模電填空題答案

1、第一章1雜質(zhì)半導體分為 ( N ) 型和 ( P ) 型。自由電子是 ( N ) 型半導體中的多子?？昭ㄊ?(P ) 型半導體中的少子。2雜質(zhì)半導體中的少子因 ( 本征激發(fā) ) 而產(chǎn)生，多子主要因 ( 摻雜 ) 而產(chǎn)生。3常溫下多子濃度等于 ( 雜質(zhì) ) 濃度，而少于濃度隨 ( 溫度 ) 變化顯著。4導體中的 ( 擴散 ) 電流與載流子濃度梯度成正比； ( 漂移 ) 電流與電場強度成正比。5當 ( P ) 區(qū)外接高電位而 ( N ) 區(qū)外接低電位時，PN結正偏。6，PN結又稱為 ( 空間電荷區(qū) )、( 耗盡層 )、( 阻擋層 )和 ( 勢壘區(qū) )。7PN結的伏安方程為( )。該方程反映出PN結

2、的基本特性是 ( 單向導電性 ) 特性。此外，PN結還有 ( 電容 ) 效應和 (反向擊穿 )特性。8PN結電容包括( 勢壘 )電容和( 擴散 ) 電容。PN結反偏時，只存在 ( 勢壘) 電容。反偏越大，該電容越 ( 越小 )。 9普通Si二極管的導通電壓的典型值約為 ( 0.7 ) 伏，而Ge二極管導通電壓的典型值約為( 0.3 )伏。10( 鍺 ) 二極管的反向飽和電流遠大于( 硅 ) 二極管的反向飽和電流。11PN結的反向擊穿分為( 齊納 )擊穿和( 雪崩 )擊穿兩種機理。12穩(wěn)壓管是利于PN結( 反向擊穿 )特性工作的二極管。13變?nèi)荻O管是利于PN結( 反向 )特性工作的二極管。14

3、二極管交流電阻rd的定義式是( )，rd的估算式是( )，其中熱電壓UT在T=300K時，值約為 ( 26 )mV。 第二章1當發(fā)射結正偏，集電結反偏時，BJT工作在( 放大 )區(qū)，當發(fā)射結和集電結都( 正偏 )時，BJT飽和；當發(fā)射結和集電結都 ( 反偏 ) 時，BJT截止。2放大偏置的NPN管，三電極的電位關系是( )。而放大偏置的PNP管，三電極的電位關系是( )。3為了提高值，BJT在結構上具有發(fā)射區(qū)雜質(zhì)密度 ( 遠遠高于 )基區(qū)雜質(zhì)密度和基區(qū)( 很薄 )的特點。4ICBO表示( 集電極反向飽和電流 )，下標O表示( 發(fā)射極開路 )。ICEO表示( C-E間的穿透電流 )，下標O表示(

4、 基極開路 )。這兩個電流之間的關系是( )。5在放大區(qū)iC與iB的關系為 ( )，對Si管而言iC ( )。6共射直流放大系數(shù)與共基直流電流放大系數(shù)的關系是 ( )。7在放大區(qū)，iE、iC和iB近似成( 線性 )關系，而這些電流與uBE則是( 指數(shù) )關系。8放大偏置的BJT在集電結電壓變化時，會通過改變基區(qū)寬度而影響各級電流，此現(xiàn)象稱為( 基區(qū)寬度調(diào)制效應 )。9一條共射輸入特性曲線對應的函數(shù)關系是( )。一條共射輸出特性曲線對應的函數(shù)關系是( )。10當溫度增加時， ( 增大 )，ICBO ( 增大 )，而共射輸入特性曲線( 左移 )使得UBE減小。11BJT的三個主要極限參數(shù)是()、(

