 以及

12、 等半導(dǎo)體制造技術(shù)有較多共同部分，且歷史悠久，實(shí)際業(yè)績(jī)突出。3、單晶硅太陽(yáng)能電池制造工程由 和 組成。4、原材料用硅砂，先將其還原為純度為97-98的 ，為了進(jìn)一步提高純度，將 與 反應(yīng)，生成 ，再將其 ， 得到純度為99.99999以上的多晶硅。5、將得到的多晶硅進(jìn)行溶解，做成單晶硅，其方法有 和 兩種。6、目前太陽(yáng)能電池用的鑄模，仍以生產(chǎn)性能高的 為主。7、由于線切割面是被機(jī)械沖擊過(guò)，因此會(huì)殘留結(jié)晶變形，使電氣特性變壞，因此需用 進(jìn)行腐蝕，使表面 的程度。8、氣體擴(kuò)散法是將含 的氣體在 下向硅片進(jìn)行 ，形成 ，一般都用這一方法。9、 擴(kuò)散法是用含有磷的溶液代替 進(jìn)行 和 ，使磷向硅片中擴(kuò)散

13、形成 ，具有簡(jiǎn)單易于大型化生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。10、電池高效率化技術(shù)說(shuō)明已被規(guī)模生產(chǎn)所采用的 及 。11、用堿性溶液，利用 的差異性，可以對(duì) 表面進(jìn)行 凹凸加工處理。12、單晶硅太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)是 ，在背場(chǎng)將不純物進(jìn)行 ，形成 ，可以改善收集效率。13、BSF型電池片的收集效率， 形成，可以在更長(zhǎng) 范圍內(nèi)改善收集效率。14、太陽(yáng)能電池是由于 和 進(jìn)行疊層得到的新型太陽(yáng)能電池。15、HIT電池片是在 的兩面形成 制造的。16、由于入射光也可以發(fā)電，具有兩面發(fā)電的可能性是 和 。17、一般的太陽(yáng)能電池模板只有電池片的表面一側(cè)是 ，而HIT太陽(yáng)能電池在背面也采用 ，可以利用 和從地面來(lái)反射光進(jìn)行發(fā)電。1

14、8、兩面發(fā)電型最特別的有效應(yīng)用 安裝。19、太陽(yáng)能電池模板有 、 、 三種結(jié)構(gòu)。20太陽(yáng)能電池主要的構(gòu)成元素都包括 、 、 、和 。21、太陽(yáng)能電池板是由 和 兩部分組成。22、高效率太陽(yáng)能電池有 和CECO兩種結(jié)構(gòu)的。23、壓?？煞譃閮刹糠郑?和 裝置。24、一般的太陽(yáng)能電池的模板，為了提高填充率，需盡量減少電池片和 之間的 ， 而采光型太陽(yáng)能電池的模板卻 ，在電池片和模板周圍開數(shù)CM的 ，由此處讓太陽(yáng)光透過(guò)。25、由于單晶硅基片的制造技術(shù)和 等的半導(dǎo)體技術(shù)有很多的共同點(diǎn)，因此新技術(shù)從半導(dǎo)休整上導(dǎo)入是有右能的，最近引人注目的技術(shù)之一是 技術(shù)。26、在多晶硅薄膜制造裝置中可使用RTP，將得到的

15、燈光用 ，然后緩慢地 ，使多晶硅薄膜再 。二、選擇題1、1954年在美國(guó)的（ ）研究所由Perarson、Chapin、Fuller發(fā)明了pn結(jié)型硅太陽(yáng)能電池。A、貝爾 B、詹姆斯。瓦特 C、愛迪生 D、埃特尼。勒努瓦2、單晶硅太陽(yáng)能 電池和多晶硅太陽(yáng)能電池的產(chǎn)量合計(jì)約占世界太陽(yáng)能電池產(chǎn)量的( )。A 、25% B、55% C、80% D、100%3、（ ）法是將熔融后的多晶硅與單晶硅的結(jié)晶進(jìn)行接觸，邊緩慢旋轉(zhuǎn)提拉，使結(jié)晶生長(zhǎng)，量后得到長(zhǎng)棒形狀的單晶硅鑄模。A 、LSI B、IC C、CZ D、FZ4、氣體擴(kuò)散法是將含有磷的氣體在高溫（ ）度下向硅片進(jìn)行擴(kuò)散。A 、200-400 B、800-

