模擬集成電路復(fù)習(xí)

1、1、 爭辯模擬集成電路的重要性：（1）首先，MOSFET的特征尺寸越來越小，本征速度越來 越快；（2）SOC芯片進展的需求。2、 模擬設(shè)計困難的緣由：（1）模擬設(shè)計涉及到在速度、功耗、增益、精度、電源電壓等多種因素間進行折衷，而數(shù)字電路只需在速度和功耗之間折衷；（2）模擬電路對噪聲、串?dāng)_和其它干擾比數(shù)字電路要敏感得多；（3）器件的二級效應(yīng)對模擬電路的影響比數(shù)字電路要嚴(yán)峻得多；（4）高性能模擬電路的設(shè)計很少能自動完成，而很多數(shù)字電路都是自動綜合和布局的。3、 魯棒性就是系統(tǒng)的健壯性。它是在特別和危急狀況下系統(tǒng)生存的關(guān)鍵。所謂“魯棒性”，是指把握系統(tǒng)在肯定的參數(shù)攝動下，維持某些性能的特性。4、 版

2、圖設(shè)計過程：設(shè)計規(guī)章檢查（DRC）、電氣規(guī)章檢查（ERC）、全都性校驗（LVS）、RC分布參數(shù)提取5、 MOS管正常工作的基本條件是:全部襯源（B、S）、襯漏（B、D）pn結(jié)必需反偏6、 溝道為夾斷條件：7、 （1）截止區(qū)：Id=0；Vgs<Vth（2）線性區(qū)的NMOSFET（0 < VDS < VGSVT） （3）飽和區(qū)的MOSFET（VDS VGSVT）8、 柵極跨導(dǎo)gm：是表征柵-源電壓對于輸出漏極電流把握作用強弱的一個重要的參數(shù)，它反映了器件的小信號放大性能，期望越大越好。 9、 體效應(yīng)：抱負狀況下是假設(shè)晶體管的襯底和源是短接的，實際上兩者并不肯定電位相同，當(dāng)VB變得

3、更負時，Vth增加，這種效應(yīng)叫做體效應(yīng)。體效應(yīng)會轉(zhuǎn)變晶體管的閾值電壓。10、11、亞閾值導(dǎo)電性：當(dāng)Vgs下降到低于Vth時器件突然關(guān)斷。實際上，Vgs=Vth時，一個“弱”的強反型仍舊存在，并有一些源漏電流。當(dāng)Vgs<Vth，Id也并非是無限小，而是與Vgs呈現(xiàn)指數(shù)關(guān)系，這種效應(yīng)稱為“亞閾值導(dǎo)電”。12、形成溝道時的VG稱為閾值電壓記為VT 13、MOS低頻小信號 14、模擬電路的八邊形法則： 15、共源級的四種接法：（1）接受電阻負載的共源級；增益：（2）接受二級管接法；（增益與偏置電流無關(guān)，即輸入與輸出呈線性(大信號時也如此！) （3）接受電流源負載的共源級 （4）工作在線性區(qū)的MO

4、S負載的共源級（5）帶源極負反饋的共源級 16、源極跟隨器（可以起到一個電壓緩沖器的作用） 17、共柵放大器直接耦合的共柵級 電容耦合的共柵級18、共源共柵放大器：共源共柵優(yōu)點：產(chǎn)生大的增益；屏蔽特性；輸出阻抗高。19、差動信號的優(yōu)點：（1） 能有效抑制共模噪聲；（2） 增大了輸出電壓擺幅(是單端輸出的兩倍)；（3） 偏置電路更簡潔(差分對可以直接耦合)、輸出線性度更高；（4） 缺點是芯片面積和功耗略有增加.（b=nCOX(W/L)）20、基本電流鏡：電流鏡作用：（1）電流鏡可以精確的復(fù)制電流而不受工藝和溫度影響。Iout和IREF比值由器件尺寸的比率打算，該值可以把握在合理精度范圍內(nèi)。 （2

5、）為差動放大器起偏置作用 （為抑制溝道長度調(diào)制的影響，可以使用共源共柵的電流鏡）有源電流鏡：像有源器件一樣用來處理信號的電流鏡結(jié)構(gòu)叫做有源電流鏡。21、共源放大器的高頻模型（CGD 會產(chǎn)生密勒效應(yīng)）22、共源共柵放大器的高頻特性（從M2 源極看進去的低頻輸入電阻約為 1/(gm2+gmb2)， 這也是M1的負載低頻電阻；CGD1的密勒效應(yīng)由A點到X電的增益AVX打算；AVX= -gm1 /(gm2+gmb2) ,若M1、M2的寬長比大致相同，則AVX»1；CGD1 在輸入節(jié)點產(chǎn)生的密勒效應(yīng)電容大小近似為 2CGD1，同CS放大器相比，明顯小了很多） 23、噪聲譜，也稱為“功率譜密度“

6、（PSD，表示在每一個頻率上信號具有的功率大小。噪聲波形X（t）的PSD，即Sx(f)，被定義成在f四周1HZ帶寬內(nèi)X（t）具有的平均功率。單位：V2/HZ 熱噪聲分為：電阻熱噪聲，閃爍噪聲24、反饋電路特性：（1）增益靈敏度降低；（2）終端阻抗變化；（3）帶寬變化；（4）非線性減小 OUT IN AV RIN ROUT 1、 電壓電壓（串） 減小 增大 減小2、 電壓電流（并） 減小 減小 減小3、 電流電壓（串） 減小 增大 增大4、 電流電流（并） 減小 減小 增大25、便求解，在肯定條件下可用（點結(jié)點關(guān)聯(lián)）估算系統(tǒng)的極點頻率。26、類型的晶體管相比，MOS器件的尺寸很簡潔按比例_縮小，

7、CMOS電路被證明具有_較低_的制造成本。27 放大應(yīng)用時，通常使MOS管工作在_ 飽和_區(qū)，電流受柵源過驅(qū)動電壓把握，我們定義_跨導(dǎo)_來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的力量。28、源跟隨器主要應(yīng)用是起到_電壓緩沖器_的作用。29、柵放大器結(jié)構(gòu)的一個重要特性就是_輸出阻抗_很高，因此可以做成_恒定電流源_。30、由于_尾電流源輸出阻抗為有限值_或_電路不完全對稱_等因素，共模輸入電平的變化會引起差動輸出的轉(zhuǎn)變。31、為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù)，值與溝道長度成_反比_（正比、反比）。32溝道長度調(diào)制解：當(dāng)柵與漏之間的電壓增大時，實際的反型溝道長度漸漸減小，也就是說，L實際上是VDS的函數(shù)，這種效應(yīng)稱為溝道長度調(diào)制。33、等效 夸導(dǎo)Gm解：對于某種具體的電路結(jié)構(gòu)，定義為電路的等效跨導(dǎo)，來表示輸入電壓轉(zhuǎn)換成輸出電流的力量34、輸出擺幅解:輸出電壓最大值與最小值之間的差。1、“MOS器件即使沒有傳輸電流也可能導(dǎo)通”，這種說法正確么？為什么？解：正確。當(dāng)時，器件工作在深線性區(qū)，此時雖然足夠的VGS可以滿足器件的導(dǎo)通條件，但是VDS很小，以至于沒有傳輸電流。3、帶有源極負反饋的共源極放大電路相對于基本共源極電路有什么優(yōu)點？解：由帶有源極負反饋的共源極放大電路的等效跨導(dǎo)表達式得，若RS>>1/gm，則Gm1/RS，所以漏電流是輸入電壓的線性函數(shù)。所以相對于基