5、 )和()。12交流的定義式為( )；直流的定義式為( )。13當|（f）|1時的頻率稱為BJT的( 特征頻率 )。14rbe和交流其實是兩個共射H參數(shù)，它們與混合參數(shù)的關系是rbe =( )，=( )。15引入厄利電壓UA是為了便于估算反映基調(diào)效應的混合參數(shù)( )和( )。16場效應管(FET)依靠( 柵源電壓uGS )控制漏極電流iD，故稱為( 電壓 )控制器件。17FET工作于放大區(qū)，又稱為( 飽和 )區(qū)或( 恒流 )區(qū)。此時iD主要受( 柵源uGS )電壓控制，而iD幾乎不隨( 漏源uDS )電壓的改變而變化。18N溝道FET放大偏置時，溝道電流iD的方向是從( 漏 )極到( 源 )極

6、；P溝道FET放大偏置時，iD的方向是從( 源 )極到( 漏 )極。19溝道預夾斷是指溝道在( 靠近漏極 )位置剛好消失的狀態(tài)。此時，uDS與uGS滿足的關系式稱為( 預夾斷 )方程。20FET的小信號跨導定義為gm=( )，對于耗盡型管gm( )或( )；對于增強型管gm( )。21在放大區(qū)，耗盡型管轉移特性曲線近似滿足的平方律關系式為( )，而增強型管的平方律關系式為( )。22根據(jù)FET在放大區(qū)的外特性，它的柵極、源極和漏極分別與BJT的( 基 )極、( 發(fā)射 )極和( 集電極 )極相似。23FET的三種基本放大組態(tài)：CS組態(tài)、CD組態(tài)和CG組態(tài)，其放大特性分別與BJT的( CE )組態(tài)

7、、( CC )組態(tài)和( CB )組態(tài)相似。24FET的( 溝道調(diào)制 )效應與BJT的基區(qū)寬調(diào)效應相似?；鶇^(qū)寬調(diào)效應使集電結反偏電壓變化對各極電流有影響，而FET的該效應使( uDS )電壓的變化對iD產(chǎn)生影響。25FET的小信號參數(shù)( )是溝道調(diào)制效應的反映。 第三章1放大器的直流通路可用來求( 靜態(tài)工作點 )。在畫直流通路時，應將電路元件中的( 電容 )開路，( 電感 )短路。2交流通路只反映( 交流 )電壓與( 交流 )電流之間的關系。在畫交流通路時，應將耦合和傍路電容及恒壓源( 短路 )。3題2.13(3)所示共射放大器的輸出直流負載線方程近似為( )。該電路的交流負載線是經(jīng)過( Q )

8、點，且斜率為( )的一條直線。共射放大器的交流負載線是放大器工作時共射輸出特性曲線上的動點( )的運動軌跡。4CE放大器工作點選在( 交流負載線 )的中點時，無削波失真的輸出電壓最大。5放大器信號源的等效負載是放大器的( 輸入 )電阻，而向放大器的負載RL輸出功率的等效信號源的內(nèi)阻是放大器的( 輸出 )電阻。6多級放大器的增益等于各級增益分貝數(shù)( 相加 )。若放大器Au= -707倍，則Au的分貝數(shù)=( 37 )。7級聯(lián)放大器常用的級間耦合方式有( 直接 )耦合，( 阻容 )耦合和( 變壓器 )耦合。8放大器級間產(chǎn)生共電耦合的原因是(直流電源存在內(nèi)阻)，消除共電耦合的方法是采用( 電源去耦 )

9、電路。9高增益直流放大器要解決的一個主要問題是( 零點漂移（溫漂） )。10在多級放大器中，中間某一級的( 輸入 )電阻是上一級的負載。11任何放大器的( 功率 )增益總是大于一。12從頻譜分析的角度而言，放大器非線性失真的主要特征是( 有諧波產(chǎn)生（輸出信號產(chǎn)生了新的頻率成分） )。13圖P213（a）和（b）是兩個無源單口網(wǎng)絡。圖（a）的端口等效電阻Ra等于( 51.1kW )。圖（b）的端口等效電阻Rb等于( 0.02 kW )。（a）（b）圖P213(13) 14圖P214是某放大器的通用模型。如果該放大器的端電壓增益Au= -100，則該放大器的Aus=( 39 )dB，Auo=( 4