16、900 C、10001500 D、200050005（ ）太陽(yáng)能電池是由單晶硅和非晶硅進(jìn)行疊層得到的新型太陽(yáng)能電池。A 、LSI B、IC C、CZ D、HIT6、一個(gè)太陽(yáng)能電池電池片的輸出電壓約為0.6v，比實(shí)際電壓要（ ）A 、高 B、低 C、相同 D、07、太陽(yáng)能電池模板的種類有起直線型、玻璃包裝開型和（ ）。A 、次直線型 B、表面保護(hù)材料型 C、框架型 D、填充材料型8、太陽(yáng)能電池主要構(gòu)成元素都包括表面保護(hù)材料、填充材料、（ ）、框架。A 、次直線型 B、表面保護(hù)材料型 C、前面保護(hù)材料 D、填充材料型9、高效率太陽(yáng)能電池有PERL和（ ）兩種結(jié)構(gòu)的。A、CIS B、CIGS C、O

17、ECO D、GaAs10、在多晶硅薄膜制造裝置中也可使用RTP，將得到的燈光用（ ）聚光，然后緩慢地移動(dòng)位置，使多晶硅薄膜再結(jié)晶化。A、凸透鏡 B、凹透鏡 C、聚光鏡 C、平光鏡三、問(wèn)答題：1、 單晶硅太陽(yáng)能電池的特點(diǎn)是什么？2、 電池片工程分哪三部分？3、 什么是集麥斯法？4、 什么是CZ法？5、 單晶硅硅片的制造過(guò)程？6、 電池片高效率化的技術(shù)方法有哪些？7、 硅片表面的材料蝕刻目的是什么？8、 什么叫BSF結(jié)構(gòu)？9、 HIT電陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)及制造方法？特點(diǎn)是什么？10、 太陽(yáng)能電池模板的種類？各種類的作用？11、 太陽(yáng)能電池構(gòu)成的原素有哪些？各無(wú)素的作用是什么？12、 太陽(yáng)能電池模板的制

18、造過(guò)程是什么樣的？13、 壓模過(guò)程的順序步驟如何？14、 高效率太陽(yáng)能電池的種類及各種類的結(jié)構(gòu)是什么？第四章 多晶硅太陽(yáng)能電池一、填空題：1、大部分的多晶硅基片都是用所謂的 生產(chǎn)的?；瑥V泛使用 的角。目前是用眾所周知的 的溫度分布、 等許多知識(shí)的累積來(lái)生產(chǎn)鑄模。2、電解液的高度微細(xì)噴射到 上，噴射流中夾有 。噴射流到了 的作用，激光束在鑄模上與 一同被切照射。3、在多晶硅電池片上用等離子體進(jìn)行的化學(xué) 生產(chǎn)氮化硅膜是歷來(lái)常用的方法。4、由表面蝕刻結(jié)構(gòu)所形成的 的提高，是高效率所不可缺少的。5、干式法由于應(yīng)力自由，因此既可以適用于切割 基片，又可以適用于 的過(guò)程。3、目前世界上，用鑄造法制造基片

19、得到的小面積電池片的最高轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到 。4、由于有漏電電流流動(dòng)，使所謂的反向飽和電流密度 ，從而減少了 。5、多晶硅表面的結(jié)晶面是多重的，因此不能像單晶硅基片那樣，使用 的不同方向腐蝕的化學(xué)蝕刻方法。6、干式法由于應(yīng)力自由，因此即可以適用于 基片，又可以適用于 的過(guò)程。7、結(jié)晶硅具有 型能帶結(jié)構(gòu)，因此吸收系數(shù)較小，有必要進(jìn)行 ，活性層的厚度為數(shù) 的薄膜太陽(yáng)能電池也可得到高的轉(zhuǎn)換效率。8、目前正在廣泛研究的有化學(xué)氣相沉積法、 、 、等。二、選擇題1、近年來(lái)，一半以上的太陽(yáng)能電池使用的是用鑄造法制造的（ ）基片。A、單晶硅 B、多晶硅 C、CIGS D、CIS2、多晶硅小面積太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率

