一種可控硅過零觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)_第1頁
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1、31一種可控硅過零觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)陳家新彭寧嵩(洛陽工學(xué)院計(jì)算機(jī)系河南471039可控硅作為大功率電子器件在工程中得到廣泛應(yīng)用,其過零觸發(fā)控制方式由于對(duì)電網(wǎng)無污染,在許多調(diào)功設(shè)備中都采用這種觸發(fā)方式。市場(chǎng)上提供了幾種過零觸發(fā)的集成電路,由于沒有必要的保護(hù),一旦電路出現(xiàn)故障,將危及與之相連接的其它設(shè)備,并沒有受到用戶的青睞,很多用戶自己研制可控硅控制電路。圖3所給出的可控硅觸發(fā)電路,采用了二級(jí)保護(hù)措施,經(jīng)在多臺(tái)調(diào)功設(shè)備上使用,證明工作穩(wěn)定,有很高的可靠性。圖1中DOPT1DOPT3為交流光耦,圖1中A 1、B 1、C 1各點(diǎn)的輸出波形如圖2所示。交流電壓過零時(shí),光敏三極管截止,產(chǎn)生輸出負(fù)脈沖,輸出

2、點(diǎn)A 1的波形如圖2中U A 1所示:U A1經(jīng)過施密特觸發(fā)器整形、反向后波形圖2中U B1所示:我們看到U A 1和U B1的脈沖均跨越過零點(diǎn)左右,如果直接作為發(fā)出脈沖,會(huì)導(dǎo)致可控硅結(jié)溫過快升高,影響器件壽命,為此,用一個(gè)電阻和一個(gè)電容構(gòu)成一個(gè)單穩(wěn)態(tài)移相電路,處理后的C 1點(diǎn)的同步輸出脈沖如圖2中U C1所示。圖3中,RW M 是占空比為0-100%的時(shí)間比例脈沖,經(jīng)與同步脈沖相遇后,產(chǎn)生決定可控硅通斷的觸發(fā)脈沖,作為光控可控硅MC3061的輸出驅(qū)動(dòng)大功率可控硅,控制可控硅的通斷,以調(diào)節(jié)負(fù)載功率。經(jīng)過脈寬調(diào)制后負(fù)載的波形如圖2中UOUT 所示。為了對(duì)可控硅進(jìn)行保護(hù),光控可控硅支路串聯(lián)一個(gè)50 的電阻,和二陽極和門控段間并聯(lián)一個(gè)100 的電阻。陳家新等:一種可控硅過零觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)圖1 過零同步脈沖檢測(cè)電路設(shè)計(jì) 應(yīng)用32現(xiàn)代電子技術(shù)07/2000第7期(總第114期現(xiàn)代電子技術(shù)Mo rde rn Ele ct r

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