10、0.4 )dB，Ai=( 34 )dB，Ap=( 37 )dB。圖P213(18)圖P213(14)1002K 15在BJT三種基本放大器中，CE組態(tài)使用較多的一個原因是( 功率 )增益最大。16當溫度增加時，晶體管的直流參數(shù)( )和( )增加，而( )減小，使圖P213(16)偏置電路的工作點向( 上 )移動。17當溫度增加時，圖P213(16)電路的( 基極 )電流幾乎不變，而( 集電極 )電流明顯增大，( )電壓明顯減小。18圖P2所示偏置電路稱為( 射極（或工作點穩(wěn)定電路） )偏置電路。當電路滿足條件( )或( )時，穩(wěn)定Q效果較好。19圖P213(18)電路中，只有電阻( )對IC幾

11、乎無影響，但RC增加時，工作點會移向( 飽和 )區(qū)。20在FET分立元件放大電路中，常采用的偏置電路是( 自偏壓 )電路和(分壓式自偏壓 )電路。但(自偏壓式 )偏置電路不能用于增強型MOSFET。 第四章1 在半導體集成電路(IC)中，( BJT )元件占芯片面積最小，( R )和( C )元件的值越大，占芯片面積越大，而( L )元件無法集成。2 集成放大器的偏置電路往往采用( 恒流源 )電路。而集成放大器的負載常采用( 有源負載 )負載，其目的是為了( 提高電壓增益 )。3 IC中的恒壓源和恒流源電路屬于非線性電阻性單口器件。前者有很小的( 交流 )電阻，后者的( 交流 )電阻很大。4

12、圖319所示CE基本差動放大器的差模輸入電壓uid的線性范圍約為( 26 )mV。5 在圖319中，當uid超過大約( 100 )mV時，輸出出現(xiàn)明顯限幅。6 差動放大器依靠電路的( 對稱性 )和( 共模 )負反饋來抑制零點漂移。7 一般情況下，單端輸入的差動放大器其輸出電壓與同一信號差模輸人時的輸出電壓幾乎相同，其原因是( 差放抑制共模信號 )。8 采用恒流源偏置的差動放大器可以明顯提高( 共模抑制比 )。9 NPN-PNP互補對稱乙類功放在每管工作時，都是( 共集電極 )組態(tài)。這種功放電路，對發(fā)射結加一定正偏電壓的目的是為了克服( 交越失真 )。10圖P316（a）所示復合管等效為一只(

13、NPN )管(標出各電極)。其等效=( )，等效rbe=( )。11使用PCM=lW的BJT作甲類功放時，只能輸出( 0.25 )W功率，而用兩只PCM=lW的NPN和PNP管組成乙類功效，卻能輸出( 5 )W功率。13對于OCL或OTL電路，當負載電阻減小時，最大輸出功率( 增大 )。 14當功率管的飽和壓降UCES增大時，各指標的變化為Pomax( 減小 )，max( 降低 )，PEmax( 不變 )和PT1max( 不變 )。 第五章1放大器的頻率響應是指放大器的輸出信號對輸入信號的( 正弦穩(wěn)態(tài) )響應。小信號放大器輸出信號與輸入信號的相量比，稱為放大器增益的( 頻率特性 )函數(shù)。2在低

14、頻段，由于( 耦合電容、旁路電容（等電抗元件） )的存在，使放大器的增益是頻率的函數(shù)；在高頻段，由于( 極間電容、分布電容、雜散電容等 )使增益也是頻率的函數(shù)。3當輸入信號頻率降低或升高至使增益|A(j) |下降到中頻段增益|Ao |的()倍時所對應的頻率，分別稱為增益的( 下限截止 )頻率fL和( 上限截止 )頻率fH。通頻帶就是在( fLfH )之間的頻率范圍。fL和fH又稱為( 3 )dB( 截止 )頻率。BW又稱為( 3 )dB帶寬。 4大器對輸入信號的高頻分量或低頻分量的放大倍數(shù)不相同，輸出波形就會發(fā)生畸變，這種輸出失真稱為( 幅頻失真 )。放大器對輸入信號的某些頻率成分的時延不同，