20、為（ ）。A、19.8% B、17.5% C 、45% D、98.5%3、大部的多晶硅基片都是用鑄造法生產(chǎn)的，基片廣泛使用（ ）年。A、10-15 B、20-25 C、5055 D、1004、基片的技術(shù)最引人注目的是基片的薄形成化技術(shù)，目前可達(dá)到（ ）微米。A、100200 B、200300 C、300400 D、5006005、晶界產(chǎn)生的電子能級(jí)，在不激發(fā)下生成載流子，不僅使短路電流密度（ ），而且為了收集載流子將pn結(jié)在粒界橫斷時(shí)，介于能級(jí)之間。A、增大 B、不變 C、減小 D、無(wú)窮大6、用鹽酸系氣體等離子體蝕刻法和表面減反射膜相結(jié)合的方法，在較寬的波長(zhǎng)范圍內(nèi)都可實(shí)現(xiàn)反射率的（ ）。A、增

21、大 B、減少 C、不變 D、無(wú)窮大7、典型的實(shí)用化模板的性能標(biāo)稱開路電壓是（ ）。A、167V B、28.9V C、12.79V D、8V三、問(wèn)答題：1、 多晶硅鑄模的制造成技術(shù)有哪些？2、 在多晶硅電池片上用等離子體進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)的氮化硅膜會(huì)產(chǎn)生哪兩種效果？3、 異質(zhì)基片上高品質(zhì)疊層的多晶硅型薄膜技術(shù)有幾種方法？ 第五章 非晶硅及微晶硅薄膜太陽(yáng)能電池一、 填空題：1、a-Si：H以及合金材料，用 、 、 等氣相生長(zhǎng)法可以制造薄膜。2、對(duì)于a-Si：H系，其物性上的最大特點(diǎn)是 通常為1.71.8ev，比結(jié)晶要寬，結(jié)構(gòu)混亂引起的光學(xué)躍遷動(dòng)量守恒定律的緩和作用，使其在可見光范圍內(nèi)具有相當(dāng)

22、大的 。3、產(chǎn)生等離子體的電力條件是 ，無(wú)線電頻率可從射頻到 、 范圍內(nèi)多種多樣的頻率，但目前射頻等離子體CVD最普及。4、在a-Si：H太陽(yáng)能電池中，此低光吸收和 ，可以作為 或者窗口一側(cè)的結(jié)合層來(lái)利用。5、為了保持優(yōu)良的結(jié)晶性能，提高制膜速度，除了要采用 、 投入外，多數(shù)也采用導(dǎo)入電源頻率為60MHz-100MHz的VHF帶等離子體的CVD法。6、非晶半導(dǎo)體材料，是失去了像結(jié)晶型那樣的長(zhǎng)距離晶格結(jié)構(gòu)后的材料，其原子周圍的化學(xué)鍵狀態(tài)與結(jié)晶時(shí)保持 的狀態(tài)。7、a-Si：H作為四面體結(jié)合的非晶體，是由 束縛結(jié)構(gòu)構(gòu)成的，為了緩和堅(jiān)固的電路內(nèi)部應(yīng)力，易引發(fā) 等的結(jié)構(gòu)缺陷。8、從結(jié)晶的角度來(lái)講，在不介

23、入聲波的 中，動(dòng)量也就是波向k的守恒是 。9、純粹的帶移動(dòng)度電子為 ，空穴的值約為其 左右。10、 作為太陽(yáng)能電池材料的評(píng)價(jià)最有效的方法，叫 ，有可能測(cè)定太陽(yáng)能電池在環(huán)境中的兩極性擴(kuò)散長(zhǎng)度。11、微晶硅的定義并不是那么固定的，在 附近的低溫及非熱平衡過(guò)程中生長(zhǎng)，尺寸為由 以下的結(jié)晶粒群構(gòu)成的結(jié)晶，一般可以作為非晶不均質(zhì)混合材料。12、mc-Si是由 + + 組成的。13、一般的太陽(yáng)能電池級(jí)試驗(yàn)材料，在初級(jí)階段，（110）有優(yōu)先配位性，結(jié)晶 左右， 、正空穴漂移移動(dòng)度約為5cm/s.v左右。14、如果以光載流子為基礎(chǔ)的 和pn結(jié)的二極管電流成分Jd可以視為線性獨(dú)立的話，則光照射時(shí)的全電流可以表示

24、為 。且在此光電流Jph與偏壓沒有依存性，因此作為太陽(yáng)能電池的特性因素的短路光電流Jsc可視為 ，曲線因子 可視為二極管電流Jd，開路電壓與最大功率點(diǎn)的比值。15、為了嚴(yán)密地分析a-Si太陽(yáng)能電池的工作解析的話，必須要對(duì) 三個(gè)量的非線性結(jié)合的電子及空穴輸送方程式同時(shí)進(jìn)行求解。16、Carlson等人利用二極管沒有的本征層顯示出的 ，用白金的短鍵位勢(shì) 中形成擴(kuò)散電位，確認(rèn)了光電效應(yīng)。17、即使a-Si太陽(yáng)能電池的p層的厚度只有7nm，依然有 的光被吸收，為了將此吸再降低，必須提高p層的 。18、用乙烯作為碳來(lái)源時(shí)的硼添加引起的光導(dǎo)率的回升效果，發(fā)現(xiàn)其結(jié)果 。19、a-Si太陽(yáng)能電池是大面積制膜，

25、但透明導(dǎo)電層的阻力引起的損失使電池?zé)o法得到 ，。因此有必要 為復(fù)數(shù)電池片，再進(jìn)行電氣結(jié)合。20、a-Si太陽(yáng)能電池是由形成 和 的二個(gè)導(dǎo)電層、作為活性部分的半導(dǎo)體層這三層基本結(jié)構(gòu)構(gòu)成的21、a-Si被光照射時(shí)，會(huì)增加Si晶格的結(jié)構(gòu)缺陷，同時(shí)太陽(yáng)能電池的性能指數(shù)也會(huì)下降，如果在 下加熱1小時(shí)左右就可以恢復(fù)這一性質(zhì)，這一現(xiàn)象叫做 ，是a-Si太陽(yáng)能電池實(shí)用化的最大障礙。22、與結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池相比，a-Si太陽(yáng)能電池的年發(fā)電量 。23、非熱平衡過(guò)程中，薄膜微晶硅太陽(yáng)能電池的制造溫度是 ，因此對(duì)基片材料沒有限制， 材料均可使用。24、mc-Si在其表面具有自然形成的織構(gòu)化結(jié)構(gòu)，其大小與其厚度有很大的

26、關(guān)系。當(dāng)膜厚比較 時(shí)，能形成適合光封閉的表面 ，而厚比較 時(shí)，不能形成充分的凹凸表面。25、與非晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)相同的pin微晶硅電池也有 效率。這一電池片與非晶硅太陽(yáng)能電池不同，沒有 現(xiàn)象。26、在帶邊緣附近的光吸收系數(shù)是 形式，在很小的薄膜 中， 技術(shù)是mc-Si太陽(yáng)能電池提高 的核心技術(shù)。27、mc-Si在其表面自然形成時(shí)，當(dāng)膜厚比較厚時(shí)， 光封閉的表面凹凸，而膜厚比較薄時(shí)， 凹凸表面。28、活性層為織構(gòu)化結(jié)構(gòu)的厚度最佳為 時(shí)， 角的nip電池片得到了 的效率。29、如果用現(xiàn)有的材料要想提高特性的話，可以將來(lái) 不同的2或3層復(fù)數(shù)電池片進(jìn)行串聯(lián)型結(jié)構(gòu)也叫做混合型、蜜月型電池片。30、把p

27、in電池片疊放起來(lái)得到的多層結(jié)合太陽(yáng)能電池的效率不會(huì)顯著 ，但可以 提高 。31、在10%的混合薄膜硅太陽(yáng)能電池模板，主要用于 。二、選擇題1、日前太陽(yáng)能電池的主流是單晶以及（ ） ，占世界太陽(yáng)以電池總產(chǎn)量的70%以上。A、多晶硅 B、非晶硅 C、CIS D、色素增感型2、由低缺陷密度化，得到優(yōu)良的（ ），以此為基礎(chǔ)太陽(yáng)能電池的應(yīng)用才能成為可能。A、還原特性 B、分解特性 C、光電特性 D、聚光特性3、根據(jù)自身的等離子體效果，使用的高頻率電源幾乎全部在（ ）附近被消耗，因此在這個(gè)范圍內(nèi)，激以及分解反應(yīng)活躍，薄膜形成比例也在高頻率電源使用一側(cè)最大。A、陽(yáng)極 B、陰極 C、P結(jié) D、N結(jié)4、非晶薄