15、或者說對不同頻率的輸入信號產(chǎn)生的附加相移不與頻率成正比，也會使輸出波形畸變，這種輸出失真稱為( 相頻失真 )。以上兩種失真統(tǒng)稱為( 頻率 )失真。5與非線性失真最根本的區(qū)別是：發(fā)生頻率失真時，輸出波形中不會出現(xiàn)( 新的頻率（諧波） )成分。所以，頻率失真又稱為( 線性 )失真。6將頻率特性函數(shù)A(j)中的( )代以( S )；，則成為放大器增益函數(shù)A(s)。使A(s)0的取值稱為放大器增益函數(shù)的( 零點 )，使A(s) 的取值稱為放大器增益函數(shù)的( 極點 )。80100圖P512(8)108107106（rad/s）20lg|Au(j) |（dB）2040607電壓增益的頻率特性函數(shù)。其中Au

16、()的含義是( 幅頻特性表示放大器增益的幅值與頻率的關系 )，含義是( 相頻特性表示放大器增益的相位與頻率的關系 )。8如圖P512(8)所示，Au(j)幅頻波特圖所對應的中頻增益Auo=( 105 )倍，fH=( 106/2p Hz )。9如果放大器小信號模型中只有一個獨立電容，則該放大器的任何頻率特性函數(shù)的截止角頻率都等于( )。( 其中RO為該電容兩端的等效電阻)10某放大器的電壓增益函數(shù)，經(jīng)計算，該放大器的Auo =( 300 )，L=( 100rad )，H= ( 106rad )。（此為全頻段的增益函數(shù)，需畫出波特圖才能知道中頻增益的大?。┫葘⒃鲆婧瘮?shù)變?yōu)樽優(yōu)闃藴首鲌D式：可先畫括號

17、部分的波特圖，然后下移dB 第六章（1）負反饋的基本型式有 電壓串聯(lián) ， 電壓并聯(lián) ， 電流串聯(lián) ， 電流并聯(lián) 四種；若把輸出端 短路 后 ，反饋因而消失者，就是 電壓 反饋；反饋并不因而消失者，則是 電流 反饋；若把輸入端 短路 后，反饋因而消失者，就是 并聯(lián) 反饋，否則，則是 串聯(lián) 反饋。（2）為了充分提高負反饋的效果，串聯(lián)反饋要求信號源內(nèi)阻 小 ，并聯(lián)反饋要求信號源內(nèi)阻 大 ；電流反饋要求負載 電阻小 ，電壓反饋要求負載 電阻大 。（3）電流串聯(lián)負反饋放大器是一種輸出端取樣為 電流 ，輸入端比較量為 電壓 的負反饋放大器，它使輸入電阻 增大 ，輸出電阻 增大 。（4）電壓并聯(lián)負反饋放大器

18、是一種輸出端取樣為 電壓 ，輸入端比較量為 電流 的負反饋放大器，它使輸入電阻 減小 ，輸出電阻 減小 。（5）若要減小放大器從信號源索取電流，應引入 串聯(lián)負 反饋，若要提高放大器帶負載能力，應引入 電壓負 反饋。（6）一個電壓串聯(lián)負反饋放大器，無反饋時電壓增益為80dB，為使有反饋時的電壓增益為20dB，則反饋深度（1+AB）應為 60 dB。反饋系數(shù)B約等于 0.1 。（7）負反饋系統(tǒng)產(chǎn)生自激的條件是 ，相應的振幅條件是 ，相位條件是 。（8）放大器的閉環(huán)增益為40dB，基本放大器放大倍數(shù)變化了10%，閉環(huán)增益變化了1%，則開環(huán)增益為 60dB 。 第七章（1）理想集成運放開環(huán)電壓放大倍數(shù)Aud= ，輸入電阻Rid= ，輸出電阻R0= 0 ，共模抑制比KCMR= ，開環(huán)帶寬BW= 。（2）集成運放第一級常采用 差分放大 電路，