28、膜就會(huì)形成Si的結(jié)晶微粒，尺寸為直徑為數(shù)nm-數(shù)十nm，這樣的材料叫做（）。A、多晶硅 B、非晶硅 C、微晶硅 D、單晶硅、非晶半導(dǎo)體材料，是失去了像結(jié)晶型那樣的長(zhǎng)距離晶格結(jié)構(gòu)后的板料，可以認(rèn)為其原子周圍的化學(xué)鍵狀態(tài)與結(jié)晶時(shí)保持（ ）的狀態(tài)。A、不同 B、相同 C、相反 D、不變6、具有（ ）波動(dòng)函數(shù)的能帶狀態(tài)與局部狀態(tài)的邊界叫遷移率帶邊。A、較寬 B、較窄 C、較大 D、較小7、a-Si 作為（ ）結(jié)合的非晶體，是由于過(guò)剩束縛結(jié)構(gòu)構(gòu)成的，為了緩和堅(jiān)固的電路內(nèi)部應(yīng)力，易引發(fā)不可見炮能帶等的結(jié)構(gòu)缺陷。 A、二面體 B、六面體 C、八面體 D、四面體8、a-Si中含有10%-20%的（ ），可以直

29、接不可見光能帶進(jìn)行補(bǔ)償，或者通過(guò)對(duì)平均配位數(shù)的降低，起到促進(jìn)結(jié)構(gòu)緩和的作用，減輕缺陷密度，為改善電氣性能做出較大的貢獻(xiàn)。A、氧 B、氫 C、氮 D、磷9、合金材料 一般是由a-Si進(jìn)行組成分離的，因此Eu以及缺陷密度有（ ）的傾向。A、快增 B、快減 C、增加 D、減小10、最單純的膜質(zhì)評(píng)價(jià)，可以用（ ）來(lái)測(cè)定。A、多晶硅 B、非晶硅 C、光傳導(dǎo) D、光電流11、太陽(yáng)能電池級(jí)的mc-Si是由包含非晶（ ）的微晶群體、具有（110）優(yōu)先配位的宏觀有效微晶介質(zhì)層組成的，薄膜的電學(xué)及光電特性的概況由此決定。A、10nm B、20nm C、50nm D、80nm12、a-Si太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)是（

30、）。A、pni B、p型 C、n型 D、pin13、MIS型a-Si太陽(yáng)能電池的問(wèn)題是，光的入射一側(cè)由于有Pt的薄膜，所以有部分光被吸收了，從面限制了（ ）。A、電壓 B、電阻 C、電容 D、電流14、單晶半導(dǎo)體結(jié)附近的擴(kuò)散距離內(nèi)所發(fā)生的由光生成的少數(shù)載流子是（ ）。A、很多 B、很少 C、零15、a-Si太陽(yáng)能電池的p層的厚度只有7nm，依然有（ ）吸收，為了將此吸收率再降低，必須提高p層的透明度。A、17% B、20% C、18% D、45%16、（ ）為主氣體的a-SiC/a-Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池和a-Si太陽(yáng)能電池的光吸收集率的比較。A、甲烷 B、氧氣 C、乙炔 D、氮苯17、用激光在

31、1m2大小的大型玻璃片上加工形成膜整體，如此基片一體化的大面積模板，可以用年產(chǎn)（ ）規(guī)模的設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)。A、100MW B、50MW C、20MWD、10MW18、光照所引起的大部分特性的變化是在最初的（ ）中，以后其特性是穩(wěn)定的。A、一年 B、兩年 C、半年 D、二個(gè)月19、非熱平衡過(guò)程中，薄膜微晶硅太陽(yáng)能電池的制造溫度是（ ），因此對(duì)基片材料沒有限制，各種材料均可以使用。A、衡溫 B、高溫 C、低溫 D 、零下20、用等離子體CVD法得到的微晶硅，在1980年前后就有研究機(jī)構(gòu)報(bào)道了結(jié)果，由于微晶化帶來(lái)的（ ），主要被用于a-Si太陽(yáng)能電池的n層。A、高電壓 B、低電阻 C、電容 D、大電流

32、三、問(wèn)答題：1、Si系薄膜的制作方法？2、優(yōu)良品質(zhì)的a-Si：H的形成條件是什么？3、什么是非晶硅？什么是微晶硅？什么叫遷移率帶邊？4、a-Si是由什么結(jié)構(gòu)構(gòu)成的？有什么缺陷？解決缺陷的方法是什么？5、電傳導(dǎo)是怎樣生成的？直流電導(dǎo)的表達(dá)式？6、什么是漂移移動(dòng)度？7、微晶硅的結(jié)構(gòu)是什么？微晶硅的特性是什么？8、pin結(jié)合型a-Si太陽(yáng)能電池與受金屬薄膜制膜條件等敏感特性所左右的短鍵壘位型的特點(diǎn)是什么？9、非晶太陽(yáng)能電池結(jié)的構(gòu)成有幾種？每一種是什么樣子的？10、a-SiC/a-Si異摶結(jié)太陽(yáng)能電池有什么不同？11、a-Si太陽(yáng)能電池大面積模板的制造方法？怎樣消除大面積化而產(chǎn)生的電阻損失？12、什么

33、叫穩(wěn)定效率？13、薄膜微晶硅太陽(yáng)能電池的材料是什么？是用什么方法得來(lái)微晶硅？14、pin和pni電池片的特點(diǎn)各什么？15、為什么要使用光封閉技術(shù)？在什么條件下才達(dá)到光封閉？光封閉的結(jié)構(gòu)是什么？16、什么叫蜜月型太陽(yáng)能電池？非晶硅、微晶硅型串聯(lián)太陽(yáng)能電池制造疊層結(jié)構(gòu)有哪些優(yōu)點(diǎn)？17、什么叫誘導(dǎo)光導(dǎo)率新現(xiàn)象？18、 薄膜微晶硅（mc-Si）太陽(yáng)能電池的特點(diǎn)有哪些？ 第六章 CIS以及CIGS系太陽(yáng)能電池一、 填空題：1、 是1974年當(dāng)時(shí)在貝爾研究所工作的S。WAGNER首次提出其有可能作為太陽(yáng)能電池時(shí)的定義。2、 光吸收系數(shù)極大，在可視光區(qū)域中，吸收系數(shù)可高達(dá) ，厚度為 就可能充分吸收太陽(yáng)光。3

34、、 CIS的禁帶寬度為 ，是與太陽(yáng)能電池最適宜的禁帶寬度 偏小的值。4、 在可視光區(qū)域中，吸收系數(shù)可高達(dá) ，厚度為 就可能充分地吸收太陽(yáng)光。5、 CIGS系太陽(yáng)能電池的特點(diǎn)是多樣的 和 。6、 CIS系用Cu/In比進(jìn)行控制，也就是 控制，才有可能控制pn.。 7、 在CIS中，多數(shù)存在著 和 等因有缺陷。8、 在一般的半導(dǎo)體中，通過(guò)不純物添加，進(jìn)行P型、n型的控制，CIS系用 進(jìn)行控制，也就是固有缺陷控制，才有可能 。9、 Mo和Se的反應(yīng)活性高，Mo/CIS界面狀態(tài)對(duì)膜的 有很大影響。10、 CIGS在基板上使用 。這是因?yàn)镃IS的質(zhì) 系數(shù)在與C軸平行的方向上為 ，與C軸垂直的方向?yàn)?，與

35、青板玻璃的線性膨脹系數(shù)幾乎相等。11、在CIGS光吸收層上，用 成長(zhǎng)法可以產(chǎn)生CDS厚度為 。12、當(dāng)CIGS層成為P型時(shí)，其空穴濃度約為 。13、在CIGS光吸收層上，用 可以產(chǎn)生Cds。14、Cds是重要的效果是在于 內(nèi)部形成的。15、Zno是用 和 形成的。16、CIGS電池片的電流-電壓特性以及光譜響應(yīng)特性可能得到GA組成比約為 的高效率 。17、多晶薄膜太陽(yáng)能電池中，開路電壓Voc是禁帶寬度是禁帶寬度EG的函數(shù)，經(jīng)驗(yàn)性的可表示 。18、在制造CIGA薄膜太陽(yáng)能電池的方法中，使用的是 、 。19、硒化法主要用于 。20、與硅系薄膜不同，由于CIGS是 的材料，因此不能用 加工，可用機(jī)械

36、掃描。21、CIGS模板的轉(zhuǎn)換率一般為 左右。22、目前，小面積電池片的轉(zhuǎn)換率已達(dá)到大于 的程度，而大面積模板的轉(zhuǎn)換率為 。23、為了實(shí)現(xiàn)串聯(lián)太陽(yáng)能電池，有必要對(duì)開以遲緩的 的材料的高品質(zhì)加快進(jìn)程。24、為了實(shí)現(xiàn)串聯(lián)結(jié)構(gòu)，有必要在部開發(fā)禁帶寬度更廣的 。25、CIGS系太陽(yáng)能電池的制造方法中，廣泛使用 、 ，除此之外，還有 、 。26、CIGS太陽(yáng)能電池，在室外對(duì)太陽(yáng)光暴露時(shí)，可以表現(xiàn)出極其 的性能，不存在非晶硅太陽(yáng)能電池所看到的 現(xiàn)象。27、在測(cè)定CIGS的太陽(yáng)能電池時(shí)，常采用經(jīng)過(guò) 左右照射后再進(jìn)行性能評(píng)價(jià)的方法。28、將溶液生長(zhǎng)Zns用于緩沖層的電池片得到了接近 的轉(zhuǎn)換率。29、最近，使用

37、 太陽(yáng)能電池的開發(fā)正在活躍進(jìn)行中。30、CIGS系太最能電池是以 為特征。31、不使用青板玻璃時(shí)，也可以使用 、 、 、 等Na的化合物進(jìn)行Na參加。32、目前在來(lái)銹鋼基片上形成的電池片可得到 的轉(zhuǎn)換率，而在聚合物上僅為 。33、CIGS具有優(yōu)良的 ，極有可能成為宇宙空間太陽(yáng)能材料。二、選擇題：1、CIS太陽(yáng)能電池是（ ）首次提出的。A、貝爾 B、濱川圭弘 C、瓦特 D、愛迪生2、在可視光區(qū)域中吸收系數(shù)可高達(dá)（ ），厚度為1um就有可能充分吸收太陽(yáng)光。A、15-5/cm B、20-5/cm C、10-5/cm D、50-5/cm3、作為光吸收層而廣泛使用的有Cu,In,Ga,Se組成的系，今后

38、由于（ ）化而使轉(zhuǎn)換效率飛速提高。A、并聯(lián) B、串聯(lián) C、疊加 D、覆蓋4、CIGS系太陽(yáng)能電池的特點(diǎn)是的（ ）和固有缺陷。A、單一的結(jié)晶相B、多樣的結(jié)晶相C、少量的結(jié)晶相 D、重復(fù)的結(jié)晶相5、如果用了熱膨脹系數(shù)相差（ ）的基片材料，就會(huì)產(chǎn)生剝離。A、大 B、小 C、為零 D、不等6、在膜內(nèi)由于Ga的振動(dòng)（ ），才得到了自然的傾斜組成。A、好 B、不好 C、大 D、小7、在CIGS光吸收層上，用（ ）成長(zhǎng)法可以產(chǎn)生CDS。A、鹽酸 B、氧化物 C、溶液 D、鎘鹽 三、問(wèn)答題：1、 CIGS系半導(dǎo)體有什么特點(diǎn)？2、 什么是固有缺陷？CIGS系太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)是什么？可用圖表進(jìn)行說(shuō)明3、 CD

39、S的生長(zhǎng)方法是什么？CDS的作用是什么？4、 試畫出光吸收層的禁帶寬度分布圖5、 NA對(duì)于CIGA的效果是什么？6、 CIGA的蒸鍍法是怎樣的？ 硒化法是怎能樣的？7、 CIGS太陽(yáng)能電池模板的集成化技術(shù)是怎樣的？8、 Cd自由緩沖層的方法是什么？9、 什么叫光照射效應(yīng)？四、論述1. 請(qǐng)從材料、性能以及制造方法上，比較說(shuō)明Si系太陽(yáng)能電池和CIS、CIGS系太陽(yáng)能電池有哪些異同。2. 請(qǐng)從材料開發(fā)及制造技術(shù)方面分析，如何才能提高CIGS系太陽(yáng)能電池的效率？第七章 III-V族太陽(yáng)能電池一、填空題1、太陽(yáng)能電池材料是由元素周期表中的III族元素 、 和V族 、 元素組成的半導(dǎo)體，如用 、 等由I

40、II-V族化合物組成的半導(dǎo)體所構(gòu)成的太陽(yáng)能電池。2、GaAs或InP太陽(yáng)能電池由于 且有 ，作為空間太陽(yáng)能電池已被實(shí)用化。3、空間太陽(yáng)能電池與地面太陽(yáng)能電池不同，在高真空下會(huì)被 ，同時(shí)受 的影響，必須在嚴(yán)酷的環(huán)境下工作。特別是 的高能量電子線和質(zhì)子線，促進(jìn)半導(dǎo)體的 發(fā)生缺陷，其結(jié)果導(dǎo)到致太陽(yáng)能電池的輸出功率 ，故太空太陽(yáng)能電池要求 和 性能。4、為了實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率高的太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)光譜的 是必要的，太陽(yáng)能電池材料的禁帶寬度Eg為 左右，認(rèn)為是最合適的，Eg為 的GaAS及 的InP等應(yīng)該是合適的。5、幾乎所有的III-v族化合物半導(dǎo)體都是 能帶結(jié)構(gòu)，具有 ，光吸收系數(shù) ，對(duì) 是有用的。6、

41、化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池材料的重要特性參數(shù)有 、 、 以及 ，特別是在太陽(yáng)能電池中，復(fù)合效果也是重要的參數(shù)。7、GaAs以及InP的禁帶寬度分別為 、 ，與高效率最適合的 相近。8、太陽(yáng)能單一結(jié)電池片可以分為 、 、 、 、 、 、 、 、 Si以及Ge基片上的薄膜電池片上。9、在同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中，為了得到 以上的高效率，必須讓結(jié)合深度在 的淺層處，因此在異質(zhì)表面結(jié)構(gòu)中，通入插入 的窗層， 結(jié)合深度高定的 ，就可以實(shí)現(xiàn)高效率。10、InP電池片的轉(zhuǎn)換效率是 。11、由于大多數(shù)化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)都是 ，因此不像 的Si那樣容易產(chǎn)生太陽(yáng)能電池特性的放射線 現(xiàn)象。12、在InP中也電子線照射缺陷一致的

42、方向，注入 以促進(jìn) 的所謂DLTS的方法得到的結(jié)果。13、通過(guò)采用MQW結(jié)構(gòu)，電流值可用 和 控制，電壓可用本體上的 控制 ，因此即使是單電池片，其轉(zhuǎn)換效率也有望達(dá)到 .。14、1989年NTT在MOCVD法中，使用熱循環(huán) 以及時(shí) ，實(shí)現(xiàn)了密度為 的GaAs異質(zhì)延伸膜，在Si基片上的GaAs 單結(jié)電池片上達(dá)到AM-0 效率 ，AM-1.5的效率 。15、作為單薄膜的剝離方法有 。16、太陽(yáng)能電池的制造方法有 、 。17、外延生長(zhǎng)技術(shù)，也是由 到 、 外延生長(zhǎng)法逐漸進(jìn)行著變遷的。18、用 和 的太陽(yáng)光技術(shù)，能夠提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，且可以使太陽(yáng)能電池材料的使用量下降。19、作為3結(jié)結(jié)構(gòu)中的太

43、陽(yáng)能電池，最理想的是禁帶寬度為 材料的組合。二、問(wèn)答題：1、為什么空間太陽(yáng)能電池要求高效率化和耐放射線性能的電池？2、III-v族半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池所用的材料及其特點(diǎn)？3、InP系太陽(yáng)能電池的特點(diǎn)及制造方法？4、量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)？5、什么是LPE法？什么是MOCVD法？6、什么是阿尼爾現(xiàn)象？7、III-v族化合物半導(dǎo)體電池主要分哪幾類？8、什么是聚光型太陽(yáng)能電池技術(shù)？三、論術(shù)題：1、III-v族半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池的材料成本、性能等，闡述薄膜和聚光型太陽(yáng)能電池的目前發(fā)展及未來(lái)發(fā)展方向 第八章 色素增感型太陽(yáng)能電池一、 填空題：1、自 年瑞士格桑理工大學(xué)的教授開發(fā)出轉(zhuǎn)換效率為 的新型色素增感型太多是能電池被叫做 。2、色素增感型太陽(yáng)能電池的發(fā)電原理是種用與 的電子移動(dòng)方式的 進(jìn)行發(fā)電的。3、構(gòu)成色素增感型太陽(yáng)能電池的 等 及 的材料硅比金屬價(jià)格便宜其制造方法可以用 ，比較簡(jiǎn)單。4、目前報(bào)道的色素增感型太陽(yáng)能電池的最高轉(zhuǎn)換效率是使用 、 及 太陽(yáng)能電池，轉(zhuǎn)換效率為 。5、構(gòu)成色素增感型太陽(yáng)能電池的材料為 等